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UnitedSiC发布四款全新UF3C SiC FET器件,其RDS(ON)值低至7mΩ

2019年12月10日 13:45 次阅读

美国新泽西州普林斯顿 -- 新型功率半导体企业美商联合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布将推出四种新型SiC FET,其RDS(ON)值可低至7mΩ,并可提供前所未有的性能和高效率,适用于电动汽车(EV)逆变器、高功率DC/DC转换器、大电流电池充电器和固态断路器等高功率应用。在这四款全新UF3C SiC FET器件中,一款产品额定电压值为650V,RDS(on)为7 mΩ,另外三款电压额定值为1200V,RDS(on)分别为9和16 mΩ。所有器件都采用通用型TO247封装。

UnitedSiC发布四款全新UF3C SiC FET器件,其RDS(ON)值低至7mΩ

这些新型SiC FET整合高性能第三代SiC JFET和共源共栅(cascode)优化的Si MOSFET,这种电路配置能够以常见的封装形式创建一种快速、高效的器件,但仍然可以用与Si IGBT、Si MOSFET和SiC MOSFET相同的栅极电压驱动。此外,为了优化高温运行性能,烧结银(sintered-silver)技术能够为TO247封装提供低热阻安装。

UnitedSiC发布四款全新UF3C SiC FET器件,其RDS(ON)值低至7mΩ

美商联合碳化硅股份有限公司工程副总裁Anup Bhalla解释说:“真正重要的是,我们实现了同类产品中业界最低的RDS(ON)。除此之外,这些器件所具备的标准驱动特性和通用封装意味着它们可以在各种应用中直接替代那些效率较低的器件,而只需极少或根本不需要额外的设计工作。”

UnitedSiC发布四款全新UF3C SiC FET器件,其RDS(ON)值低至7mΩ

UF3SC065007K4S的最大工作电压为650V,漏极电流高达120A,RDS(ON)为6.7mΩ。UF3SC120009K4S的最大工作电压为1200V,漏极电流高达120A,RDS(ON)为8.6mΩ。两者均采用四引脚开尔文(Kelvin)封装,可实现更清洁的驱动特性。

对于低功率设计,UnitedSiC可提供两款产品,最大工作电压为1200V,漏极电流高达77A,RDS(ON)为16mΩ。UF3SC120016K3S采用三引脚封装,而UF3SC120016K4S则采用四引脚封装。

UnitedSiC发布四款全新UF3C SiC FET器件,其RDS(ON)值低至7mΩ

这些器件的低RDS(ON)特性使得在逆变器设计中可以实现超过99%的效率,高效率的实现得益于其出色的反向恢复性能以及在续流(freewheeling)模式下的低导通压降。

借助于这些器件,逆变器设计人员能够使现有设计在相同的开关速度下达到更高功率,而无需重新设计其基本电路架构,可以处理较高的电流,但不会产生过多的电阻发热。

这些器件的低开关损耗可以使设计人员在更高频率下运行逆变器,以产生更清晰的输出电流波形。通过减少磁芯损耗,可以提高所驱动电机的效率。如果将逆变器设计为具有滤波功能的输出,较高的运行频率将允许使用较小的滤波器

这些器件还能够很好地并联使用,以处理非常大的电流。经过严格的损耗计算表明,使用六个UF3SC120009K4S SiC FET并联构建的200kW,8kHz逆变器,其开关损耗和传导损耗的总和只有采用最先进IGBT/二极管模块构建的同类逆变器的约三分之一。

UF3C系列SiC FET的低RDS(ON)可实现超低传导损耗,这意味着该器件还可以用作EV中的固态断路器和电池断开开关,这些器件可以非常快地关闭非常大的电流,并且在用作断路器时,具有自我限制特性,可控制流经的峰值电流。该特性还可用于限制流入逆变器和电机的浪涌电流。

对于较低电池电压的系统,UF3SC65007K4S能够在充电电路中实现比IGBT效率高很多的系统。如果使用SiC FET来构建同步整流器来代替次级侧二极管,则可以大幅度降低损耗,从而减轻充电器的冷却负担。例如,在工作电流为100A,占空比为50%的情况下,一个JBS二极管的传导损耗将近100W,而UF3SC065007K4S用作同步整流器,其传导损耗仅为45W。

价格和供货信息

以1000片最小批量计,这些器件的单价从UF3SC0120016K3S的35.77美元,到UF3SC120009K4S的59.98美元。现在可提供样片,预计2020年第二季度实现量产

