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电子发烧友网>电源/新能源>功率器件>Vishay的新款600V和650V E系列MOSFET提高了可靠性并减小封装电感

Vishay的新款600V和650V E系列MOSFET提高了可靠性并减小封装电感

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2022-11-14 21:08:360

开关电源设计优质选择 Vishay威世科技第三代650V SiC二极管

Vishay 新型第三代 650V SiC 二极管 器件采用 MPS 结构设计 额定电流 4 A~ 40 A 正向压降、电容电荷和反向漏电流低 Vishay  推出17款新型第三代 650V 碳化硅
2023-05-26 03:05:02358

600-650 V MDmesh DM9:快速恢复SJ功率MOSFET提高了效率和稳健性

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2023-08-01 16:09:541

SLP8N65C美浦森高压MOSFET 650V 7.5A

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2022-04-29 14:30:151

SLP5N65C美浦森高压MOSFET 650V 4.5A

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2022-04-29 14:33:490

碳化硅MOS/超结MOS在直流充电桩上的应用

MOS管在直流充电桩上的应用,推荐瑞森半导650V/1200V碳化硅MOS系列600V/650V超结MOS系列
2023-12-08 11:50:15235

瞻芯电子推出第二代650V车规级TO263-7封装助力高效高密应用

近日,瞻芯电子采用TO263-7封装的第二代SiC MOSFET650V 40mΩ产品IV2Q06040D7Z通过了严苛的车规级可靠性认证,该产品采用TO263-7贴片封装,具有体积较小,安装简便,损耗更低的特点。
2024-01-16 10:16:24770

英飞凌发布650V软特性发射极控制高速二极管EC7

英飞凌科技股份公司近日发布了全新的650V软特性发射极控制高速二极管EC7。这款二极管采用TO247-2封装,具有2个引脚,不仅增加了安规距离,提高了可靠性,而且适用于多种应用场景。
2024-02-01 10:50:02365

瞻芯电子开发的3款第二代650V SiC MOSFET通过了车规级可靠性认证

3月8日,瞻芯电子开发的3款第二代650V SiC MOSFET产品通过了严格的车规级可靠性认证(AEC-Q101 Qualified)。
2024-03-11 09:24:38287

瞻芯电子第二代650V SiC MOSFET产品通过车规级可靠性认证

近日,瞻芯电子宣布其研发的三款第二代650V SiC MOSFET产品成功通过了严格的AEC-Q101车规级可靠性认证,这一里程碑式的成就标志着瞻芯电子在功率电子领域的持续创新与技术突破。
2024-03-12 11:04:24260

瞻芯电子推出三款第二代650V SiC MOSFET产品

瞻芯电子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET产品,这些产品不仅通过了严格的车规级可靠性认证(AEC-Q101 Qualified),还具备业界领先的低损耗水平。这些新型MOSFET的推出,标志着瞻芯电子在半导体技术领域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279

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