宽禁带半导体技术创新联盟

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半导体一些英文术语你了解吗?半导体一些术语的中英文对照

半导体产业作为一个起源于国外的技术,很多相关的技术术语都是用英文表述。且由于很多从业者都有海外经历,....

的头像 宽禁带半导体技术创新联盟 发表于 07-15 11:23 353次 阅读
半导体一些英文术语你了解吗?半导体一些术语的中英文对照

MOS管的构造,工作原理,特性,电压极性和符号规则的详细资料概述

随着社会的进步和发展,MOS管在电子行业的应用越来越广泛,萨科微电子SLKOR作为能够研发生产碳化硅....

的头像 宽禁带半导体技术创新联盟 发表于 07-15 11:19 341次 阅读
MOS管的构造,工作原理,特性,电压极性和符号规则的详细资料概述

SiC器件中SiC材料的物性和特征,功率器件的特征,SiC MOSFET特征概述

SiC(碳化硅)是一种由Si(硅)和C(碳)构成的化合物半导体材料。SiC临界击穿场强是Si的10倍....

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SiC器件中SiC材料的物性和特征,功率器件的特征,SiC MOSFET特征概述

一种具有极高导热性的半导体材料砷化硼

为了测量砷化硼晶体的导热系数,伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校的研究小组采用了一种称为“时域热反射”(T....

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一种具有极高导热性的半导体材料砷化硼

半导体存储器产品战略性崛起

这样的行情让存储器巨头获得大丰收。也正因如此,英特尔占据20多年的半导体头名桂冠被三星夺走。其销售额....

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半导体存储器产品战略性崛起

什么是IEGT呢?这得从上个世纪末说起

屈兴国告诉半导体行业观察记者,东芝IEGT单管目前可以实现4.5KV和3KA的功率,再加上简易的串联....

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什么是IEGT呢?这得从上个世纪末说起

中国半导体发展的三个机会

虽然早前的“中兴事件”让大众对中国半导体产业有了深刻的反思,但我们不能否认的是,经过几代人的努力,中....

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中国半导体发展的三个机会

半导体新发现:氮化镓晶体缺陷的罪魁祸首

随着硅基半导体达到其性能极限,氮化镓(GaN)正成为推动发光二极管(LED)技术、高频晶体管和光伏器....

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半导体新发现:氮化镓晶体缺陷的罪魁祸首

GaAs太阳能电池的简述,主要特点及主要应用及市场情况

砷化镓(GaAs)材料在无线通信、光传输、消费电子(如3D人脸识别)和太阳能电池等领域获得广泛应用。....

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GaAs太阳能电池的简述,主要特点及主要应用及市场情况

耶鲁大学研究的新型硅激光器的技术核心与未来前景

美国耶鲁大学研发出一种使用声波放大光信号的新型硅激光器,该进展可显著扩展在硅光电电路中对光的控制能力....

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耶鲁大学研究的新型硅激光器的技术核心与未来前景

IGBT的结构与工作原理详解

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管是....

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IGBT的结构与工作原理详解

深度剖析真实的中国芯片产业

总体来说,中国军用电子元器件国产化率比较高,但还有20%左右需要进口,其中大部分通过特殊渠道是比较容....

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深度剖析真实的中国芯片产业

浙大研制新型存储器:面积缩小几十分之一

基于可工业化生产的半导体集成电路制造工艺的工作,或将大幅提高数据交换速度,为降低网络芯片制造成本提供....

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浙大研制新型存储器:面积缩小几十分之一

安森美半导体发布汽车应用碳化硅(SiC)二极管

2018年6月5日 —推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor,美国纳斯达克....

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安森美半导体发布汽车应用碳化硅(SiC)二极管

高校是人工智能科技创新的重要策源地,高校人工智能现状如何?

高校作为人才培养基地,是人工智能科技创新的重要策源地。当下高校人工智能现状如何,领域内的定位何在,未....

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高校是人工智能科技创新的重要策源地,高校人工智能现状如何?