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5是符合IEEE.3bt,IEEE 802.3af和/或IEEE 802.3at标准的以太网供电设备(PoE-PD)接口控制器,可实现包括连接照明在内的高功率应用的开发。监控摄像头。 NCP1095集成了PoE系统中的所有功能,例如在浪涌阶段的检测,分类和电流限制。 使用外部传输晶体管,NCP1095可提供高达90瓦的输出电压。 NCP1095还提供Autoclass支持,以根据PD类型和分类优化功率分配。 特性 IEEE 802.3bt,IEEE 802.3af,IEEE 802.3at兼容 - 允许高达90 W的功率 - 保证PoE设备之间的互操作性 安森美半导体PoE-PD解决方案系列的一部分 内置71mΩ传输晶体管,支持高功率应用 包括由PoE或墙上适配器供电的应用程序的辅助检测引脚 支持自动分类(Autoclass)功能,允许供电设备(PSE)有效地为每个受电设备(PD)供电 内置热插拔FET也可提供更高集成度(NCP1096) 应用 终端产品 以太网供电设备(PoE-PD) Internet物联网(IoT) IEEE 802.3bt IEEE 802.3af IEEE 802.3at 数字标牌 卫星数据网 连接照明 视频和VOIP电话 安全摄像机 Pico基...
发表于 2019-07-30 02:02 37次阅读
NCP1095 以太网供电 - 供电设备接口控制...

NCP1096 以太网供电 - 受电设备接口控制...

美半导体的IEEE.3bt,IEEE 802.3af和/或IEEE 802.3at兼容解决方案系列是以太网供电设备(PoE-PD)的一部分,NCP1096支持包括连接在内的高功率应用的开发照明和USB C型.NCP1096集成了PoE系统中的所有必要功能,例如在浪涌阶段的检测,分类和电流限制。 使用内部热插拔FET,NCP1096可提供高达90瓦的输出电压。为了提高能源效率,NCP1096提供Autoclass支持,可根据PD类型和分类优化功率分配。 特性 IEEE 802.3bt,IEEE 802.3af,IEEE 802.3at兼容 - 允许高达90 W的功率 - 保证PoE设备之间的互操作性 安森美半导体PoE-PD低功耗解决方案系列的一部分 5事件物理层分类 智能功率预算使用Autoclass支持,允许PSE有效地为每个PD分配电源 当Auxililary电源连接时,有源电桥和热插拔FET禁用,提高辅助电源为PD供电的电源效率 也可提供外部热插拔FET,操作> 71 W(NCP1095) 应用 终端产品 以太网供电设备(PoE-PD) 物联网(IoT) IEEE 802.3bt IEEE 802.3af IEEE 802.3at 数字标牌 卫星数据网 连接照明 视频和V...
发表于 2019-07-30 02:02 26次阅读
NCP1096 以太网供电 - 受电设备接口控制...

NCV891130 1.2 A 2 MHz低I

130是一款双模式稳压器,适用于汽车,电池连接应用,必须使用高达45V的输入电源。根据输出负载,它可以作为PWM降压转换器或低压差线性稳压器工作,适用于汽车驾驶员信息系统中经常遇到的低噪声和低静态电流要求的系统。复位引脚(具有固定延迟)简化了与微控制器的接口。 NCV891130还提供汽车电源系统中的一些保护功能,如电流限制,短路保护和热关断。此外,即使使用小电感值和全陶瓷输出滤波电容,高开关频率也会产生低输出电压纹波 - 形成节省空间的开关稳压器解决方案 特性 优势 30μAIqin轻载条件 轻载时低Iq线性模式 1.2 PWM模式下的最大输出电流 高效切换模式高达1.2 A 内部N通道电源开关 无需外部Mosfet VIN工作范围3.7 V至36.5 V 设计用于汽车电池 逻辑电平启用引脚可以绑定到电池ery 多才多艺的EN pin 固定输出电压5.0 V,4.0 V或3.3 V 简化设计 2 MHz自由切换频率 电感和电容更小,响应更快,纹波更小 汽车要求现场和控制变更的NCV前缀 PPAP可用 承受负载转储至45 V +/- 2%输出电压精度 ...
发表于 2019-07-30 02:02 44次阅读
NCV891130 1.2 A 2 MHz低I

NCV891330 3 A 2 MHz低I

330是一款双模式稳压器,适用于汽车电池连接应用,必须使用高达45V的输入电源。根据输出负载,它可以作为PWM降压转换器或低压差线性稳压器工作,适用于汽车驾驶员信息系统中经常遇到的低噪声和低静态电流要求的系统。复位引脚(具有固定延迟)简化了与微控制器的接口。 NCV891330还提供汽车电源系统中的一些保护功能,如电流限制,短路保护和热关断。此外,即使使用小电感值和全陶瓷输出滤波电容,高开关频率也会产生低输出电压纹波 - 形成节省空间的开关稳压器解决方案 特性 优势 30μAIqin轻载条件 轻载时低Iq线性模式 3.0 PWM模式下的最大输出电流 高效切换模式高达3 A 内部N通道电源开关 无需外部Mosfet VIN工作范围3.7 V至36.5 V 设计用于汽车电池 逻辑电平启用引脚可以连接到电池y 多功能EN引脚 固定输出电压5.0 V,4.0 V或3.3 V 简化设计 2 MHz自由切换频率 电感和电容更小,响应更快,纹波更小 汽车要求现场和控制变更的NCV前缀 PPAP可用 承受负载转储至45 V +/- 2%输出电压精度 应用 ...
发表于 2019-07-30 01:02 17次阅读
NCV891330 3 A 2 MHz低I

