Transphorm验证并实现了采用电桥配置的分立封装GaN器件的功率可达10千瓦，这进一步印证了GaN用于电动汽车转换器和变频器的令人兴奋的前景。
2020-12-07 15:56:28
789 伏GaN-on-Sapphire功率半导体，领先同类产品。这款产品的发布展现Transphorm有能力支持未来的汽车电力系统，以及已普遍用于工业、数据通信和可再生能源
2023-06-02 13:54:07395 年 6 月 15 日 – 新世代电力系统的未来, 氮化镓（GaN）功率转换产品的全球领先供应商Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）发布了一款高性能、低成本的驱动器解决方案。这款设计方案
2023-06-19 17:47:16337 加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 11 月 7日 －新世代电力系统的未来、氮化镓(GaN)功率半导体的全球领先供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克股票代码：TGAN）近日宣布，推出
2023-11-07 17:51:23620 
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）继去年英飞凌收购GaN Systems之后，2024年1月，另一家汽车芯片大厂瑞萨也收购了功率GaN公司Transphorm。 Transphorm在2022
2024-02-26 06:30:001552 
`一种数字控制的紧凑型 1kW 交流/直流电源设计，适用于服务器电源单元 (PSU) 和电信整流器应用。该高效设计支持两个主要功率级，包括一个前端连续导通模式 (CCM) 图腾柱无桥功率因数校正
2020-06-22 18:22:03
描述PMP20978 参考设计是一种高效率、高功率密度和轻量化的谐振转换器参考设计。此设计将 390V 输入转换为 48V/1kW 输出。PMP20637 功率级具有超过 140W/in^3
2018-10-26 10:32:18
和FPGA的低直流电源通常需要多级直流 - 直流转换和调节。如果高压设备可用于进行转换，则可以减少转换次数。GaN器件提供了这种潜力。一个例子是数据中心电源系统。数据中心包含许多需要高电流低电压的高功率
2017-05-03 10:41:53
的设计人员面临几个相冲突的业界挑战，从新的USB Type C连接和USB PD (电力输送) 的输出是否符合法定的能效标准，一直到成本等相关问题。纳微的单芯片GaN功率IC可同时达到高速运作及高效
2017-09-25 10:44:14
GaN功率集成电路
2023-06-19 08:29:06
GaN功率集成电路技术:过去，现在和未来
2023-06-21 07:19:58
GaN功率集成电路的进展:效率、可靠性和自主性
2023-06-19 09:44:30
GaN功率半导体集成驱动性能
2023-06-21 13:24:43
半导体的关键特性是能带隙，能带动电子进入导通状态所需的能量。宽带隙（WBG）可以实现更高功率，更高开关速度的晶体管，WBG器件包括氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半导体。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
输入到USB-C PD/PPS输出的全功能产品。Transphorm的氮化镓材料可用于传统的AC-DC升压PFC和DC-DC准谐振反激(QRF)拓扑。随后，Salom负责采用该系统、对其进行微调、外围
2021-08-12 10:55:49
针对可靠的高功率和高频率电子设备，制造商正在研究氮化镓(GaN)来制造具有高开关频率的场效应晶体管(FET)由于硅正在接近其理论极限，制造商现在正在研究使用宽带隙(WBG)材料来制造高效率的大功率
2022-06-15 11:43:25
用于无线充电应用的高压GaN功率半导体单级6.78 MHz功率放大器设计
2023-06-21 11:45:06
描述此参考评估模块拥有 TPS23454 PoE 接口和直流转直流控制器，用于需要高效率的 4 类 PoE 应用。不论是适配器输入 (21.6-57VDC) 还是以太网供电，输出功率都为 5V
2018-07-25 07:32:52
F是一个6位数字移相器MMIC，具有0°- 360°的范围。它被设计用于5到6GHz频率范围的应用。该电路支持多种C波段相控阵应用，包括工业传感器和军用雷达。该电路采用功率PHEMT工艺，0.25μm栅
2018-07-20 12:26:50
DN98- 高度集成的高效DC / DC转换
