讲解MOS管驱动电路，包括MOS管的介绍、特性、驱动以及应用电路
2017-08-01 18:09:47
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所谓半桥驱动芯片，便是一块驱动芯片只能用于控制H桥一侧的2个MOS管：1个高端MOS和1个低端MOS。因此采用半桥驱动芯片时，需要两块该芯片才能控制一个完整的H桥。
2023-01-09 14:32:2611851 众所周知MOS是电压型驱动，只有G极比S极高一个开启电压Vth之后，MOS才会导通（这里指NMOS）。
2023-02-10 10:24:511420 `到驱动波形Vgs关闭的时候Vds仍然导通导致，没有死区时间 下面是波形 我母线通电30V电压来测试的CH1是Vgs导通波形 CH2是 Vds波形中间有一段VGS下降了 MOS管还导通这是测两个低端MOS管Vds的波形 没有死区时间 另外我的尖峰脉冲是不是太高了 我上电300V的话会炸管吗`
2017-08-02 15:41:19
`NMOS管驱动满足的电压是看GS端压差。还是只看PIN-G对PIN-S正电压。如下图紫色是MOS管驱动，MOS驱动电压算7.8V 还是13.2V？`
2021-03-04 09:17:27
MOS管驱动电压最大是多少？过驱动电压Vod=Vgs-Vth。可bai以理解为：du超过驱动门限（Vth）的剩余电压大小。1)只有在你的过驱动电压“dao大于零”的情况下，沟道才会形成，MOS管才会
2021-11-12 08:18:19
自己设计了一个MOS管驱动电路，仿真时候上管正常开关，下管始终关断，但是测得上管栅源极之间电压波形是这样的，有一个很大的抖动，想请教这是为什么？
2019-11-06 20:46:17
用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。3，MOS开关管损失不管是NMOS还是
2011-11-07 15:56:56
的限制。必要的时候可以在R4上面并联加速电容。这个电路提供了如下的特性：1，用低端电压和PWM驱动高端MOS管；2，用小幅度的PWM信号驱动高gate电压需求的MOS管；3，gate电压的峰值限制；4
2018-07-09 17:24:24
一、MOS管驱动电路综述 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但
2021-11-12 09:19:30
MOS管驱动电路设计秘籍（工作原理+电路设计+问题总结）
2023-09-26 06:11:28
一般认为MOSFET是电压驱动的，不需要驱动电流。然而，在MOS的G S两级之间有结电容存在，这个电容会让驱动MOS变的不那么简单。如果不考虑纹波和EMI等要求的话， MOS管 开关速度越快越好
2021-11-12 08:20:58
相比较，还有一个好处，就是栅源极间电容上的电荷泄放时电流不经过电源IC，提高了可靠性。4、驱动电路加速MOS管关断时间图5隔离驱动为了满足如图 5所示高端MOS管的驱动，经常会采用变压器驱动，有时
2018-10-23 15:59:18
在设计开关电源或者逆变器时，我们经常需要用到MOS管，可是有些朋友对于如何选取MOS管的驱动电阻不太熟悉，今天本人就分享一份来自网络资源的资料，希望对大家有所帮助。
2018-07-11 22:37:16
做了一个mos管控制继电器，下面线圈驱动的图，但是是低端驱动，据说不安全，不符合一般电路规则，怎么样弄成高端驱动呢。
2018-12-26 09:35:16
，漏极和源极间的阻抗只有83毫欧，可以认为压降已经很小了。P沟道MOS管开关电路PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。需要注意的是，Vgs指的是栅极G
2019-01-28 15:44:35
高端驱动的MOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V.如果在同一个系统里，要得...
