)为 10V 时，STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG的最大导通电阻 (Rds(on))分别为 0.8毫欧和和0.75毫欧。新MOSFET的裸片单位面积(Rds(on))电阻非常低，因此可以采用节省空间且热效
2022-06-24 09:57:45
1546 
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出具备低导通电阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535车用功率MOSFET，适用于汽油和柴油发动机压电喷射系统。
2012-08-15 11:25:081422 IR近日推出配备IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可为各种高效工业应用提供基准导通电阻 （Rds（on）） ，全新功率MOSFET系列具有极低的导通电阻，有助于提升系统效率，还可让设计人员在多个MOSFET并联使用时减少产品的组件数量。
2013-01-22 13:27:211206 简化的MOSFET等效电路MOSFET开通（turn on）过程MOSFET损耗——Rds和Rg电阻损耗Di
2017-10-31 15:43:3821569 
1、超级结构 高压功率MOSFET管早期主要为平面型结构，采用厚低掺杂的N-外延层epi，保证器件具有足够击穿电压，低掺杂N-外延层epi尺寸越厚，耐压额定值越大，但是，导通电阻随电压
2023-10-07 09:57:362774 
日前发布的MOSFET导通电阻比市场上排名第二的产品低43%，降低压降并减小传导损耗，从而实现更高功率密度。
2020-08-17 11:53:14846 汽车级MOSFET导通电阻比最接近的DPAK封装竞品器件低28 %，比前代解决方案低31 %，占位面积减小50 %，有助于降低导通功耗，节省能源，同时增加功率密度提高输出。
2021-04-07 10:34:071562 Nexperia今日宣布，位于英国曼彻斯特的新8英寸晶圆生产线启动，首批产品使用最新的NextPower芯片技术的低RDS（on）和低Qrr ，80 V和100 V MOSFET。
2021-06-24 09:18:57701 SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品，随后Nexperia将持续扩大产品阵容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。这次推出的两款器件可用性高，
2023-11-30 09:12:02432 
(SOT)-23，漏源导通电阻RDS(ON)通常100mΩ左右。“在这些电路板上，你有空间受限的问题吗？”我问。他承认有，于是我让他看TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET
2022-11-16 07:06:25
SJ MOSFET是一种先进的高电压功率MOSFET，根据P&S的超结原理。报价设备提供了快速切换的所有好处并且导通电阻低，使其特别适用于需要更多高效，更紧凑，LED照明，高
性能适配器等。
2023-09-15 08:16:02
，即在截止区和非饱和区之间来回转换。电力MOSFET漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时器件导通。电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。 2.3.2动态特性
2019-06-14 00:37:57
是选择小于1的电荷比QGD/QGS1。防止C dv/dt感应导通的其他因素包括低驱动漏极阻抗(同步MOSFET Q2的导通电阻RDS(on) 及其封装，在抑制C dv/dt导通方面具备同等的重要性
2019-05-13 14:11:31
系列为例，介绍trr的高速化带来的优势。高速trr SJ-MOSFET： PrestoMOS FN系列PrestoMOS是具备SJ-MOSFET的高耐压、低导通电阻及低栅极总电荷量特征、且进一步实现了
2018-11-28 14:27:08
VDS由流过的电流ID与导通电阻的乘积来确定。为什么这个区被定义为可变电阻区呢？功率MOSFET数据表中定义的导通电阻都有一定的条件，特别是VGS，当VGS不同时，沟道的饱和程度不同，因此不同的VGS
2016-12-21 11:39:07
`Nexperia 200V超快恢复整流器拥有高功率密度，同时最大限度地减少了反向恢复时间和损耗。这些器件是大功率密度、超快恢复整流器，采用高效平面技术，采用小型扁平引线SOD123W或SOD128
