声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
集成电路
+关注
关注
5320文章
10713浏览量
353271
发布评论请先 登录
相关推荐
碳化硅压敏电阻 - 氧化锌 MOV
碳化硅圆盘压敏电阻 |碳化硅棒和管压敏电阻 | MOV / 氧化锌 (ZnO) 压敏电阻 |带引线的碳化硅压敏电阻 | 硅金属陶瓷复合电阻器 |ZnO 块压敏电阻 关于EAK碳化硅压敏
发表于 03-08 08:37
河南第一块8英寸碳化硅SiC单晶出炉!
平煤神马集团碳化硅半导体粉体验证线传来喜讯——实验室成功生长出河南省第一块8英寸碳化硅单晶,全面验证了中宜创芯公司碳化硅半导体粉体在长晶方面的独特优势。
碳化硅降本关键:晶体制备技术
%。 成本占比较高的原因,主要是碳化硅单晶材料的制备难度较大。硅由于存在液体形态,所以可以通过垂直拉伸来形成晶棒,但碳化硅本身属于化合物,无法直接熔融结晶成为晶体。换个说法就是碳化硅在常压下没有液体形态,只有气态和固态,达到
三种碳化硅外延生长炉的差异
碳化硅衬底有诸多缺陷无法直接加工,需要在其上经过外延工艺生长出特定单晶薄膜才能制作芯片晶圆,这层薄膜便是外延层。几乎所有的碳化硅器件均在外延材料上实现,高质量的碳化硅同质外延材料是
烁科晶体:向世界一流的碳化硅材料供应商不断迈进
第三代半导体碳化硅材料生产及研究开发企业作为中国电科集团的“12大创新平台之一,山西烁科晶体有限公司聚焦碳化硅单晶衬底领域,已成为国内实现碳化硅衬底材料供应链自主创新的供应商之一。
关于对碳化硅误解的描述
碳化硅晶圆是晶体通过切割,粗磨,精磨,粗抛,精抛等工艺加工成型的单晶晶圆。由于其硬度和脆性,需要投入更多的能量、更高的温度和更多的精力来加工和结晶。因此,生产碳化硅晶圆的成本是同等级硅晶圆成本的3倍。
发表于 09-22 11:26
•176次阅读
车用碳化硅功率模块的产业化发展趋势
当前,全球碳化硅产业格局呈现美、欧、日三足鼎立态势,碳化硅材料七成以上来自美国公司,欧洲拥有完整的碳化硅衬底、外延、器件以及应用产业链,日本
发表于 08-15 10:07
•274次阅读
碳化硅功率模组有哪些
碳化硅功率模组有哪些 碳化硅功率器件系列研报深受众多专业读者喜爱,本期为番外篇,前五期主要介绍了碳化硅功率器件产业链的上中下游,本篇将深入了解碳化硅
发表于 05-31 09:43
•414次阅读
SiC碳化硅单晶的生长原理
碳化硅单晶衬底材料(Silicon Carbide Single Crystal Substrate Materials,以下简称SiC衬底)也是晶体材料的一种,属于宽禁带半导体材料,具有耐高压、耐高温、高频、低损耗等优势,是制备大功率电力电子器件以及微波射频器件的基础性材料。
评论