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芯片“自组装”何时能走向商用?

芯智讯 2019-07-22 17:37 次阅读

在半导体领域,“摩尔定律”可谓是无人不知、无人不晓。可以说在过去几十年,半导体产业在摩尔定律的推动下高速发展。但是现在,随着晶体管缩放尺寸逐渐逼近物理极限,半导体工艺制程的推进也越来越困难,“摩尔定律”已死的声音也开始不绝于耳。不过,即便如此,科学界也依然希望通过一些新的技术来继续推动摩尔定律的前进。

“摩尔定律”已死?

摩尔定律是由英特尔创始人之一的戈登·摩尔(Gordon Moore)于半个世纪前提出来的。其内容为,“当价格不变时,集成电路上可容纳的晶体管的数目,约每隔18-24个月便会增加一倍。”

自摩尔定律提出之后的几十年,整个半导体产业也确实按着摩尔定律在持续快速的前进,但是自28nm之后,摩尔定律便开始呈放缓态势,其所带来的经济效益也开始降低。

虽然去年上半年台积电的7nm工艺已经量产,而且5nm也已经在路上,接下来3nm甚至是1nm或许仍然还有路可以走,但是这毫无疑问将会更加的困难。

而更为令人悲观的是,虽然随着工艺的提升,晶体管密度还可以进一步增加,但是能够带来的性能提升或功耗的降低却越来越少。比如从28nm到16nm,面积缩小了40%,速度提高了30%-40%,但是如果选择提升速度,那么功耗就没法降低多少。而在28nm之前,每一代制程工艺的升级,功耗都能够降一半多,面积降一半多,速度提升一倍多。但现在,这样的好事情已经一去不复返了。

除此之外,随着工艺制程从10nm向7nm、5nm、3nm、1nm的继续演进,所需要付出的代价也更具高昂。摩尔定律所带来的经济效益(即在价格不变的情况下,每两年性能提升一倍甚至更多)也将会不复存在。

此前,国外Semiengingeering网站曾发布过一篇工艺和芯片开发费用的文章。文中指出28nm节点的芯片开发成本为5130万美元;16nm节点则需要1亿美元;7nm节点需要2.97亿美元;5nm节点,开发芯片的费用将达到5.42亿美元;由于3nm还处于最初期的开发阶段,所以其开发成本至今还难以确定,3nm的开发费用有可能超过10亿美元。

此外,先进的晶圆厂建设同样需要大量的现金支持,以采用最新的设备来提升工艺制程,这将进一步拉高芯片的制造成本。比如7nm之后的5nm就必须要用到最新的EUV极紫外光刻技术,而目前全世界仅有ASML可以供应EUV光刻机,而且一台EUV光刻机的售价就高达1亿多美元。

显然,随着制程工艺的不断逼近物理极限,不仅在技术实现上越来越困难,所需要的设备越来越复杂,而且芯片开发成本也急剧增长,如果芯片厂商没有足够的实力,芯片出货没有足够的出货量,将很难承担高昂的成本。

全新的“自组装”技术

在“摩尔定律”的推进越来越困难,甚至“摩尔定律”已死声音越来越多的当下,包括英特尔在内的众多半导体企业也纷纷寄希望于通过“内核架构创新”(比如采用非冯·诺伊曼系统架构)、芯片工艺由原来的2D转向2.5D/3D堆叠、自旋电子、神经元计算、量子计算等方法来继续推进“摩尔定律”的经济效益。

对于以上的这些新技术可能大家或多或少都有了解和接触过,而在去年在德国举办的TED演讲当中,来自美国的研究人员Karl Skjonnemand为延续“摩尔定律”提出了一种全新的思路,即利用“分子工程和模拟自然的方法”来实现晶体管的“自组装”(self-directed assembly),从而极大的降低半导体制造的成本。

▲根据资料显示Karl Skjonnemand目前是美国的一家专注于未来的芯片制造开发所需先进的纳米材料公司的技术总监,他拥有20年亚太、欧洲和美国项目管理经验。

而在介绍“晶体管自组装”技术之前,我们有必要先来了解下,传统的半导体制造工艺流程。

那么相对于传统的半导体制造工艺,所谓的晶体管的“自组装”技术又有何优势呢?

