Vishay具有业内最低导通电阻的新款12V和20V 的N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET。采用业内最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT®封装的CSP规格尺寸
2012-11-29 16:37:31
1694 近日，德州仪器 （TI） 推出了业内速度最快的半桥栅极驱动器。这款用于分立式功率MOSFET和绝缘栅双极晶体管 （IGBT） 的栅极驱动器的工作电压可达到600V。
2015-10-16 16:32:111114 Vishay宣布推出新款60 V TrenchFET®第四代n沟道功率MOSFET---SiSS22DN，业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件，10 V条件下最大导通电阻降至4 m，采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装。
2019-10-05 07:04:005406 瑞萨电子日前发售了八款封装尺寸仅为2mm×2mm的功率MOSFET。其中两款产品“在封装尺寸为2mm见方的产品中，实现了业界最高水平的低导通电阻”。
2012-04-13 09:19:341360 基于该封装概念的功率MOSFET，它们是采用PQFN 3.3x3.3 mm封装的OptiMOSTM 25 V 功率MOSFET。该器件在MOSFET性能方面树立了新的行业标杆，不仅通态电阻（RDS（on））降低，还具有业内领先的热性能指标。该产品适合的应用非常广泛，包括马达驱动、SMPS（包括服务器、电信和
2020-02-18 17:50:081494 日前发布的MOSFET导通电阻比市场上排名第二的产品低43%，降低压降并减小传导损耗，从而实现更高功率密度。
2020-08-17 11:53:14846 电源管理系统要实现高能源转换效率、完善可靠的故障保护，离不开高性能的开关器件。近日，豪威集团全新推出两款MOSFET：业内最低内阻双N沟道MOSFET WNMD2196A和SGT 80V N沟道
2022-06-28 11:01:01750 
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 06:19:23
SJ MOSFET是一种先进的高电压功率MOSFET，根据P&S的超结原理。报价设备提供了快速切换的所有好处并且导通电阻低，使其特别适用于需要更多高效，更紧凑，LED照明，高
性能适配器等。
2023-09-15 08:16:02
。7N60的栅源电压(VGS)为±30V，导通电阻RDS(on)为1.2Ω。7N60的电性参数是：连续二极管正向电流(IS)为7A，漏源电压(VDSS)为600V，源-漏二极管压降(VSD)为1.5V
2021-12-16 16:58:19
(SOT)-23，漏源导通电阻RDS(ON)通常100mΩ左右。“在这些电路板上，你有空间受限的问题吗？”我问。他承认有，于是我让他看TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET
2022-11-16 07:06:25
设备，TI同时推出了焊盘距离为0.50mm的F5 FemtoFET系列产品，并将电压范围扩充至60V。了解更多60V F5设备，请阅读我同事Brett Barr的博客文章，“Shrink 使用新一代
2018-08-29 15:28:55
用于它们的负载点（POL）设计。当适应控制器和外部MOSFET时，这些应用极大地限制了主板空间。MOSFET和封装技术的进步使得TI能够成功应对这些挑战。诸如TI 2.x NexFET™功率
2019-07-31 04:45:11
东芝新一代功率MOSFET产品帮助设计者降低各种电源管理电路的损耗及缩小板子的空间，包含直流-直流转换器的high side 及low side开关，以及交流-直流设计中的二次侧同步整流。此技术也适合马达控制及锂电池电子设备中的保护模组。
2019-08-02 08:07:22
功率MOSFET有二种类型：N沟通和P沟道，在系统设计的过程中，选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征，然后再论述选择的原则。
2021-03-02 08:40:51
功率MOSFET的正向导通等效电路（1）：等效电路（2）：说明功率 MOSFET 正向导通时可用一电阻等效，该电阻与温度有关，温度升高，该电阻变大；它还与门极驱动电压的大小有关，驱动电压升高，该电阻
2021-09-05 07:00:00
掺杂的N-的外延层即epi层来控制。图2：N沟道垂直导电的平面结构及Rdson组成 在低压器件中，由于N-外延层比较薄，N+层和漏极的金属衬底对通态的电阻影响大；大于100V的器件，N-外延层是通态电阻
2016-10-10 10:58:30
e图2：空穴和电子的迁移率迁移率和tc成正比，由于空穴的有效质量比较大，因此在同样的掺杂浓度下，空穴的迁移率远小于电子，这意味着：同样的晶元面积，P沟道的功率MOSFET的导通电阻也远大于N沟道的功率
2016-12-07 11:36:11
；设计输出：通道1输出1.2V/4A;通道2输出2.5V/4A,通道3,4输出3.3V/1.2A；通道1,2电路原理图如下： 存在问题：1.每次上电，芯片四个通道的SW引脚有时候有输出；2.通道3,4能
2018-10-15 14:30:34
