Intersil公司（纳斯达克全球交易代码：ISIL）今天宣布，推出具有业内最低压差的新型超低压差线性稳压器系列---ISL8011x。
2012-08-01 13:55:04
891 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出具备低导通电阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535车用功率MOSFET，适用于汽油和柴油发动机压电喷射系统。
2012-08-15 11:25:081422 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 （International Rectifier，简称IR） 近日推出具有超低导通电阻 （RDS（on）） 的 StrongIRFET功率MOSFET系列，适合各种工业应用，包括电
2012-12-04 22:17:341235 IR近日推出配备IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可为各种高效工业应用提供基准导通电阻 （Rds（on）） ，全新功率MOSFET系列具有极低的导通电阻，有助于提升系统效率，还可让设计人员在多个MOSFET并联使用时减少产品的组件数量。
2013-01-22 13:27:211206 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 （International Rectifier，简称IR） 宣布推出汽车级COOLiRFET ® MOSFET系列，为重载应用提供基准导通电阻
2013-05-20 15:13:301738 `IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能够提供业界最低导通电阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【关键词】：功率损耗,导通电阻
2010-05-06 08:55:20
. 总所周知，IR不仅是全球功率半导体领先供应商，还是管理方案领先供应商。其推出的AUIRF8736M2 DirectFET2功率MOSFET,采用COOLiRFET硅技术,40V
2018-09-28 15:57:04
国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）近日推出一款新型60V DirectFET 功率 MOSFET－IRF6648。该器件的最大导通电阻为7.0 mΩ(VGS
2018-11-26 16:09:23
NCP45521的典型（热插拔）电路是一种负载开关，可通过软启动为浪涌电流限制提供高效电源域切换的元件和面积减少解决方案。除了具有超低导通电阻的集成控制功能外，这些器件还通过故障保护和电源良好信号提供系统保护和监控
2020-04-17 10:09:17
实现直接控制·低导通电阻RDS（ON），典型值为150mΩ（VIN = 5V、ID = 0.5A、Tj = 25°C）·表面贴装，SOP-J8封装·已通过AEC-Q100认证（等级1）BM2LB150FJ-C低侧开关IC应用领域·驱动电阻·电感负载·电容负载
2019-04-29 05:23:26
MOS做开关，导通电压2-4V，SOT23封装，符合这样条件的MOS管有没有？平时电路设计时找电子元件一般在什么地方找？新手求解？
2020-05-14 22:13:42
`浪拓电子微型表面贴装三端子气体放电管（GDT）B3DL-C系列产品，用于保护敏感型电子设备，免受中低强度的雷击感应浪涌和其他电压瞬变的侵害。B3DL-C系列微型SMT GDT直径为5.0mm，属于
2017-12-25 16:54:44
又适应编带包装； 具有电性能以及机械性能的互换性； 耐焊接热应符合相应的规定。 表面贴装元件的种类： 无源元件SMC泛指无源表面安装元件总称、单片陶瓷电容、钽电容、厚膜电阻器、薄膜电阻器、轴式电阻
2021-05-28 08:01:42
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 13:27 编辑
表面贴装印制板的设计技巧在确定表面贴装印制板的外形、焊盘图形以及布线方式时应充分考虑电路板组装的类型、贴装方式、贴片精度
2013-10-15 11:04:11
在确定表面贴装印制板的外形、焊盘图形以及布线方式时应充分考虑电路板组装的类型、贴装方式、贴片精度和焊接工艺等。只有这样，才能保证焊接质量，提高功能模块的可靠性。表面贴装技术（SMT)和通孔插装技术
2018-09-14 16:32:15
表面贴装印制板的设计技巧有哪些？
2021-04-25 06:13:10
光学传感器实物图值得一提的是，RPI-1035具有超低的体积，封装体积均为3.9mm*3.9mm*2.4mm，可用于对体积有严格要求的紧凑型应用场合。RPI-1035表面贴装式4方向检测光学传感器
2019-04-09 06:20:22
`表面贴装的GDT有范围很宽的各种尺寸和浪涌电压额定值的产品，用于保护高速xDSL调制解调器、分路器、DSLAM设备、AIO打印机、基站以及安防系统，防止过电压造成损坏。新型表面贴装GDT产品不仅