Karl Skjonnemand认为,在传统的芯片当中,晶体管的微型结构特征有非常多都是重复的,是一种高度周期性的结构。因此,他想在替代技术中利用这种周期性,他想采用自组装材料,自然的组建周期性结构,来构建晶体管,让这些材料来完成精图案的制作,而不是试图在已经越来越困难的图案投射技术上突破。

自组装原理在大自然中随处可见,比如我们的脂质膜到细胞结构,再到DNA能够复制,并且一代代的遗传下去,就是一种自然组装技术。因此,Karl Skjonnemand认为,自组装技术可以应用到芯片制造当中。

他介绍了一种名为“嵌段共聚物”(block copolymer)的自组装材料(一种有机半导体)——由两条长度只有几十纳米的聚合物链条,但是这些聚合物链彼此排斥。可以将它们强制组合在一起,在系统中创造一种“嵌入式窘组”。而一块不大的材料,可包含几十亿这样的聚合物链,相似的化合物粘结在一起,同时互斥的化合物则会相互分离。这些化合物四处移动,直到变成一个特定的形状。

Karl Skjonnemand表示,天然的自组装形状是纳米级的,有规律和周期性,还很长,这就是我们在晶体管排列中所需要的,重要的是,它们能够提供比传统晶体管蚀刻更为精细的细节。

所以我们可以利用分子工程来设计不同的尺寸和不同的形状,以及不同周期性的不同形状,比如说,我们选择一种对称分子,他的两条聚合物链长度相似,则自然的自组装结构就是长的曲线形,像指纹一样,指纹线的宽度和间距,不仅取决于聚合物链的长度,还取决于系统内部窘组的级别。

我们还可以创造更复杂的结构,如果我们使用非对称分子,其中一条聚合物链显著短于另外一条。在这种情况下,短链就会在中间形成一个牢固的球,被包裹在更长的相互排斥的聚合物链当中,形成一个自然的圆柱体。这个圆柱体的尺寸,及圆柱体之间的距离和周期性,取决于我们选择的聚合物链的长度以及内嵌窘组的水平。

换句话说,利用分子工程,可以获得自组装的纳米结构。这些结构可以是线形的,圆柱形的,同时也符合我们设计的周期性。我们利用化学工程来制造晶体管所需的纳米级特征,但是具备了自组装这些结构的能力,只解决的一半的问题,因为还需要排列这些结构,使得晶体管可以形成电路

对于这个问题,Karl Skjonnemand表示,可以使用宽导向结构来固定自组装结构。将他们锚定到位,使得剩余的自组装结构可以平行排列,从而与我们的导向结构保持一致。比如我们想做一个精细的40nm长的线形,对于传统的投射技术是非常困难的。我们可以先制作一个120nm的导向结构,使用普通的投射技术,这个结构将会把3个40nm长的线形排列在一起。使得这些材料可以自动的进行最复杂的精细复写。

不过,这其中依然有着其他的挑战,比如,整个系统都需要完美的排列。因为结构中任何微小的缺陷都会导致晶体管的失效。所以需要利用化学清洗的方法来消除纳米级别的最小失误。

“自组装”何时能走向商用?

其实,在Karl Skjonnemand之前,已经有很多的科研机构尝试将自组装技术应用于半导体芯片制造,并且近几年也取得了一些突破。

早在2012年,比利时的微电子研究中心(IMEC)就在自己的工厂里安装了世界上的首个自组装生产线。在那里,科学家改进材料和设计,减少自组装结构的误差。

此外,纽约州立大学也在阿尔巴尼(Albany)的纳米尺度工程中心(Center for Nanoscale Engineering)里运营着一条自组装的生产线。

在2014年的Semicon West半导体行业会议上,IMEC的流程技术研发副总裁安·斯特更(An Steegen)就曾表示,自组装技术看起来可以作为极紫外光刻法的替代方法,延长现有光刻法的寿命。IMEC现在可以用自组装技术设计出和英特尔最新的芯片相似的结构,尺度可小至14纳米。斯特更当时表示,自组装技术有望替代EUV技术。

