为了稳定性，必须在 MOSFET 栅极前面放一个 100 Ω 电阻吗？
2023-03-13 10:18:05
957 相对于MOSFET也属于高端功率器件，但在广大的中低压应用当中，无论是消费类电子，还是家用电器，或是嵌入式系统和工业领域，MOSFET依然占据着巨大的市场份额。
2021-05-20 10:09:488115 `2014 OPPO N3新品发布会10月29日，新款旗舰OPPO N3将于北京奥雅会展中心举办发布会，我们能从网上看到不少关于N3的曝光消息，随处可见配置、外观甚至是售价的曝光。据传，OPPO
2014-10-28 16:53:52
8月20日，由昆明维佳特HIFI音频、iFi中国所主办的“2016 iFi中国SPDIF iPurifier新品发布试听会”将在云南昆明“春城”隆重开幕。未来主流数字音频的发展趋势愈来愈指向
2016-08-13 10:57:28
压场效率管（MOSFET）MOS管型号：HC021N10L-AMOS管参数：100V35A内阻：22mR（VGS=4.5V）结电容：1880pF类型：SGT工艺NMOS开启电压：1.8V封装：TO-252惠
2020-11-12 09:52:03
（MOSFET）MOS管型号：HC021N10L-AMOS管参数：100V35A内阻：22mR（VGS=4.5V）结电容：1880pF类型：SGT工艺NMOS开启电压：1.8V封装：TO-252惠海
2020-11-03 15:38:19
（MOSFET）MOS管型号：HC021N10L-AMOS管参数：100V35A内阻：22mR（VGS=4.5V）结电容：1880pF类型：SGT工艺NMOS开启电压：1.8V封装：TO-252惠海
2020-11-11 14:45:15
电路显示LT1303,4芯至5V / 100mA MOSFET降压/升压转换器
2020-06-16 12:32:22
（VGS=10V）内阻：28mR（VGS=10V）结电容：550pF结电容：650pF类型：SGT工艺NMOS类型：SGT工艺NMOS开启电压：1.8V开启电压：1.8V封装：TO-252封装：TO-252惠海半导体MOSFET选型表参考：
2021-06-11 14:05:36
`30V 60V 100V 150V SGT工艺高性能MOS管 低内阻 低开启 低结电容常规型号：25N10 17N06 30N06 50N06 30N03 3400 5N10 10N10
2020-10-27 13:54:30
17N10 30V 60V 100V 150V SGT工艺高性能MOS管 低内阻 低开启 低结电容东莞市惠海半导体有限公司专业从事DC-DC中低压MOS管市场，专注中低压MOS管的设计、研发、生产与销售
2020-09-24 16:34:09
7月27日 19:30HarmonyOS 3及华为全场景新品发布会高能来袭！在HarmonyOS开发者社区企微直播间一起见证HarmonyOS的又一次智慧进化扫码预约直播，与您不见不散！
2022-07-26 12:02:36
压大功率MOSFET 100V-250V产品特征1、低导通电阻，低栅极电荷2、高散热能力，高结温下，大电流持续导通能力3、高EAS能力。（100%UIS测试）P/NPartNumberPackageV
2012-06-20 16:24:38
供周到完善的技术支持、售前服务及售后服务，让您无任何后顾之忧 （二）惠海半导体--中低压场效率管（MOSFET） MOS管型号：HC080N10L MOS管参数：100V15A 内阻：76mR
2020-11-13 14:59:06
`30V 60V 100V 150V SGT工艺高性能MOS管 低内阻 低开启 低结电容常规型号：25N10 17N06 30N06 50N06 30N03 3400 5N10 10N10
2020-10-27 15:40:02
电源，充电器，小家电，电源，香薰机,美容仪加湿器,雾化器,混色LED灯等电子产品。MOS管型号：HG160N10LMOS管参数：100V 8A低内阻：110mR（VGS=10V）低结电容：201pF
2020-12-07 11:02:00
纹波电压[td]–[tr]效率[td]80[tr][td]–264VAC––50mW输入：100VAC/230VAC1212.6V–––A––100mV带宽20MHz––%输出：12V/1.5A表格
