MJD系列现已上市，涵盖2 – 8 A和45 – 100 V，且增强了Nexperia的功率产品组合。
2021-07-29 14:13:36
3898 
80V，8A PNP高功率双极晶体管 DPAK3
2023-03-29 21:43:27
`NPN中功率晶体管系列，采用表面贴装器件（SMD）塑料封装，具有大电流，高功耗，出色的导热性和导电性等优势。n具有中等功率能力的无铅超小型SMD塑料封装（SOT1061）。符合AEC-Q101
2020-03-11 17:20:01
的典型结构，其结构和符号如图1所示。这种结构的优点是结面积较大，电流分布均匀，易于提高耐压和耗散热量；缺点是电流增益较低，一般约为10~20g。图1、功率晶体管结构及符号图2、达林顿GTR结构(a
2018-01-15 11:59:52
的典型结构，其结构和符号如图1所示。这种结构的优点是结面积较大，电流分布均匀，易于提高耐压和耗散热量；缺点是电流增益较低，一般约为10~20g。图1、功率晶体管结构及符号图2、达林顿GTR结构(a
2018-01-25 11:27:53
如果平衡电阻与发射极串联，则双极晶体管（BJT）可以并联连接。随着温度的升高，BJT通常会变得更具导电性。以下MMBT2222A数据表中的示例显示了该器件的典型增益如何随温度在允许的工作范围内变化而
2018-10-26 14:45:42
:dodo1999@vip.163.com双极晶体管阵列 (BJT)DMMT5401-7晶体管, PNP, 最大直流集电极电流 200 mA, SOT-26封装, 300 MHz, 6引脚规格 TRANS
2020-02-25 11:39:26
: ID例：开关双极晶体管2SD2673时的波形(100µs/div)由于随后要计算开关时的功率损耗，所以要确认OFF→ON时和ON→OFF时的扩大波形。2. 是否一直满足绝对最大额定值？确认绝对最大
2019-04-15 06:20:06
，发射极E接红表笔；PNP管的集电极C接红表笔，发射极E接黑表笔。正常时，锗材料的小功率晶体管和中功率晶体管的电阻值一般大于10Kω（用R×100档测，电阻值大于2kΩ），锗大功率晶体管的电阻值为1.5k
2012-04-26 17:06:32
供应晶圆芯片，型号有： 可控硅， 中、大功率晶体管，13000系列晶体管，达林顿晶体管，高频小信号晶体管，开关二极管，肖特基二极管，稳压二极管等。有意都请联系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
标准化的产物。4. 按形状分类根据功率及安装形态，决定了晶体管的外形大小和形状。大体分为引脚型和表面安装型。
2019-04-10 06:20:24
。 Si晶体管的分类 Si晶体管的分类根据不同分类角度，有几种不同的分类方法。在这里，从结构和工艺方面粗略地分类如下。其中，本篇的主题“功率类”加粗/涂色表示。 双极晶体管和MOSFET中，分功率型
2020-06-09 07:34:33
之一。关键要点:・本章中选取功率晶体管中的双极、MOSFET、IGBT进行了介绍。・介绍双极晶体管、MOSFET、IGBT的基本特征。＜ 相关产品信息 ＞Si晶体管双极晶体管MOSFETIGBT
2018-11-28 14:29:28
100V到700V，应有尽有．几年前，晶体管的开关能力还小于10kW。目前，它已能控制高达数百千瓦的功率。这主要归功于物理学家、技术人员和电路设计人员的共同努力，改进了功率晶体管的性能。如(1)开关晶体管
2018-10-25 16:01:51
发展。正因为它如此地丰富了人们的生活，就其贡献度而言，作为发明者的3位物理学家--肖克莱博士、巴丁博士和布菜顿博士，当之无愧地获得了诺贝尔奖。恐怕今后的发明都难以与晶体管的发明相提并论。总之，晶体管为
2019-05-05 00:52:40
彩色电视机中使用的行输出管属于高反压大功率晶体管，其最高反向电压应大于或等于1200V，耗散功率应大于或等于50W，最大集电极电流应大于或等于3.5A（大屏幕彩色电视机行输出管的耗散功率应大于或等于60W
2012-01-28 11:27:38
