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电子发烧友网>电源/新能源>功率器件>UnitedSiC发布四款全新UF3C SiC FET器件,其RDS(ON)值低至7mΩ

UnitedSiC发布四款全新UF3C SiC FET器件,其RDS(ON)值低至7mΩ

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2023-05-12 15:34:44

UF4SC120023K4S 栅极驱动 SiC FET 器件

UF4SC120023K4S 产品简介Qorvo 的 UF4SC120023K4S 是一 1200 V、23 mohm RDS(on) Gen 4 SiC FET。它基于独特的共源共栅
2023-05-12 15:40:44

UF4SC120030K4S 栅极驱动 SiC FET 器件

UF4SC120030K4S产品简介Qorvo 的 UF4SC120030K4S 是一 1200 V、30 mohm RDS(on) Gen 4 SiC FET。它基于独特的共源共栅电路配置,其中
2023-05-12 15:46:12

UJ3C065030B3 栅极驱动 SiC 器件

UJ3C065030B3产品简介Qorvo 的 UJ3C065030B3 650 V、27 mohm RDS(on) SiC FET 产品将其高性能第 3SiC JFET 与 FET 优化
2023-05-12 15:54:18

UJ3C065030T3S 栅极驱动 SiC 器件

UJ3C065030T3S产品简介Qorvo 的 UJ3C065030T3S 是一 650 V、27 mohm RDS(on) SiC FET 产品,将其高性能第 3SiC JFET
2023-05-12 16:02:53

Qorvo / UnitedSiC UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FET

Qorvo / UnitedSiC UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETUnitedSiC/Qorvo UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC是一高性能系列产品,提供业界最佳
2024-02-26 19:40:31

D2-PAK封装中的UF3C SiC FET

UnitedSiC / Qorvo D2-PAK封装中的UF3C SiC FET采用D2-PAK-3L和D2-PAK-7L表面贴装封装的UnitedSiC / Qorvo UF3C SiC FET
2024-02-26 19:57:09

UF3N170400B7S

UnitedSiC / Qorvo UF3N170400B7S 1700V-400mW SiC常开JFETUnitedSiC/Qorvo UF3N170400B7S 1700V-400mW SiC
2024-02-26 23:19:55

UnitedSiCUF3C FAST FET系列中新增Kelvin连接器件

碳化硅(SiC)功率半导体制造商UnitedSiC宣布扩展UF3C FAST产品系列,并推出采用TO-247-4L 4引脚Kelvin Sense封装的全新系列650 V和1200 V高性能碳化硅
2019-01-01 10:33:003613

UnitedSiC在650V产品系列中新增7个SiC FET

碳化硅(SiC)功率半导体制造商UnitedSiC/美商联合碳化硅股份有限公司 宣布,已经为UJ3C(通用型)和UF3C(硬开关型)系列650V SiC FET新增加了7种新的TO220-3L和D2PAK-3L器件/封装组合产品。
2019-05-08 09:04:021767

UnitedSiCFET-Jet计算器让SiC FET选择过程不再充满猜测

为电源设计选择初始半导体开关可能是一件繁杂的工作。UnitedSiC的新FET-Jet CalculatorTM可以简化这项工作并准确预测系统性能。
2021-03-19 09:42:401891

UnitedSiC SiC FET用户手册

UnitedSiC SiC FET用户手册
2021-09-07 18:00:1317

UnitedSiC推出具有显著优势的第四代SiC FET

2020年 750V第四代SiC FET 诞生时,它与650V第三代器件的比较结果令人吃惊,以 6毫欧 器件为例,品质因数RDS•A降了近一半,由于体二极管反向恢复能量,动态损耗也降了近一半。关闭
2022-05-23 17:31:29947

UnitedSiC 750V第4代SiC FET的性能解析

UnitedSiC(现为Qorvo)扩展了其突破性的第4代 SiC FET产品组合, 通过采用TO-247-4引脚封装的750V/6mOhm SiC FET和采用D2PAK-7L表面贴装封装
2022-08-01 12:14:081068

碳化硅 (SiC) FET 推动电力电子技术发展

断路器和限流应用。例如,如果您用 1 mA 电流偏置 JFET 的栅极,并监控栅极电压 Vgs,请参见图 1,您可以跟踪器件的温度,因为 Vgs 随温度线性下降。此属性对于需要功率 FET (SiC
2022-08-05 10:31:17716

贸泽开售采用D2PAK-7L 封装的工业用 UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET

表面贴装封装的UnitedSiC(现已被 Qorvo®收购)UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅场效应晶体管 (SiC FET),借助D2PAK-7L封装选项提供低开关损耗
2022-09-23 16:44:35576

UnitedSiC FET-Jet计算器成为更好的器件选择工具

UnitedSiC FET-Jet计算器让为功率设计选择SiC FETSiC肖特基二极管变得轻而易举。设计工程师只需:
2022-10-11 09:03:28556

贸泽电子开售UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET

UnitedSiC(现已被Qorvo收购)750V UJ4C/SC SiC FET,采用D2PAK-7L封装。UJ4C/SC系列器件是750V碳化硅场效应晶体管(SiC FET),借助D2PAK-7L封装选项提供低开关损耗、在更高速度下提升效率,同时提高系统功率密度。
2022-10-27 16:33:29739

SiC FET器件的特征

宽带隙半导体是高效功率转换的助力。有多种器件可供人们选用,包括混合了硅和SiC技术的SiC FET。本文探讨了这种器件的特征,并将它与其他方法进行了对比。
2022-10-31 09:03:23666

利用高效的UnitedSiC共源共栅SiC FET技术实现99.3%的系统能效

CleanWave200采用UnitedSiC共源共栅FET,能够在100kHz的频率下实现99.3%的系统能效,且每个开关位置并联三个器件
2022-12-12 09:25:09446

充分挖掘 SiC FET 的性能

Carbide (UnitedSiC) 发布,该公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭。UnitedSiC 是一家领先的碳化硅 (SiC) 功率半导体制造商,它的加入促使 Qorvo
2023-02-08 11:20:01403

SiC FET导通电阻随温度变化

比较SiC开关的数据手册可能很困难。SiC MOSFET在导通电阻温度系数较低的情况下似乎具有优势,但与UnitedSiC FET相比,这表明潜在的损耗更高,整体效率低下。
2023-02-21 09:24:56592

UnitedSiC FET-Jet 计算器,让 SiC FET 的选择过程不再全凭猜测

仿真器可以提供许多信息,但无法告知哪些功率晶体管可以优化您的设计,也无法确定晶体管在特定应力水平下是否会损坏。这就是在线 FET-Jet 计算器的优势所在。阅读本博客,了解该软件如何简化器件选择以及
2023-05-17 12:05:02259

UnitedSiC 推出第 2 版 FET-Jet 计算器,性能迈向新高度

本博文,深入了解这款灵活便捷的工具,帮助您选择器件并查看其性能,快速准确地一次敲定设计。 这篇博客文章最初由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 发布,该公司于 2021
2023-05-19 13:45:02291

SiC FET — “图腾” 象征?

由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 发布,该公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭。UnitedSiC 是一家领先的碳化硅 (SiC) 功率半导体
2023-06-21 09:10:02212

UnitedSiC SiC FET用户指南

UnitedSiC SiC FET用户指南
2023-12-06 15:32:24172

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