`AP15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-13 09:16:34
BSS123 - 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 VBSS123 N沟道MOSFET 100V 170mA/0.17A
2019-11-13 11:00:58
`Diodes公司继续扩展其功率MOSFET产品组合，采用新型N和P通道器件，击穿电压高达450V，并提供多种封装选择。 Diodes Inc. MOSFET产品系列非常适合各种应用，包括DC-DC
2019-05-13 11:07:19
员所需要的。飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor简称FAI)推出的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET（尺寸3.3mm x 3.3mm 外形PQFN）此款
2012-04-28 10:21:32
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能够提供业界最低导通电阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【关键词】：功率损耗,导通电阻
2010-05-06 08:55:20
. 总所周知，IR不仅是全球功率半导体领先供应商，还是管理方案领先供应商。其推出的AUIRF8736M2 DirectFET2功率MOSFET,采用COOLiRFET硅技术,40V
2018-09-28 15:57:04
LTC2422的典型应用 - 在MSOP-10中的1- / 2通道20位功率无延迟Delta Sigma ADC。 LTC2421 / LTC2422是1通道和2通道2.7V至5.5V微功率20位模数转换器，集成振荡器，8ppm INL和1.2ppm RMS噪声
2019-08-21 08:53:11
的MOSFET设计，就无法做到这一点。2006年，英飞凌为了满足客户的要求，推出了OptiMOS™ 2 100 V MOSFET[1]。它是该电压等级里采用电荷补偿技术的第一个功率MOSFE器件。相对于传统
2018-12-07 10:21:41
120 、SCT50N120 （Vbr=1200v（SCT*N120），Vbr=650v（SCT*N65G2/G2V））.高温时功率损耗低.高温工作性能（200C）.无恢复损耗的体二极管.驱动方便.低栅极充电（SCT*N65G2V）了解更多信息，请关注英特洲电子，QQ584140894
2017-07-27 17:50:07
50MR；TSD5N60MTruesemi 其它相关产品请 点击此处 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低栅极电荷（典型值为16nC）快速切换经过100％雪崩测试改进的dv/dt功能主要参数：应用：高效开关模式电源，基于半桥拓扑的有源功率因数校正`
2020-04-30 15:13:55
时，客户工程师发现：Vin=5V，ID=100mA，VGS=2.5V时，Q1的导通压降只有0.06V，那么，这是不是表明：功率MOSFET在反向工作的时候，VTH比正向导通的时候低？是不是二极管的分流
2017-04-06 14:57:20
：不含卤素，符合 IEC 61249-2-21 规定TrenchFET® 功率 MOSFET典型 ESD 保护:800V符合 AEC-Q101经 100% Rg 和 UIS 测试VDS(V)：-60VID(A):-2.9应用：车载/汽车电子`
2019-07-09 17:30:39
;自1976年开发出功率MOSFET以来，由于半导体工艺技术的发展，它的性能不断提高：如<br/>高压功率MOSFET其工作电压可达1000V；低导通电阻MOSFET其阻值仅
2010-08-12 13:58:43
的梯形控制，并支持25A RMS连续（60 秒峰值2秒，100毫秒峰值400毫秒）绕组电流。该设计的MOSFET功率模块和电流控制的栅极驱动器有助于清除MOSFET开关，并且由于压摆率控制和低寄生电感而
2018-06-26 12:03:16
和上限：3V、4V、4.5V。FDMS86181，VTH下限、中间值和上限：2V、3.1V、4V。IRFB4310，VTH下限、上限：2V、4V，中间值没有标出。1.2 逻辑电平驱动的功率MOSFET
2019-08-08 21:40:31
为什么贴片电阻的封装是3.81mm*1.27mm？应该是0805=2.0x1.2mm才对啊
2013-08-19 20:14:30
LT1336的典型应用是具有成本效益的半桥N沟道功率MOSFET驱动器。浮动驱动器可以驱动顶部N沟道功率MOSFET工作在高达60V（绝对最大值）的高压（HV）轨道上工作
2019-05-10 06:46:05
全球知名的半导体厂商罗姆(ROHM)公司推出了一款内部集成高额定电压的功率MOSFET的电流模式同步降压转换器——BD9V101MUF-LB，它可以保证在工业市场长期支持。该芯片通过纳米脉冲控制技术
2019-04-01 06:20:06
。功率 MOSFET 的分类及优缺点和小功率 MOSFET 类似，功率 MOSFET 也有分为 N 沟道和 P 沟道两大类；每个大类又分为增强型和耗尽型两种。虽然耗尽型较之增强型有不少的优势，但实际上
2019-11-17 08:00:00
阵营。高效率 NexFET 包括 40V、60V、80V 以及 100V N 通道器件，可为广泛大电流电机控制及电源应用提供优异的散热性能。 最低导通电阻： 两款最新 80V 及 100V