您好，为了模拟ADS软件中基于双极晶体管的电路，我们将基板与发射器连接，还是允许空气？谢谢 以上来自于谷歌翻译 以下为原文hello,to simulate a circuit based
2018-12-18 16:11:14
电子，雷达和微波应用生产全系列AM晶体管。 这些AM晶体管最初由Microwave Semiconductor Corp.和S.T.制造。 ASI的AM晶体管覆盖60 MHz至3.0 GHz的范围，功率
2018-07-17 15:08:03
AP1684 Ac / Dc，高Pf，高效率LED驱动器控制器的典型应用。 AP1684是一款高性能AC / DC功率因数校正LED驱动器控制器，可驱动高压双极晶体管。该器件采用脉冲频率调制（PFM
2019-10-18 08:46:36
脉冲功率。 在没有外部调谐的情况下，所有设备都在宽带RF测试夹具中100％屏蔽了大信号RF参数。硅双极匹配50欧姆210W输出功率经过100％大功率射频测试C级操作IB0607S10功率晶体管
2021-04-01 10:07:29
500W的峰值脉冲功率。 该双极晶体管利用金金属化系统来实现最大的可靠性。 发射极镇流电阻集成在有源电池中，可实现最佳的热分布和最大的可靠性。 所有设备都针对大信号RF参数进行了100％筛选。硅双极
2021-04-01 09:41:49
500W的峰值脉冲功率。 该双极晶体管利用金金属化系统来实现最大的可靠性。 发射极镇流电阻集成在有源电池中，可实现最佳的热分布和最大的可靠性。 所有设备都针对大信号RF参数进行了100％筛选。硅双极
2021-04-01 10:29:42
至少800W的峰值脉冲功率。 该双极晶体管利用金金属化系统来实现最大的可靠性。 发射极镇流电阻集成在有源电池中，可实现最佳的热分布和最大的可靠性。 所有设备都针对大信号RF参数进行了100％筛选。硅双
2021-04-01 10:11:46
`产品型号：IB3042-5产品名称：晶体管Integra于1997年由一些企业工程师发起，他们相信他们可以为新一代雷达系统设计人员提供创新的高性能RF功率晶体管解决方案。我们推向市场的款产品是采用
2019-04-15 15:12:37
什么是IGBT(绝缘栅双极晶体管)？IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母缩写，也被称作绝缘栅双极晶体管。IGBT被归类为功率
2019-05-06 05:00:17
什么是IGBT(绝缘栅双极晶体管)？IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母缩写，也被称作绝缘栅双极晶体管。IGBT被归类为功率
2019-03-27 06:20:04
基于SiC HEMT技术的GaN输出功率> 250W预匹配的输入阻抗极高的效率-高达80％在100ms，10％占空比脉冲条件下进行了100％RF测试IGN0450M250功率晶体管
2021-04-01 10:35:32
、通讯、网络、雷达、工业、科研、以及医疗领域。我们的全镀金制造工艺确保了产品的高性能和长期可靠性。我们的双极晶体管旨在为用户严苛的应用提供可靠的解决方案。射频功率晶体管 - 硅MOSFETMACOM公司
2017-08-14 14:41:32
双极晶体管MAPRST0912-50产品特性NPN硅微波功率晶体管金金属化系统扩散Emitter Ballasting Resistor高效数字化几何宽带C类操作共基极结构符合RoHS标准的密封金属
2018-08-09 09:57:23
MRF1004MB硅双极晶体管产品介绍MRF1004MB报价MRF1004MB代理MRF1004MB咨询热线MRF1004MB现货,王先生15989509955 深圳市首质诚科技有限公司
2018-08-09 10:01:09
)耦合器/ADI放大器数模转换器陀螺仪产品型号：MRF317产品名称：硅双极晶体管MRF317产品特性保证性能在150兆赫，28伏直流电：输出功率＝100瓦，最小增益＝9分贝高可靠性应用的金金属化系统
2018-08-07 17:02:08
