Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款8V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:44
1092 Vishay具有业内最低导通电阻的新款12V和20V 的N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET。采用业内最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT®封装的CSP规格尺寸
2012-11-29 16:37:311694 Vishay推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:381449 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款100V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ，将Vishay的ThunderFET®应用到更小的封装尺寸上。
2013-01-09 11:42:301462 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布新款采用热增强型PowerPAK® SO-8封装的新款N沟道TrenchFET®功率
2013-04-23 11:47:111791 年 1 月 30 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款新型30 V对称双通道n沟道功率MOSFET---SiZF5300DT
2023-01-30 10:09:49529 
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2021-03-18 14:21:33
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2021-03-30 14:33:48
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2021-03-18 14:16:53
30V 10A MOS管TO-252封装HC005N03L，MOS原厂库存现货HC005N03L参数：30V 10A TO-252 N沟道 MOS管 /场效率管品牌：惠海
2020-11-14 14:33:47
惠海半导体 供应30V 30ATO-252MOS管HC020N03L，原装，库存现货热销HC020N03L参数：30V 30A TO-252 N沟道 MOS管/场效应管品牌：惠海
2020-11-11 17:32:09
为正时，它充当增强型MOSFET。N沟道场效应管与P沟道场效应管介绍N沟道MOSFET的源极接地，漏极连接到负载，当栅极施加正电压时，FET导通。N 沟道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它们
2023-02-02 16:26:45
功率MOSFET有二种类型：N沟通和P沟道，在系统设计的过程中，选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征，然后再论述选择的原则。
2021-03-02 08:40:51
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 标准并经 100% Rg 和 UIS 测试。SQ2361 汽车用 P 沟道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保护典型值达
2019-07-09 17:30:39
汽车级电阻，节省电路板空间，工作电压为450 V，公差± 0.1 %，TCR低至± 10 ppm/K Vishay 推出0805外形尺寸小型器件，扩充其TNPV e3系列汽车级高压薄膜扁平片式
2022-03-30 13:58:54
MOSFET，也可以直接驱动。对于一个桥式电路的上下桥臂，上管使用P沟道的功率MOSFET，可以直接驱动，驱动电路设计简单。如果上管选用N沟道的功率MOSFET，那么必须采用浮驱或自举电路，驱动电路
2016-12-07 11:36:11
半桥功率放大电路以图腾柱驱动Vmos功率管。。。Vmos只要漏极加电压30V，立马上管驱动信号大变样，如图所示，黄色是下管驱动信号，蓝色是上管驱动信号，本来应该是互补的，结果上管的驱动信号低电平部分竟然维持不了。。。下图是半桥的输出信号
2014-07-25 09:49:56
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2020-11-05 16:48:43
沟道 MOS管HN2301GN：-20V -3A SOT-23 P沟道 MOS管【30V MOS N/P沟道】HN3400：30V5.8ASOT23N沟道 MOS管HN3401:-30V
2020-09-11 15:50:24
N8322 是一款可驱动高端和低端 N 沟道 MOSFET 栅极驱动芯片，可用于同步降压、升降压和半桥拓扑中。LN8322 内部集成欠压锁死电路可以确保 MOSFET 在较低的电源电压下处于关断状态
2022-01-12 13:39:25
LT1158上单个输入引脚的典型应用同步控制图腾柱配置中的两个N沟道功率MOSFET
2019-05-28 09:02:21
LT1160的典型应用 - 半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器。 LT 1160 / LT1162是经济高效的半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器
2019-05-14 09:23:01
深圳市三佛科技有限公司 供应NCE3080K新洁能替代型号100N03 30V贴片MOS，原装正品，库存现货热销NCE3080K为新洁能推出的30V，N沟道，大电流 MOS，TO-252封装
2019-11-27 16:52:24
SL3042 30V88A 8.5毫欧DFN5x6A-8_EPSL3042 N沟道场效应管 30V88A 功率MOS管深圳聚能芯半导体专业中低压mos管，经验丰富，实力雄厚，技术支持。是您值得信赖
2020-06-20 10:05:27
AO7400SL3042N沟道DFN5*6-8 EP 30V88ASL2060N沟道TO-252 20V 85ASL8726N沟道TO-252 30V 85ASL484N沟道TO-252 30V 41A可替代
2020-08-01 10:10:37
沟道 TO-252 替代AOD403 功率MOS管SL403-30V-70A5毫欧TO-252封装 P沟道替代AOD403SL48430V41A14毫欧TO-252封装 N沟道替代
2020-06-04 13:53:48
、MOS管、LED/LEC驱动等等，广泛应用于台灯、钟表、LCD显示模块、数码伴侣、玩具、车灯、扭扭车、等各类工业和民用电器产品上。 可提供技术支持，DEMO测试及设计方案SL484 30V/41A N
2020-06-04 13:58:07
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2021-04-07 15:13:02
型号：SLN30N03T电压：30V 电流：30A封装：DFN3*3-8种类：绝缘栅(MOSFET)SLN30N03T 原装，SLN30N03T库存现货热销售后服务：公司免费提供样品，并提供产品运用的技术支持。阿里店铺
2021-04-07 14:57:10
： -20V -4A SOT-23 P沟道 MOS管HN2300： 20V 5.2ASOT-23 N沟道 MOS管HN2301GN：-20V -3A SOT-23 P沟道 MOS管【30V MOS N
2021-03-24 10:35:56
50MR；TSD5N60MTruesemi 其它相关产品请 点击此处 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低栅极电荷（典型值为16nC）快速切换经过100％雪崩测试改进的dv/dt功能主要参数：应用：高效开关模式电源，基于半桥拓扑的有源功率因数校正`
2020-04-30 15:13:55
【中低压MOS供应】VS3622DE，30V/35A，双N沟道高级功率MOSFET 【中低压MOS供应】VS4610AE，40V55A，N沟道高级功率MOSFET VS3622DE