2019-06-04 15:28:24
输出晶体管大小，以增加RF功率。GaN在这里提供了一些优势，因为我们能够大幅简化输出合成器、减少损耗，因而可以提高效率，减小芯片尺寸，如图2所示。因此，我们能够实现更宽带宽并提高性能。从GaAs转向
2018-10-17 10:35:37
基于碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽带隙(WBG)半导体的新型高效率、超快速功率转换器已经开始在各种创新市场和应用领域攻城略地——这类应用包括太阳能光伏逆变器、能源存储、车辆电气化（如充电器
2019-07-31 06:16:52
。这些设计平台目 前针对战略客户而推出，代表了驱动新一代SiC/GaN功率转换器 的完整IC生态系统的最高水准。设计平台类型众多，既有用于 高电压、大电流SiC功率模块的隔离式栅极驱动器板，也有完整
2018-10-30 11:48:08
基于SiC/GaN的新一代高密度功率转换器SiC/GaN具有的优势
2021-03-10 08:26:03
元件来适应略微增加的开关频率，但由于无功能量循环而增加传导损耗［2］。因此，开关模式电源一直是向更高效率和高功率密度设计演进的关键驱动力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半导体器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
基于平面矩阵的高频高效LLC模块基于GaN功率集成电路的CPRS变压器
2023-06-16 06:48:18
采用了数字控制器 UCD3138A。效率高达95.8%，同时提供良好的热性能。主要特色 高达 95.8% 的高效率LM5113+ GaN Mosfet保护功能 OCP、OVP适用于 HSFB 直流-直流的全面数字控制满负载时具有良好的热性能完全符合电信客户的要求
2018-11-02 16:47:28
汽车行业电气化程度不断提高的趋势使汽车制造商既能经济高效地向市场提供新的创新，又能满足日益严格的排放法规。将车辆的主总线电压提高到48 V有助于满足轻度混合动力汽车的启停电机/发电机等高功率系统
2023-02-21 15:57:35
描述 PMP20978 参考设计是一种高效率、高功率密度和轻量化的谐振转换器参考设计。此设计将 390V 输入转换为 48V/1kW 输出。PMP20637 功率级具有超过 140W/in^3
2022-09-23 07:12:02
需要非常紧凑、高效的mmW 材料和器件。基础设施挑战是开发合适的封装，既能保持RF 性能又能解决热管理问题。GaN 的较高功率密度（3 至5 倍，甚至10 倍于GaAs）给子系统封装设计人员带来了棘手
2017-07-28 19:38:38
升级到半桥GaN功率半导体
2023-06-21 11:47:21
Ω、600-V GaN 功率晶体管和专用驱动器。目标应用包括电动汽车的车载充电器、电信整流器、电机驱动器、焊接电源和其他工业交流供电转换器。该设计支持用于提高效率的切相和自适应死区时间、用于提高轻负载
2022-04-12 14:11:49
在过去的十多年里，行业专家和分析人士一直在预测，基于氮化镓(GaN)功率开关器件的黄金时期即将到来。与应用广泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更强的功耗处理能力
2019-06-21 08:27:30
请大佬详细介绍一下关于基于Si衬底的功率型GaN基LED制造技术
2021-04-12 06:23:23
更高的功率密度。GaN的时代60多年以来，硅一直都是电气组件中的基础材料，广泛用于交流电与直流电转换，并调整直流电压以满足从手机到工业机器人等众多应用的需求。虽然必要的组件一直在持续改进和优化，但物理学
2019-03-01 09:52:45
本文基于Agilent ADS仿真软件设计实现一款高效GaN宽禁带功率放大器，详细说明设计步骤并对放大器进行了测试，结果表明放大器可以在2．3～2．4 GHz内实现功率15W以上，附加效率超过67％的输出。
2021-04-06 06:56:41
作为一项相对较新的技术，氮化镓(GaN) 采用的一些技术和思路与其他半导体技术不同。对于基于模型的GaN功率放大器(PA) 设计新人来说，在知晓了非线性GaN模型的基本概念（非线性模型如何帮助进行
2019-07-31 06:44:26
频率和更高功率密度的开发人员更是如此。RF GaN是一项已大批量生产的经验证技术，由于其相对于硅材料所具有的优势，这项技术用于蜂窝基站和数款军用/航空航天系统中的功率放大器。在这篇文章中，我们将比
2019-07-12 12:56:17
