Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布业内首款包含可变电阻和内置旋钮开关的新型面板式电位计---P16S
2012-06-04 13:56:27
1028 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款8V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:441092 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业界首款采用3.3mm x 3.3mm封装以实现在4.5V栅极驱动下4.8mΩ最大导通电阻的20V P沟道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:401439 Vishay具有业内最低导通电阻的新款12V和20V 的N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET。采用业内最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT®封装的CSP规格尺寸
2012-11-29 16:37:311694 日前，Vishay Intertechnology为满足爆破的苛刻要求，推出新型大尺寸电爆破点火片式 （MEPIC） 电阻，通过焦耳效应或闪光点火，使点火时间缩短到250µs以下。器件基于汽车行业
2013-02-25 13:50:51729 1、超级结构 高压功率MOSFET管早期主要为平面型结构，采用厚低掺杂的N-外延层epi，保证器件具有足够击穿电压，低掺杂N-外延层epi尺寸越厚，耐压额定值越大，但是，导通电阻随电压
2023-10-07 09:57:362774 
日前发布的MOSFET导通电阻比市场上排名第二的产品低43%，降低压降并减小传导损耗，从而实现更高功率密度。
2020-08-17 11:53:14846 电源管理系统要实现高能源转换效率、完善可靠的故障保护，离不开高性能的开关器件。近日，豪威集团全新推出两款MOSFET：业内最低内阻双N沟道MOSFET WNMD2196A和SGT 80V N沟道
2022-06-28 11:01:01750 
SJ MOSFET是一种先进的高电压功率MOSFET，根据P&S的超结原理。报价设备提供了快速切换的所有好处并且导通电阻低，使其特别适用于需要更多高效，更紧凑，LED照明，高
性能适配器等。
2023-09-15 08:16:02
Ω@VGS=2..5V-极低导通电阻RDS（开）-低CRSS-快速切换-100%雪崩测试-提高dv/dt能力。应用：PWM应用,负载开关,电源管理。售后服务：公司免费提供样品，并提供产品运用的技术支持
2021-03-30 14:22:40
海飞乐技术20V MOSFET场效应管现货选型Voltage (V)Current (A)Rdson (Ohm)Package用途TYPMAX202.845m60mSOT-23小电流开关用
2020-03-03 17:36:16
在20V电压之间利用电阻分压的方法通过STM32可以测得电压，现在需要通过STM32来控制测得电压的值，例如通过STM32来控制数字电位器来改变电阻值。从而改变测得的电压值，但是20V电压太大，数字电位器没法用，求大神指点更好的方法。
2015-07-26 09:58:10
20V转5V，20V转3.3V，20V转3V，20V转1.8V，20V转5V降压芯片，20V转3.3V降压芯片，20V转3V降压芯片，20V转1.8V。 20V我们常常需要转3.3V或者5V输出稳压
2020-10-15 17:10:55
。问题4：PWM芯片的供电电压为5V，去驱动通用驱动电压的功率MOSFET，有什么问题？问题分析：检查数据表中不同的VGS的导通电阻，发现对应的导通电阻变大，因此功率MOSFET的损耗将增加，温度升高，同时系统的效率降低。极端情况下在低温的时候，一些VTH偏上限的器件可能不能正常开通。
2016-12-21 11:39:07
汽车级电阻，节省电路板空间，工作电压为450 V，公差± 0.1 %，TCR低至± 10 ppm/K Vishay 推出0805外形尺寸小型器件，扩充其TNPV e3系列汽车级高压薄膜扁平片式
2022-03-30 13:58:54
芯片级维修资料分享（一）关于台式机主板维修分享
2019-08-28 14:47:21
超级结MOSFET是与平面MOSFET相比，导通电阻和栅极电荷（Qg）显著降低的MOSFET。ROHM的600V超级结MOSFET具有高速、低噪声、高效率的特性，并已扩展为系列化产品，现已发展到
2018-12-05 10:00:15
FP6102 20V、3A降压开关调节器芯片
一般说明
FP6102是一种用于广泛工作电压应用领域的降压开关调节器。FP6102包括高电流P-MOSFET，用于将输出电压与反馈放大器进行比较
2023-09-19 14:36:57
20V。该芯片集成了两个低导通电阻的功率MOSFET：一个11mΩ开关FET和一个13mΩ整流器FET，使用具有集成斜坡补偿功能的固定频率峰值电流模式控制。HT7178 PFM,PWM两种模式可选