2020-02-13 14:30:30
的工作环境，由于其额定温度为+175°C，因此非常适合用于要求高温的环境。Nexperia汽车用MOSFET具有额定重复性雪崩，开关速度非常快，ESD电阻高。Nexperia MOSFET采用先进的业界领先
2021-01-23 11:20:27
，设计工程师已经习惯于接受效率和隔离能力之间的折衷。然而，来自 Nexperia 的最新特定应用 50 V 和 55 V MOSFET 避免了这样的折衷。它们得益于卓越的超结技术，可产生较低的导通电阻，而
2022-10-28 16:18:03
、BD82054QVZ以及BD82055QVZ）。这几款单通道高侧开关IC采用N沟道功率MOSFET，具备低导通电阻（典型值63mΩ，VIN=5V），输入电压范围2.7V~5.5V，非常适用于通用串行总线（USB
2019-04-10 06:20:03
了开关损耗，促进了白色家电和工业设备等电机驱动器和变频器应用的低功耗化发展。R60xxMNx系列新品是以“不仅保持现有R60xxFNx系列的高速trr性能，还要进一步降低导通电阻和Qg（栅极总电荷量）并
2018-12-04 10:23:36
MOSFET的低噪声特性与SJ MOS的低导通电阻特性的系列产品。下面是ROHM第一代标准特性的AN系列、其他公司同等产品及EN系列的噪声特性比较图。EN系列因其保持了平面MOSFET的噪声水平、且导通电阻
2018-12-05 10:00:15
。在隔离型1/16thbrickDC-DC转换器应用中，Power33MOSFET的最大RDS(ON)仅为1.3mΩ，与具有同等占位面积的竞争解决方案相比减小了25%。此外，该器件减小了传导损耗，从而
2012-04-28 10:21:32
本帖最后由 luna 于 2011-3-3 15:02 编辑
高性能音频和增强了的噪音抑制性能Fairchild二通道单刀双掷,低导通电阻的音频开关已经开发了通过减少音频爆破音的可能性来加强语音体验。它们包括了最近的特性,具体地说是拥有终端电阻,提供缓慢开启时间和允许负电压信号的能力。
2011-03-02 23:11:29
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能够提供业界最低导通电阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【关键词】：功率损耗,导通电阻
2010-05-06 08:55:20
AUIRF8736M2与上一代设备相比，导通电阻（Rds（on））改善了40%,从而可以将传导损耗降到最低。 性能特点： ●COOLiRFET硅技术 ●实现传导损耗最低 ●系统尺寸减小 ●成本降低 ●采用
2018-09-28 15:57:04
国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）近日推出一款新型60V DirectFET 功率 MOSFET－IRF6648。该器件的最大导通电阻为7.0 mΩ(VGS
2018-11-26 16:09:23
我在网上一些帖子上面看到，MOS管导通后如果工作在现行放大区的话就有可能烧坏管子，这是因为线性区的ID电流较大，同时RDS也较大，功耗较高所致。但我看了 一下MOS的应用手册，上面提到的导通后RDS都是mΩ级别的，这个也算是电阻大嘛？这不是与上面的介绍想矛盾吗？另外，MOS的功耗究竟应该怎么计算呢？
2018-10-25 11:14:39
的设计而言，它大幅降低了MOSFET导通电阻，并保持了出色的开关性能。 英飞凌推出的OptiMOS 3系列进一步改进了设计，使更高电压等级的器件能够受益于这种技术。在150 V 至250 V的电压
2018-12-07 10:21:41
有助于在应用程序中节省空间。 这些MOSFET具有出色的高速开关和低导通电阻。查看详情<<<特性：低RDS(on)降低功耗；低压驱动；提供大电流Vds-漏源极
2021-02-02 09:55:16
。此外，为了进一步提高电机的效率并减小尺寸，对于MOSFET还提出了更低导通电阻和高速开关工作的要求。在这种背景下，ROHM继2020年年底发布的新一代Pch MOSFET*2之后，此次又开发出在Nch
2021-07-14 15:17:34
号的MOSFET是平面结构，而SJ MOSFET仅仅是结构不同。当然，还有杂质浓度等细小差异。SJ MOSFET因结构不同，导通电阻RDS(ON)(ON)与栅极电荷量Qg显著降低。SJ MOSFET本身其他
2019-04-29 01:41:22
，SiC MOSFET可在更宽的范围内保持低导通电阻。此外，可以看到，与150℃时的Si MOSFET特性相比，SiC、Si-MOSFET的特性曲线斜率均放缓，因而导通电阻增加。但是