Conversion；EPC)、GaNSystems与Transphorm等公司。各大功率半导体业者的不同GaN功率晶体管专利（来源：Yole）然而，这一市场也存在整并压力，这一点从英飞凌收购IR、英飞凌
2015-09-15 17:11:46
显示的是将用来驱动LMG5200的Hercules模块。图1：具有死区发生器的Hercules PWM模块GaN与Hercules功率级是天生的一对儿。它们在工业和汽车应用中都能发挥很好的作用
2022-11-17 06:56:35
功率晶体管(如GaN和碳化硅(SiC))有望在高压和高开关频率条件下提供高功率效率，从而远远超过硅MOSFET产品。 GaN可以为您做什么 根据应用的不同，高效率的高频开关可以将功率模块的尺寸缩小
2018-11-20 10:56:25
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
Hercules微控制器来驱动它。图1显示的是将用来驱动LMG5200的Hercules模块。
图1：具有死区发生器的Hercules PWM模块
GaN与Hercules功率级是天生的一对儿。它们在工业和汽车
2018-08-31 07:15:04
概述：GB98ADN是一款高效、大功率的LED驱动控制器，它提供用于MOSFET升压转换器的驱动器。它最多可以驱动四根LED灯的额定电流为250mA。它还支持高达400毫安的脉冲电流，...
2021-04-07 07:30:39
请问一下GaN器件和AMO技术能实现高效率和宽带宽吗？
2021-04-19 09:22:09
描述此参考设计基于 LMG1210 半桥 GaN 驱动器和 GaN 功率的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，实现了一款数兆赫兹功率级设计。凭借高效的开关和灵活的死区时间调节，此参考设计不仅可以显著
2018-10-17 15:39:59
SE98是一款支持I2C-bus/SMBus总线的温度传感器，典型用于内存模块温度检测
2010-03-09 16:29:05
10 美国Transphorm公司发布了耐压为600V的GaN类功率元件。该公司是以美国加州大学圣塔巴巴拉分校（UCSB）的GaN元器件研究人员为核心创建的风险企业，因美国谷歌向其出资而备受功率半导体
2012-05-18 11:43:441931 2014年9月26日 – 推动高能效创新的安森美半导体（ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN）与功率转换专家Transphorm宣布已建立了新的合作关系，共同开发及共同推广基于氮化镓（GaN）的产品和电源系统方案，用于工业、计算机、电信及网络领域的各种高压应用。
2014-09-26 19:42:001149 北卡罗纳州 – 2015年3月17日-推动高能效创新的安森美半导体 （ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN），和功率转换器专家Transphorm，先前宣布双方建立
2015-03-19 14:28:432552 国产高效GaN微波功率模块，HEG001D、HEG205B等。针对宽带、高功率微波系统及有源相控阵雷达应用需求，最新推出小型化高功率GaN功率模块，采用先进的平面内匹配合成技术，基于成熟的薄膜混合
2015-11-26 15:44:5314 本文介绍有关用于LTE 微蜂窝式与有源天线系统式基站应用的小型高效GaN Doherty 放大器。该Doherty 放大器采用TriQuint 半导体公司开发的T1G6001528-Q3 器件
2017-11-24 06:17:17474 
在最近的electronica China上，富士通刚刚展示了代理品牌Transphorm的氮化镓（GaN）解决方案，可是让好多现场观众驻足围观呢。
2019-04-16 18:13:234239 对于电容参数的描述，ASM GaN 是应用场效应板来解决的。当然，模型开发出来后，需要和真正的器件进行对比，比如用于PA和功率转换等。
2019-09-08 09:44:435685 
Transphorm Inc.今天宣布，它已与贸泽电子（Mouser Electronics Inc.）签署全球分销协议，授权该公司在全球经销其最新的半导体和电子元件。根据协议，贸泽电子将分销Transphorm的经过JEDEC和AEC-Q101认证的GaN FET和评估工具。
2019-09-19 14:37:59881 目前，Transphorm正在努力推出第三代常闭GaN FET技术。该技术的阈值将提高到4.0V，提高了其抗噪能力和器件性能，无需负栅极驱动，并且相比上代产品降低了整体成本。