2018-11-27 16:50:30
本帖最后由 mtss 于 2015-11-11 09:50 编辑
论坛的大神们好，我现在需要设计一款4MHz的E型功放，要求100V,1mA。请问，需要什么型号的MOSFET芯片和MOSFET驱动芯片。对这个不太了解，求大神们帮助。多谢了。
2015-10-22 11:41:26
，增强型MOSFET分为P沟道增强型和N沟道增强型，耗尽型MOSFET分为P沟道耗尽型和N沟道耗尽型。在本文中，小编将介绍其中一种类型的MOSFET，即P沟道MOSFET。基本概念沟道由大多数电荷载流子作为
2022-09-27 08:00:00
子的欧姆区域（ohmic region），MOSFET“完全导通”。在对比图中，N沟道欧姆区的VGS是7V，而P沟道的是-4.5V。随着栅极电压增加，欧姆曲线的斜率变得更陡，表明器件导电能力更强。施加
2018-03-03 13:58:23
SGT100A罗德与施瓦茨SGT100A-------------------------------------------公司名称：深圳市捷威信电子仪器有限公司联系人：谭会平
2021-08-06 09:35:51
SGT03U13 - Unidirectional Transient - GE Solid State
2022-11-04 17:22:44
新品发布|业界首款！润开鸿最新推出RISC-V 高性能芯片➕ OpenHarmony标准系统的智能硬件开发平台HH-SCDAYU800
2023-01-13 17:43:15
松下于近日发布：用于替代「FK系列」的—全新「FN系列」贴片铝电解电容（松下型号EEEFN***）一、新品介绍：①「FN系列」产品特点：>>105 ℃ 2000 小时保证产品>
2020-03-17 17:57:12
」 新品发布会，我们邀请广大开发者和我们一起，见证人机交互技术的全新变革！2全新的智能化解决方案这场新品发布会，科大讯飞旨在为所有开发者带来人机交互一站式智能化解决方案。在技术层面上，全新升级的AIUI将能
2018-05-15 11:56:30
的非常宽的结温和存储温度范围.特征：•沟槽型Power MV MOSFET技术-60V•低RDS(ON)•低 GATE CHARGE•针对快速切换应用程序进行优化•VDS：-60V•ID (at VGS
2019-03-13 10:54:35
BSS123 - 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 VBSS123 N沟道MOSFET 100V 170mA/0.17A
2019-11-13 11:00:58
Cogobuy商城Wifi模块新品发布1.型号21033112400环形公制连接器制造商：Harting询价>> 1.型号F931C475MAA钽电容 制造商：Nichicon询价>
2012-03-20 18:25:22
主要是：电子设备和消费类电子产品等模块供电，包括：BMS POE GPS仪器仪表 车充等等，它们有低功耗，大电流，大功率等特点，往往需要24V 36V 48V 60V 72V 100V 120V
2024-01-20 15:30:35
`华为全场景新品发布会直播报名地址：华为全场景新品发布会开播时间：周三 6月2日 下午20:00一、活动话题1、【有奖讨论】 HarmonyOS成为清华等顶级高校课程，HarmonyOS高校计划你
2021-05-27 11:07:19
1 方案名称 JW1251A杰华特自适应100/120Hz电流纹波消除器与功率MOSFET集成 2 品牌名称杰华特 -QQ 289 271 5427 3 方案特点适应性100/120Hz纹波电流剂
2020-08-19 10:52:42
/120Hz电流纹波消除器内置60V功率MOSFET可编程LED电流纹波优化的TRIAC调光SOT23-3包 4 规格 JW®M366用于驱动LED串，消除了恒流AC/DC LED驱动上的100
2020-08-19 11:06:58
【10月9日消息】高集成度模拟与混合信号半导体厂商Maxim Integrated Products，Inc.(NASDAQ)在京召开2012新品牌新闻发布会，正式发布Maxim新品牌形象及相关
2013-07-11 15:46:55