2018-12-03 14:29:26
与IGBT相比，SiC MOSFET具备更快的开关速度、更高的电流密度以及更低的导通电阻，非常适用于电网转换、电动汽车、家用电器等高功率应用。但是，在实际应用中，工程师需要考虑SiC MOSFET
2019-07-09 04:20:19
电阻低，通道电阻高，因此具有驱动电压即栅极－源极间电压Vgs越高导通电阻越低的特性。下图表示SiC-MOSFET的导通电阻与Vgs的关系。导通电阻从Vgs为20V左右开始变化（下降）逐渐减少，接近
2018-11-30 11:34:24
说明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常见的结构。Si的功率MOSFET，因其高耐压且可降低导通电阻，近年来超级结（Super Junction）结构的MOSFET（以下简称“SJ-MOSFET
2018-11-30 11:35:30
，与Si-MOSFET不同，SiC-MOSFET的上升率比较低，因此易于热设计，且高温下的导通电阻也很低。 4. 驱动门极电压和导通电阻 SiC-MOSFET的漂移层阻抗比Si-MOSFET低，但是
2023-02-07 16:40:49
设计，且高温下的导通电阻也很低。※该数据是ROHM在相同条件下测试的结果，仅供参考。此处表示的特性本公司不做任何保证。4. 驱动门极电压和导通电阻SiC-MOSFET的漂移层阻抗比Si-MOSFET低，但是
2019-04-09 04:58:00
设计，且高温下的导通电阻也很低。※该数据是ROHM在相同条件下测试的结果，仅供参考。此处表示的特性本公司不做任何保证。4. 驱动门极电压和导通电阻SiC-MOSFET的漂移层阻抗比Si-MOSFET低，但是
2019-05-07 06:21:55
图1 RDS(on)在最高工作温度的30%～150%这个范围内随温度增加而增加导通电阻对N沟道和P沟道MOSFET都是十分重要的。在开关电源中，Qg是用在开关电源里的N沟道MOSFET的关键选择标准
2019-09-04 07:00:00
一种传统平面式高压MOSFET的简单结构。平面式MOSFET通常具有高单位芯片面积漏源导通电阻，并伴随相对更高的漏源电阻。使用高单元密度和大管芯尺寸可实现较低的RDS(on)值。但大单元密度和管芯尺寸
2017-08-09 17:45:55
1.低导通电阻 卓越的沟槽工艺与封装技术相结合实现了低的导通电阻。这有助于提升您应用中的产品性能。 2.小型封装产品阵容3.封装类型[tr=transparent]Toshiba Package
2018-05-15 22:37:38
器件相比，具有更低的导通电阻和更高的电压耐受能力。（图片来源：ROHM Semiconductor）标准硅 MOSFET 在高至 150°C 的温度条件下工作时，RDS(on) 导通电阻要高出 25
2017-12-18 13:58:36
电气技师和电子制造工程师用接地导通电阻测试仪验证电器和消费产品（由交流电压供电）上的裸露金属是否适当地连接到了其机壳底座。当电器内部发生故障电流时，如果电器没有适当地连接到已接地的机壳底座，就存在
2017-09-30 09:38:49
电源型产品，皆有提供。 BD9E100FJ-LB、BD9E101FJ-LB是ROHM推出的内置低导通电阻功率MOSFET的同步整流降压型开关稳压器，具有非常宽的输入电压范围。采用电流控制模式，具有高速
2019-04-01 22:19:17
需要具备非常先进的技术能力才能实现。此外，内置MOSFET的导通电阻很低，仅为150mΩ，有利于提高效率。 BD9G341AEFJ的转换方式是被称为“二极管整流”或“异步整流”的降压方式。高边
2018-10-19 16:47:06
非常先进的技术能力才能实现。此外，内置MOSFET的导通电阻很低，仅为150mΩ，有利于提高效率。BD9G341AEFJ的转换方式是被称为“二极管整流”或“异步整流”的降压方式。高边MOSFET为内置
2018-12-04 10:10:43
。图1：正向偏置SOA安全工作区（1）SOA曲线左上方的边界斜线，受漏源极的导通电阻RDS（ON）限制。因为在一定的VGS的电压下，功率MOSFET都有一个确定的RDS（ON），因此：VDS = ID
2016-10-31 13:39:12
MOSFET和开关频率不太高的中压功率MOSFET。如果需要低的导通电阻，只有增大的晶片面积，晶片的面积受到封装尺寸的限制，因此不适合于一些高功率密度的应用。平面型高压的功率MOSFET管的耐压主要通过厚的低
2016-10-10 10:58:30