(IPP)耦合器/ADI放大器数模转换器陀螺仪产品型号：MRF321产品名称：硅双极晶体管MRF321产品特性保证性能在400兆赫，28伏直流电：输出功率＝10瓦，功率增益＝12分贝min.，效率＝50
2018-08-08 11:12:43
/ADI放大器数模转换器陀螺仪产品型号：MRF327产品名称：硅双极晶体管MRF327产品特性保证性能@ 400兆赫，28伏直流电：输出功率＝80瓦以上225至400兆赫频段，最小增益＝7.3分贝@ 400
2018-08-08 11:22:49
MRF422硅双极晶体管产品介绍MRF422报价MRF422代理MRF422MRF422现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司MRF422主要用于高功率线性放大器的设计，从2到30 MHz优势产品
2018-10-09 12:10:05
众所周知，像硅双极晶体管等一些晶体管能够在其中一些半导体单元因短路或负载失配等原因损坏时继续工作。因此，将一个器件定义为“耐用晶体管”可能没有清晰的界限。对硅LDMOS晶体管的耐用性测试通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
TIM8996-30 功率晶体管产品介绍TIM8996-30报价TIM8996-30代理TIM8996-30咨询热线TIM8996-30现货,王先生深圳市首质诚科技有限公司 TIM8996-30东芝
2018-07-25 15:39:20
的切换速度可达100GHz以上。双极晶体管 双极晶体管（bipolar transistor）指在音频电路中使用得非常普遍的一种晶体管。双极则源于电流系在两种半导体材料中流过的关系。双极晶体管根据
2010-08-13 11:36:51
）
场效应晶体管
因此，这是理想的，因为它们不会干扰它们所连接的原始电路功率元件。它们不会导致电源负载下降。FET 的缺点是它们无法提供与双极晶体管相同的放大效果。
双极晶体管的优势在于它们提供了更大的放大能力
2023-08-02 12:26:53
（IGBT）绝缘栅双极晶体管结合了巨型晶体管GTR和功率MOSFET的优点。它具有良好的性能和广泛的应用。IGBT也是三端器件：栅极、集电极和发射极。晶体管的主要参数晶体管的主要参数包括电流放大因数
2023-02-03 09:36:05
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2019-08-22 08:14:59
更高的功率耗散，因为输出晶体管不能饱和。在更高的频率下，更大的相移也是可能的，这可能会导致负反馈下的不稳定。 达林顿晶体管原理图通常描绘了在单个大圆圈内连接在一起的一对晶体管元件。互补达林顿或
2023-02-16 18:19:11
PNP晶体管在哪里使用？放大电路采用PNP晶体管。达林顿对电路采用PNP晶体管。机器人应用利用了PNP晶体管。PNP 晶体管用于控制大功率应用中的电流。如何控制PNP晶体管？首先，为了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
晶体管开关对电子产品至关重要。了解晶体管开关，从其工作区域到更高级的特性和配置。 晶体管开关对于低直流开/关开关的电子设备至关重要，其中晶体管在其截止或饱和状态下工作。一些电子设备（如 LED
2023-02-20 16:35:09
绝缘栅双极晶体管（IGBT）有哪些应用呢？如何去实现绝缘栅双极晶体管（IGBT）的电磁兼容设计呢？
2022-01-14 07:02:41
什么是微波功率晶体管？如何提高微波功率晶体管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
适当的输入电流和集电极电压条件。NPN或PNP双极晶体管的正确偏置点通常位于两个极端运行之间，这是因为其直流负载线是“全开”或“全关”。该中心工作点称为“静态工作点”，简称Q点。当双极晶体管偏置时，Q点
2020-11-12 09:18:21
安全使用晶体管，请务必作为参考。判定前：晶体管的选定～贴装的流程1. 晶体管的选定从Web、Shortform产品目录上选定满足规格要求的晶体管。晶体管产品页2. 规格∙样品的获取部分样品可从网上申请