2018-05-28 11:31:45
AUIRF8736M2与上一代设备相比，导通电阻（Rds（on））改善了40%,从而可以将传导损耗降到最低。 性能特点： ●COOLiRFET硅技术 ●实现传导损耗最低 ●系统尺寸减小 ●成本降低 ●采用
2018-09-28 15:57:04
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能够提供业界最低导通电阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【关键词】：功率损耗,导通电阻
2010-05-06 08:55:20
的输入信号兼容 CMOS 和 LSTTL 电平，最低可到 3.3V。输出级可以提供较高的峰值电流驱动，让交叉导通时间减到最小。输出级的传输延时做了匹配，简化了在高频场合中的应用。LN4318 内置了
2021-06-30 10:07:13
，锗和硅之分，导通饱和时，CE间也是导通压降，MOS管，是电压型放大元件，栅极一般在4V时导通，可有-20—+20V栅极电压，根据极性，有N沟道，P沟道，增强型，耗尽型，还有结型等之分，导通后，源极漏极
2012-07-05 10:50:09
，锗和硅之分，导通饱和时，CE间也是导通压降，MOS管，是电压型放大元件，栅极一般在4V时导通，可有-20—+20V栅极电压，根据极性，有N沟道，P沟道，增强型，耗尽型，还有结型等之分，导通后，源极漏极
2012-07-05 12:14:01
，锗和硅之分，导通饱和时，CE间也是导通压降，MOS管，是电压型放大元件，栅极一般在4V时导通，可有-20—+20V栅极电压，根据极性，有N沟道，P沟道，增强型，耗尽型，还有结型等之分，导通后，源极漏极
2012-07-06 17:22:53
，锗和硅之分，导通饱和时，CE间也是导通压降，MOS管，是电压型放大元件，栅极一般在4V时导通，可有-20—+20V栅极电压，根据极性，有N沟道，P沟道，增强型，耗尽型，还有结型等之分，导通后，源极漏极
2012-07-09 17:37:38
电路如下：MOS管IRF740，Vgs为20V，当电源电压为0V时，测量到MOS管的导通电阻为0.6Ω；当有电源电压输入时（从20V慢慢调整至70V）,电阻R两端电压一直为16V，MOS管的管压降
2015-06-25 17:19:50
`品牌：NCE新洁能型号：NCE3416封装：SOT23-6批号：批号FET类型：N沟道漏源电压（Vdss）：20V漏极电流(Id)：6.5A漏源导通电阻(RDS On)：16栅源电压(Vgs
2021-07-21 16:14:39
了导通电阻和优值的行业新标杆 图3：并联在一个功率模块内的OptiMOS 3 150 V芯片，在13％负载循环条件下的开关波形。左侧：显示导通和关断的整个脉波（200A/div、20V/div、4µs
2018-12-07 10:21:41
有助于在应用程序中节省空间。 这些MOSFET具有出色的高速开关和低导通电阻。查看详情<<<特性：低RDS(on)降低功耗；低压驱动；提供大电流Vds-漏源极
2021-02-02 09:55:16
更小。这些可根据要求和目的来具体区分使用。－ 也就是说可根据处理的功率选用更小的封装。是的。ROHM的SJ MOSFET相对元件尺寸的导通电阻非常小，因此就能以采用小型SOP8封装的芯片尺寸，实现4
2019-04-29 01:41:22
MOSFET能够在1/35大小的芯片内提供与之相同的导通电阻。其原因是SiC MOSFET能够阻断的电压是Si MOSFET的10倍，同时具备更高的电流密度和更低的导通电阻，能够以更快速度（10 倍）在导
2019-07-09 04:20:19
电阻低，通道电阻高，因此具有驱动电压即栅极－源极间电压Vgs越高导通电阻越低的特性。下图表示SiC-MOSFET的导通电阻与Vgs的关系。导通电阻从Vgs为20V左右开始变化（下降）逐渐减少，接近
2018-11-30 11:34:24
度的漂移层实现高耐压。 因此，在相同的耐压值情况下，SiC可以得到标准化导通电阻（单位面积导通电阻）更低的器件。 例如900V时，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1
2023-02-07 16:40:49
情况下，SiC可以得到标准化导通电阻（单位面积导通电阻）更低的器件。例如900V时，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1、SJ-MOSFET的10分之1，就可以实现相同
2019-04-09 04:58:00
情况下，SiC可以得到标准化导通电阻（单位面积导通电阻）更低的器件。例如900V时，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1、SJ-MOSFET的10分之1，就可以实现相同
2019-05-07 06:21:55
一种传统平面式高压MOSFET的简单结构。平面式MOSFET通常具有高单位芯片面积漏源导通电阻，并伴随相对更高的漏源电阻。使用高单元密度和大管芯尺寸可实现较低的RDS(on)值。但大单元密度和管芯尺寸
2017-08-09 17:45:55