2018-11-29 17:13:53
LM3463 是一款 12V 至 95V 宽泛输入电压的 6 通道 LED 电流控制器，可为每个灯串驱动28 个 LED，还可通过调光输入引脚由外部微控制器便携地进行调光控制。它与外部 N 通道
2012-12-12 17:37:11
(SOT)-23，漏源导通电阻RDS(ON)通常100mΩ左右。“在这些电路板上，你有空间受限的问题吗？”我问。他承认有，于是我让他看TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET
2018-08-29 16:09:11
MOSFET晶体管FA57SA50LC技术参数资料通道类型 N--连续漏极电流 5.7 A--漏源电压 500 V--漏源电阻值 0.08 Ω--栅源电压 ±20 V封装类型 SOT-227安装类型 螺丝
2019-10-24 15:11:08
通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 500 V Id-连续漏极电流: 26 A Rds On-漏源导通电阻: 230 mOhms Vgs
2020-03-31 17:08:29
: TO-247-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 75 V Id-连续漏极电流: 340 A Rds On-漏源导通电阻: 3.2 mOhms Vgs
2020-04-01 16:19:37
通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 600 V Id-连续漏极电流: 36 A Rds On-漏源导通电阻: 190 mOhms Vgs
2020-04-01 11:07:48
: SOT-227-4 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 850 V Id-连续漏极电流: 90 A Rds On-漏源导通电阻: 41 mOhms Vgs
2020-03-19 16:31:27
: TO-220AB-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 250 V Id-连续漏极电流: 60 A Rds On-漏源导通电阻: 19 mOhms
2020-03-20 17:12:51
: TO-3P-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 600 V Id-连续漏极电流: 50 A Rds On-漏源导通电阻: 73 mOhms Vgs
2020-03-04 10:11:00
通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 250 V Id-连续漏极电流: 60 A Rds On-漏源导通电阻: 19 mOhms Vgs - 栅极
2020-03-20 17:01:53
通道数量: 1 Channel 晶体管极性: P-Channel Vds-漏源极击穿电压: 600 V Id-连续漏极电流: 16 A Rds On-漏源导通电阻: 720 mOhms Vgs
2020-04-01 11:09:10
通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 600 V Id-连续漏极电流: 22 A Rds On-漏源导通电阻: 350 mOhms Vgs
2020-04-01 16:21:55
驱动外部、低导通电阻、功率N通道mosfet。它提供快速充放电所需的大瞬态电流，以减少开关过程中MOSFET内部的损耗。充电和放电速率可以通过与MOSFET栅极串联的外部电阻来控制。栅极驱动电压调节栅极
2020-09-29 16:51:51
罗姆（ROHM）是全球著名半导体厂商之一。它推出了6款中功率肖特基势垒二极管，型号分别为RBR1MM60A，RBR2MM60A，RBR2MM60B，RBR2MM60C，RBR3MM60
2019-07-15 04:20:07
40V的MOSFET的通态电阻降低了40%，而阻断电压为60V的MOSFET的通态电阻降幅甚至达到48%以上。 迄今为止，英飞凌是全球首家推出采用SuperSO8封装、最大通态电阻不足1毫欧的40V
2018-12-06 09:46:29
ICE2QS03G作为功率转换控制芯片，CoolMOS™ IPL65R190E6作为反激开关管，IR1161LTRPBF作为次级同步整流控制芯片，BSC035N10NS5作为次级同步整流MOSFET。支持恒压
2017-04-12 18:43:19
的梯形控制，并支持25A RMS连续（60 秒峰值2秒，100毫秒峰值400毫秒）绕组电流。该设计的MOSFET功率模块和电流控制的栅极驱动器有助于清除MOSFET开关，并且由于压摆率控制和低寄生电感而
2018-06-19 09:40:27
用途。 这样，是否可以将导电通道以高掺杂较低电阻率实现，而在MOSFET关断时，设法使这个通道以某种方式夹断，使整个器件耐压仅取决于低掺杂的N-外延层。基于这种思想，1988年INFINEON推出内建横向电场
2023-02-27 11:52:38
100V N 通道 NexFET 功率 MOSFET、CSD17483F4 30V N 通道 FemtoFET™ MOSFET、MSP430G2553 MCU、LM5107(...)主要特色15V 至