2019-05-05 09:27:01
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2019-08-22 06:13:27
晶体管依照用途大致分为高频与低频，它们在型号上的大致区别是什么？例如《晶体管电路设计》中列举的：高频（2SA****，2SC*****）、低频（2SB****，2SD****）。现在产品设计中最常用的型号是哪些？
2017-10-11 23:53:40
异质结双极晶体管
2012-08-20 08:57:47
DTA/C系列为例，构成数字晶体管的个别晶体管能流过100mA电流。用IC=100mA定义。个别晶体管连接电阻R1、R2，则成为数字晶体管。此数字晶体管流过IC=100mA时，基极电流IB需要相对
2019-04-22 05:39:52
判断为不合格。正确观点A：首先为了启动数字晶体管，加入足够的输入电压Vin(如10V)B：渐渐降低电压，到规格书规定的3V时停止。因仍保持ON状态，故该产品为合格。C：如果继续降低基极电压，不能完全保持
2019-04-09 21:49:36
标准化的产物。4. 按形状分类根据功率及安装形态，决定了晶体管的外形大小和形状。大体分为引脚型和表面安装型。
2019-05-05 01:31:57
本文讨论了商用氮化镓功率晶体管与Si SJMOS和SiC MOS晶体管相比在软开关LLC谐振转换器方面的优势。介绍随着更高功率、更小尺寸和更高效率的明显趋势，高频 LLC 谐振转换器是业内隔离式
2023-02-27 09:37:29
求购双极晶体管BD249C，NPN，30个，要求现货。2-4天能到北京
2019-07-23 05:27:32
的高可靠性，EPC 公司已经宣布了其新的 EPC7019 eGaN 抗辐射功率晶体管器件。EGaN 晶体管采用钝化模具形式，图像由 EPC 提供新产品利用 GaN 白光栅材料实现高电子迁移率和低温系数。该
2022-06-15 11:43:25
栅双极晶体管（IGBT）实现此类拓扑。本文中，我们将重点介绍直接驱动GaN晶体管的优点，包括更低的开关损耗、更佳的压摆率控制和改进的器件保护。
2020-10-27 06:43:42
。因而同时具备了MOS管、GTR的优点。二．绝缘栅双极晶体管(IGBT)的特点：这种器件的特点是集MOSFET与GTR的优点于一身。输入阻抗高，速度快，热稳定性好。通态电压低，耐压高，电流大。它
2009-05-12 20:44:23
绝缘栅双极晶体管基础IGBT结构及工作原理IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率
2009-05-24 16:43:05
绝缘栅双极晶体管晶体管的发展1947年的圣诞前某一天，贝尔实验室中，布拉顿平稳地用刀片在三角形金箔上划了一道细痕，恰到好处地将顶角一分为二，分别接上导线，随即准确地压进锗晶体表面的选定部位。电流表
2012-08-02 23:55:11
，典型能效为55%,P1dB输出功率为700瓦，增益为16dB,并具备低热阻特性。 新晶体管的推出使得英飞凌如今可为1200 MHz~1400 MHz系统应用提供一系列射频功率晶体管，额定输出功率分别为
2018-11-29 11:38:26
绝缘栅双极晶体管（IGBT)
基础知识绝缘栅双极晶体管（Insulated-gate Bipolar Transistor——IGBT）GTR和MOSFET复合，结合二者的优点1986年投
2009-04-14 22:13:396003 
绝缘栅双极晶体管IGBT又叫绝缘栅双极型晶体管。
一．绝缘栅双极晶
2009-05-12 20:42:001282 
绝缘栅双极晶体管原理、特点及参数
绝缘栅双极晶体管IGBT又叫绝缘栅双极型晶体管。
2009-10-06 22:56:595421 
绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）综合了电力晶体管（Giant Transistor—GTR）和电力场效应晶体管（Power MOSFET）的优点，具有
2009-11-05 11:40:14604
双极晶体管