2021-10-29 06:54:59
MOS管开关电路是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。因MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种。一般情况下普遍用于高端驱动的MOS，导
2021-10-29 07:22:17
MOS管的半导体结构MOS管的工作机制MOS管的驱动应用
2021-03-08 06:06:47
提供了如下的特性：1，用低端电压和PWM驱动高端MOS管。2，用小幅度的PWM信号驱动高gate电压需求的MOS管。3，gate电压的峰值限制4，输入和输出的电流限制5，通过使用合适的电阻，可以达到
2012-11-12 15:40:55
是Q3和Q4的Ice的限制。必要的时候可以在R4上面并联加速电容。这个电路提供了如下的特性：1，用低端电压和PWM驱动高端MOS管。2，用小幅度的PWM信号驱动高gate电压需求的MOS管。3，gate
2012-12-18 15:37:14
通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。 3、MOS开关管损失 不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗
2019-02-14 11:35:54
集成电路芯片内部通常是没有的。2，MOS管导通特性导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了
2021-01-11 20:12:24
本帖最后由 Stark扬 于 2018-11-19 14:19 编辑
这是直流逆变成三相交流的机器上应用的，这是MOS管的驱动波形测试，此时MOS管在关断，母线电压48V，驱动电压为15V，绿色的是Vgs驱动电压，黄色的是Vds漏极源极电压，请问为什么Vds那么晚才上升，比Vgs晚了那么久
2018-11-19 11:29:47
的强项。下面来介绍几种产品设计中常用的NMOS的电源开关电路。1、NMOS做电源开关（低端驱动，最简单）由于NMOS和PMOS在原理和生产工艺上存在差异，导致同价格的NMOS在开通速度、额定电流、导通内阻
2021-09-02 06:15:09
mos电机驱动电路（一）电机驱动mos电机驱动电路首先，单片机能够输出直流信号，但是它的驱动才能也是有限的，所以单片机普通做驱动信号，驱动大的功率管如Mos管，来产生大电流从而驱动电机，且占空比
2019-12-25 18:24:49
可以帮忙分析下ncp81704mos管驱动器内部工作原理图吗？实在不理解，求大神支持
2020-08-10 15:06:56
mos管的驱动电流如何设计呢
如果已经知道MOS的Qg
恒压模式下如何设计驱动管的电流
恒流模式下设置多大电流呢
2023-06-27 22:12:29
描述DC-DC 转换器 33-42 Vin/12V, 5A 输出该项目最初旨在为驱动 BLDC 电机的半桥开启高端和低端 MOSFET。最好将此设计与栅极驱动器连接。PCB+展示
2022-08-09 06:31:26
什么是高低端MOS管？它们的区别是什么？请各位大神指教，希望能分享相关资料，非常感谢！
2016-09-01 09:51:08
我做了个高端驱动的MOS管，然后连的atmega328p。但是现在的问题是低Vgs的时候MOS管不会完全打开。比如这个电路的Vgs大概是在5V左右，但是门极和源极之间测得的电压只有2.1V。
2018-12-05 11:43:29
一般情况下普遍用于高端驱动的MOS管，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里
2021-10-29 08:34:24
为什选择高端电流检测？高端与低端电流检测电路是怎样的？
2021-09-29 07:32:01
在要求不高的情况下，电流检测电路可以通过运放放大转换成电压，反推算负载的电流大小。其中检测电流分为高端检测和低端检测，高低端检测都有其各自的优缺点。区别高端检测：采样电阻靠近电源正端低端检测：采样
2021-07-19 07:20:51
IR2110做MOS管驱动，低端正常，高端一直高电平是什么原因？
2017-03-25 19:06:03
LINEAR TECHNOLOGY出品的用于驱动高端（电源端）N-MOS功率管芯片。内部集成有电荷泵，无需外部器件便可以驱动N-MOS管的导通。LT1910还可以对MOS漏极上串联的电流采样电阻进行检测。如果MOS漏极电流过流，则自动关闭MOS驱动，关闭的时间由外部电容设定。LT1910可...
2021-07-30 06:49:34
LT1910高端MOS管驱动IC具有哪些参数应用？
2021-11-03 06:11:06
电流的大小。第二注意的是，普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在
2016-11-24 15:27:49
我想用PWM驱动一个mos管，但是multisim仿真一直出错，我不是很清楚这个电路哪里有问题，想请教一下大家
2018-12-24 19:39:34
桥设置死区的地方，本来应该低电平的，却有一个足以驱动MOS管的脉冲电压，导致MOS管发热严重。想问问各位大神，是什么原因，有什么办法解决呢？谢谢。图中的畸变还不算厉害，但强电电压上去后，就很高了。
2016-06-23 08:25:22
STM32芯片3.3vIO口如何驱动MOS管电路？
2022-02-28 07:50:04
的驱动电路。ZG2233高端的工作电压可达600V,低端Vcc的电源电压范围宽8V〜20V,静态电流约300uAo该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN
2021-06-30 11:26:30