2019-12-13 14:20:264103 首家获得JEDEC和AEC-Q101认证、具有最高可靠性的氮化镓（GaN）半导体的设计和制造领导者Transphorm Inc.今天确认，其客户AES Aircraft Elektro/Elektronik System GmbH发布了首批650 V GaN基电源。
2019-12-19 14:07:361467 前不久，Hangzhou Zhongheng Electric Co., Ltd（HZZH）就利用Transphorm的TPH3205WS-GaN器件成功开发出一种基于GaN的超高效功率模块。
2020-04-27 16:46:163692 由于可以在较高频率、电压和温度下工作且功率损耗较低，宽禁带半导体（SiC 和GaN）现在配合传统硅一同用于汽车和RF 通信等严苛应用中。随着效率的提高，对Si、SiC和GaN器件进行安全、精确的测试
2020-11-18 10:38:0027 本文介绍有关用于LTE 微蜂窝式与有源天线系统式基站应用的小型高效GaN Doherty 放大器。该Doherty 放大器采用TriQuint 半导体公司开发的T1G6001528-Q3 器件
2020-08-20 18:51:001 高可靠性，高性能氮化镓功率转换产品供应商Transphorm与贝尔集团（Bel Group）联合宣布Bel的钛效率电源中使用了六个Transphorm的高压GaN FET，这表明，氮化镓在数
2021-01-22 16:00:361798 
加贺富仪艾电子旗下代理品牌 Transphorm，是一家设计、生产氮化镓功率转换器和模块的企业。
2021-03-09 17:44:192428 
DN98-高集成高效DC/DC转换
2021-04-27 11:39:027 大功率、高效μ模块电源产品
2021-05-20 10:39:555 大功率NPN硅晶体管BUX98/BUX98A数据手册
2021-08-11 14:14:110 适用于广泛工业应用的新型交流-直流功率模块提供高压GaN优势：更高的效率、更高的性能、更紧凑的尺寸 加州戈利塔--(美国商业资讯)--设计和制造拥有最高可靠性且唯一获得认证的高压(HV)氮化
2022-01-06 15:56:171 这家国际航空电子供应商因GaN驱动的更高功率密度而胜过竞争对手加州戈勒塔--(美国商业资讯)--首家获得JEDEC和AEC-Q101认证、具有最高可靠性的氮化镓(GaN)半导体的设计和制造领导者
2022-01-11 10:52:211 (MOSFET)，因为它能够驱动更高的功率密度和高达 99% 的图腾柱功率因数校正 (PFC) 效率。但由于其电气特性和它所支持的性能，使用 GaN 进行设计面临着与硅甚至其他宽带隙技术（如碳化硅）不同的一系列挑战。
2022-07-29 14:06:52792 
的限制，并且高温性能和低电流特性较差。高压 Si FET 在频率和高温性能方面也受到限制。因此，设计人员越来越多地寻求采用高效铜夹封装的宽带隙 (WBG) 半导体。 功率氮化镓技术 GaN 技术，特别是 GaN-on-Silicon (GaN-on-Si) 高电子迁移率晶体
2022-08-04 09:52:161078 
在第一部分，我们研究了数据中心架构，并介绍了氮化镓 (GaN) 功率 IC 及其在第二次电力电子革命中的作用。现在，让我们看看数据中心本身内支持 GaN 的高效硬件。 具有交流输入的 GaN 对于
2022-08-04 09:35:21788 
基于氮化镓技术 (GaN) 的功率开关器件现已量产，并在实际功率应用中提供高效率和功率密度。本文将探讨如何使用 GaN 技术实施高功率解决方案，并提供应用示例，展示 GaN 器件如何在超过 600 伏的电压下也能有效工作。
2022-08-09 08:02:131637 
电子发烧友网站提供《具有高电压GaN FET的高效率和高功率密度1kW谐振转换器设计.zip》资料免费下载
2022-09-07 11:30:0510 氮化镓 (GaN) 是需要高频率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的应用的理想选择。与硅相比，GaN 具有达 3.4 eV 的 3 倍带隙，达 3.3 MV/cm 的 20 倍临界电场击穿
2022-09-19 09:33:211670 使用电源管理模块有效控制 GaN 功率放大器的电源开关
2022-12-26 10:16:14592 
GaN功率HEMT设计+GaN宽带功率放大器设计
2023-01-30 14:17:44556 近日，可靠性、高性能氮化镓（GAN）电源转换产品的先锋企业和全球供应商Transphorm宣布推出新的240瓦电源适配器参考设计。
2023-02-06 10:15:231202 高效IPM（智能功率模块）
2023-02-08 13:43:241244 