【10月9日消息】高集成度模拟与混合信号半导体厂商Maxim Integrated Products，Inc.(NASDAQ)在京召开2012新品牌新闻发布会，正式发布Maxim新品牌形象及相关策略
2013-07-11 11:18:45
功率MOSFET有二种类型：N沟通和P沟道，在系统设计的过程中，选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征，然后再论述选择的原则。
2021-03-02 08:40:51
MOSFET 切换高于5V 的电压，则需要另一个晶体管（某种晶体管）来打开和关闭它。P 沟道场效应管P沟道区域位于P沟道MOSFET的源极和漏极之间。它是一个四端子器件，具有以下端子：栅极、漏极、源极和主体
2023-02-02 16:26:45
倒计时！就在明天！大咖打call 第二弹！OpenHarmony开源大师兄新品发布会，6月30日10:00重磅开启。立即报名：OpenHarmony开源大师兄新品发布会
2022-06-29 13:59:54
R&S罗德SGT100A回收射频信号源供应热线：***供应VX号：15015200707供应QQ:3140751627（同微）koukou:三一四零七五一六二七(同微)R_SSGT100
2021-06-24 16:22:34
`全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出内置有2枚耐压±40V和±60V的MOSFET且支持24V输入的双极MOSFET*1“QH8Mx5/SH8Mx5系列（Nch+Pch*2
2021-07-14 15:17:34
我想知道STL62P3LLH6 P沟道MOSFET的安全工作区图表是否正确http://www.st.com/web/en/resource/technical/document/datasheet
2019-07-29 12:23:12
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 标准并经 100% Rg 和 UIS 测试。SQ2361 汽车用 P 沟道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保护典型值达
2019-07-09 17:30:39
`昨日原道召携英特尔、微软、京东在京召开新品发布会，一大波Win8平板来袭，原道W10pro，原道W11C和原道W11pro亮相发布会现场。小鑫作为原道粉丝，在几天前收到邀请，以原道达人身份参加此次
2014-05-30 09:10:09
MOS管型号：HG1006D参数：100V 25A 封装：DFN3333内阻：25mR(Vgs=10V) 30mR(Vgs=4.5V)结电容：839pF开启电压：1.7V应用领域：车灯照明、车载电子
2021-01-07 15:37:15
景新品发布会这场直播会为大家揭示什么呢?首批搭载鸿蒙手机上线？鸿蒙全场景新品类发布！平板？智慧屏？全屋智能？智能座舱、车机？各位开发者没有不爱电子产品的吧？大家希望这次的华为全场景新品能上什么呢，有你
2021-05-28 19:07:46
、乐视也都将在本月召开新品发布会。今天有网友曝光了中兴的新品发布会海报，而此前中兴却没有公布过一点消息，海报显示中兴将于 4月20日在北京751召开春季新品发布会。 从海报内容来看，中兴即将召开的新品
2016-04-14 16:33:37
为什么 ST 在 AN4599 的 LLC 谐振拓扑中添加一个 100pf 1000V 1210 并联电容器和 MOSFET？
2022-12-26 07:53:01
半导体产品采用的是也是平面栅MOSFET结构。基于平面栅结构，派恩杰已经发布了650V-1700V各个电压平台的SiC MOSFET，而且已经顺利在新能源龙头企业批量供货，实现“上车”。
2022-03-29 10:58:06
中低压场效率管（MOSFET）MOS管型号：HG012N06LMOS管参数：60V50A内阻：14mR（VGS=4.5V）结电容：550pF类型：SGT工艺NMOS开启电压：1.8V封装
2020-07-31 11:03:26
在通孔板上建立电路数小时后，我发现使用P-MOSFET时Vgs并不容易。经过搜索，我发现我需要使用N-MOSFET或BJT（NPN）将源极电压带到栅极，以便关断MOSFET。对我来说非常重要的是，当