NCP81255 用于IMVP8的单相稳压器

55是一款高性能,低偏置电流,单相稳压器,集成了功率MOSFET,旨在支持各种计算应用。该器件能够通过英特尔专有接口接口在可调输出上提供高达14 A的TDC输出电流。在高达1.2 MHz的高开关频率下工作允许采用小尺寸电感器和电容器。该控制器利用安森美半导体的专利高性能RPM操作。 RPM控制可最大化瞬态响应,同时允许不连续频率调节操作和连续模式全功率操作之间的平滑过渡。 NCP81255具有一个超低偏移电流监视放大器,具有可编程偏移补偿,用于高精度电流监视。 特性 优势 高电流状态下的自动DCM操作 效率更高 高性能RPM控制系统 更易于补偿 IMVP8英特尔专有接口支持 与英特尔CPU兼容 超低偏移IOUT监视器 准确性 动态VID前馈 可编程下垂增益 Ze ro Droop Capable 数字控制工作频率 这些设备无铅,无卤素/ BFR免费且符合RoHS标准 应用 工业嵌入式系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-07-30 00:02 62次阅读
NCP81255 用于IMVP8的单相稳压器

LV5980MD 降压转换器 开关稳压器 1通道

MD是1ch DCDC转换器,内置功率Pch MOSFET。推荐的工作范围为4.5V至23V。最大电流为3A。工作电流约为63μA,功耗低。 特性 1ch SBD整流DCDC转换器IC,内置功率Pch MOSFET 轻载模式电流的典型值为63μA 4.5V至23V工作输入电压范围 100mΩ高端开关 输出电压可调至1.235V 振荡频率为370kHz ON / OFF功能 使用P-by-P​​方法的内置OCP电路 当连续生成P-by-P​​时,它会转移到HICCUP操作 外部电容软启动 欠压锁定,t hermal shutdown 应用 终端产品 负载点DC / DC转换器 机顶盒 DVD /蓝光™驱动程序和硬盘 液晶显示器和电视 办公设备 POS系统 白色家电 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-07-30 00:02 20次阅读
LV5980MD 降压转换器 开关稳压器 1通道

LV5980MC 降压转换器 开关稳压器 1通道

MC是一款1通道DC-DC转换器,内置功率P沟道MOSFET。建议的工作范围为4.5 V至23 V.最大电流为3 A.工作电流约为63μA,功耗低。 特性 1通道SBD整流DC-DC转换器,内置功率P沟道MOSFET 光的典型值负载模式电流为63μA 4.5 V至23 V工作输入电压范围 100mΩ高侧开关 输出电压可调至1.235 V 振荡频率为370 kHz 采用P-by-P​​方法的内置OCP电路 当连续生成P-by-P​​时,它会转移到HICCUP操作 外部电容软启动 欠压锁定,热关机 应用 终端产品 电源管理 机顶盒 DVD播放器 LCD电视 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-07-29 23:02 84次阅读
LV5980MC 降压转换器 开关稳压器 1通道

NCP302040 集成驱动器和MOSFET 4...

040将MOSFET驱动器,高端MOSFET和低端MOSFET集成在一个封装中。驱动器和MOSFET已针对高电流DC-DC降压功率转换应用进行了优化。与分立元件解决方案相比,NCP302040集成解决方案大大减少了封装寄生效应和电路板空间。 特性 平均电流高达40A 能够以高达2 MHz的频率切换 兼容3.3 V或5 V PWM输入 正确响应3级PWM输入 支持英特尔®电源状态4 应用 终端产品 台式机和笔记本微处理器 电源和笔记本电脑 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-07-29 22:02 91次阅读
NCP302040 集成驱动器和MOSFET 4...

NCP302150 集成驱动器和MOSFET 4...

150将MOSFET驱动器,高端MOSFET和低端MOSFET集成在一个封装中。驱动器和MOSFET已针对高电流DC-DC降压功率转换应用进行了优化。与分立元件解决方案相比,NCP302150集成解决方案大大降低了封装寄生效应和电路板空间。 特性 平均电流高达45A 能够以高达2 MHz的频率切换 兼容3.3 V或5 V PWM输入 正确响应3级PWM输入 支持英特尔®电源状态4 使用3级PWM进行零交叉检测的选项 热警告输出和热关机 应用 终端产品 台式机和笔记本微处理器 服务器和工作站,V-Core和非V-Core DC-DC Con转换器 小型电压调节器模块 高电流DC-DC负载点转换器 电源和笔记本 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-07-29 21:02 100次阅读
NCP302150 集成驱动器和MOSFET 4...

