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电子发烧友网>电源/新能源>功率器件>Vishay推出PowerPAK® 8x8L封装60 V和80 V N沟道MOSFET,优异的RDS(ON)导通电阻低至0.65 mW

Vishay推出PowerPAK® 8x8L封装60 V和80 V N沟道MOSFET,优异的RDS(ON)导通电阻低至0.65 mW

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SL4184 N沟道场效应管40V60A功率MOS管

沟道双管SL4822 30V8ASOP-8封装N沟道双管SL4828 60V6ASOP-8封装N沟道双管SL8810 20V7ATSSOP-8封装N沟道双管SL8814 20V7.5ATSSOP-8
2020-07-01 16:58:17

SL4411 -30/9.3A/24毫欧的MOS管P沟道 SOP-8封装替代AO4411

SL300930V9A 15毫欧SOP-8封装 N沟道SL304230V88A8.5毫欧DFN5x6A-8_EP封装 N沟道SL340030V5.7A18毫欧SOT23-3L封装 N沟道SL340230V
2020-06-10 11:23:51

SL4421 P沟道MOS管替代AO4421 SOP-8封装-60V -4.7A 40毫欧

2A TO23-3L 封装N沟道SL4294100V12ASOP8封装N沟道供应【60V MOS管 N/P沟道】SL50N0660V50A TO-252封装N沟道sl44460V12ATO-252封装N沟道
2020-06-06 11:08:41

SL4430 N沟道耐压30V18A系列中低压MOS管

】SL342255V2.1A SOT23-3L封装N沟道【40V MOS管 N/P沟道】SL448040V13ASOP-8封装N沟道SL418440V60ATO-252封装 N沟道SL4884
2020-08-03 14:48:45

SL4612替代AO4612 SOP-8封装N+P沟道的场效应管

2A TO23-3L 封装N沟道SL4294100V12ASOP8封装N沟道供应【60V MOS管 N/P沟道】SL50N0660V50A TO-252封装N沟道sl44460V12ATO-252封装N沟道
2020-06-05 10:14:58

SL50N06 60V50A 场效应管 N沟道 TO-252 功率MOS管

SL426460V10ASOP-8封装 N沟道SL4421-60V-7ASOP-8封装P沟道【55V MOS管 N沟道】SL342255V2.1A SOT23-3L封装N沟道【40V MOS管 N/P沟道
2021-06-16 10:03:36

SL50N06场效应管60V50A N沟道 TO-252 功率MOS管

sl44460V12ATO-252封装N沟道SL426460V10ASOP-8封装 N沟道SL4421-60V-7ASOP-8封装P沟道【55V MOS管 N沟道】SL342255V2.1A SOT23-3L封装N沟道
2020-06-10 14:33:23

SL50P03场效应管-30V-50A P沟道 DFN3x3-8 功率MOS管

场效应管-30V-50A P沟道 DFN3x3-8 功率MOS管【100V MOS管 N沟道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封装N沟道SL3N10 100V3A SOT23-3L 封装N沟道
2020-06-10 14:35:56

SL7410,N沟道,30V23A场效应管 替代AON7410

SL448040V13ASOP-8封装N沟道SL418440V60ATO-252封装 N沟道SL4884 40V10ASOP-8封装N沟道【30V MOS管 N/P沟道】SL40P03 -30V-39ADFN3x3-8封装P沟道
2020-06-04 11:25:10

SLD80N06T 80A/60V TO-252 N沟道 MOS

*3-8N沟道SLN30P03T品牌:美浦森 电压:-30V 电流:-30A封装:DFN3*3-8P沟道SLD80N06T品牌:美浦森 电压:60V 电流:80A封装:TO-252N沟道
2021-04-07 15:06:41

SOP8带散热片的P沟道 MOSFET

`SUN2310SGP沟道增强型功率场效应管(MOSFET) ,采用高单元密度的 DMOS 沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小通电阻。适用于低压应用,例如移动电话,笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。 采用带散热片的 SOP8 封装`
2011-05-17 10:57:36

