化开启了提高射频功率密度、节省空间和提高能效的大门，其批量生产水平的成本结构非常低，与LDMOS相当，远低于碳化硅基氮化镓。与此同时，对于高功率射频应用，氮化镓的用例已经扩展到分立晶体管以外。 随着氮化镓向
2019-07-31 07:47:23
描述300W RMS 功率放大器 - 2SC3858 和 2SA1494 晶体管该功放具有出色的音质，使用四个输出功率晶体管， 在4欧姆 负载下 达到300W RMS的声功率，采用对称电源供电。您可
2022-07-01 06:08:14
300W音频功放电路图，选用MJL4281A（NPN）和MJL4302A（PNP），具有高带宽，良好的SOA（安全工作区），高线性和高增益。驱动晶体管选用MJE15034（NPN）和MJE15035
2017-07-27 17:18:29
MACOM六十多年的技术传承，运用bipolar、MOSFET和GaN技术，提供标准和定制化的解决方案以满足客户最严苛的需求。射频功率晶体管 - 硅基氮化镓 (GaN on Si)MACOM是全球唯一
2017-08-14 14:41:32
电子、汽车和无线基站项目意法半导体获准使用MACOM的技术制造并提供硅上氮化镓射频率产品预计硅上氮化镓具有突破性的成本结构和功率密度将会实现4G/LTE和大规模MIMO 5G天线中国，2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
) 2017上展示其业界领先的硅基氮化镓产品组合和其他高性能MMIC和二极管产品。 MACOM展位将展示专为商业、工业、科学和医疗射频应用而优化的全新产品解决方案。敬请莅临1312＃展位，与MACOM
2017-05-18 18:12:54
，可帮助系统设计人员简化和加快产品开发，使其能够轻松微调射频能量输出水平，从而最大限度地提高效率和增强性能。MACOM的射频能量工具包将其硅基氮化镓功率晶体管的优势与直观、灵活的软件和信号控制能力相结合
2017-08-03 10:11:14
的单端晶体管、双端晶体管以及在对称和不对称架构下峰值功率均可高达700W的单封装Doherty器件。这些器件的物理尺寸与性能较低的LDMOS器件和性能相当的碳化硅基氮化镓器件尺寸相同。MACOM氮化
2017-08-30 10:51:37
MAGe-1002425-300W器件是一款硅基氮化镓器件，工作电压为50V，连续波工作功率为300W时效率可达70%。此器件基于TO-272-4塑料封装，这是一种极具成本效益的耐热增强型封装。我们
2017-09-06 14:44:16
`作为一家具有60多年历史的公司，MACOM在射频微波领域经验丰富，该公司的首款产品就是用于微波雷达的磁控管，后来从真空管、晶体管发展到特殊工艺的射频及功率器件（例如砷化镓GaAs）。进入2000年
2017-09-04 15:02:41
（GaN）那么，问题来了，怎么解决高昂的价格？首先，先了解下什么是硅基氮化镓，与硅器件相比，由于氮化镓的晶体具备更强的化学键，因此它可以承受比硅器件高出很多倍的电场而不会崩溃。这意味我们可以把晶体管
2017-07-18 16:38:20
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2019-08-22 06:13:27
，以及基于硅的 “偏转晶体管 “屏幕产品的消亡。
因此，氮化镓是我们在电视、手机、平板电脑、笔记本电脑和显示器中，使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技术。在光子学方面，氮化镓还被用于蓝光激光技术（最明显
2023-06-15 15:50:54
本文讨论了商用氮化镓功率晶体管与Si SJMOS和SiC MOS晶体管相比在软开关LLC谐振转换器方面的优势。介绍随着更高功率、更小尺寸和更高效率的明显趋势，高频 LLC 谐振转换器是业内隔离式
2023-02-27 09:37:29
更小：GaNFast™ 功率芯片，可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量节约方面，它最高能节约 40% 的能量。
更快：氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41
和功率密度，这超出了硅MOSFET技术的能力。开发工程师需要能够满足这些要求的新型开关设备。因此，开始了氮化镓晶体管（GaN）的概念。 HD-GIT的概述和优势 松下混合漏极栅极注入晶体管（HD-GIT
2023-02-27 15:53:50
、Mcdodo麦多多45W氮化镓1A1C充电器49、Mcdodo麦多多65W氮化镓2C充电器50、NVIDIA英伟达300W氮化镓充电器51、PINEN品胜65W氮化镓充电器52、RAVPower