纽约州立大学纳米尺度工程中心纳米工程副教授克里斯托弗·波斯特(Christopher Borst)在Semicon Westl论坛上也曾表示,其生产线现在可以可靠地产生重复的线条和鳍状结构,可以精细到18nm。“我们制造了一些让人印象深刻的结构,”波斯特说。“这种方法在材料和制造能力上已经没问题了。”

2016年初,美国国家标准与技术研究所(NIST)与IBM的研究人员开发了一种沟槽(trenching)技术,能被用以通过定向自组装来打造半导体芯片。显然,这种沟槽技术与前面Karl Skjonnemand介绍的用于打造自组装半导体芯片所需的“导向结构”作用类似。

在2017年,来自麻省理工学院和芝加哥大学的一群研究人员就宣布声称已经找到了一种方法,可以开发出更窄的线宽,并可望能应用在标准的大规模经济型生产设备中,而这种方法就是利用了“自组装”技术。

麻省理工学院的副教务长兼化学工程教授Karen Gleason表示,现在,先进的芯片工艺通常需要非常昂贵的极紫外光(EUV)光学技术,或是通过扫描芯片表面的电子束或离子束建立逐行扫描影像,这些方法都过于缓慢且昂贵。

麻省理工学院的研究人员提出的方案是,首先使用目前已被大量采用的光刻技术,用于在芯片表面上产生线路图案。而后使用“嵌段共聚物”的材料层,会自然地分离到交替的层或是其他通过旋涂溶液形成的可预测图案。嵌段共聚物是由两种不同高分子聚合物形成的链状分子。

“两个嵌段的尺寸可确定在沉积时将自行组装的周期层尺寸或其他图案。而后一个保护性的聚合物层会被放置在嵌段聚合物上,通过化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)的方式完成这一过程。这个过程是一大关键,它对嵌段聚合物的自组装造成约束,迫使其形成垂直层而非水平层,底层的光刻图案将引导这些层的定位,但共聚物会自然地导致其宽度要比基线的宽度更小。同时由于顶部聚合物层还能图案化,因而该系统可用于建立更加复杂的图案,如微芯片的互连。”

麻省理工研究人员表示,目前大多数芯片都使用现有的光刻技术,CVD本身很容易理解,因此实施新技术会更加简单。不需要改动设备,使用的也都是熟悉的材料。

而在2018年,香港中文大学化学系缪谦教授研究团队发明了具有独特自组装结构的有机半导体材料,设计合成了带有不同功能基团的六苯并苝衍生物,并在其晶体结构中发现了一种罕见的分子堆积方式。这些六苯并苝衍生物具有扭曲的共轭骨架,在晶体中形成独特的砖砌结构,保持基本相同的二维π-π堆积模式而不受各种功能基团的影响。同时,缪谦教授研究团队还在此基础上结合有机薄膜晶体管与微流管道成功制备了高选择性、高灵敏度的化学和生物传感器

▲六苯并苝衍生物的堆积模式

通过上图,我们可以看到该有机半导体的堆积模式具有高度一致的周期性结构,而每个结构的长宽均不到2nm。

当然,从目前来看,利用“自组装”技术来打造半导体芯片仍处于实验室或者试验生产阶段,要想走向大规模商用还需要解决一些问题,比如前面Karl Skjonnemand提到的需要解决“结构中任何微小的缺陷”,此外,还需要有一套对应的开发工具来便于芯片设计公司利用自组装技术和材料来进行开发。

不过,相对于传统的半导体制程技术来说,“自组装”技术确实将有助于继续推动芯片制造工艺的提升,同时极大的降低先进芯片制造的成本。

“通过自组装材料,继续扩展计算和数字革命。这可能是分子制造新时代的曙光。”Karl Skjonnemand说到。

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原文标题:芯片制造行业的新方向:“自组装”技术解析

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我国第一款基于嵌入式的人工智能视觉芯片

搜狗智能录音笔 C1采用Nordic的nRF52810 SoC

Nordic Semiconductor宣布总部位于北京的高科技企业搜狗公司选择使用Nordic的n....
的头像 每日经济新闻 发表于 08-13 15:53 199次 阅读
搜狗智能录音笔 C1采用Nordic的nRF52810 SoC

