文本介绍了用光子连接悬浮在真空中的纳米粒子，并控制它们之间的相互作用的实验。这展示了一种在宏观尺度上....
与正光刻胶相比，电子束负光刻胶会形成相反的图案。基于聚合物的负型光刻胶会在聚合物链之间产生键或交联。....
干涉图是光学实验中常见的现象，它反映了光波相互叠加形成的干涉条纹，展现了光的波动性质。
沟道通孔（Channel Hole）指的是从顶层到底层垂直于晶圆表面，穿过多层存储单元的细长孔洞。
超构表面是近年来出现一种新型的光学器件，也被称为超构器件。
在MEMS工艺中，常用的退火方法，如高温炉管退火和快速热退火（RTP）。RTP (Rapid The....
2D NAND和3D NAND都是非易失性存储技术（NVM Non-VolatileMemory），....
本文从光刻图案设计、特征尺寸、电镜参数优化等方面介绍电子束光刻的参数优化，最后介绍了一些常见问题。
光的“颜色”通常通过作为波长 λ 函数的功率或强度分布来识别。可见光的波长范围为约 400 nm 至....
本文简单介绍了两种常用的SOI晶圆——FD-SOI与PD-SOI。
栅（Gate）是一种控制元件，通常用于场效应晶体管（FET）中，比如金属-氧化物-半导体场效应晶体管....
芯片藏身于城市中随处可见的电子设备，智能手机、电脑、家电等都离不开它的控制。
CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor， 互补金属....
激光的原理早在 1916 年已经由著名物理学家爱因斯坦（Albert Einstein）的受激辐射理....
在19世纪末期，消费类产品包括照明、加热、电话和电报等一些简单的电路。但是无线电的发明和对于能够整流....
当光学粗糙表面被扩展的激光束照射时，形成的图像是斑点图案（亮斑和暗斑）。噪声对相位展开过程产生了灾难....
氮化镓（GaN）基材料被称为第三代半导体，其光谱范围覆盖了近红外、可见光和紫外全波段，在光电子学领域....
在SPICE模拟器中有几十种标准的半导体器件模型，例如，用于GaN器件的最新ASM-HEMT模型有近....
PLC广泛应用于工业自动化控制系统中，包括机床控制、流水线控制、机器人控制、电力系统控制等领域。PL....
光刻胶不能太厚或太薄，需要按制程需求来定。比如对于需要长时间蚀刻以形成深孔的应用场景，较厚的光刻胶层....
电子束光刻（e-beam lithography，EBL）是无掩膜光刻的一种，它利用波长极短的聚焦电....
巴比涅原理，也译作巴俾涅原理，指在点光源照射下，一个不透光物体产生的衍射图样和一个带有与该物体....
在MEMS某些器件设计中，常常需要用到可调电阻，在板级电路上可以通过电位器对贴片电阻进行调阻，但在芯....
双频激光干涉仪是在单频激光干涉仪的基础上发展的一种外差式干涉仪。
相对于块体材料，膜一般为二维材料。薄膜和厚膜从字面上区分，主要是厚度。薄膜一般厚度为5nm至2.5μ....
在外加电场作用下折射率发生变化，从而使通过晶体的一束激光分解为两束偏振方向相互垂直的偏振光，并产生一....
人工破碎就是工人用碳化钨锤多晶硅棒进行锤击达到粉碎的目的。碳化钨的硬度仅次于钻石，能够保持锋利的边缘....
霍尔效应在普通的导体中是线性的，即霍尔电阻和磁场强度成正比。但是，在一些特殊的材料中，当磁场很强时，....
在电磁波谱中，近红外光(NIR)的波长在700—1400 nm之间，只要功率密度控制在每平方厘米毫瓦....
影响深硅刻蚀的关键参数有：气体流量、上电极功率、下电极功率、腔体压力和冷却器。
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