状态之间转换，并且具有更低的导通电阻。例如，900 伏 SiC MOSFET 可以在 1/35 大小的芯片内提供与 Si MOSFET 相同的导通电阻（图 1）。图 1：SiC MOSFET（右侧）与硅
2017-12-18 13:58:36
电气技师和电子制造工程师用接地导通电阻测试仪验证电器和消费产品（由交流电压供电）上的裸露金属是否适当地连接到了其机壳底座。当电器内部发生故障电流时，如果电器没有适当地连接到已接地的机壳底座，就存在
2017-09-30 09:38:49
技术：MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：44A（Tc） 驱动电压：10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻：4.7 毫欧 、 20A，10V 不同 Id 时 Vgs
2021-01-13 17:46:43
示Hybrid MOS与SJ MOSFET的导通电阻Ron的详细温度特性。SJ MOSFET在高温时，相对于ID的VDS、即Ron显著增加。所以，当周围温度高时不必言说，当ID增加时可能会产生发热增加、芯片温度
2018-11-28 14:25:36
如图，VB接到10~20V,当内部信号拉高HO，HO的电压等于VB的电压，VS=0，Vgs=HO-VS=10~20V,所以此时MOSFET导通，VS的电压等于HV.HV是高电压，我们设定为30V.这
2020-12-27 16:55:32
光通信应用经常需要从+3.3V的输入电源升压得到一组正负电压，比如+/-20V，常见的做法是用两颗芯片分别去产生+20V和-20V输出，这种方案体积会比较大，对面积敏感的应用无法满足要求。本文在TI
2022-11-10 06:14:27
本文重点介绍为电源用高压超结MOSFET增加晶圆级可配置性的新方法。现在有一种为高压超结MOSFET增加晶圆级可配置性的新方法，以帮助解决电源电路问题。MOSFET 在压摆率、阈值电压、导通电阻
2023-02-27 10:02:15
对于单颗的芯片，目的验证其从封装完成，经过储存、运输直到焊接到系统板之前的静电防护水平，建议采用芯片级的测试方式，测试电压通常在2000V左右。对于系统板和整机，为验证其抗干扰的能力，建议用静电枪测试，接触式放电8KV，空气放电15KV.
2022-09-19 09:57:03
的元件中，难于实现低导通电阻及将开关应用的能耗降至最低。为了实现这些参数的高质量组合，元件必须拥有小裸片尺寸，并带有高单元密度及低电容和低闸极电荷。 移动设备用MOSFET的微型化 通常情况下，有多种
2018-09-29 16:50:56
FDC6324L是一款集成负载开关 是使用ON生产的半导体专有的高单元密度DMOS技术。这种非常高密度的工艺特别适合于将导通电阻降至最低，并提供优越的开关性能 这些设备特别适用于需要低导通损耗和简单
2021-11-27 12:14:08
”这个参数的影响。下面以“升降压转换器的传递函数导出示例 其2”的ton≠ton’ 的升降压转换器为基础，按照同样步骤来推导。右侧电路图在上次给出的升降压转换器简图上标出了作为开关的MOSFET的导通电阻
2018-11-30 11:48:22
求一款DCDC芯片，要求输入电压最低5V 最高20V以上的降压型，频率在500K以上，效率在95以上
2022-04-18 13:50:12
` （1）不同耐压的MOS管的导通电阻分布。不同耐压的MOS管，其导通电阻中各部分电阻比例分布也不同。如耐压30V的MOS管，其外延层电阻仅为总导通电阻的29%，耐压600V的MOS管的外延层电阻
2018-11-01 15:01:12
测量MOS管的导通电阻除了在选定开关时有用，还在哪些方面有重要的意义？
2012-05-17 10:44:16
的效率，更重要的是，优异的EMI性能。这是我们的Power by Linear ™单片静音开关2降压调节器可满足先进SoC功率预算同时满足SoC尺寸和热约束的地方。用于SoC的20V输入的20A解决方案该
2018-12-26 09:17:59
并提高可靠性。东芝实验证实，与现有SiC MOSFET相比，这种设计结构在不影响可靠性的情况下[1]，可将导通电阻[2]（RonA）降低约20%。功率器件是管理各种电子设备电能，降低功耗以及实现碳中和
2023-04-11 15:29:18
计算机芯片级维修中心（芯片级维修培训教材）
2009-04-05 01:17:54
SRAM中晶圆级芯片级封装的需求
2020-12-31 07:50:40
平面式高压MOSFET的结构图1显示了一种传统平面式高压MOSFET的简单结构。平面式MOSFET通常具有高单位芯片面积漏源导通电阻，并伴随相对更高的漏源电阻。使用高单元密度和大管芯尺寸可实现较低
2018-10-17 16:43:26
的矛盾。 即便如此，高压MOSFET在额定结温下的导通电阻产生的导通压降仍居高不下，耐压500V以上的MOSFET 的额定结温、额定电流条件下的导通电压很高，耐压800V以上的导通电压高得惊人，导
2023-02-27 11:52:38
。本篇将以ROHM的产品阵容及其特征作为SJ-MOSFET的具体案例来进行说明。SJ-MOSFET的种类以ROHM为例，SJ-MOSFET是根据噪声、导通电阻、高速性及独有结构等进行分类的。首先