韩国决定将日本从“白名单”中清出,开始在中国寻求替代厂家

据韩国新闻8月12日报道,韩国政府决定将日本从本国“白名单”中清出,将于9月生效。新加坡媒体报道称,....
的头像 三星半导体互动平台 发表于 08-13 14:41 334次 阅读
韩国决定将日本从“白名单”中清出,开始在中国寻求替代厂家

开元通信推出滤波器品牌“矽力豹”

这是国内芯片厂商在5G BAW滤波器的首次突破。
的头像 国科环宇 发表于 08-13 11:06 377次 阅读
开元通信推出滤波器品牌“矽力豹”

Global Foundries 12nm工艺的3D封装安谋芯片面世

对于3D封装技术,英特尔去年宣布了其对3D芯片堆叠的研究,AMD也谈到了在其芯片上叠加3D DRAM....
的头像 电子工程技术 发表于 08-13 10:27 377次 阅读
Global Foundries 12nm工艺的3D封装安谋芯片面世

格罗方德半导体联合安谋开展3D堆栈芯片开发

互联网GF的12LP工艺上的Arm互连技术可实现高性能和低延迟,同时为AI,云计算和移动SoC中的多....
的头像 电子工程技术 发表于 08-13 10:12 238次 阅读
格罗方德半导体联合安谋开展3D堆栈芯片开发

华为任正非最新电邮:过去为了赚点小钱,现在要战胜美国

任正非在讲话中表示,华为终端业务“油箱”被打爆(芯片是发动机,生态是油箱),还来不及建立起生态,可能....
的头像 章鹰 发表于 08-13 09:59 2179次 阅读
华为任正非最新电邮:过去为了赚点小钱,现在要战胜美国

数字电源到底适合什么?

芯片公司对数字电源的定义是五花八门。
的头像 电子工程技术 发表于 08-12 17:16 299次 阅读
数字电源到底适合什么?

国产研发嵌入式单芯片运动控制器问世

高性能工业机器人作为核心装备,一直被国外品牌垄断,而运动控制器的自主可控一直是国产机器人领域的一大痛....
发表于 08-12 17:02 86次 阅读
国产研发嵌入式单芯片运动控制器问世

格芯新开发出基于ARM架构的3D高密度测试芯片 成熟稳定性优于7纳米制程芯片

格芯指出,新开发出基于ARM架构的3D高密度测试芯片,是采用格芯的12纳米FinFET制程所制造,采....
的头像 半导体动态 发表于 08-12 16:36 350次 阅读
格芯新开发出基于ARM架构的3D高密度测试芯片 成熟稳定性优于7纳米制程芯片

FPF2895C 限流负载开关含OVP和TRCB 28 V 5 A.

2895C具有28 V和5A额定电流限制电源开关,提供过流保护(OCP),过压保护(OVP)和真正反向电流模块(TRCB)来保护系统。具有典型值为27mΩ的低导通电阻,WL-CSP可在4 V至22 V的输入电压范围内工作.FPF2895C支持±10%的电流限制精度,500 mA至2 A的过流范围和± 5%的限流精度,2 A至5 A的过流范围,可选择的OVP,可选择的ON极性和可选的OCP行为等灵活操作,可根据系统要求进行优化。 FPF2895C可用于一个24焊球,1.67 mm x 2.60 mm晶圆级芯片级封装(WL-CSP),间距为0.4 mm。“ 特性 28V / 5A能力 宽输入电压范围:4V~22V 超低导通电阻 Typ。在5V和25°C时为27mΩ 外部RSET的可调电流限制: - 500 mA~5 A 带OV1和OV2逻辑输入的可选OVLO: - 5.95 V±50 mV - 10 V±100 mV - 16.8 V±300 mV - 23 V±460 mV 可选ON极性 可选择的过流行为: - 自动重启模式 - 当前来源模式 真实反向当前阻止 热关机 应用 终端产品 带OVP的USB Vbus电源开关和OCP整合 笔记本 平板电脑 PAD 监视器 ...
发表于 07-31 14:02 4次 阅读
FPF2895C 限流负载开关含OVP和TRCB 28 V 5 A.