2020-03-18 22:34:23
。凭借高达 300W 的功率输出能力和坚固的塑料封装，第四代氮化镓功率晶体管无疑已成为具有高成本效益的可信赖解决方案。——————市场的指数级增长——————在短期内，无线基站市场将继续推动氮化镓市场
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化镓场效应晶体管并配合LM5113半桥驱动器可容易地实现的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
应对能力以及供应链的灵活性和固有可靠性。作为新一代无线基础设施独一无二的出色半导体技术，硅基氮化镓有望以LDMOS成本结构实现优异的氮化镓性能，并且具备支持大规模需求的商业制造扩展能力。 MACOM
2018-08-17 09:49:42
2000 年代初就已开始，但 GaN 晶体管仍处于起步阶段。 毫无疑问，它们将在未来十年内取代功率应用中的硅晶体管，但距离用于数据处理应用还很远。
Keep Tops氮化镓有什么好处？
氮化镓的出现
2023-08-21 17:06:18
AM81214-030晶体管产品介绍AM81214-030报价AM81214-030代理AM81214-030咨询热线AM81214-030现货,王先生深圳市首质诚科技有限公司ASI为UHF，航空
2018-07-17 15:08:03
` 本帖最后由 射频技术 于 2021-4-8 09:16 编辑
Wolfspeed的CG2H80015D是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。GaN具有比硅或砷化镓更高的性能，包括
2021-04-07 14:31:00
Cree的CGH40010是无与伦比的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。 CGH40010，正在运行从28伏电压轨供电，提供通用宽带解决方案应用于各种射频和微波应用。 GaN HEMT
2020-12-15 15:06:50
`Cree的CGH40010是无与伦比的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。 CGH40010，正在运行从28伏电压轨供电，提供通用宽带解决方案应用于各种射频和微波应用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
Wolfspeed的CGHV40030是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高效率，高增益和宽带宽功能而设计。 该器件可部署在L，S和C频段放大器应用中。 数据手册中的规格
2020-02-25 09:37:45
Wolfspeed的CGHV40030是无与伦比的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高效率，高增益和宽带宽功能而设计。 该器件可部署在L，S和C频段放大器应用中。 数据手册中的规格
2020-02-24 10:48:00
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比，这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化镓
2024-01-19 09:27:13
是碳化硅（SiC）衬底上的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。这种GaN内匹配（IM）场效应晶体管与其他技术相比，提供了优异的功率附加效率。GaN与硅或砷化镓相比具有更高的性能，包括更高
2018-08-13 10:58:03
`Cree的CGHV96100F2是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 该GaN内部匹配（IM）FET与其他技术相比，具有出色的功率附加效率。 氮化镓与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
产品采用符合RoHS的SMD封装提供。功能 内部匹配的GAN功率晶体管射频带宽（GHz）最小值-最大值 2.7-3.4功率（W） 65岁PAE（％） 55封装 QFN塑料包装CHKA011aSXA氮化
2021-04-02 16:25:08
Cree的CMPA801B025是氮化镓（GaN）高电子迁移率基于晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）。 氮化镓与硅或砷化镓相比具有更好的性能，包括更高的击穿电压，更高的饱和电子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