系列Hybrid MOS是同时具备超级结MOSFET（以下简称“SJ MOSFET”）的高速开关和低电流时的低导通电阻、IGBT的高耐压和大电流时的低导通电阻这些优异特性的新结构MOSFET。下面为
2018-11-28 14:25:36
程中导致开关电流升高。 尽管超结MOSFET开关管优化过的体硅二极管大幅降低了能耗，但IGBT还是能够利用共同封装的超快速二极管降低导通能耗。 在低功率压缩机驱动电路内，意法半导体最新超结MOSFET
2018-11-20 10:52:44
所示。Q1为放电管，使用N沟道增强型MOSFET,实际的工作中，根据不同的应用，会使用多个功率MOSFET并联工作，以减小导通电阻，增强散热性能。RS为电池等效内阻，LP为电池引线电感。 正常工作
2018-09-30 16:14:38
的元件中，难于实现低导通电阻及将开关应用的能耗降至最低。为了实现这些参数的高质量组合，元件必须拥有小裸片尺寸，并带有高单元密度及低电容和低闸极电荷。 移动设备用MOSFET的微型化 通常情况下，有多种
2018-09-29 16:50:56
×1.0mm / 2W）用4540规格实现与SOP8型封装（5060规格：5.0×6.0×1.75mm）同样高的封装功率（安装面积减少约40％，高度减小约40％）2） 由于其中采用了新开发的低导通电阻芯片，获得了大的电流额定值ID=6A Max.（MP6K62）:
2018-08-24 16:56:26
的解决方案，但是需要在这两种参数之间做一些折中和平衡。低栅极电荷通常意味着更小的栅极面积/更少的并联晶体管，以及由此带来的高导通电阻。另一方面，使用更大/更多并联晶体管一般会导致低导通电阻，从而产生更多
2019-11-30 18:41:39
”这个参数的影响。下面以“升降压转换器的传递函数导出示例 其2”的ton≠ton’ 的升降压转换器为基础，按照同样步骤来推导。右侧电路图在上次给出的升降压转换器简图上标出了作为开关的MOSFET的导通电阻
2018-11-30 11:48:22
(SOT)-23，漏源导通电阻RDS(ON)通常100mΩ左右。“在这些电路板上，你有空间受限的问题吗？”我问。他承认有，于是我让他看TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET
2018-08-29 16:09:11
的根本原因。 （2）降低高压MOS管导通电阻的思路。增加管芯面积虽能降低导通电阻，但成本的提高所付出的代价是商业品所不允许的。引入少数载流 以上两种办法不能降低高压MOS管的导通电阻，所剩的思路就是
2018-11-01 15:01:12
测量MOS管的导通电阻除了在选定开关时有用，还在哪些方面有重要的意义？
2012-05-17 10:44:16
通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 600 V Id-连续漏极电流: 36 A Rds On-漏源导通电阻: 190 mOhms Vgs
2020-04-01 11:07:48
和反向恢复电荷（Qrr）的函数。栅极驱动损耗由MOSFET的栅电荷（Qg）决定。因此,寄生电容和导通电阻（RDS(on)）决定了器件在特定应用中的性能。在现今的低压MOSFET中最普遍使用的技术
2012-12-06 14:32:55
小的MOSFET晶胞并联组成,在单位的面积上，并联的MOSFET晶胞越多，MOSFET的导通电阻RDS(ON)就越小。同样的，晶元的面积越大，那么生产的MOSFET晶胞也就越多，MOSFET的导通电阻
2016-09-26 15:28:01
TrenchFET® IV是TrenchFET功率MOSFET家族中的最新一代产品。与TrenchFET III相比，TrenchFET IV的导通电阻(RDS(ON))和栅极电荷(QG, QGD
2013-12-31 11:45:20
实现了良好的二极管导电性。优化设计的1.2kV级SBD嵌入式MOSFET导通电流特性评估结果证实，采用格子花纹设计将嵌入式SBD靠近体二极管可以有效限制寄生二极管双极性导通，相同SBD占位面积条件下
2023-04-11 15:29:18
开关时的额外栅极电压降低了20％。另外，使MOSFET导通所需的阈值电压（Vth）增加了约1.5倍，是“不易产生误开启现象的设计”。因此，扩大了用户通过栅极电阻来进行损耗调节的范围。2.改善恢复特性
2020-03-12 10:08:31
开关时的额外栅极电压降低了20％。另外，使MOSFET导通所需的阈值电压（Vth）增加了约1.5倍，是“不易产生误开启现象的设计”。因此，扩大了用户通过栅极电阻来进行损耗调节的范围。2.改善恢复特性
2020-03-12 10:08:47
概述：FPF1006是一款负载管理产品它内部采用低导通阐值电压-Vgs(th)及低导通电阻Rds(on)的P沟道功率MOSFET，并采用导通斜率上升控制，可减小冲击电流，FPF1006内部有75-120Ω下拉电