2013-10-12 16:43:05
日前，Vishay Intertechnology, Inc.）宣布，推出通过AEC-Q101认证的TCPT1300X01和TCUT1300X01表面贴装透射式(断续式)光电传感器，可用于汽车市场
2019-09-02 07:02:22
。但是在工业系统迄今很少有其他工艺要求可以与SMT中的贴装技术相比。贴装对象（SMC／SMD）的几何尺寸和形状、表面性质和重量的范围，贴装速度及贴装准确度的要求，与其工作原理相比是天壤之别。贴装元器件
2018-09-05 16:40:48
`AP15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-01 09:54:05
`AP15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-13 09:16:34
超级结MOSFET是与平面MOSFET相比，导通电阻和栅极电荷（Qg）显著降低的MOSFET。ROHM的600V超级结MOSFET具有高速、低噪声、高效率的特性，并已扩展为系列化产品，现已发展到
2018-12-05 10:00:15
LM317高压稳压电源输入100V输出75V资料分享
2021-05-11 07:35:22
大，而MOSFET的导通电阻大，却有着驱动电流小的优点。IGBT正是结合了这两者的优点：不仅驱动电流小，导通电阻也很低。 具有四个交替层（P-N-P-N）的IGBT由不具有再生作用的金属氧化物半导体
2020-07-07 08:40:25
的设计而言，它大幅降低了MOSFET导通电阻，并保持了出色的开关性能。 英飞凌推出的OptiMOS 3系列进一步改进了设计，使更高电压等级的器件能够受益于这种技术。在150 V 至250 V的电压
2018-12-07 10:21:41
MAX=125℃；θJC≈100℃/W。 5.计算采用SO-8封装的参数： PD=[14V-5V]×150mA+(14V×8mA)=1.46W； 升高的温度=125℃-50℃=75℃； 热阻θJA
2018-11-26 11:06:13
地提升小封装尺寸内的电流处理能力，同时有助于器件冷却，并提高器件可靠性。 当今的功率MOSFET封装 采用Power SO8封装的MOSFET通常用在电信行业输入电压范围从36V至75V的工业标准1
2018-09-12 15:14:20
，ROHM还会面向要求更高耐压的工业设备开发100V和150V耐压产品，以扩大本系列产品的阵容，通过降低各种应用的功耗和实现其小型化来助力解决环境保护等社会问题。新产品特点1、实现业界超低导通电阻在
2021-07-14 15:17:34
公司也有生产，但是ROHM在推进独自开发。此次内置的SJ MOSFET不仅实现了650V的高耐压，还实现了低导通电阻与低栅极电荷，开关速度也非常快。这将大大改善开关即MOSFET的导通损耗与开关损耗。这
2019-04-29 01:41:22
浪拓电子表面贴装的GDT有范围很宽的各种尺寸和浪涌电压额定值的产品，用于保护高速xDSL调制解调器、分路器、DSLAM设备、AIO打印机、基站以及安防系统，防止过电压造成损坏。 表面贴装GDT产品
2014-04-17 09:05:38
表面贴装方法分类 根据SMT的工艺制程不同，把SMT分为点胶制程（波峰焊）和锡膏制程（回流焊）。它们的主要区别为： 贴片前的工艺不同，前者使用贴片胶，后者使用焊锡胶。贴片后的工艺不同，前者过回流炉只
2016-05-24 15:59:16
专门的沟槽式栅极结构（即栅极是在芯片表面构建的一个凹槽的侧壁上成形的），与平面式SiC MOSFET产品相比，输入电容减小了35%，导通电阻减小了50%，性能更优异。图4 SCT3030KL的内部电路
2019-07-09 04:20:19
电阻低，通道电阻高，因此具有驱动电压即栅极－源极间电压Vgs越高导通电阻越低的特性。下图表示SiC-MOSFET的导通电阻与Vgs的关系。导通电阻从Vgs为20V左右开始变化（下降）逐渐减少，接近
2018-11-30 11:34:24
度的漂移层实现高耐压。 因此，在相同的耐压值情况下，SiC可以得到标准化导通电阻（单位面积导通电阻）更低的器件。 例如900V时，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1
2023-02-07 16:40:49
情况下，SiC可以得到标准化导通电阻（单位面积导通电阻）更低的器件。例如900V时，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1、SJ-MOSFET的10分之1，就可以实现相同
2019-04-09 04:58:00
情况下，SiC可以得到标准化导通电阻（单位面积导通电阻）更低的器件。例如900V时，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1、SJ-MOSFET的10分之1，就可以实现相同
2019-05-07 06:21:55
Vishay推出新型VSMP0603超高精度Bulk Metal Z箔 (BMZF) 卷型表面贴装电阻。该器件是率先采用 0603 芯片尺寸的产品，当温度范围在 -55℃至