DU2840S射频晶体管产品介绍DU2840S报价DU2840S代理DU2840S咨询热线DU2840S现货, 深圳市首质诚科技有限公司, MACOM公司的开关和衰减器专用PIN二极管具有支持1
2018-08-09 10:16:17
DU2880V射频晶体管产品介绍DU2880V报价DU2880V代理DU2880V咨询热线DU2880V现货,王先生15989509955 深圳市首质诚科技有限公司, MACOM公司的开关和衰减器
2018-08-08 11:48:47
` 本帖最后由 330538935 于 2018-5-25 17:14 编辑
FHX45X 砷化镓功率管产品介绍FHX45X询价热FHX45X现货王先生 深圳市首质诚科技有限FHX45X是超高
2018-05-25 17:03:59
脉冲功率。 在没有外部调谐的情况下，所有设备都在宽带RF测试夹具中100％屏蔽了大信号RF参数。硅双极匹配50欧姆210W输出功率经过100％大功率射频测试C级操作IB0607S10功率晶体管
2021-04-01 10:07:29
于1997年，是一家通过ISO 9001：2008认证的射频功率晶体管，托盘和高功率放大器（HPA）认证的制造商。 这些产品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和双极技术。产品型号
2019-05-14 11:00:13
650W输出功率经过100％大功率射频测试C级操作IGN3135L115功率晶体管IGN3135L12功率晶体管IGN3135M135功率晶体管IGN3135M250功率晶体管IGN5259M80R2功率
2021-04-01 10:03:31
所需的功率模块和各种控制单元模块。与功率MOS场效应晶体管相比，驱动氮化镓功率晶体管存在诸多困难，这些困难包括阈值电压低、最大栅极电压和额定栅极电压之间的公差狭小、高转换速率带来的电流变化率和电压变化率
2018-11-05 09:51:35
，可提供至少250 W的峰值输出功率，通常具有> 24 dB的增益和75％的效率。它通过50 V电源电压工作。 为了获得最佳的热效率，该晶体管封装在带有环氧密封陶瓷盖的金属基封装中。特征
2021-04-01 10:35:32
Technologies公司成立于1997年，是一家通过ISO 9001：2008认证的射频功率晶体管，托盘和高功率放大器（HPA）认证的制造商。 这些产品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS
2019-05-20 09:16:24
，装在基于金属的封装中，并用陶瓷环氧树脂盖密封。GaN on SiC HEMT技术40W输出功率AB类操作预先匹配的内部阻抗经过100％大功率射频测试负栅极电压/偏置排序IGN2731M5功率晶体管
2021-04-01 09:57:55
IGT2731L120IGT2731L120现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司,Integra Technologies公司成立于1997年，是一家通过ISO 9001：2008认证的射频功率晶体管，托盘和高功率放大器（HPA
2018-11-12 10:26:20
15989509955 深圳市首质诚科技有限公司MAPRST0912-50一个射频功率晶体管。这些高功率晶体管是理想的航空电子，通信，雷达，以及工业，科学和医疗应用。优势产品:MACOM放大器/QORVO放大器滤波器
2018-08-09 09:57:23
商业和军事应用的频率为175兆赫。该装置的高功率、高增益和宽带性能使得FM广播或电视频道频带的固态发射机成为可能。产品型号：MRF151G产品名称：射频晶体管MRF151G产品特性保证性能在175兆赫
2018-08-08 11:32:03
MRF154射频晶体管产品介绍MRF154报价MRF154代理MRF154咨询热线MRF154现货,王先生15989509955 深圳市首质诚科技有限公司, MRF154主要用于2至100 MHz
2018-08-07 17:17:34
NPA1003QA射频晶体管产品介绍NPA1003QA报价NPA1003QA代理NPA1003QA咨询热线NPA1003QA现货,王先生*** 深圳市首质诚科技有限公司, MACOM公司的开关
2018-09-03 12:04:40
NPT2020射频晶体管产品介绍NPT2020报价NPT2020代理NPT2020咨询热线NPT2020现货,王先生*** 深圳市首质诚科技有限公司, MACOM公司的开关和衰减器专用PIN二极管
2018-09-26 09:04:23
