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电子发烧友网>电源/新能源>功率器件>Diodes 100V MOSFET H桥采用5mm x 4.5mm封装有效节省占位面积

Diodes 100V MOSFET H桥采用5mm x 4.5mm封装有效节省占位面积

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Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DMP1022UFDF及DMP2021UFDF P通道MOSFET采用了设计小巧的2mm x 2mm DFN2020封装,分别
2015-12-16 16:57:431159

Diodes新款逻辑器件采微型封装,大幅节省便携产品空间

关键词:逻辑器件 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出两款采用了全球最小封装形式DFN0808的单门逻辑器件系列74AUP1G及74LVC1G。两款微型逻辑器件的占位
2018-09-23 12:38:02220

Vishay推出0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率MOSFET

最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N沟道Si8802DB和P沟道Si8805EDB TrenchFETreg
2019-01-01 16:29:01380

C1301系列4.5mm线对线卡扣连接器的数据手册免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是C1301系列4.5mm线对线卡扣连接器的数据手册免费下载
2019-06-19 08:00:000

4.5mm高贴片电解电容封装规格说明

本文档的主要内容详细介绍的是4.5mm高贴片电解电容封装规格说明。
2021-01-07 08:00:001

DN466 - 热插拔控制器、MOSFET 和检测电阻器集成在一个 5mm x 3mm DFN 封装中,以在紧凑狭小的空间提供 准确的电流限制和负载电流监视

DN466 - 热插拔控制器、MOSFET 和检测电阻器集成在一个 5mm x 3mm DFN 封装中,以在紧凑狭小的空间提供 准确的电流限制和负载电流监视
2021-03-18 21:25:585

4mm x 7mm 占板面积的 IC 可产生 7 个稳定输出

4mm x 7mm 占板面积的 IC 可产生 7 个稳定输出
2021-03-19 06:09:497

具扩展频谱调制功能的 17V、4MHz、双输出 3.5A 同步 降压型稳压器降低了 EMI 并采用紧凑型 3mm x 5mm QFN 封装

具扩展频谱调制功能的 17V、4MHz、双输出 3.5A 同步 降压型稳压器降低了 EMI 并采用紧凑型 3mm x 5mm QFN 封装
2021-03-19 08:14:058

采用 3mm x 5mm QFN 封装的 6A、4MHz、同步降压型稳压器

采用 3mm x 5mm QFN 封装的 6A、4MHz、同步降压型稳压器
2021-03-21 05:15:158

15V、4MHz、同步双输出 3A 电流降压型稳压器采用 4mm x 5mm QFN 封装

15V、4MHz、同步双输出 3A 电流降压型稳压器采用 4mm x 5mm QFN 封装
2021-03-21 06:00:377

占位面积为 9mm<sup>2</sup> 并内置微功率比较器的独立锂离子电池充电器

占位面积为 9mm2 并内置微功率比较器的独立锂离子电池充电器
2021-03-21 15:22:500

5mm x 5mm 三相 DC/DC 控制器可于高达 140ºC 工作

5mm x 5mm 三相 DC/DC 控制器可于高达 140ºC 工作
2021-03-21 17:14:028

借助新型60V FemtoFET MOSFET缩小您的元件占位面积

借助新型60V FemtoFET MOSFET缩小您的元件占位面积
2022-11-02 08:16:250

采用 LFPAK56 封装的 NextPower 100V、10.9mΩN沟道 MOSFET-PSMN011-100YSF

采用 LFPAK56 封装的 NextPower 100V、10.9mΩ N 沟道 MOSFET-PSMN011-100YSF
2023-02-20 19:50:190

采用 TO220 封装的 NextPower 100V,8.7 mΩN沟道 MOSFET-PSMN8R5-100PSF

采用 TO220 封装的 NextPower 100 V、8.7 mΩ N 沟道 MOSFET-PSMN8R5-100PSF
2023-02-23 18:42:140

采用 I2PAK 封装的 NextPower 100V,8.8 mΩN沟道 MOSFET-PSMN8R5-100ESF

采用 I2PAK 封装的 NextPower 100 V、8.8 mΩ N 沟道 MOSFET-PSMN8R5-100ESF
2023-02-23 18:44:520

采用 I2PAK 封装的 NextPower 100V,18 mΩN沟道 MOSFET-PSMN018-100ESF

采用 I2PAK 封装的 NextPower 100 V、18 mΩ N 沟道 MOSFET-PSMN018-100ESF
2023-02-23 18:45:040

采用 TO220 封装的 NextPower 100V,18 mΩN沟道 MOSFET-PSMN018-100PSF

采用 TO220 封装的 NextPower 100 V、18 mΩ N 沟道 MOSFET-PSMN018-100PSF
2023-02-23 18:45:230

采用 LFPAK56 封装的 NextPower 100V,9 mΩN沟道 MOSFET-PSMN8R7-100YSF

采用 LFPAK56 封装的 NextPower 100 V、9 mΩ N 沟道 MOSFET-PSMN8R7-100YSF
2023-02-23 18:51:500

采用 LFPAK56 封装的 NextPower 100V,7 mΩN沟道 MOSFET-PSMN6R9-100YSF

采用 LFPAK56 封装的 NextPower 100 V、7 mΩ N 沟道 MOSFET-PSMN6R9-100YSF
2023-02-23 18:52:290

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