2020-11-04 14:40:31
`【MOS管原厂】HC36012参数：30V 10A TO-252 N沟道 MOS管 /场效应管品牌：惠海型号：HC36012VDS：30V IDS：10A 封装：TO-252沟道：N沟道 【20V
2020-11-02 16:02:10
LT1336的典型应用是具有成本效益的半桥N沟道功率MOSFET驱动器。浮动驱动器可以驱动顶部N沟道功率MOSFET工作在高达60V（绝对最大值）的高压（HV）轨道上工作
2019-05-10 06:46:05
安国半导体主要是在u***主控 sd卡这方面处于领先地位，现在为扩大经营范围 特推出新款触摸按键 价格比义隆合泰都更有优势 性能方面EFT可到4.4kvcs10v也可以过要是感兴趣的话可以 联系***
2013-10-08 15:48:39
`【MOS管原厂】HC36012参数：30V 10A TO-252 N沟道 MOS管 /场效应管品牌：惠海型号：HC36012VDS：30V IDS：10A 封装：TO-252沟道：N沟道 【20V
2020-11-02 15:37:14
、隔离变压器和整流电路，即可实现 6~30V 输入电压、多种输出电压、输出功率1~2W 的隔离电源。VPS8701B 内部集成两个 N 沟道功率 MOSFET 和两个 P 沟道功率 MOSFET，并组成
2023-03-21 15:24:12
项目要做一个DC-DC车载电源，输入300—1000V，输出0—30V，功率大概2KW, 目前考虑到效率问题，想用两级级联的结构，前级和后级用什么拓扑比较好？
2024-03-19 14:13:37
30V N沟道增强型MOSFET管
30V N沟道增强型MOSFET管简介
2010-04-08 17:41:00
20 30V P 沟道增强型MOSFET管
30V P 沟道增强型MOSFET管简介
2010-04-08 17:42:0929 Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技术
日前，Vishay Intertechnology推出两款 20V 和两款 30V n 通道器件，从而扩展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。这些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09635 
Vishay推出新款高速PIN光敏二极管
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出VBPW34x和VBP104x系列高速SMD PIN光敏二极管，新器件采用鸥翼和倒鸥翼型封装
2009-11-13 09:21:28744 Vishay Siliconix推出业界性能最先进的P沟道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位面积的热增强Pow
2009-11-23 17:10:23650 Vishay Siliconix推出业内最低导通电阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011089 Vishay推出的P沟道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP沟道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm×2mm占位面积的热增强PowerPAKSC-70封装，具
2009-11-25 17:56:52711 Vishay推出500V N沟道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N沟道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比，该器件的
2010-04-07 10:52:52777 带集成肖特基二极管的30V N沟道功率MOSFET(ON)
应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)扩充N沟道功率MOSFET器件
2010-04-10 10:32:52519 安森美推出带集成肖特基二极管的30V 扩充N沟道功率MOSFET
安森美半导体(ON Semiconductor)扩充N沟道功率MOSFET器件阵容，新推出带集成肖特基二极管的30V产品。
NTMFS4897
2010-04-12 10:23:161107 Vishay推出新款薄膜贴片电阻
日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出为钻井和航空等极端高温环境优化的新系列打线式、裸芯片贴片式
2010-04-17 16:12:54676 国际整流器公司(International Rectifier，简称IR) 推出新系列-30 V器件，采用IR最新的SO-8封装,P沟道MOSFET硅组件，适用于电池充电和放电开关，以及直流应用的系统/负载开
2010-09-20 08:59:091077 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N沟道功率MOSFET --- SiHG47N60S，该MOSFET在10V栅极驱动下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:571559 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P沟道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。
2011-01-26 09:04:081505 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款双芯片20V P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装，
2011-03-02 10:19:301341 日前，Vishay Intertechnology, Inc.发布占位面积为1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下导通的此类器件。
2011-08-18 09:42:40850 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业内采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率
2011-10-21 08:53:05873 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n沟道功率MOSFET通过JAN认证的，分别是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351491 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT---以扩充用于低电压DC/DC转换器应用的PowerPAIR®家族双芯片不对称功率MOSFET
2011-11-15 10:34:07648 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，引入两款在尺寸和导通电阻上设立了新的行业基准的p沟道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，扩充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:13630 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其新一代TrenchFET® Gen IV系列30V n沟道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN
2012-05-08 11:09:19806 Vishay 推出新款8V和20V N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541383 ® 1212-8S封装的-30V---SiSS27DN器件，扩充其TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET。