。MACOM公司提供采用硅、砷化镓或砷化铝镓技术的这类二极管。产品型号：NPT25100P产品名称：射频晶体管NPT25100P产品特性连续波、脉冲、WiMAX、W-CDMA、LTE的优化和其他应用从2100至
2018-09-26 08:54:30
。MACOM公司提供采用硅、砷化镓或砷化铝镓技术的这类二极管。产品型号：NPTB00004D产品名称：射频晶体管NPTB00004D产品特性连续波、脉冲、WiMAX、W-CDMA、LTE的优化从DC到
2018-09-26 09:31:14
。MACOM公司提供采用硅、砷化镓或砷化铝镓技术的这类二极管。产品型号：NPTB00004D产品名称：射频晶体管NPTB00004D产品特性连续波、脉冲、WiMAX、W-CDMA、LTE的优化从DC到
2018-09-26 09:31:14
和医疗应用。我们的产品组合利用了MACOM超过60年的传统，即使用GaN-on-Si技术提供标准和定制解决方案，以满足客户最苛刻的需求。我们的硅基氮化镓产品采用0.5微米HEMT工艺制成分立晶体管和集成
2019-11-01 10:46:19
`PH1214-220M雷达脉冲功率晶体管产品介绍PH1214-220M现货PH1214-220M中国代理PH1214-220M原厂直供PH1214-220M询价热线王先生 深圳市首质诚科技有限公司
2018-05-21 15:49:50
PH1214-220M雷达脉冲功率晶体管产品介绍PH1214-220M现货PH1214-220M中国代理PH1214-220M原厂直供PH1214-220M询价热线王先生 深圳市首质诚科技有限公司
2018-07-13 14:16:37
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2018-07-06 09:46:43
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2018-07-06 09:47:57
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2018-11-12 11:02:34
QPD1004氮化镓晶体管产品介绍QPD1004报价QPD1004代理QPD1004咨询热线QPD1004现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司QPD1004是25W（p3db），50欧姆输入匹配
2018-07-30 15:25:55
QPD1018氮化镓晶体管产品介绍QPD1018报价QPD1018代理QPD1018咨询热线QPD1018现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司QPD1018内部匹配离散GaN-on-SiC
2018-07-27 09:06:34
`QPD1018氮化镓晶体管产品介绍QPD1018报价QPD1018代理QPD1018咨询热线QPD1018现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司QPD1018内部匹配离散GaN-on-SiC
2019-07-17 13:58:50
QPD1020射频功率晶体管产品介绍QPD1020报价QPD1020代理QPD1020咨询热线QPD1020现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司QPD1020是30 W（p3db），50欧姆输入
2018-07-27 11:20:12
SGK1314-25A砷化镓晶体管产品介绍SGK1314-25A报价SGK1314-25A代理SGK1314-25A咨询热SGK1314-25A现货, 深圳市首质诚科技有限SGK1314-25A
2018-08-06 11:45:41
SGK1314-30A砷化镓晶体管产品介绍SGK1314-30A报价SGK1314-30A代理SGK1314-30A咨询热SGK1314-30A现货, 深圳市首质诚科技有限SGK1314-30A
2018-08-06 11:48:15
SGK5254-120A-R砷化镓晶体管产品介绍SGK5254-120A-R报价SGK5254-120A-R代理SGK5254-120A-R咨询热SGK5254-120A-R现货, 深圳市首质诚
2018-08-13 10:23:05
SGM6901VU砷化镓晶体管产品介绍SGM6901VU报价SGM6901VU代理SGM6901VU咨询热SGM6901VU现货, 深圳市首质诚科技有限SGM6901VU是一种高功率GaN HEMT
2018-06-11 14:29:01