NCV8876 汽车级启停非同步升压控制器

6是一款非同步升压控制器,设计用于在启动 - 停止车辆运行电池电压下降期间提供最小输出电压。控制器驱动外部N沟道MOSFET。该器件采用峰值电流模式控制和内部斜率补偿。该IC集成了一个内部稳压器,为栅极驱动器提供电荷。保护功能包括逐周期电流限制,保护和热关断。其他功能包括低静态电流睡眠模式操作。当电源电压低于7.3 V时,NCV8876使能,当电源电压低于6.8 V时启动升压操作。 使用 NCV8876评估板SystemVision设计和模拟环境验证参数和功能性能,并通过实时虚拟测试更好地了解功能和行为。 特性 优势 自动启用低于7.3 V (工厂可编程) 紧凑型SOIC8封装的额外功能 -40 C至150 C操作 汽车级 2 V至45 V操作 通过曲柄转动和装载转储进行操作 低静态曲线睡眠模式(...
发表于 2019-07-29 20:02 101次阅读
NCV8876 汽车级启停非同步升压控制器

LV5725JA 降压转换器 DC-DC 1通道

JA是一个降压电压开关稳压器。 特性 优势 宽输入动态范围:4.5V至50V 可在任何地方使用 内置过流逐脉冲保护电路,通过外部MOSFET的导通电阻检测,以及HICCUP方法的过流保护 烧伤保护 热关闭 热保护 负载独立软启动电路 控制冲击电流 外部信号的同步操作 它可以改善发生两个稳压器IC之间的振荡器时钟节拍 电源正常功能 稳定性操作 外部电压为输出电压高时可用 应用 降压方式开关稳压器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-07-29 19:02 104次阅读
LV5725JA 降压转换器 DC-DC 1通道

NCP81239 4开关降压 - 升压控制器 U...

39 USB供电(PD)控制器是一种同步降压升压,经过优化,可将电池电压或适配器电压转换为笔记本电脑,平板电脑和台式机系统以及使用USB的许多其他消费类设备所需的电源轨PD标准和C型电缆。与USB PD或C型接口控制器配合使用时,NCP81239完全符合USB供电规范。 NCP81239专为需要动态控制压摆率限制输出电压的应用而设计,要求电压高于或低于输入电压。 NCP81239驱动4个NMOSFET开关,允许其降压或升压,并支持USB供电规范中指定的消费者和供应商角色交换功能,该功能适用​​于所有USB PD应用。 USB PD降压升压控制器的工作电源和负载范围为4.5 V至28 V. 特性 优势 4.5 V至28 V工作范围 各种应用的广泛操作范围 I2C接口 允许uC与设备连接以满足USB-PD电源要求 将频率从150 kHz切换到1200 kHz 优化效率和规模权衡 过渡期间的压摆率控制 允许轻松实施USB-PD规范 支持USB-PD,QC2.0和QC3.0配置文件 过电压和过流保护 应用 终端产品 消费者 计算 销售点 USB Type-C USB PD 桌面 集线器 扩展...
发表于 2019-07-29 19:02 133次阅读
NCP81239 4开关降压 - 升压控制器 U...

ADP3211 同步降压控制器 7位 可编程 单...

1是一款高效的单相同步降压开关稳压控制器。凭借其集成驱动器,ADP3211经过优化,可将笔记本电池电压转换为高性能英特尔芯片组所需的电源电压。内部7位DAC用于直接从芯片组或CPU读取VID代码,并将GMCH渲染电压或CPU核心电压设置为0 V至1.5 V范围内的值。 特性 优势 单芯片解决方案。完全兼容英特尔®IMVP-6.5 CPU和GMCH芯片组电压调节器规格集成MOSFET驱动器。 提高效率。 输入电压范围为3.3V至22V。 提高效率。 最差±7mV -case差分感应核心电压误差超温。 提高效率。 自动节电模式可在轻负载运行期间最大限度地提高效率。 提高效率。 软瞬态控制可降低浪涌电流和音频噪声。 当前和音频缩减。 独立电流限制和负载线设置输入,以增加设计灵活性。 改进设计灵活性ity。 内置电源良好屏蔽支持电压识别(VID)OTF瞬变。 提高效率。 具有0V至1.5V输出的7位数字可编程DAC。 提高效率。 短路保护。 改进保护。 当前监听输出信号。 提高效率。 这是一款无铅设备。完全符合RoHS标准和32引...
发表于 2019-07-29 19:02 104次阅读
ADP3211 同步降压控制器 7位 可编程 单...