2018-08-23 10:30:01
，二边的P区中间夹着一个N区，由于二个P区在外面通过S极连在一起，因此，这个结构形成了标准的JFET结构。 4 隔离栅SGT场效应晶体管 功率MOSFET的导通电阻Rds(on)和寄生的电容是一个相互
2016-10-10 10:58:30
低端，可以直接驱动。如果是+48V的系统，热插拨的功率MOSFET使用N沟道放在低端，虽然可以直接驱动，但输出地会产生浮动的问题。使用P沟道的功率管放在高端，驱动简单，但是这个电压规格的P沟道的功率管
2016-12-07 11:36:11
7月19日消息称，华为终端官方微博正式宣布，将于7月29日19点30分举行旗舰新品发布会。从此前爆料来看，华为P50系列外观设计类似上个月刚刚发布的荣耀50，后置双圆环多摄，两款高配型号配备f
2021-07-20 16:31:21
上周六华为官方宣布将于北京时间10月22日20点举行华为Mate 40系列新品发布会，而本次发布会除了华为Mate 40系列还将有哪些新品呢？华为本次发布会可能会带来：1、华为Mate40系列四款
2020-10-12 17:40:11
低噪声、高电源抑制比、低静态电流和很好的负载/线性瞬变。NCP148提供软启动功能，集成优化的转换率控制用于摄像机模块。该器件设计为与1 uF输出陶瓷电容器一起工作。采用超小的0.35P、0.65毫米×0.65毫米的芯片级封装（CSP）。欲查看我们的最新产品发布，请到我们的特色新品页面。
2018-10-25 08:56:49
安森美半导体的特色新品(FNP)清单重点介绍最新发布的一些器件。每一更新包括最新产品的产品类别、其独特之处的概要和了解更多详细信息的链接。无论您正在研发最新的设计还是仅仅出于对新产品的好奇，这些更新
2018-10-23 09:13:18
是您的理想指南。以下是您将在今天的清单中看到的一些新品。安森美半导体的最近的特色新品的完整清单可在这里找到。EFC4C002NL: 功率MOSFET 用于3节锂电池保护, 30V, 2.6m
2018-10-22 09:08:52
开放、共享、共建OpenHarmony开源大师兄新品发布会 2022 年 6月30日 10:00 AM 2019年12月 521位教师联合发起历时三年 探索不止2022年6月 相约线上 正式开启
2022-06-30 09:24:21
，N沟道欧姆区的VGS是7V，而P沟道的是-4.5V。随着栅极电压增加，欧姆曲线的斜率变得更陡，表明器件导电能力更强。施加的栅极电压越高，MOSFET的RDS(on)就越小。在某些应用中
2021-04-09 09:20:10
`德国R&S 深圳SMR50回收SMR60咨询SGT100A公司名称：深圳市捷威信电子仪器有限公司联系人：谭S ***座机号码：0755-27538807QQ
2021-04-17 09:34:29
德国罗德与施瓦茨SGT100A/SGS100A射频信号源公司名称：深圳市捷威信电子仪器联系人：刘*** V：18025446127座机号：0755-27538807QQ
2021-09-26 08:57:49
德国罗德与施瓦茨SGT100A矢量射频信号源公司名称：深圳市捷威信电子仪器联系人：刘*** V：18025446127座机号：0755-27538807QQ：2770811561Ｅ－mail：liu
2021-10-09 10:46:49
管（MOSFET）MOS管型号：惠海半导体HG012N06LMOS管参数：60V50A（50N06）内阻：11mR（VGS=10V）结电容：550pF 类型：SGT工艺NMOS开启电压：1.8V封装
2020-08-29 14:51:46
型号:HC030N10L参数：100V 30A类型：N沟道 MOS场效应管内阻22毫欧低结电容2000pF封装：贴片（TO-252）■HC030N10L是一款采用SGT工艺超结MOS管，低开启电压
2020-12-12 14:41:06
型号： HG080N10LSMOS管参数：100V17A（17N10）低内阻：76mR（VGS=10V）低结电容：525pF类型：SGT工艺NMOS低开启电压：1.6V封装：TO-252 HG080N10LS特点
2020-11-12 14:51:50