Truesemi 650V N-Channel 功率MOSFET

50MR;TSD5N60MTruesemi 其它相关产品请 点击此处 了解特性:3.0A,650V,最大RDS(on)= 3.0Ω@ VGS = 10V栅极电荷(典型值为16nC)快速切换经过100%雪崩测试改进的dv/dt功能主要参数:应用:高效开关模式电源,基于半桥拓扑的有源功率因数校正`
2020-04-30 15:13:55

东芝小型通电阻MOSFET的优点 SSM3J332R P-ch -30V/-6A RDS(ON) 0.042R

1.通电阻 卓越的沟槽工艺与封装技术相结合实现了通电阻。这有助于提升您应用中的产品性能。 2.小型封装产品阵容3.封装类型[tr=transparent]Toshiba Package
2018-05-15 22:37:38

低压贴片MOS管30V 60V 100V 150V 耐压N沟道场效应管

、美容仪型号:HC610N沟道场效应管100V6A 6N10SOT23-3L内阻80mR型号:HC160N10LN沟道场效应管 100V10A(10N10)TO-252封装,内阻145mR,可用于雾化器
2020-10-14 15:18:58

低压贴片MOS管30V 60V 100V 150V 耐压N沟道场效应管

型号:HC080N06LSN沟道场效应管 丝印HC606 60V6ASOT23-3封装 内阻90mR型号:HC706N沟道场效应管60V7A SOP-8封装内阻80mR型号:HC020N03LN沟道
2020-09-23 11:38:52

创新型MOSFET封装:大大简化您电源的设计

封装。如图2所示,MOSFET通电阻比高边 MOSFET,这会导致焊盘区的大小不一致。事实上,MOSFET通电阻是器件的关键特性。即使封装尺寸变小了,还是有可能在最高4.5V电压
2013-12-23 11:55:35

功率MOSFET结构及特点

MOSFET和开关频率不太高的中压功率MOSFET。如果需要通电阻,只有增大的晶片面积,晶片的面积受到封装尺寸的限制,因此不适合于一些高功率密度的应用。平面型高压的功率MOSFET管的耐压主要通过厚的
2016-10-10 10:58:30

可用作内置N沟道MOSFET的线性电源BD35395FJ-M终端稳压器

。BD35395FJ-M终端稳压器IC具有的高侧通电阻通电阻以及大负载输出电流能力。该芯片高侧和通电阻值典型值均为0.35Ω,输出电流范围为-1.0A到1.0A。它的输入电压范围为2.7V
2019-04-28 05:31:27

开关电源设计之:P沟道N沟道MOSFET比较

,它代表金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)。由于具有较低的通电阻RDS(on))和较小尺寸,N沟道
2021-04-09 09:20:10

惠海直销30V 60V 100V mos管SOT23封装 TO-252 SOP-8 DFN3*3封装mos管【开启结电容】

、控制器等型号:HC012N06LSN沟道场效应管 55V50ASOP-8封装型号:HC037N06L N沟道场效应管60V30A(30N06)TO-252封装,可用于加湿器、雾化器、香薰机、美容仪型
2020-11-02 15:36:23

按摩器专用mos管SL80N08NF 80A 80V DFN5x6-8L

AO4803SL4612 N沟道SOP-860V 5.1A可替换AO4612SL4612 P沟道SOP-8-60V-3.7A可替换AO4612SL4616 N沟道SOP-830V 7.2A可替换
2021-07-22 14:56:05

替代AO4620的SL4620 N+P场效应管 SOP-8封装

SOP-8封装 N沟道SL304230V88A8.5毫欧DFN5x6A-8_EP封装 N沟道SL340030V5.7A18毫欧SOT23-3L封装 N沟道SL340230V4A 40毫欧
2020-06-05 11:33:57

替代AO4822有SL4822,30V8A电流19毫欧 SOP-8封装N沟道MOS管

30V41A14毫欧TO-252封装 N沟道SL300930V9A 15毫欧SOP-8封装 N沟道SL304230V88A8.5毫欧DFN5x6A-8_EP封装 N沟道SL340030V5.7A18毫欧
2020-06-12 10:03:55