2018-07-13 03:07:39
The TPS55332 is a monolithic high-voltage switching regulator with integrated 3-A, 60-V power
2010-10-01 23:15:27
29 The TPS54060 device is a 60-V 0.5-A step-down regulator with an integrated high-side MOSFET
2010-10-02 20:57:2610 The TPS54160 device is a 60-V 1.5-A step-down regulator with an integrated high-side MOSFET
2010-10-02 21:18:185 Vishay Siliconix推出业内最低导通电阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011089 TI具有最低导通电阻的全面集成型负载开关
日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款全面集成型负载开关，其在 3.6 V 电压下所提供的 5.7 m 标准导通电阻 (rON) 比同类竞争
2009-12-18 09:26:06681 小信号应用60V功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用SOT-923封装的60V N沟道功率MOSFET --- SiM400。该器件为业界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封装能节约更多
2009-12-31 09:59:441421 TI 推出具备最低导通电阻的完全整合型负载开关
TI 宣布推出一
2010-01-08 17:36:28846 TI推出显著降低上表面热阻的功率MOSFET
日前，德州仪器 (TI) 宣布面向高电流 DC/DC 应用推出业界第一个通过封装顶部散热的标准尺寸功率 MOSFET 产品系列。相对其它标准
2010-01-14 09:01:43654 TI业内最低功耗16位DSP平台再添新成员
日前，德州仪器 (TI) 宣布旗下业界最低功耗 16 位数字信号处理器 (DSP) 平台 C5000 新增两款器件：TMS320C5514 与 TMS320C5515。此外，为帮
2010-01-20 08:40:23980 TI推出通过封装顶部散热的标准尺寸功率MOSFET
日前，德州仪器 (TI) 宣布面向高电流 DC/DC 应用推出业界第一个通过封装顶部散热的标准尺寸功率 MOSFET 产品系列。相对
2010-01-22 09:40:49932 TI推出显著降低上表面热阻的功率MOSFET DualCool NexFET
日前，德州仪器 (TI) 宣布面向高电流 DC/DC 应用推出业界第一个通过封装顶部散热的标准尺寸功率 MOSFET 产品系列。相
2010-01-26 16:55:08783 
TI推出具备板载功率MOSFET的全集成型双路功率驱动器
日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款具备集成型功率 MOSFET、保护模块以及监控特性的数字双路同步降压功率驱动器，
2010-02-23 09:26:57667 IR推出一系列新型HEXFET功率MOSFET
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET，其中包括能够提供业界最低导通电阻 (RDS(on)) 的IRFH620
2010-03-12 10:28:391444 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAIR 6mmx3.7mm封装和TrenchFET Gen III技术的非对称双通道TrenchFET功率MOSFET ---
2010-11-25 08:43:23923 Maxim推出业内尺寸最小的2通道ADC MAX11645。该款12位I2C ADC在微型1.9mm x 2.2mm晶片级封装(WLP)中内置基准。4 x 3焊球阵列、0
2010-12-21 09:22:06618 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P沟道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。
2011-01-26 09:04:081505 瑞萨电子株式会社(以下简称瑞萨电子)推出用于电源器件的新型高压、N通道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)产品。新产品名为RJK60S5DPK
2011-03-21 11:20:251059 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业内采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率
2011-10-21 08:53:05873 意法半导体推出打破高压功率MOSFET晶体管世界记录的MDmesh V功率MOSFET晶体管，MDmesh V系列已是市场上性能最高的功率MOSFET晶体管，拥有最低的单位面积通态电阻
2011-12-27 17:29:101277 