2013-07-15 11:32:40783 日前，Vishay宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 Vishay发布采用PowerPAIR® 3mm x 3mm封装，使用TrenchFET® Gen IV技术的新款30V非对称双片TrenchFET 功率MOSFET---SiZ340DT
2014-02-10 15:16:51890 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用超小尺寸、热增强PowerPAK® SC-70封装的新款-30V、12V VGS P沟道
2014-04-29 16:30:44885 MOSFET的首颗器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N沟道SiHP065N60E的导通电阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，为通信、工业和企业级电源提供
2017-02-10 15:10:111667 宾夕法尼亚、MALVERN — 2017 年 4 月25 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布新的30V N沟道
2017-04-25 15:58:551514 关键词：MOSFET , Si8802DB , Si8805EDB , Vishay 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业内采用
2019-01-01 16:29:01380 新型 30 V n 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，提升隔离和非隔离拓扑结构功率密度和能效。 Vishay Siliconix SiSS52DN 采用热增强型 3.3 mm
2021-05-28 17:25:572153 中。 Vishay Siliconix SiZF5300DT 和 SiZF5302DT 适用于计算和通信应用功率转换，在提高能效的同时，减少元器件数量并简化设计。 日前发布的双通道 MOSFET 可用来取代两个 PowerPAK 1212 封装分立器件，节省 50% 基板空间，同时
2023-02-04 06:10:04502 
SiZF5300DT和SiZF5302DT利用Vishay的30 V Gen V技术实现优异导通电阻和栅极电荷。SiZF5300DT 10 V和4.5 V下典型导通电阻分别为2.02 m和2.93 m，SiZF5302DT相同条件下导通电阻分别为2.7 m和4.4 m。
2023-02-06 14:44:22257 30 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMX300UNE
2023-02-09 21:20:220 30 V、P 沟道沟槽 MOSFET-PXP015-30QL
2023-02-14 18:53:170 30 V、P 沟道沟槽 MOSFET-PXP012-30QL
2023-02-14 18:53:290 30 V、P 沟道沟槽 MOSFET-PXP6R1-30QL
2023-02-15 19:41:520 30 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PXN5R4-30QL
2023-02-16 20:49:260 30 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PXN4R7-30QL
2023-02-16 20:49:460 30 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PXN018-30QL
2023-02-17 18:48:160 30 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PXN9R0-30QL
2023-02-17 18:48:350 30 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PXN8R3-30QL
2023-02-17 19:14:141 30 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PXN6R7-30QL
2023-02-17 19:14:460 30 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PXN017-30QL
2023-02-17 19:15:190 30 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PXN010-30QL
2023-02-17 19:15:340 30 V、N 沟道沟槽 MOSFET-山毛榉4D60-30
2023-02-17 19:56:410 30 V、P 沟道沟槽 MOSFET-BUK6Y10-30P
2023-02-20 19:03:030 30 V、P 沟道沟槽 MOSFET-BUK6Y19-30P
2023-02-20 19:03:191 30 V、N 沟道沟槽 MOSFET-BUK6D72-30E
2023-02-20 19:57:140 30 V、N 沟道沟槽 MOSFET-BUK6D38-30E
2023-02-20 20:01:040 30 V、N 沟道沟槽 MOSFET-BUK6D22-30E
2023-02-20 20:02:250 采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56 中的 N 沟道 30 V、0.87 mΩ、300 A 逻辑电平 MOSFET-PSMN0R9-30YLD
2023-02-22 18:56:120 采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56 中的 N 沟道 30 V、1.0 mΩ、300 A 逻辑电平 MOSFET-PSMN1R0-30YLD
2023-02-22 18:56:460 30 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMN30UN
2023-02-27 19:13:540 30V N 沟道沟槽 MOSFET-PMF250XNE
2023-02-27 19:15:060 30V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMV50ENEA
2023-03-03 19:33:590 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。这是一款低导通电阻、30V N沟道共漏MOSFET，适用于带USB的设备和电池组保护。产品发货即日起开始。
2023-11-08 16:22:22320 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低导通电阻30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组保护。
2023-11-09 17:39:10460 Vishay 推出多功能新型 30 V N 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。
2024-02-22 17:11:08355 
近日，全球知名的半导体解决方案供应商Vishay宣布推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET，型号为SiZF4800LDT。这款新产品将高边和低边TrenchFET® Gen IV
2024-03-12 10:32:0294 全球知名半导体解决方案供应商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。这款新型功率
2024-03-12 10:38:14104 电子发烧友网站提供《30V N 沟道NexFET™ 功率MOSFET CSD17556Q5B数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-22 14:11:230
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