2008-09-26 13:42:57
日前，Vishay公司宣布其IHLP表面贴装电感器系列(IHLP-5050FD-01)已增添了四个最新产品。此系列电感器的标准电感值范围介于0.10μH～10.0μH，典型DCR电感值低至
2018-10-24 11:33:47
表面安装技术，英文称之为“Surface Mount Technology”,简称SMT，它是将表面贴装元器件贴、焊到印制电路板表面规定位置上的电路装联技术，所用的负责制电路板无无原则钻孔
2018-11-26 11:00:25
第一类 只有表面贴装的单面装配 工序: 丝印锡膏=>贴装元件=>回流焊接 TYPE IB 只有表面贴装的双面装配 工序: 丝印锡膏=>贴装元件=>回流焊
2018-11-26 17:04:00
电气技师和电子制造工程师用接地导通电阻测试仪验证电器和消费产品（由交流电压供电）上的裸露金属是否适当地连接到了其机壳底座。当电器内部发生故障电流时，如果电器没有适当地连接到已接地的机壳底座，就存在
2017-09-30 09:38:49
描述此参考设计可从 36V 至 75V 电信输入生成 5V/15A 输出。UCC2897A 可控制有源钳位正向转换器功率级。CSD17501Q5A 和 CSD18502Q5B 的低栅极和低导通电阻
2018-11-21 14:57:50
。 图2 SnAgCu元件移除温度曲线 对于锡铅装配，具有“实际意义”的元件重新贴装温度曲线可以描述如下，如图3所示。 ·焊点回流温度212℃； ·元件表面温度240℃； ·上表面加热器温度
2018-11-22 11:04:18
电源型产品，皆有提供。 BD9E100FJ-LB、BD9E101FJ-LB是ROHM推出的内置低导通电阻功率MOSFET的同步整流降压型开关稳压器，具有非常宽的输入电压范围。采用电流控制模式，具有高速
2019-04-01 22:19:17
需要具备非常先进的技术能力才能实现。此外，内置MOSFET的导通电阻很低，仅为150mΩ，有利于提高效率。 BD9G341AEFJ的转换方式是被称为“二极管整流”或“异步整流”的降压方式。高边
2018-10-19 16:47:06
非常先进的技术能力才能实现。此外，内置MOSFET的导通电阻很低，仅为150mΩ，有利于提高效率。BD9G341AEFJ的转换方式是被称为“二极管整流”或“异步整流”的降压方式。高边MOSFET为内置
2018-12-04 10:10:43
表面贴装技术(SMT)和通孔插装技术(THT)的PCB板设计规范大不相同。SMT工艺对PCB板的要求非常高,PCB板的设计直接影响焊接质量。在确定表面贴装PCB板的外形、焊盘图形以及布线方式时应
2012-10-23 10:39:25
型区。在功率MOSFET的内部，由许多这样的单元，也称“晶胞”，并联而成。硅片的面积越大，所能加工的单元越多，器件的导通电阻越小，能够通过的电流就越大；同样，在单位的面积的硅片上，能够加工的晶胞越多
2016-10-10 10:58:30
装各种元器件甚至最新的IC封装和片式元件，因而在科研工作和企业的产品研发试制中具有不可或缺的作用。一部分企业针对这种需求新开发的贴装机构具有很高的精确度和元器件适应能力，同样属于高科技产品。 图是用于产品研发、实验室和科研的半自动贴装设各。 图 用于产品研发、实验室和科研的半自动贴装设备
2018-09-05 16:40:46
DN77- 单个LTC1149提供3.3V和5V表面贴装
2019-07-30 11:16:24
的需求，在中国构建了与罗姆日本同样的集开发、生产、销售于一体的一条龙体制。ROHM公司推出了两款表面贴装肖特基势垒二极管RB051LAM-40和RB081LAM-20，两者二极管的反向电压都为20V，正向
2019-04-17 23:45:03
描述 此参考设计可从 36V 至 75V 电信输入生成 5V/15A 输出。UCC2897A 可控制有源钳位正向转换器功率级。CSD17501Q5A 和 CSD18502Q5B 的低栅极和低导通电阻
2022-09-20 07:45:51
电源中广泛使用耐压1000V以上的Si-MOSFET。然而，超过1000V的高耐压Si-MOSFET的导通电阻大，必须处理导通损耗带来的发热问题。SCT2H12NZ就是为解决这类工业设备辅助电源的课题而
2018-12-05 10:01:25
浪拓电子 BA201系列气体放电管采用微型封装，具有高额定浪涌。 专为小尺寸（4.5x3.2x2.7mm）的PCB表面贴装而设计。 插入损失低，尤其适用于宽带设备。电容不随电压而改变，不会给不希望
2014-03-03 14:52:43
”这个参数的影响。下面以“升降压转换器的传递函数导出示例 其2”的ton≠ton’ 的升降压转换器为基础，按照同样步骤来推导。右侧电路图在上次给出的升降压转换器简图上标出了作为开关的MOSFET的导通电阻
2018-11-30 11:48:22
表面贴连接器无疑提供了许多优点，包括减少组装成本、提供双倍的密度和改善高速性能的完整性。但是，表面贴连接器同时也包含一些已经被认知的缺点-从可靠性问题(如连接器自电路板上脱落)到共面性所导致
2018-11-22 15:43:20
日前，Vishay公司宣布推出新型VFCD1505表面贴装倒装芯片分压器。当温度范围在0°C至+60°C以及55°C至+125°C(参考温度为+25°C)时，该分压器将±0.05ppm/°C
