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Vishay Siliconix发布新款N沟道TrenchFET功率MOSFET-SiR872ADP

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2015-03-05 16:30:04855

Vishay推出用于同步降压的业内首批通过AEC-Q101认证的双片不对称封装12V和20V MOSFET

转换器中节省空间和电能。Vishay Siliconix SQJ202EP和SQJ200EP N沟道TrenchFET®器件把高边和低边MOSFET组合进小尺寸5mm x 6mm PowerPAK® SO-8L双片不对称封装里,低边MOSFET的最大导通电阻低至3.3mΩ。
2016-07-11 14:33:171004

Vishay推出最新第4代600V E系列功率MOSFET

MOSFET的首颗器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N沟道SiHP065N60E的导通电阻比前一代600V E系列MOSFET低30%,为通信、工业和企业级电源提供
2017-02-10 15:10:111667

Vishay新款30V MOSFET具有高功率密度和高效率等特性,适用于移动设备和消费电子

宾夕法尼亚、MALVERN — 2017 年 4 月25 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,发布新的30V N沟道
2017-04-25 15:58:551514

Vishay推出输入电压为4.5V~60V的新款2A~10A器件---SiC46X

Vishay推出输入电压为4.5V~60V的新款2A~10A器件---SiC46X,扩充其microBUCK同步降压稳压器。Vishay Siliconix SiC46X器件十分节省空间,在小尺寸
2018-05-21 10:56:001893

Vishay推出0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率MOSFET

最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N沟道Si8802DB和P沟道Si8805EDB TrenchFETreg
2019-01-01 16:29:01380

N沟道耗尽型功率MOSFET的电路应用

电源系统中的恒定电流源,固态继电器,电信开关和高压直流线路等应用需要N沟道耗尽型功率MOSFET,当栅极至源极电压为零时,该MOSFET用作常开的开关。本文将介绍IXYS最新的N沟道耗尽型功率
2021-05-27 12:18:587444

现货推荐 | Vishay/Siliconix SiR186LDP N沟道60V (D-S) MOSFET

Vishay/Siliconix SiR186LDP N沟道60V (D-S) MOSFET采用TrenchFET® Gen IV功率MOSFET技术。
2021-04-21 17:50:211274

Vishay推出新型TrenchFET第五代功率MOSFET

新型 30 V n 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET,提升隔离和非隔离拓扑结构功率密度和能效。 Vishay Siliconix SiSS52DN 采用热增强型 3.3 mm
2021-05-28 17:25:572153

电感计算软件_8月原厂新品推荐:MOSFET、测试芯片、通用MCU、隔离开关、功率电感器...

适用于标准栅极驱动电路的MOSFET8月12日,Vishay推出新款60 V TrenchFET®第四代n沟道功率MOSFET——SiSS22DN,业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件,10
2021-12-05 10:21:115

Vishay推出PowerPAK® 8x8L封装60 V和80 V N沟道MOSFET,优异的RDS(ON)导通电阻低至0.65 mW

Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出两款n沟道TrenchFET® MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E,以提高通信和工业应用功率密度、能效和板级可靠性。
2022-02-07 15:37:08916

Vishay推出最新第四代600VE系列功率MOSFET器件

Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 沟道 SiHK045N60E 导通电阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET
2022-02-26 13:25:351341

Vishay推出薄型PowerPAK® 600 V EF系列快速体二极管MOSFET,其RDS(ON)*Qg FOM创业界新低

N 沟道器件实现高功率密度,降低导通和开关损耗,提高能效   宾夕法尼亚、 MALVERN — 202 2 年 10 月 12 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.
2022-10-12 15:44:14375

Vishay推出封装的新型第四代 600V EF系列快速体二极管MOSFET

Vishay Siliconix n 沟道 SiHK045N60EF 导通电阻比前代器件降低 29 %,为通信、工业和计算应用提供高效、高功率密度解决方案,同时栅极电荷下降 60 %,从而使器件导通电阻与栅极电荷乘积,即功率转换应用中 600V MOSFET 的重要优值系数(FOM)创业界新低。
2022-10-14 16:16:12817

98%能效!PowerPAIR® 3x3FS封装,30V对称双通道MOSFET

中。 Vishay Siliconix SiZF5300DT 和 SiZF5302DT 适用于计算和通信应用功率转换,在提高能效的同时,减少元器件数量并简化设计。 日前发布的双通道 MOSFET 可用来取代两个 PowerPAK 1212 封装分立器件,节省 50% 基板空间,同时
2023-02-04 06:10:04502

RU2060L N 沟道功率 MOSFET-骊微电子

RU2060LN沟道功率MOSFET
2021-11-17 15:33:060

TrenchFET IV功率MOSFET系列设计更绿色、更小的电源

电子发烧友网站提供《用TrenchFET IV功率MOSFET系列设计更绿色、更小的电源.pdf》资料免费下载
2023-11-13 15:11:290

Vishay推出多功能新型30 V N沟道TrenchFET第五代功率MOSFET

Vishay 推出多功能新型 30 V N 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET,进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度,增强热性能。
2024-02-22 17:11:08355

Vishay推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET

近日,全球知名的半导体解决方案供应商Vishay宣布推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET,型号为SiZF4800LDT。这款新产品将高边和低边TrenchFET® Gen IV
2024-03-12 10:32:0294

Vishay推出30V N沟道TrenchFET第五代功率MOSFET

全球知名半导体解决方案供应商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。这款新型功率
2024-03-12 10:38:14104

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