2021-04-06 09:56:02
性和低噪声特征，超级结MOSFET有一些变化。从下篇开始，将介绍每种变化的特征。关键要点:・Si-MOSFET的产品定位是“以低～中功率高速工作”。・超级结结构可保持耐压的同时，降低导通电阻RDS
2018-11-28 14:28:53
平面式高压MOSFET的结构图1显示了一种传统平面式高压MOSFET的简单结构。平面式MOSFET通常具有高单位芯片面积漏源导通电阻，并伴随相对更高的漏源电阻。使用高单元密度和大管芯尺寸可实现较低
2018-10-17 16:43:26
`AP15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-08 09:35:56
N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS（ON）。必须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端，因此，总是
2011-08-17 14:18:59
压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS(ON)。必须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端，因此，总是要在栅极加上一个电压。如果栅极为悬空，器件将不
2013-03-11 10:49:22
损耗，这称之为导通损耗。MOSFET在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS(ON)所确定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS(ON)计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率
2012-10-30 21:45:40
损耗，这称之为导通损耗。MOSFET在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS(ON)所确定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS(ON)计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率
2012-10-31 21:27:48
几乎被外 延层电阻占据。欲获得高阻断电压，就必须采用高电阻率的外延层，并增厚。这就是常规高压MOSFET结构所导致的高导通电阻的根本原因。 2、降低高压MOSFET导通电阻的思路 增加管芯面积虽能
2023-02-27 11:52:38
AN系列是以“漏极-源极间导通电阻RDS(on)和栅极总电荷量Qg比平面MOSFET大幅降低”为目的，最先开发的SJ-MOSFET。与平面MOSFET相比，RDS(on)降低了50%，Qg降低了40
2018-12-03 14:27:05
沟槽栅低压功率MOSFET的发展-减小漏源通态电阻Rds(on):近些年来，采用各种不同的沟槽栅结构使低压MOSFET 功率开关的性能迅速提高。本文对该方面的新发展进行了论述。本文上篇着
2009-12-13 20:02:04
11 因为功率MOSFET的导通电阻和耐压有以下的关系，即Rds(on)∞BVds2.4～2.7所在总芯片面积相等的情况下，如把几个低压MOSFET串联连接，比1个高耐压MOSFET的导通电阻低。
2010-05-25 08:16:05170 MOSFET将封装面积减半-Zetex新款无铅型Zetex 新款无铅型 MOSFET 将占位面积减半模拟信号处理及功率管理方案供应商Zetex Semiconductors (捷特科)公司推出其
2008-03-22 14:46:02484 理解功率MOSFET的RDS(ON)温度系数特性
通常，许多资料和教材都认为，MOSFET的导通电阻具有正的温度系数，因此可以并联工作。当其中一个并联的MOSFET的温度上升时，具有
2009-11-10 10:53:134381 
Vishay Siliconix推出业内最低导通电阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011089 TI发布具备更低导通电阻的集成负载开关
日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款全面集成型负载开关，其在 3.6 V 电压下所提供的 5.7 mΩ 标准导通电阻 (RON) 比同类竞争产品低