2018-08-30 16:22:34
逐年下降。然而， 传统的热释电红外传感器只针对铅型手工焊接贴装，成了自动化的瓶颈。 这次的研制品，适应了这些市场需求，有利于自动化而引起的成本降低，以及矮板设备的小型化、薄型化。 通过表面贴装化
2018-11-19 16:48:31
` （1）不同耐压的MOS管的导通电阻分布。不同耐压的MOS管，其导通电阻中各部分电阻比例分布也不同。如耐压30V的MOS管，其外延层电阻仅为总导通电阻的29%，耐压600V的MOS管的外延层电阻
2018-11-01 15:01:12
沟道MOSFET工作。这款N沟道MOSFET在VIN接近0V时支持超过2A的连续电流，并具有超低导通电阻，可最大限度地降低功耗
2020-04-21 10:02:39
组成。印制线路板PWB(Printed Wire Board)是含有线路和焊盘的单面或双面多层材料。表面贴装元器件包括表面贴装元件和表面贴装器件两大类。其中表面贴装元件是指各种片状无源元件，如电阻
2018-09-14 11:27:37
Toshiba研发出一种SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET)，其将嵌入式肖特基势垒二极管（SBD）排列成格子花纹（check-pattern embedded SBD），以降低导通电阻
2023-04-11 15:29:18
DN58- 简单的表面贴装闪存Vpp发生器
2019-07-04 10:12:40
40V的MOSFET的通态电阻降低了40%，而阻断电压为60V的MOSFET的通态电阻降幅甚至达到48%以上。 迄今为止，英飞凌是全球首家推出采用SuperSO8封装、最大通态电阻不足1毫欧的40V
2018-12-06 09:46:29
平面式高压MOSFET的结构图1显示了一种传统平面式高压MOSFET的简单结构。平面式MOSFET通常具有高单位芯片面积漏源导通电阻，并伴随相对更高的漏源电阻。使用高单元密度和大管芯尺寸可实现较低
2018-10-17 16:43:26
`AP15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-08 09:35:56
使用COOLMOS技术的MOSFET。 IR公司也推出了SUPPER220，SUPPER247封装的超级MOSFET，额定电流分别为35A，59A，导通电阻分别为 0.082Ω，0.045Ω，150
2023-02-27 11:52:38
%。特性方面的定位是标准特性。低噪声SJ-MOSFET：EN系列SJ-MOSFET具有“导通电阻低，开关速度快”的特征，但存在其高速性导致噪声比平面型大的课题。为改善这个问题开发了EN系列。该系列产品融合了
2018-12-03 14:27:05
PS22920YZPR，具有受控接通功能的超低导通电阻，4A 集成负载开关 特性 说明 • 输入电压范围：0.75V 至 3.6V TPS22920L 是一款小型
2023-02-08 23:30:53
IR推出150V和200V MOSFET 具有极低的闸电荷
国际整流器公司（International Rectifier，简称IR） 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，为开
2009-08-18 12:00:511176 IR推出75V低侧智能功率开关，适用于严苛的24V汽车环境
国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)推出AUIPS2051L和AUIPS2052G 75V低侧智能功率开关(IPS) ，适用于严苛的24V汽
2009-11-04 08:50:54671 TI 推出具备最低导通电阻的完全整合型负载开关
TI 宣布推出一
2010-01-08 17:36:28846 TI推出具有同步MOSFET控制输出的全新环保型相移全桥控制器
日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款具备同步 MOSFET 控制输出与轻负载电源管理功能的相移全桥 PWM 控制器 UCC289
2010-03-01 08:39:27848 IR推出一系列新型HEXFET功率MOSFET
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET，其中包括能够提供业界最低导通电阻 (RDS(on)) 的IRFH620
2010-03-12 10:28:391444 IR智能电源开关为24V汽车应用提供超低导通电阻
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR)推出 AUIPS7111S 高侧智能电源开关。该产品具有超低的导
2010-03-19 09:14:551003 IR推出智能电源开关AUIPS7111S
IR推出AUIPS7111S 高侧智能电源开关。该产品具有超低的导通电阻（RDS(on)），适用于卡车引擎罩接线盒等严苛的 24V 汽车环
2010-03-22 12:16:321289 导通电阻,导通电阻的结构和作用是什么?
