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电子发烧友网>电源/新能源>功率器件>隔离驱动IGBT和Power MOSFET等功率器件所需的技巧

隔离驱动IGBT和Power MOSFET等功率器件所需的技巧

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BJT,MOSFETIGBT的智能功率模块解析

智能功率模块(IPM)是一种功率半导体模块,可将操作IGBT所需的所有电路集成到一个封装中。它包括所需驱动电路和保护功能,以及IGBT。这样,可以通过可用的IGBT技术获得最佳性能。
2023-02-02 14:39:142429

隔离型栅极驱动器与功率器件

隔离型栅极驱动器与功率器件
2023-02-08 13:43:24355

什么是IGBT IPM(Intelligent Power Module)?

本文的关键要点・IPM是“Intelligent Power Module”的缩写,IPM是集成了IGBTMOSFET等元器件单体(分立产品)与驱动电路、保护电路等电路的模块的统称。
2023-02-13 09:30:151495

IGBT功率半导体器件

IGBTMOSFET基础上升级,市场空间增速快。IGBT作为半导体功率器件中的全控器件,由BJT(双极型三极管)和MOSFET(绝缘栅型场效应 管)组成的复合全控型电压驱动功率半导体器件
2023-02-15 16:26:3234

隔离驱动IGBT的设计技巧

隔离驱动IGBT的意义在于,它可以将低电压的控制信号转换为高电压的控制信号,从而控制IGBT晶体管的开关,从而实现高效的电力控制。
2023-02-15 16:47:24788

IGBT和BJT、MOSFET之间的因果故事

功率半导体器件。 上次从IGBT的名称入手,搞清楚了IGBT栅极和双极性所包含的背后意义。这次我们从IGBT的定义出发,来看看为什么说IGBT是由BJT和 MOSFET组成的器件?它们之间有什么区别和联系?在应用的时候,什么时候能选择IGBT、什么时候选择BJT、什么时候又选择MOSFET管 呢?
2023-02-22 14:51:281

IGBT和SiC MOSFET驱动参数的计算方法

MOSFET之间驱动参数的实际差异。 参考资料:《IGBT以及MOSFET驱动参数的计算方法》concept 1.模块所需驱动功率的计算2.门级电荷说明3.峰值驱动电流公式4.输出电压摆幅的变化5.最大开
2023-02-22 14:45:3912

开关功率器件(MOSFET IGBT)损耗仿真方法

说明:IGBT 功率器件损耗与好多因素相关,比如工作电流,电压,驱动电阻。在出设计之前评估电路的损耗有一定的必要性。在确定好功率器件驱动参数后(驱动电阻大小,驱动电压等),开关器件的损耗基本上
2023-02-22 14:05:543

栅极驱动参数对IGBT开通的影响

, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流 密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的 优点,驱动功率小而饱和压降低。
2023-02-23 09:52:070

SLM27517能驱动MOSFETIGBT功率开关

SLM27517 单通道,高速,低侧栅极驱动器件可以有效地驱动MOSFETIGBT功率开关。使用设计其固有地最小化击穿电流,可以源汇高峰值电流脉冲转换为电容性负载轨对轨驱动能力非常小传播延迟通常
2023-02-23 15:42:222

IGBTMOSFET该用谁?你选对了吗?

半导体功率器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFETIGBT等。其中MOSFETIGBT属于电压控制型开关器件,具有开关速度快、易于驱动、损耗低等优势。IGBT全称是绝缘栅极
2023-05-18 09:51:583451

森国科推出大功率IGBT分立器件

森国科隆重推出IGBT分立器件新品,兼具功率MOSFET易于驱动、控制简单、开关频率高和功率双极型晶体管(BJT)低饱和压降、大电流运输能力及低损耗的优点。
2023-07-26 17:34:13355

6.5A,2300V单通道隔离式栅极驱动器评估板(配SiC MOSFET

MOSFET和SiCMOSFET等功率开关。该板预装了两个CoolSiCSiCMOSFETIMZA120R020M1H,一个额外的栅极驱动IC用于隔离从上桥臂到逻辑控制侧
2023-07-31 17:55:56430

高集成度智能栅极驱动光耦通吃MOSFETIGBT

驱动光耦产品线,近期新增一款输出电流为2.5A的智能栅极驱动光耦 TLP5222 。它是一款可为MOSFETIGBT等功率器件提供过流保护的隔离栅极驱动IC,内置保护操作自动恢复的功能。该器件主要用来实现逆变器、交流伺服器,光伏逆变器等的智
2023-09-28 17:40:02526

隔离驱动IGBT等功率器件的技巧

电子发烧友网站提供《隔离驱动IGBT等功率器件的技巧.doc》资料免费下载
2023-11-14 14:21:590

常用IGBTMOSFET器件隔离驱动技术汇总

IGBT具有电流拖尾效应,在关断时要求更好的抗干扰性,需要负压驱动MOSFET速度比较快,关断时可以没有负压,但在干扰较重时,负压关断对于提高可靠性有很大好处。
2023-11-14 15:07:324

现代IGBT/MOSFET栅极驱动器 提供隔离功能的最大功率限制

电子发烧友网站提供《现代IGBT/MOSFET栅极驱动器 提供隔离功能的最大功率限制.pdf》资料免费下载
2023-11-22 16:48:150

IGBT的工作原理 IGBT驱动电路

IGBT是一种高性能功率半导体器件,常用于驱动功率负载的电路中。 一、IGBT的工作原理 IGBT是由MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)和BJT(双极型晶体管)两个器件构成。它结合
2024-01-12 14:43:521681

意法半导体推出功率MOSFETIGBT栅极驱动

意法半导体(下文为ST)的功率MOSFETIGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。
2024-02-27 09:05:36578

充电桩中后级LLC用SiC MOSFET方案可用隔离驱动BTD25350

(典型值),采用SOW-18(宽体)封装, 高达5000Vrms的隔离电压,适用于于驱动MOSFETIGBT、SiC MOSFET等功率器件。BTD25350功
2023-11-30 09:42:59

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