）1.1脉冲条件脉冲宽度：120µsec，占空比10％笔记Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脉冲条件脉冲宽度：120µsec，占空比10％笔记Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:24:16
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化镓晶体管SGN19H240M1H砷化镓晶体管SGN21H180M1H砷化镓晶体管SGN21H121M1H砷化镓晶体管SGN21H181M1H砷化镓晶体管
2021-03-30 11:32:19
T2G6003028-FS射频功率晶体管产品介绍T2G6003028-FS报价T2G6003028-FS代理T2G6003028-FS现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司T2G6003028-FS
2018-11-16 09:49:48
TGF2023-2-20碳化硅晶体管产品介绍TGF2023-2-20报价TGF2023-2-20代理TGF2023-2-20咨询热线TGF2023-2-20现货,王先生*** 深圳市首质诚
2018-06-22 11:09:47
功率增益13 dB的增益和55%的功率附加效率在1 dB压缩。这种性能使tgf2040适合高效率的应用。带有氮化硅的保护层提供了环境鲁棒性和划痕保护级别。产品型号：TGF2040产品名称：砷化镓晶体管
2018-07-18 12:00:19
TGF2160砷化镓晶体管产品介绍TGF2160报价TGF2160代理TGF2160咨询热线TGF2160现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司. TGF2160离散的1600微米pHEMT由DC至
2018-07-19 10:35:47
、测试仪器。该设备可以支持脉冲和线性操作。产品型号: TGF2977-SM产品名称：氮化镓晶体管TGF2977-SM产品特性频率范围：直流- 12 GHz输出功率（p3db）：6 W在9.4 GHz线性增益
2018-07-25 10:06:15
氮化镓(GaN)的重要性日益凸显，增加。因为它与传统的硅技术相比，不仅性能优异，应用范围广泛，而且还能有效减少能量损耗和空间的占用。在一些研发和应用中，传统硅器件在能量转换方面，已经达到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
。
在器件层面，根据实际情况而言，归一化导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（QG）乘积得出的优值系数，氮化镓比硅好 5 倍到 20 倍。通过采用更小的晶体管和更短的电流路径，氮化镓充电器将能实现了
2023-06-15 15:53:16
包含关键的驱动、逻辑、保护和电源功能，消除了传统半桥解决方案中相关的能量损失、成本过高和设计复杂的问题。
纳微推出的世界上首款氮化镓功率芯片同时能提供高频率和高效率，实现了电力电子领域的高速革命
2023-06-15 14:17:56
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
镓具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势，氮化镓充电器的充电器件运行速度，比传统硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化镓相比传统的硅，可以在更小的器件空间内处理更大的电场，同时提供更快的开关速度。此外，氮化镓比硅基半导体器件，可以在更高的温度下工作。
2023-06-15 15:41:16
法，使用氨而不是更常见的氮来减少氮化镓晶体管在高温退火过程中的表面损伤（见图4）。我们通过优化离子能量、剂量、活化退火热预算和金属退火后热预算，实现了注入区在良好欧姆接触和方阻方面都有优良的结果（见表2
2020-11-27 16:30:52
明佳达电子优势供应氮化镓功率芯片NV6127+晶体管AON6268丝印6268，只做原装，价格优势，实单欢迎洽谈。产品信息型号1：NV6127丝印：NV6127属性：氮化镓功率芯片封装：QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
小时，磁控管微波的寿命非常有限。射频晶体管产生的能量场受控制、高精度，对控制器的反应非常敏感，从而实现最佳和精确的使用和分配。通过使用RF能量代替磁控管，即可在微波炉中实现固态、高度可控的烹饪，微波炉内
2018-08-21 10:57:30
应用。应用一：固态烹饪射频能量的一个主要目标应用是传统的微波炉，目前，标准连锁餐厅使用磁控管供电的微波加热顾客的食物，考虑到每天准备的餐具数量，磁控管微波的寿命非常有限。使用射频晶体管，射频晶体管产生超高