高频驱动,有利于外围元器件的小型化

在PWM逆变器驱动时的损耗仿真中,与同等额定电流的IGBT模块相比,相同开关频率的损耗在5kHz时减....

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高频驱动,有利于外围元器件的小型化

Custom MMIC公司推出多款超低噪声放大器

IGNP0912L1KW是一款用于L波段航空电子系统的50ΩGaN / SiC射频功率模块,可在0.....

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Custom MMIC公司推出多款超低噪声放大器

半导体产业即将连续3 年创下设备支出新高纪录

2018 年中国设备支出预期将增加65%,2019 年将再成长57%,但值得注意的是,2018 和2....

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半导体产业即将连续3 年创下设备支出新高纪录

适用于大功率动力马达逆变器的IGBT模块

本文介绍了一种新开发的IGBT模块,适用于纯电动汽车(EV)和混动汽车(HEV)大功率动力马达逆变器....

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适用于大功率动力马达逆变器的IGBT模块

氮化镓系统公司推出100W和300W无线功率放大器

两款功率放大器都具有一系列特性,包括电流或电压控制、内置保护电路、EMI滤波和可配置输出功率等。两款....

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氮化镓系统公司推出100W和300W无线功率放大器

观集成硅光子学在设计、开发和制造中遇到的瓶颈问题

在电子和光子聚集在一起的地方出现了另一系列问题。Mentor公司的Cone说:“当你驱动一个光子接口....

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观集成硅光子学在设计、开发和制造中遇到的瓶颈问题

SiC和GaN功率半导体在混合动力和电动汽车的主传动系逆变器中的应用

SiC电力电子器件主要包括功率二极管和三极管(晶体管、开关管)。SiC功率器件可使电力电子系统的功率....

的头像 宽禁带半导体技术创新联盟 发表于 06-05 17:21 896次 阅读
SiC和GaN功率半导体在混合动力和电动汽车的主传动系逆变器中的应用

集成电路设计行业市场容量及发展前景

集成电路产品依其功能,主要可分为模拟芯片(Analog IC)、存储器芯片(Memory IC)、微....

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集成电路设计行业市场容量及发展前景

核心技术和关键零部件必须自主研发

尽管中兴被美国制裁只是近期才成为舆情热点,事件其实可以追溯到6年前。2012年中兴未经授权向伊朗出口....

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核心技术和关键零部件必须自主研发

在硅衬底砷化镓量子点激光器中电泵激1.3μm砷化铟的材料生长工艺

研究人员将n型衬底作为分子束外延固体源(图1)。首先将腔室加热至950℃进行5分钟的基底退火,然后通....

的头像 宽禁带半导体技术创新联盟 发表于 05-23 16:51 724次 阅读
在硅衬底砷化镓量子点激光器中电泵激1.3μm砷化铟的材料生长工艺

石墨烯光转换机制的理解方面取得了突破性进展

在Science Advances上发表的论文中,研究团队就石墨烯吸收光之后在某些情况下电导率上升而....

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石墨烯光转换机制的理解方面取得了突破性进展

全球第三代半导体电力电子产业格局呈现美国、欧洲、日本三足鼎立态势

随着技术进步,半导体照明的应用领域不断拓宽,市场规模不断增长。据美国产业研究机构Strategies....

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全球第三代半导体电力电子产业格局呈现美国、欧洲、日本三足鼎立态势

氮化镓GaN功率元件产业逐步发展

2016年氮化镓(GaN)功率元件产业规模约为1,200万美元,研究机构Yole Développe....

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氮化镓GaN功率元件产业逐步发展

研究“德国制造”高质量发展之路,为“中国制造”转型镜鉴

科研创新是“德国制造”的核心发动机。德国非常重视技术创新、研发与需求的紧密结合,曾出现许多耳熟能详的....

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研究“德国制造”高质量发展之路,为“中国制造”转型镜鉴

国产IGBT,任重而道远!

48V系统将迅速推动市场,市调机构Yole Développement(Yole)预测2017~20....

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国产IGBT,任重而道远!