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业内首款采用小尺寸57mm x 60mm封装的功率厚膜电阻--- LPS1100
2012-04-12 14:01:471179 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用PowerPAK® ChipFET®和PowerPAK 1212-8S封装的新器件，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。
2013-12-02 09:49:211075 日前，Vishay宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 TrenchFET®功率MOSFET---SiA453EDJ。该器件是2mm x 2mm占位面积的-30V器件，在-4.5V和-2.5V栅极驱动下具有业内最低的导通电阻，在便携电子产品里能够节省空间，并提高能源效率。
2014-04-29 16:30:44885 2015年1月22日，北京讯。日前，德州仪器 （TI） 推出其NexFET™ 产品线11款新型N沟道功率MOSFET，其中包括具有业界最低导通电阻并采用QFN 封装的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B，可应用于热插拔和ORing应用。
2015-01-22 15:33:263064 近日，德州仪器 （TI） 发布了业内首款多通道电感数字转换器 （LDC）。此次推出的LDC1614系列中的这4款全新器件隶属于TI在2013年推出的首个数据转换器产品类别，这让TI创新型LDC产品库获得了进一步的丰富和补充。这些器件在单个IC中提供2个或4个匹配通道，以及高达28位的分辨率。
2015-05-06 15:20:091799 MICRO FOOT器件具有20V MOSFET中最低的RDS(ON)，外形尺寸为1mm2或小于0.7mm2，开启电压低至1.2V
2015-06-19 17:07:561040 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的100V全H桥DMHC10H170SFJ，把双N通道及P通道 MOSFET集成到微型DFN5045封装 （5mm x 4.5mm）。
2016-02-16 10:56:361384 ）-23，漏源导通电阻RDS（ON）通常100mΩ左右。“在这些电路板上，您有遇到过空间受限的问题吗？”我问。他确实碰到过，于是我向他展示TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET的技术信息。
2016-10-24 16:33:37938 了高效率的解决方案。这颗器件具有业内最低的优值系数 （FOM 即栅极电荷与导通电阻乘积），该参数是600V MOSFET在功率转换应用的关键指标。
2017-02-10 15:10:111667 哪个含硅量更高：一粒沙子还是TI最新的FemtoFET产品？坐在沙滩椅上，看着大西洋的浪潮拍打着泽西海岸，我的脑海中反复萦绕着这个问题。TI新发布的F3 FemtoFET，声称其产品尺寸小至0.6mm x 0.7mm x 0.35mm（见图1），但含硅量却轻松超过大西洋城人行板道下飞扬的沙砾。
2017-04-18 07:49:54958 
关键词：MOSFET , FemtoFET 小信号 MOSFET 晶体管为移动设备节省电源，延长电池使用寿命 德州仪器 (TI) 宣布面向智能手机与平板电脑等空间有限手持应用推出业界最小型低导通电阻
2018-10-13 11:03:01308 关键词：MOSFET , Si8802DB , Si8805EDB , Vishay 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业内采用
2019-01-01 16:29:01380 哪个含硅量更高：一粒沙子还是TI最新的FemtoFET产品？坐在沙滩椅上，看着大西洋的浪潮拍打着泽西海岸，我的脑海中反复萦绕着这个问题。TI新发布的F3 FemtoFET，声称其产品尺寸小至
2021-11-10 09:39:17498 
适用于标准栅极驱动电路的MOSFET8月12日，Vishay推出新款60 V TrenchFET®第四代n沟道功率MOSFET——SiSS22DN，业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件，10
2021-12-05 10:21:115 Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 沟道 SiHK045N60E 导通电阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET
2022-02-26 13:25:351341 借助新型60V FemtoFET MOSFET缩小您的元件占位面积
2022-11-02 08:16:250 近日，全球知名的半导体解决方案供应商Vishay宣布推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET，型号为SiZF4800LDT。这款新产品将高边和低边TrenchFET® Gen IV
2024-03-12 10:32:0294
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