FPF2290 过压保护负载开关

0具有低R ON 内部FET,工作电压范围为2.5 V至23 V.内部钳位电路能够分流±100 V的浪涌电压,保护下游元件并增强系统的稳健性。 FPF2290具有过压保护功能,可在输入电压超过OVP阈值时关断内部FET。 OVP阈值可通过逻辑选择引脚(OV1和OV2)选择。过温保护还可在130°C(典型值)下关断器件。 FPF2290采用完全“绿色”兼容的1.3mm×1.8mm晶圆级芯片级封装(WLCSP),带有背面层压板。 特性 电涌保护 带OV1和OV2逻辑输入的可选过压保护(OVP) 过温保护(OTP) 超低导通电阻,33mΩ 终端产品 移动 便携式媒体播放器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 13:02 4次 阅读
FPF2290 过压保护负载开关

FTL75939 可配置负载开关和复位定时器

39既可作为重置移动设备的计时器,又可作为先进负载管理器件,用于需要高度集成解决方案的应用。若移动设备关闭,保持/ SR0低电平(通过按下开启键)2.3 s±20%能够开启PMIC。作为一个重置计时器,FTL11639有一个输入和一个固定延迟输出。断开PMIC与电池电源的连接400 ms±20%可生成7.5 s±20%的固定延迟。然后负荷开关再次打开,重新连接电池与PMIC,从而让PMIC按电源顺序进入。连接一个外部电阻到DELAY_ADJ引脚,可以自定义重置延迟。 特性 出厂已编程重置延迟:7.5 s 出厂已编程重置脉冲:400 ms 工厂自定义的导通时间:2.3 s 出厂自定义关断延迟:7.3 s 通过一个外部电阻实现可调重置延迟(任选) 低I CCT 节省与低压芯片接口的功率 关闭引脚关闭负载开关,从而在发送和保存过程中保持电池电荷。准备使用右侧输出 输入电压工作范围:1.2 V至5.5 V 过压保护:允许输入引脚> V BAT 典型R ON :21mΩ(典型值)(V BAT = 4.5 V时) 压摆率/浪涌控制,t R :2.7 ms(典型值) 3.8 A /4.5 A最大连续电流(JEDEC ...
发表于 07-31 13:02 8次 阅读
FTL75939 可配置负载开关和复位定时器

NCV8774 LDO稳压器 350 mA 低Iq

4是一款350 mA LDO稳压器。其坚固性使NCV8774可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至18μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8774包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V和3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压高达Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 NCV汽车前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流18μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和ESR稳定性值 确保任何类型的输出电容的稳定性。 车身控制模块 仪器和群集 乘员...
发表于 07-30 19:02 4次 阅读
NCV8774 LDO稳压器 350 mA 低Iq

NCV8674 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq

4是一款精密5.0 V或12 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态电流。 输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和12 V输出电压选项,输出精度为2.0%,在整个温度范围内 非常适合监控新的微处理器和通信节点 40 I OUT = 100 A时的最大静态电流 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 350 mV时600 mV最大压差电压电流 在低输入电压下维持输出电压调节。 5.5 V至45 V的宽输入电压工作范围 维持甚至duri的监管ng load dump 内部故障保护 -42 V反向电压短路/过流热过载 节省成本和空间,因为不需要外部设备 AEC-Q100合格 满足汽车资格要求 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 18:02 6次 阅读
NCV8674 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq

NCV8664C LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

4C是一款精密3.3 V和5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现22μA的典型静态电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反向,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664C与NCV4264,NCV4264-2,NCV4264-2C引脚和功能兼容,当需要较低的静态电流时可以替换这些器件。 特性 优势 最大30μA静态电流100μA负载 符合新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 极低压降600 mV(最大值)150 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部元件来实现保护。 5.0 V和3.3V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100 1级合格且PPAP能力 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 信息娱乐,无线电 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 18:02 10次 阅读
NCV8664C LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

NCV8660B LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

0B是一款精密极低Iq低压差稳压器。典型的静态电流低至28μA,非常适合需要低负载静态电流的汽车应用。复位和延迟时间选择等集成控制功能使其成为微处理器供电的理想选择。它具有5.0 V或3.3 V的固定输出电压,可在±2%至150 mA负载电流范围内调节。 特性 优势 固定输出电压为5 V或3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压,最高VBAT = 40 V 维持稳压电压装载转储。 输出电流高达150 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 延迟时间选择 为微处理器选择提供灵活性。 重置输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车网站和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为28 uA的低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100uA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 在空载条件下稳定 将系统静态电流保持在最低限度。...
发表于 07-30 18:02 6次 阅读
NCV8660B LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