ZG6248是一款高性价比的带SD此功能的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输 入处理电路、死区时控制电路、欠压保护、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无^电机
2021-06-30 11:17:09
，虽然PMOS可以很方便的用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是用NMOS。MOS开关管损失不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样点电流就会
2015-12-21 15:35:48
极接Vcc的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS可以很方便的用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是用NMOS。 MOS开关管损失 不管是NMOS还是
2016-12-26 21:27:50
最近的项目打算使用MOS管高端驱动IC芯片，目前选型是IR2117，由于平时硬件涉及不多，有个疑惑希望大家帮忙解答！MOS管驱动IC是不是只能工作在PWM模式下？如果被控MOS管长时间处于打开
2020-12-13 21:28:35
导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。3，MOS开关管损失 不管是
2020-09-08 23:04:34
关于MOS的高端驱动和低端驱动
2020-12-09 09:54:08
有两个MOS管串联，起到双向导通截止作用，左右两边是电池和电源。驱动用tlp250这样可以吗，如果可以，那电池电源和驱动的电源需要隔离还是共地也可以。
2017-11-08 16:07:52
1.直接驱动 电阻R1的作用是限流和抑制寄生振荡，一般为10ohm到100ohm,R2是为关断时提供放电回路的;稳压二极管D1和D2是保护MOS管的门]极和源极;二极管D3是加速MOS的关断
2018-11-16 11:43:43
急求，哪位大神有MOS管的驱动电路，我要用TPC8058弄一个大电流的开关电路，有资料的话分享一下谢谢
2018-01-31 08:47:00
@[TOC]驱动一个MOS管1 如何驱动一个MOS管1.1 推挽电路直接上菜，这就是大名鼎鼎的推挽电路了，学过单片机的小伙伴们是不是很熟悉，没错就是IO口内部的推挽电路，也叫图腾柱电路，古代部落对于
2022-02-28 13:41:37
如下图，采用单片机他激方式驱动雾化片，有时驱动MOS管会很烫，有什么方式实现软开关驱动，并且频率随时调整或者通过自激振荡谐振在陶瓷片的谐振频率上，求高手回答！ 一定要软开关驱动，保证MOS管不烫。
2019-04-09 09:18:12
，用低端电压和PWM驱动高端MOS管。2，用小幅度的PWM信号驱动高gate电压需求的MOS管。3，gate电压的峰值限制4，输入和输出的电流限制5，通过使用合适的电阻，可以达到很低的功耗。6，PWM
2019-05-28 08:30:00
一般认为MOSFET是电压驱动的，不需要驱动电流。然而，在MOS的G S两级之间有结电容存在，这个电容会让驱动MOS变的不那么简单。如果不考虑纹波和EMI等要求的话，MOS管开关速度越快越好，因为
2019-04-29 08:00:00
怎样去计算MOS管栅极的驱动电流呢？如何对MOS管的驱动波形进行测试呢？
2021-09-28 07:36:15
贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。 3、MOS管开关管损失 不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导
2018-10-18 18:15:23
的。 MOS管导通特性 导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。 NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适用于源极接地的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到4V或10V就可以了。 PMOS的特性
2018-12-03 14:43:36
有做过无刷电机驱动的小伙伴吗？驱动mos管发热严重求解决方法
2018-07-21 16:41:17
PMOS可以很方便的用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是用NMOS。MOS开关管损失不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样点电流就会在这个电阻上
2019-02-22 10:46:45
`大家好，我在做一个简单的低端驱动，使用mos管驱动电磁阀，电路及参数如下图，mos管G极信号是0-12V。现在的问题是当mos管打开时，DS两端电压会逐渐上升，至6v左右，下图中黄线为控制信号，紫线为DS电压。请问这种现象是什么原因呢?`
2015-02-06 20:32:21
（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS管可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电
2018-10-26 14:32:12
，实际上MOS管并联多了容易引起走线很长，分布电感电容加大，对于高频电路工作产生不利的影响。下面以4颗为例说明MOS管的应用。并联的一般电路图如下 上图中，R1-4为栅极驱动电阻，每个MOS管都由独立
2018-11-28 12:08:27
（1)直接驱动 电阻R1的作用是限流和抑制寄生振荡，一般为10ohm到100ohm,R2是为关断时提供放电回路的;稳压二极管D1和D2是保护MOS管的门]极和源极;二极管D3是加速MOS的关断