全国回收SGT100A、高价收购R&S SGT100A信号发生器本公司大量回收二手仪器上门回收现金回收高价回收无论你在哪，只要你想卖，一个电话，我们上门回收！R&S®SGT100
2018-11-23 16:33:09
`明德扬原价99元的视频资料，包含100多个案例教学，现在完全免费，共享给大家。360云盘下载，http://yunpan.cn/cjZTiDA9pY56x访问密码 c359由于视频非常大，打包下载需要安装360云盘`
2015-10-12 08:40:13
明德扬模板汇总命令1. 明德扬设计模板汇总前面已经介绍了多个明德扬的模板，本视频将所有的模板汇总起来，供同学们查询和掌握。http://v.youku.com/v_show/id_XOTI2MzYxNjUy.html
2015-11-27 15:30:13
明德扬FPGA01 时序约束步骤http://v.youku.com/v_show/id_XMjg3NjY2ODU0MA==.html?spm=a2hzp.8253869.0.0潘文明至简设计法系
2017-07-27 17:05:14
需要采购MOSFET 测试设备， 满足手工测试MOSFET的电参数（IDSS/IGSS/VTH/RDSON/VDSS/VGSS等等），ID电流最大100A，VDS电压高至1500V， 求推荐生产厂家和设备型号。谢谢。
2021-05-06 09:57:38
有没有人用过SI2307 P沟道MOSFET?不知道为什么5V的电压无法关断、、、是不是设计问题？
2016-08-28 18:29:46
本帖最后由 jf_00753945 于 2023-2-2 15:50 编辑
沛城科技2KW单向逆变器新品发布在“碳达峰”、“碳中和”国家战略目标和新能源革命的大背景下，我国将推进风电、太阳能等
2023-02-02 15:46:12
开发者与我们共同探索新的可能。我们诚挚邀请您参加“科大讯飞AI·飞无界 新品发布会”，与全球人工智能领域学者、企业家、创业团队一起，关注、体验、揭秘科大讯飞AIUI的全新升级。 从机器为中心的人
2018-05-14 21:16:36
40V，60V MOSFET可大幅简化热管理，从而节省成本。 一个典型的服务器电源的输出电压为12V，在100%输出负载下，功率为600W至2400W，业界的标准做法是二次侧采用同步整流器（即
2018-12-06 09:46:29
`史上第一家市值突破万亿的科技公司，今晚又要发布新品了。苹果2018秋季新品发布会将于北京时间9月13日凌晨1点在史蒂夫·乔布斯剧院开幕。国内手机厂商们都非常识趣，新品发布几乎都推迟到了一周以后
2018-09-13 09:36:01
薄晶圆倒片机系统（Sorter System）新品发布会，同时还向大家展示了公司具有代表性的各种设备，包括双臂洁净机械手臂、EFEM系统、Scara机械手、小型桌面系统等半导体装置。此次新品发布会吸引
2015-12-02 10:48:57
扬杰D20JA80 整流桥800V20A 超薄电源专用整流桥 现货供应
2023-01-01 15:52:11
SGT100A 是 Rohde & Schwarz 的 3 或 6 GHz 射频发生器。特征：频率范围：1 MHz 至 3 GHz使用 SGT-KB106 选项：1 MHz 至 6 GHz
2023-02-16 14:44:41
供应士兰微焊机IGBT单管 驱动SGT20T60SDM1P7 20A、600V参数，提供SGT20T60SDM1P7 关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微电子申请。>>
2023-04-03 16:01:10
供应ups逆变器中的igbt管600v 60a SGT60N60FD1P7，是士兰微IGBT代理，提供SGT60N60FD1P7关键参数 ，可应用于光伏，变频器，UPS,SMPS以及PFC等领域，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-04-04 10:37:48
2020年7月，作为大华股份旗下存储子公司，大华存储重磅发布了全系列新品，其中包括S100高耐用存储卡系列、 P100高速存储卡系列、F100智能存储卡系列、T100安防监控存储卡系列等，多种规格的存储产品，带来了多种存储解决方案，满足日常办公、休闲娱乐，专业摄影等不同人群的需求。