5是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态接地电流。 NCV8665的引脚与NCV8675和NCV4275引脚兼容,当输出电流较低且需要非常低的静态电流时,它可以替代这些器件。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mv。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V固定输出电压,输出电压精度为2%(3.3 V和2.5 V可根据要求提供) 能够提供最新的微处理器 最大40 A静态电流,负载为100uA 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 17:02 7次 阅读
NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

NCV8664 LDO稳压器 150 mA 低Iq

4是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现典型的22μA静态接地电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV 。 内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664的引脚和功能与NCV4264和NCV4264-2兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代这些部件。 特性 优势 负载100μA时最大30μA静态电流 会见新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 极低压降电压 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3V固定输出电压,2%输出电压精度 AEC-Q100合格 汽车 应用 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 信息娱乐,无线电 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 17:02 4次 阅读
NCV8664 LDO稳压器 150 mA 低Iq

NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

5是一款精密5.0 V和3.3 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现34μA的典型静态接地电流。 内部保护免受输入瞬态,输入电源反转,输出过流故障和芯片温度过高的影响。无需外部元件即可实现这些功能。 NCV8675引脚与NCV4275引脚兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代该器件。对于D 2 PAK-5封装,输出电压精确到±2.0%,对于DPAK-5封装,输出电压精确到±2.5%,在满额定负载电流下,最大压差为600 mV。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%或2.5% 能够提供最新的微处理器 负载为100uA时最大34uA静态电流 满足100uA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来实现保护。 AEC-Q100 Qualifie d 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 16:02 2次 阅读
NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

NCV4264-2 LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

4-2功能和引脚与NCV4264引脚兼容,具有更低的静态电流消耗。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μA 处于待机模式时可以节省电池寿命。 保护: - 42 V反向电压保护短路保护热过载保护 无需外部元件在任何汽车应用中都需要保护。 极低压差 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100合格 应用 终端产品 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 4次 阅读
NCV4264-2 LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

NCV4264 LDO稳压器 100 mA 高PSRR

4是一款宽输入范围,精密固定输出,低压差集成稳压器,满载电流额定值为100 mA。输出电压精确到±2.0%,在100 mA负载电流下最大压差为500 mV。 内部保护免受45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压和2.0%输出电压精度 严格的监管限制 非常低的辍学 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合汽车资格标准 应用 终端产品 车身与底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 6次 阅读
NCV4264 LDO稳压器 100 mA 高PSRR

NCV4264-2C LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

4-2C是一款低静态电流消耗LDO稳压器。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μ 在待机模式下节省电池寿命。 极低压降500 mV( max)100 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 故障保护: -42 V反向电压保护短路/过流保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%,在整个温度范围内 AEC-Q100合格 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 14次 阅读
NCV4264-2C LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

NCV8772 LDO稳压器 350 mA 低Iq

2是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8772可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至24μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 Enable功能可用于进一步降低关断模式下的静态电流至1μA。 NCV8772包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流24μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过...
发表于 07-30 12:02 13次 阅读
NCV8772 LDO稳压器 350 mA 低Iq

NCV8770 LDO稳压器 350 mA 低Iq

0是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8770可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至21μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8770包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为21μA的超低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和E...
发表于 07-30 12:02 4次 阅读
NCV8770 LDO稳压器 350 mA 低Iq

MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

0系列是一种线性稳压器和监控电路,包含许多基于微处理器的系统所需的监控功能。它专为设备和工业应用而设计,为设计人员提供了经济高效的解决方案,只需极少的外部组件。这些集成电路具有5.0 V / 100 mA稳压器,具有短路电流限制,固定输出2.6 V带隙基准,低电压复位比较器,带可编程迟滞的电源警告比较器,以及非专用比较器,非常适合微处理器线路同步。 其他功能包括用于低待机电流的芯片禁用输入和用于过温保护的内部热关断。 这些线性稳压器采用16引脚双列直插式热片封装,可提高导热性。 特性 5.0 V稳压器输出电流超过100 mA 内部短路电流限制 固定2.6 V参考 低压复位比较器 具有可编程迟滞的电源警告比较器 未提交的比较器 低待机当前 内部热关断保护 加热标签电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 06:02 4次 阅读
MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