2009-11-07 10:44:021352 异质结双极晶体管,异质结双极晶体管是什么意思
异质结双极晶体管（Hetero-junction Bipolar Transistor,简称HBT)基区(base)异质结SiGe外延(图1)：其原理是在基
2010-03-05 10:56:554866 双极晶体管,双极晶体管是什么意思
双极晶体管
双极型晶体管内部电流由两种载流子形成，它是利用电流来控制。场效应管是电压控制器
2010-03-05 11:48:465920 功率双极晶体管的损耗是开关电源总损耗中的最多的器件之一， 采用10M eV电子辐照来降低功率双极晶体管的下降延时， 以此来降低功率双极晶体管的关断损耗。在一个典型的充电器开关电源中， 85 V 交流
2019-09-15 04:36:001810 
本文将介绍双极型晶体管的基本结构。双极晶体管是双极型结型晶体管（BJT）的简称，在电力半导体中，也称作大功率晶体管（GTR），在现代电力电子变换器中大多已经被MOSFET或者IGBT所代替。了解双极晶体管有助于深入理解现代功率器件的结构。
2018-03-05 16:12:1422939 
总部位于荷兰的分立和 MOSFET 器件及模拟与逻辑 IC领域的专家Nexperia公司今日推出一款全新高质量、高可靠性的MJD 3 A 和 8 A 功率汽车双极晶体管（符合 AEC-Q101 标准
2019-12-03 09:32:352721 本期介绍：本期ROHM君想与大家一同学习绝缘栅双极晶体管——IGBT，认识其原理及其应用。IGBT是一种功率开关晶体管，它结合了MOSFET和BJT的优点，用于电源和电机控制电路 该绝缘栅双极晶体管
2022-12-08 16:01:261314 100 V、6 A PNP 大功率双极晶体管-MJD42C-Q
2023-02-16 20:10:15
0 100 V、3 A NPN 大功率双极晶体管-MJD31CH-Q
2023-02-16 20:20:410 50 V、2 A NPN 大功率双极晶体管-MJD2873-Q
2023-02-16 20:21:310 45 V、4 A NPN 大功率双极晶体管-MJD148-Q
2023-02-16 20:21:420 100 V、6 A NPN 大功率双极晶体管-MJD41C-Q
2023-02-16 20:21:580 100 V、6 A PNP 大功率双极晶体管-MJD42C
2023-02-16 20:29:070 100 V、6 A NPN 大功率双极晶体管-MJD41C
2023-02-16 20:29:210 50 V、2 A NPN 大功率双极晶体管-MJD2873
2023-02-16 20:44:110 45 V、4 A NPN 大功率双极晶体管-MJD148
2023-02-16 20:44:240 80 V、8 A PNP 大功率双极晶体管-MJD45H11A
2023-02-17 18:41:420 100 V、3 A PNP 大功率双极晶体管-MJD32CA
2023-02-17 19:10:300 100 V、3 A NPN 大功率双极晶体管-MJD31CA
2023-02-17 19:10:430 100 V、3 A NPN 大功率双极晶体管-MJD31C
2023-02-17 19:30:101 100 V、3 A PNP 大功率双极晶体管-MJD32C
2023-02-20 19:35:381 80 V、8 A PNP 大功率双极晶体管-MJD45H11
2023-02-20 19:37:390 80 V、8 A NPN 大功率双极晶体管-MJD44H11A
2023-02-20 19:37:500 80 V、8 A NPN 大功率双极晶体管-MJD44H11
2023-02-20 19:38:021 60 V、1 A PNP 功率双极晶体管-BCX52T_SER
2023-02-20 19:41:260 Nexperia | 为什么使用双极性晶体管驱动功率LED？
2023-05-24 12:15:48341 
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