浅析降低高压MOS管通电阻的原理与方法

的电子通过导电沟道进入被耗尽的垂直的N区中和正电荷,从而恢复被耗尽的N型特性,因此导电沟道形成。由于垂直N区具有较低的电阻率,因而通电阻较常规MOS管将明显降低。  通过以上分析可以看到:阻断电压与
2018-11-01 15:01:12

海飞乐技术现货替换IXFQ50N60X场效应管

: TO-3P-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 600 V Id-连续漏极电流: 50 A Rds On-漏源通电阻: 73 mOhms Vgs
2020-03-04 10:11:00

理解功率MOSFETRDS(ON)负温度系数特性

严格意义的通电阻RDS(ON),而是应该称为RDS。事实上,严格意义的完全通状态并不明确,VGS=10V8V、6V?既然对于MOSFET通电阻RDS(ON)的定义,都有VGS=10V以及VGS
2016-09-26 15:28:01

用TrenchFET® IV功率MOSFET系列设计更绿色、更小的电源

TrenchFET® IV是TrenchFET功率MOSFET家族中的最新一代产品。与TrenchFET III相比,TrenchFET IV的通电阻(RDS(ON))和栅极电荷(QG, QGD
2013-12-31 11:45:20

用于0V5.5V的VIN工作的高端负载开关

沟道MOSFET工作。这款N沟道MOSFET在VIN接近0V时支持超过2A的连续电流,并具有超低通电阻,可最大限度地降低功耗
2020-04-21 10:02:39

英飞凌40V60V MOSFET

40VMOSFET的通态电阻降低了40%,而阻断电压为60VMOSFET的通态电阻降幅甚至达到48%以上。 迄今为止,英飞凌是全球首家推出采用SuperSO8封装、最大通态电阻不足1毫欧的40V
2018-12-06 09:46:29

这种高密度工艺特别适合于 最小化通电阻

`AP15N10 N沟道100V(D-S)MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化通电阻。这些
2021-07-08 09:35:56

降低高压MOSFET通电阻的原理与方法

PN结转化为掩埋PN结,在相同的N-掺杂浓度时,阻断电压还可进一步提高。  内建横向电场MOSFET的主要特性  1、 通电阻的降低  INFINEON的内建横向电场的MOSFET,耐压600V
2023-02-27 11:52:38

STS7NF60L-VB一款N沟道SOP8封装MOSFET应用分析

型号:STS7NF60L-VB丝印:VBA1615品牌:VBsemi参数:- N沟道 MOSFET- 额定电压:60V- 最大持续电流:12A- 静态通电阻 (RDS(ON)):12m
2023-12-20 11:38:56

Vishay Siliconix推出业内最低导通电阻功率MO

Vishay Siliconix推出业内最低导通电阻功率MOSFET  Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011089

Vishay扩充其TrenchFETGen III P沟道功率MOSFET

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出采用PowerPAK® 1212-8封装的-40V---SiS443DN和PowerPAK
2013-07-15 11:32:40783

Vishay P沟道Gen III MOSFET具有业内最低导通电阻

Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出采用PowerPAK® ChipFET®和PowerPAK 1212-8S封装的新器件,扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET
2013-12-02 09:49:211075

Vishay推出具有业内最低RDS(on)的P沟道MOSFET

日前,Vishay宣布,推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP,扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFETVishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381

Vishay推出新型TrenchFET第五代功率MOSFET

Vishay Siliconix SiSS52DN器件采用 PowerPAK1212‑8S 封装,导通电阻低至 0.95 mΩ,优异的 FOM 仅为 29.8 mΩ*nC Vishay 推出多功能
2021-05-28 17:25:572153

Vishay推出薄型PowerPAK® 600 V EF系列快速体二极管MOSFET,其RDS(ON)*Qg FOM创业界新低

(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出采用薄型PowerPAK® 10 x 12封装的新型第四代600 V EF系列快速体二极管MOSFET---SiHK045N60EF。Vishay
2022-10-12 15:44:14375

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