80是一款用于移动电源应用的低静态电流PMIC。 PMIC包含一个降压,一个升压和四个低噪声LDO。 特性 晶圆级芯片级封装(WLCSP) 可编程输出电压 软启动(SS)浪涌电流限制 可编程启动/降压排序 中断报告的故障保护 低电流待机和关机模式 降压转换器:1.2A,VIN范围: 2.5V至5.5V,VOUT范围:0.6V至3.3V 升压转换器:1.0A,VIN范围:2.5V至5.5V,VOUT范围:3.0V至5.7V 四个LDO:300mA,VIN范围:1.9V至5.5V,VOUT范围:0.8V至3.3V 应用 终端产品 电池和USB供电设备 智能手机 平板电脑 小型相机模块 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 04:02 4次 阅读
FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

NCV5171 升压转换器 280 kHz 1.5 A 用于汽车

1 / 73产品是280 kHz / 560 kHz升压调节器,具有高效率,1.5 A集成开关。该器件可在2.7 V至30 V的宽输入电压范围内工作。该设计的灵活性使芯片可在大多数电源配置中运行,包括升压,反激,正激,反相和SEPIC。该IC采用电流模式架构,可实现出色的负载和线路调节,以及限制电流的实用方法。将高频操作与高度集成的稳压器电路相结合,可实现极其紧凑的电源解决方案。电路设计包括用于正电压调节的频率同步,关断和反馈控制等功能。这些器件与LT1372 / 1373引脚兼容,是CS5171和CS5173的汽车版本。 特性 内置过流保护 宽输入范围:2.7V至30V 高频允许小组件 最小外部组件 频率折返减少过流条件下的元件应力 带滞后的热关机 简易外部同步 集成电源开关:1.5A Guarnateed 引脚对引脚与LT1372 / 1373兼容 这些是无铅设备 用于汽车和其他应用需要站点和控制更改的ons CS5171和CS5173的汽车版本 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 00:02 2次 阅读
NCV5171 升压转换器 280 kHz 1.5 A 用于汽车

NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

是一款线性稳压器,能够提供450 mA输出电流。 NCP161器件旨在满足RF和模拟电路的要求,可提供低噪声,高PSRR,低静态电流和非常好的负载/线路瞬态。该器件设计用于1μF输入和1μF输出陶瓷电容。它有两种厚度的超小0.35P,0.65 mm x 0.65 mm芯片级封装(CSP),XDFN-4 0.65P,1 mm x 1 mm和TSOP5封装。 类似产品:
发表于 07-29 21:02 12次 阅读
NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5

是一款1 / 2.5英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为2592(H)x 1944(V)。它通过滚动快门读数捕获线性或高动态范围模式的图像,并包括复杂的相机功能,如分档,窗口以及视频和单帧模式。它专为低亮度和高动态范围性能而设计,具有线路交错T1 / T2读出功能,可在ISP芯片中支持片外HDR。 AR0521可以产生非常清晰,锐利的数字图像,并且能够捕获连续视频和单帧,使其成为安全应用的最佳选择。 特性 5 Mp为60 fps,具有出色的视频性能 小型光学格式(1 / 2.5英寸) 1440p 16:9模式视频 卓越的低光性能 2.2 m背面照明像素技术 支持线路交错T1 / T2读出以启用ISP芯片中的HDR处理 支持外部机械快门 片上锁相环(PLL)振荡器 集成颜色和镜头阴影校正 精确帧率控制的从属模式 数据接口:♦HiSPi(SLVS) - 4个车道♦MIPI CSI-2 - 4车道 自动黑电平校准 高速可配置上下文切换 温度传感器 快速模式兼容2线接口 应用 终端产品 视频监控 高动态范围成像 安全摄像头 行动相机 车载DVR 电路图、引脚图和封装...
发表于 07-29 16:02 41次 阅读
AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5