2009-12-21 08:45:27478 TI 推出具备最低导通电阻的完全整合型负载开关
TI 宣布推出一
2010-01-08 17:36:28846 IR推出一系列新型HEXFET功率MOSFET
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET，其中包括能够提供业界最低导通电阻 (RDS(on)) 的IRFH620
2010-03-12 10:28:391444 导通电阻,导通电阻的结构和作用是什么?
传统模拟开关的结构如图1所示，它由N沟道MOSFET与P沟道MOSFET并联构成，可使正负信号传输，如果将不同VI
2010-03-23 09:27:474912 IR推出汽车专用MOSFET系列低导通电阻
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出首款汽车专用 MOSFET 系
2010-04-09 11:50:32746 飞兆半导体推出了导通电阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET，这款全新飞兆半导体器件FDMS7650是最大RDS(ON)值为0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N沟道器件，它是业界采用5×6mm POWER56封装且RDS(ON)
2010-12-29 09:09:391534 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日推出车用 MOSFET 系列，可为一系列应用提供基准导通电阻 (Rds(on)) ，包括电动助力转向系统 (EPS) 、集成式起动发电机 (ISA) 泵和电机控制
2011-09-15 09:27:391312 瑞萨电子宣布推出新款低导通电阻MOSFET产品，包括经过最佳化的μPA2766T1A，做为网路伺服器与储存系统之电源供应器内的ORing FET使用。
2013-03-06 09:50:10938 日前，Vishay宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 TrenchFET®功率MOSFET---SiA453EDJ。该器件是2mm x 2mm占位面积的-30V器件，在-4.5V和-2.5V栅极驱动下具有业内最低的导通电阻，在便携电子产品里能够节省空间，并提高能源效率。
2014-04-29 16:30:44885 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出一对MOSFET H桥，DMHC4035LSD和DMHC3025LSD。产品通过减少元件数量及缩减50%的印刷电路板占位面积，简化电机驱动和电感无线充电电路。
2015-03-03 10:43:401459 MOSFET的导通电阻
2018-08-14 00:12:0012629 半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布首次采用高鲁棒性、高空间利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封装的P沟道MOSFET系列产品。
2020-05-09 11:07:263164 Nexperia发布超小尺寸DFN MOSFET DFN0603封装提高性能并显著减少空间需求 奈梅亨，2022年7月6日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出采用
2022-07-06 16:13:22586 
借助新型60V FemtoFET MOSFET缩小您的元件占位面积
2022-11-02 08:16:250 列产品的参考资料，助力您快速了解产品各项信息。 点击下载产品参考资料 与Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的导通电阻，并且在各种电路中具有更出色的易用性，因而目前在市场上更受欢迎
2023-05-17 13:35:02471 
Nexperia 适用于 36V 电池系统的特定应用 MOSFET
2023-11-30 11:47:40251 
近日，昕感科技在新能源领域取得重大突破，推出了一款具有业界领先超低导通电阻的SiC MOSFET器件新产品（N2M120007PP0）。该产品的导通电阻达到了惊人的7mΩ，电压规格为1200V，将为新能源领域提供更为高效、可靠的功率半导体开关解决方案。
2024-01-04 14:37:57316
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