随着社会压力不断增大，越来越多的立法要求减少二氧化碳的排放。这一趋势推动汽车、电信等行业加大投资，以提高电源转换效率和电气化水平。功率氮化镓(GaN)技术不但表现出极大的性能优势，还能为各类功率转换应用带来一系列优势，尤其是在电动汽车中。
2023-02-09 09:35:30191 
白皮书：功率GaN技术：高效率转换的需求-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 19:43:201 功率 GaN 技术：高效功率转换的需求-AN90021
2023-02-17 19:43:381 白皮书：功率 GaN 技术：高效功率转换的必要性-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 19:50:460 您可以通过多种方式控制GaN功率级。LMG5200 GaN 半桥功率级的 TI 用户指南使用无源元件和分立逻辑门的组合。在这篇文章中，我将描述如何使用Hercules微控制器驱动它。图 1 显示了用于驱动 LMG5200 的 Hercules 模块。
2023-04-14 10:07:41963 
Transphorm宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始规格书。TP120H070WS功率管是迄今为止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半导体，领先同类产品。 该器件
2023-06-16 18:25:04268 
Transphorm在公告中表示，他们的氮化镓将被用于大恒能源的Solar Unit产品线，GaN器件可以实现更小、更轻、更可靠的太阳能系统，同时还能以更低的能耗提供更高的总发电量。Transphorm还表示，氮化镓技术在全球光伏领域的市场空间将超过5亿美元。
2023-08-30 16:42:34826 
三菱电机集团近日（2023年9月14日）宣布，将于9月21日开始提供用于5G Massive MIMO*1（mMIMO）基站的新型氮化镓（GaN）功率放大器模块样品。
2023-09-27 15:05:46876 Transphorm, Inc.（Nasdaq：TGAN）是强大的GaN功率半导体（下一代电力系统的未来）领域全球领先的企业。该公司今天推出了三款TOLL封装的SuperGaN®FET，其导通电
2023-10-12 16:40:56251 专为大功率应用而设计的隔离式栅极驱动器，有助于加速氮化镓半导体在数据中心、可再生能源和电动汽车领域的应用 加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 12 月 7 日 – 全球领先的氮化镓（GaN
2023-12-12 18:03:10179 新设计工具有助于加速两轮电动车市场的产品设计，并帮助系统工程师充分利用SuperGaN FET的优势 2023 年 12 月 21 日 －全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商
2023-12-27 17:39:22130 
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（以下“瑞萨”，TSE：6723）与全球氮化镓（GaN）功率半导体供应商Transphorm, Inc.（以下“Transphorm”，Nasdaq：TGAN）于今天宣布双方已达成最终协议
2024-01-11 18:17:32865 全球半导体解决方案供应商 瑞萨 电子与全球氮化镓(GaN)功率半导体供应商Transphorm, Inc.(以下“Transphorm”)于今天宣布双方已达成最终协议，根据该协议，瑞萨子公司将以每股
2024-01-12 14:11:58267 在科技领域的巨浪中，瑞萨电子以35%的溢价宣告了一项重磅收购。1月11日，瑞萨电子正式宣布与氮化镓（GaN）器件领导者Transphorm达成最终协议，按照协议的规定，瑞萨电子的子公司将以每股
2024-01-12 14:54:25361 瑞萨电子与氮化镓（GaN）器件领导者Transphorm宣布，双方已达成最终收购协议。根据协议，瑞萨电子的子公司将以每股5.10美元的价格收购Transphorm，这一价格较Transphorm在1月10日的收盘价溢价约35%，总估值约为3.39亿美元。
2024-01-17 14:15:33234 此次交易对Transphorm的估值约为3.39亿美元（约合人民币24.27亿元）。此次收购将为瑞萨提供GaN（功率半导体的下一代关键材料）的内部技术。
2024-01-19 11:32:57130
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