2018-08-06 10:44:39
导读：将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能，并且能够简化基于GaN的功率级设计。氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多，从而有可能实现更低的开关损耗。然而，当
2022-11-16 06:23:29
降低性能。行业内外随着射频能量通过加大控制来改进工艺的机会持续增多，MACOM将继续与行业领导者合作，以应用最佳实践并通过我们的硅基氮化镓(GaN-on-Si)解决方案实现射频能量。确保了解有关射频能量
2018-01-18 10:56:28
我们在“日常生活中的微波射频能量”系列此前的技术知识分享中有提到氮化镓(GaN)技术在固态烹饪和等离子照明应用中的诸多优势以及普遍认为的氮化镓将对商业和工业市场产生变革的影响。在谈论突破性的半导体
2017-12-27 10:48:11
空置的地方，这进一步延长了灯泡的寿命。尽管这是一个极具吸引力的概念，但从以往记录来看，固态芯片的成本结构比磁控管更昂贵，这使射频能量应用成为一种奢侈品。然而，凭借MACOM氮化镓（以硅基的成本构成实现
2017-12-14 10:24:22
热应用。固态射频晶体管能够产生超精确、可控且响应迅速的能量场，使射频能量能够精确、合理地分布，从而按照精确规范将食物加热到理想状态。例如，在小分量的典型烹饪食谱中，MACOM的硅基氮化镓300W晶体管可在
2017-11-15 10:08:05
第 1 步 – 栅极驱动选择 驱动GaN增强模式高电子迁移率晶体管（E-HEMT）的栅极与驱动硅（Si）MOSFET的栅极有相似之处，但有一些有益的差异。 驱动氮化镓E-HEMT不会消除任何
2023-02-21 16:30:09
功率/高频射频晶体管和发光二极管。2010年，第一款增强型氮化镓晶体管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后随即推出氮化镓功率集成电路- 将GaN FET、氮化镓基驱动电路和电路保护集成为单个器件
2023-06-25 14:17:47
(MicrosemiCorporation)扩展其基于碳化硅衬底氮化镓(GaNonSiC)技术的射频(RF)晶体管系列，推出新型S波段500WRF器件2729GN-500，新器件瞄准大功率空中交通控制机场监视雷达(ASR
2012-12-06 17:09:16
针对可靠的高功率和高频率电子设备，制造商正在研究氮化镓(GaN)来制造具有高开关频率的场效应晶体管(FET)由于硅正在接近其理论极限，制造商现在正在研究使用宽带隙(WBG)材料来制造高效率的大功率
2022-06-15 11:43:25
受益于集成器件保护，直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压（600V）氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的开关特性可实现提高开关模式电源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
导读：近日，英飞凌宣布推出700瓦L波段射频功率晶体管。该晶体管具备业界最高的L波段输出功率（700瓦），适用于工作频率范围为1200 MHz~1400 MHz的雷达系统。这种新型器件可通过减少
2018-11-29 11:38:26
的晶体管”。 伊斯曼和米什拉是对的。氮化镓的宽带隙（使束缚电子自由断裂并有助于传导的能量）和其他性质让我们能够利用这种材料承受高电场的能力，制造性能空前的器件。 如今，氮化镓是固态射频功率应用领域
2023-02-27 15:46:36
300W晶体管正弦波逆变电源电路
2008-11-03 19:19:17
2403 
中国上海，2016年2月24日- 领先的高性能模拟、微波、毫米波和光波半导体产品供应商MACOM日前宣布推出其备受瞩目、应用于宏基站的MAGb系列氮化镓（GaN）功率晶体管。
2016-02-24 10:40:21992 ，以将基于氮化镓的射频能量源融合到烹饪、照明、工业加热/烘干、医疗/制药和汽车点火系统等各种应用之中。商业OEM将固态射频能量作为高效、精确的能源，可使未来几代产品实现全新的性能水平和承受能力。
2017-06-12 15:58:571001 这款用于FM发射器的300W射频功率放大器具有2个TP9383晶体管。300W无线电功率放大器，适用于88–108MHz频段。
2023-05-23 17:01:281459 
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