传统模拟开关的结构如图1所示，它由N沟道MOSFET与P沟道MOSFET并联构成，可使正负信号传输，如果将不同VI
2010-03-23 09:27:474912 IR推出汽车专用MOSFET系列低导通电阻
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出首款汽车专用 MOSFET 系
2010-04-09 11:50:32746 IR推出二款DirectFET MOSFET芯片组
国际整流器公司(International Rectifier，简称IR) 推出 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF DirectFET MOSFET 芯片组，为 12V 输入同步降压应用 (包括服务器、台
2010-04-20 10:24:32900 
全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (InternaTIonal Rectifier) 推出全新HEXFET功率MOSFET系列。该器件采用业界标准SOT-23封装，具有超低导通电阻 (RDS(on)) ，适用于电池充电
2010-07-22 09:29:411162 IR)推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封装 P 沟道 MOSFET硅组件，适用于电池充电和放电开关，以及直流应用的系统/负载开关。新款 P 沟道器件的导通电阻 (RDS (on)) 为 4.6 mΩ至59
2010-09-15 18:11:341531 飞兆半导体推出了导通电阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET，这款全新飞兆半导体器件FDMS7650是最大RDS(ON)值为0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N沟道器件，它是业界采用5×6mm POWER56封装且RDS(ON)
2010-12-29 09:09:391534 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR)近日推出新的车用MOSFET系列，适合要求低导通电阻的一系列应用，包括传统内燃机 (ICE) 平台以及微型和混合动力汽车平台上的重载应用。
2011-07-12 08:40:54966 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日推出车用 MOSFET 系列，可为一系列应用提供基准导通电阻 (Rds(on)) ，包括电动助力转向系统 (EPS) 、集成式起动发电机 (ISA) 泵和电机控制
2011-09-15 09:27:391312 瑞萨电子宣布推出新款低导通电阻MOSFET产品，包括经过最佳化的μPA2766T1A，做为网路伺服器与储存系统之电源供应器内的ORing FET使用。
2013-03-06 09:50:10938 日前，Vishay宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 一种超低比导通电阻的L型栅漏极LDMOS_石琴
2017-01-07 22:14:03
4 MOSFET的导通电阻
2018-08-14 00:12:0012629 安森美半导体NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技术碳化硅 （SiC） MOSFET，它具有出色的开关性能和更高的可靠性。此外，该SiC MOSFET具有低导通电阻
2020-06-15 14:19:403728 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。该系列具有低导通电阻，可显著降低开关损耗。该系列10款产品包括5款1200V产品和5款650V产品，现已开始出货。
2022-09-01 15:37:53479 ROHM开发出具有绝缘构造、小尺寸且超低功耗的MOSFET
2022-12-18 17:08:49626 
ROHM | 开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372 
新产品不仅利用微细化工艺提高了器件性能，还通过采用低阻值铜夹片连接的HSOP8封装和HSMT8封装，实现了仅2.1mΩ的业界超低导通电阻（Ron）*2，相比以往产品，导通电阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06215 
列产品的参考资料，助力您快速了解产品各项信息。 点击下载产品参考资料 与Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的导通电阻，并且在各种电路中具有更出色的易用性，因而目前在市场上更受欢迎
2023-05-17 13:35:02471 
两者因为其栅极都是在外延表面生长出来的平面结构所以都统称为平面栅MOSFET。还有另外一种结构是把栅极构建在结构内部，挖出来的沟槽里面，叫做沟槽型MOSFET。针对两种不同的结构，对其导通电阻的构成进行简单的分析介绍。
2023-06-25 17:19:021451 
的工作效率。在这些应用中，中等耐压的MOSFET被广泛应用于各种电 路中，制造商要求进一步降低功耗。另一方面，“导通电阻
2023-11-20 01:30:56189 近日，昕感科技在新能源领域取得重大突破，推出了一款具有业界领先超低导通电阻的SiC MOSFET器件新产品（N2M120007PP0）。该产品的导通电阻达到了惊人的7mΩ，电压规格为1200V，将为新能源领域提供更为高效、可靠的功率半导体开关解决方案。
2024-01-04 14:37:57316
电子发烧友App
工商网监
评论