2018-12-03 14:27:05
20V N-沟道增强型MOSFET
20V N-沟道增强型MOSFET简介
2010-04-08 17:33:33
15 20V P 沟道增强型MOSFET管
20V P 沟道增强型MOSFET管简介
2010-04-08 17:36:2023 20V N沟道增强型MOSFET管
20V N沟道增强型MOSFET管简介
2010-04-08 17:39:0026 Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技术
日前，Vishay Intertechnology推出两款 20V 和两款 30V n 通道器件，从而扩展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。这些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09635 
日前，Vishay Intertechnology宣布推出业界首款采用 MICRO FOOT 芯片级封装的 TrenchFET 功率 MOSFET --- Si8422DB，该器件具有背面绝缘的特点。
Si8422DB 针对手机、PDA、数码相机、MP3 播放器
2009-01-26 23:24:221152 Vishay Siliconix推出业内最低导通电阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011089 导通电阻,导通电阻的结构和作用是什么?
传统模拟开关的结构如图1所示，它由N沟道MOSFET与P沟道MOSFET并联构成，可使正负信号传输，如果将不同VI
2010-03-23 09:27:474912 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业内采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率
2011-10-21 08:53:05873 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，引入两款在尺寸和导通电阻上设立了新的行业基准的p沟道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，扩充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:13630 Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业内首款采用小尺寸57mm x 60mm封装的功率厚膜电阻--- LPS1100
2012-04-12 14:01:471179 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其新一代TrenchFET® Gen IV系列30V n沟道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN
2012-05-08 11:09:19806 Vishay 推出新款8V和20V N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541383 日前，Vishay Intertechnology， Inc.宣布，将其MCW 0406 AT Precision系列宽端子薄膜片式电阻的欧姆值扩展至1Ω，是业内采用小尺寸0406封装的器件中阻值最低的。
2013-02-19 11:23:231244 Vishay发布采用小尺寸WCSP6封装的新款斜率控制的P沟道高边负载开关，器件可在1.5V～5.5V电压范围内工作，具有低至20mΩ的导通电阻、低静态电流， 导通电压上升斜率为3ms
2013-05-03 15:50:581089 年度Top-10电源产品奖。Si7655DN是业内首款采用3.3mm x 3.3mm封装的20V P沟道MOSFET，在4.5V栅极驱动下的最大导通电阻只有4.8mΩ，也是采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK® 1212封装的首款器件。
2013-10-10 15:08:061138 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用PowerPAK® ChipFET®和PowerPAK 1212-8S封装的新器件，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。
2013-12-02 09:49:211075 x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT®封装尺寸的-20V器件---Si8851EDB，扩展其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay
2013-12-05 10:30:05898 应用，把高效同步DC/DC降压转换器所需的高边和低边MOSFET都组合进小尺寸5mm x 6mm封装里，比使用分立MOSFET的方案节省空间，低边MOSFET的最大导通电阻低至6.4mΩ。
2013-12-13 15:07:13843 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其Si7655DN -20V P沟道Gen III功率MOSFET荣获EDN China 2013创新奖之电源器件和模块类最佳产品奖。
2013-12-20 09:10:031307 日前，Vishay宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 ---SiZ340DT。Vishay Siliconix SiZ340DT把高边和低边MOSFET组合在一个小尺寸封装里，导通电阻比前一代同样封装尺寸的器件低57%，功率密度高25%，效率高5%，可节省空间，并简化高效同步降压转换器的设计。
2014-02-10 15:16:51890 TrenchFET®功率MOSFET---SiA453EDJ。该器件是2mm x 2mm占位面积的-30V器件，在-4.5V和-2.5V栅极驱动下具有业内最低的导通电阻，在便携电子产品里能够节省空间，并提高能源效率。
2014-04-29 16:30:44885 PowerPAK SC-70®封装的新款20V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA466EDJ。
2015-03-05 16:30:04855 Vishay宣布，推出业内首批通过AEC-Q101认证的采用双片不对称功率封装的12V MOSFET---SQJ202EP和20V MOSFET---SQJ200EP，可在汽车应用的高效同步降压
2016-07-11 14:33:171004 了高效率的解决方案。这颗器件具有业内最低的优值系数 （FOM 即栅极电荷与导通电阻乘积），该参数是600V MOSFET在功率转换应用的关键指标。
2017-02-10 15:10:111667 M2105-双路20v MOSFET驱动器芯片相关资料
2018-04-08 17:49:5863 MOSFET的导通电阻
2018-08-14 00:12:0012629 新的芯片级MICRO FOOT P沟道Si8457DB在1.8V栅极驱动下具有1.6mm x 1.6mm占位的MOSFET当中最低的导通电阻，也是唯一VGS 达到±8V的此类器件，为锂离子电池供电的应用提供了额外的安全裕量。
2018-08-28 09:10:001047 关键词：MOSFET , FemtoFET 小信号 MOSFET 晶体管为移动设备节省电源，延长电池使用寿命 德州仪器 (TI) 宣布面向智能手机与平板电脑等空间有限手持应用推出业界最小型低导通电阻
2018-10-13 11:03:01308 ;功率MOSFET所用的MICRO FOOTreg;封装的占板面积比仅次于它的最小芯片级器件最高可减少36%，而导通电阻则与之相当甚至更低。 Si8802DB和Si8805EDB可用于手持设备中的负载切换，包括智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器和移动计算设备。在
2019-01-01 16:29:01380 安森美半导体NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技术碳化硅 （SiC） MOSFET，它具有出色的开关性能和更高的可靠性。此外，该SiC MOSFET具有低导通电阻
2020-06-15 14:19:403728 ，温度及其高，不利于电路的稳定和工作。注意 20V 输入时，在通电和接上电时，会产生输入尖峰电压，一般是 0.5V 倍-3 倍左右，所以我们需要选择输入电压范围更宽的
2020-10-12 08:00:007 Vishay Siliconix SiSS52DN器件采用 PowerPAK1212‑8S 封装，导通电阻低至 0.95 mΩ，优异的 FOM 仅为 29.8 mΩ*nC Vishay 推出多功能
2021-05-28 17:25:572153 Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 沟道 SiHK045N60E 导通电阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET
2022-02-26 13:25:351341 NP3416EMR(20V N沟道增强模MOSFET)
2022-07-18 17:16:07774 
NP3416BEMR(20V N沟道增强模MOSFET)
2022-07-19 09:07:17774 
NP2302MR(20V N沟道增强模MOSFET)
2022-07-20 09:09:43828 
。“导通电阻”和“Qgd”是引起MOSFET功率损耗的两项主要参数，但对于普通的MOSFET而言，由于导通电阻与芯片尺寸成反比，
2023-05-17 13:35:02471 
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