2020-07-10 11:33:222381 产品特点
1、优异的开关特性和导通特性；
2、更好的导通电阻温度特性，显著增强器件高温下的电流能力和抗冲击特性；
3、配合先进的封装技术，SGT MOSFET器件有助于提升系统效率和功率密度；
4、另有P-60/-80/-100V SGT MOSFET。
2020-11-26 14:54:432062 
的电机驱动系统、逆变器系统及电源管理系统，是核心功率控制部件。 SGT(Shield Gate Trench MOSFET) MOSFET结构及工艺制造方法，因其不需要在沟槽内生长厚的屏蔽电极介质层，同时Bsg具有良好的高温回流特性，具备良好的沟槽填充能力，可以将沟槽CD极大程度缩小
2020-12-25 14:02:0728403 MOSFET大致可以分为以下几类：平面型MOSFET；Trench （沟槽型）MOSFET，主要用于低压领域；SGT（Shielded Gate Transistor，屏蔽栅沟槽）MOSFET，主要用于中压和低压领域；SJ-（超结）MOSFET，主要在高压领域应用。
2021-01-22 08:41:429130 扬杰科技最新推出N80V-N85V系列MOSFET产品，采用先进的SGT （Shield Gate Trench MOSFET） 制程工艺，针对电机驱动、BMS等应用设计，优化BVdss、Rdson、Qg等参数性能同时，提升MOSFET抗冲击电流能力。
2022-04-08 15:01:341688 
近日，昆仑芯新品R100于2022智算峰会「智能芯力量」专题论坛正式发布。昆仑芯AI加速卡R100（以下简称“昆仑芯R100”）定位于边缘大算力推理，较昆仑芯1代AI加速卡K100平均性能提升2.3倍，以更低功耗、更小巧体积灵活适配各类服务器，赋能多种复杂边缘推理场景。
2022-12-29 11:36:231679 揭秘WAYON维安新研发的SGT MOSFET，三大优势前途无量！
2023-01-06 12:59:081797 
100 V，P 沟道沟槽 MOSFET-PXP1500-100QS
2023-02-15 18:51:49
0 100 V，P 沟道沟槽 MOSFET-PXP400-100QS
2023-02-20 18:48:420 100 V、N 沟道沟槽 MOSFET-BUK6D385-100E
2023-02-20 19:57:310 30 V，N 沟道 MOSFET-PMPB100ENE
2023-02-21 19:32:000 双 N 沟道 100 V、33 mΩ 逻辑电平 MOSFET-山毛榉9K32-100E
2023-02-21 19:40:460 双 N 沟道 100 V、27.5 mΩ 标准电平 MOSFET-山毛榉7K32-100E
2023-02-22 18:41:140 双 N 沟道 100 V、121 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7K134-100E
2023-02-22 18:43:220 摘要：CMSH10H12G是一款高性能的100V N-Channel SGT MOSFET。该器件采用SGTLV MOSFET技术，具有出色的Qg*Ron产品(FOM)，极低的导通电阻(Ron
2023-06-08 14:24:22620 
摘要：CMS4070M是一款40V N-Channel SGT MOSFET，采用SGT IV MOSFET技术。它具有快速开关和改进的dv/it能力，适用于MB/VGA、POL应用和DC-DC转换器等领域。本文将介绍CMS4070M的特点、应用领域以及关键性能参数。
2023-06-08 14:28:28663 
安建半导体40V SGT MOSFET产品已经通过AEC-Q101车规认证的全部测试。
2023-09-06 17:48:45474 安建半导体 (JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET产品平台，平台采用先进的技术和设计，提供了卓越的开关特性和低导通电阻，从而实现了高效的能源转换和低能耗操作，不仅可以显着提高
2024-01-23 13:36:49293 
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