2018-12-24 14:39:02
`做了一个无刷直流电机驱动板，但是现在MOS管发热太严（MOS管型号CSD18540）。测试波形如下图。想问一下有没有大佬知道怎么解决散热问题？（增加散热片没什么效果）`
2020-03-26 16:46:00
如图 5所示高端MOS管的驱动，经常会采用变压器驱动，有时为了满足安全隔离也使用变压器驱动。其中R1目的是抑制PCB板上寄生的电感与C1形成LC振荡，C1的目的是隔开直流，通过交流，同时也能防止磁芯
2018-10-22 15:45:25
驱动)。但是，虽然PMOS可以很方便的用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是用NMOS。MOS开关管损失不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样
2017-08-15 21:05:01
PMOS可以很方便的用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是用NMOS。MOS开关管损失不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样点电流就会
2017-12-05 09:32:00
： Vl和Vh分别是低端和高端的电源，两个电压可以是相同的，但是Vl不应该超过Vh。 Q1和Q2组成了一个反置的图腾柱，用来实现隔离，同时确保两只驱动管Q3和Q4不会同时导通。 R2和R3提供了PWM
2019-01-09 13:49:26
通常是没有的。 2、MOS管导通特性 导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。 NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到4V或10V就可以了
2018-11-27 13:44:26
Rg具体会影响到那些参数？我个人的理解是①这个电阻对MOS管的开关频率有关，决定了对mos管的输入输出电容的充放电时间②匹配集成驱动的驱动能力，电阻越到，集成驱动所需的最大驱动电流也就越小。大家有什么看法，请教一下
2017-06-05 11:28:22
小弟最近用2104和59n25搭了一个单桥电机驱动（用于pwm调速），现在用12v电源供电，一切正常，但这个电路最终要应用在12到50v之间（给MOS管驱动电机的电压），查阅2104手册，发现
2014-11-25 21:25:51
MOS管的驱动对其工作效果起着决定性的作用。在设计时既要考虑减少开关损耗，又要求驱动波形较好即振荡小、过冲小、EMI小。这两方面往往是互相矛盾的，需要寻求一个平衡点，即驱动电路的优化设计，请问该如何进行优化呢？可以通过哪些措施来优化？
2019-02-14 09:44:37
ncp81074a这个mos管的驱动看不太懂，为啥珊级要加两个电阻，OUTL和OUTH不是是驱动两个mos管吗？只用一个电阻不行吗？
2020-08-10 10:34:51
好处，就是栅源极间电容上的电荷泄放时电流不经过电源IC，提高了可靠性。四、驱动电路加速MOS管关断时间图5 隔离驱动为了满足如图5所示高端MOS管的驱动，经常会采用变压器驱动，有时为了满足安全隔离也
2019-09-25 07:30:00
MOS管开关电路学习过模拟电路的人都知道三极管是流控流器件，也就是由基极电流控制集电极与发射极之间的电流；而MOS管是压控流器件，也就是由栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流。选择NMOS or PMOS？在选择这两种MOS管之前，需要弄清两个问题：1.高端驱动 2.低端驱动...
2021-10-29 08:16:03
作者：姜维老师（张飞实战电子高级工程师）Mos管驱动有多种方式，有专用驱动芯片驱动，也有用其他的器件搭建的驱动，下面就讲解下目前比较流行的几种驱动方式。最简单的方式就是电源管理芯片直接驱动，电源芯片
2021-06-28 16:44:51
高端MOS管栅极驱动技术研究_余海生
2017-01-07 21:39:44
12 问题。 【问题分析】 上图为典型的半桥自举驱动电路，由于寄生电感的存在，在高端MOS关闭后，低端MOS的体二极管钳位之前，寄生电感通过低端二极管进行续流，导致VS端产生负压，且负压的大小与寄生电感与成正比关系。该负压会把驱动的电位拉到负电位，
2017-11-15 14:31:120 MOS管相比三极管来讲，具有更低的导通内阻，在驱动大功率的负载时，发热量就会小很多。MOS管的驱动与三极管有一个比较大的区别，MOS管是电压驱动型的元件，如果驱动电压达不到要求，MOS就会不完全导通，内阻变大而造成过热。
2020-06-26 17:03:0073269 
满足输出要求，而很多现成的MOS驱动IC，似乎也没有包含gate电压限制的结构。 于是我设计了一个相对通用的电路来满足这三种需求。 电路图如下： 图1 用于NMOS的驱动电路 图2 用于PMOS的驱动电路 这里我只针对NMOS驱动电路做一个简单分析： Vl和Vh分别是低端
2020-12-30 14:44:0224418 
LTC1157：3.3V双微功耗高端/低端MOSFET驱动器数据表
2021-05-20 20:13:345 设计MOS管的驱动电路需要考虑电路的稳定性、可靠性、功耗以及电路的动态特性等因素。下面将详细介绍一种常见的MOS管驱动电路方案，包括驱动器的选择、电源设计、输入信号的处理等方面。 驱动器的选择
2023-12-20 14:33:33311 氮化镓（GaN）MOS管是一种新型的功率器件，它具有高电压、高开关速度和低导通电阻等优点，逐渐被广泛应用于功率电子领域。为了充分发挥氮化镓MOS管的优势，合理的驱动方法是至关重要的。本文将介绍氮化
2024-01-10 09:29:02412
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