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2019中国芯片领域的顶级盛会已经集微半导体峰会在厦门圆满举办

MCA手机联盟 2019-07-21 08:57 次阅读

集微网消息,中国芯片领域的顶级盛会——2019集微半导体峰会在厦门圆满举办,本次峰会以“新起点、再起航”为主题,大会从18号到19号共持续2天。峰会共有400多位行业CEO、200多位投资机构合伙人莅临参会。周子学、丁文武、魏少军、蒋尚义、张延川、刁石京、赵海军、孟樸、郑力、陈大同、黄庆、潘建岳、孙玉望等中国半导体领域知名的专家学者、企业家、投资人出席了本次集微半导体峰会。

2019年集微半导体峰会举办了中国最高级别的“芯力量”投融资活动、第二届集微政策峰会、集微半导体峰会;同时,举办了清华校友会论坛、科大校友会论坛和西电校友会论坛,打造半导体圈最高级别的朋友圈及交流圈。此外,集微网联合各半导体产学研具代表性企业,共同发起成立“厦门‘一带一路'半导体知识产权联盟”,将植根海沧、立足厦门,辐射“一带一路”,为半导体产业和企业提供创新的知识产权运营、交易、成果转化,以及知识产权集中、金融、高价值专利组合培育、专利标准化和知识产权大数据等公共服务。

第一届集微半导体峰会于2017年横空出世,以“芯联产业,积微成著”为主题,150位行业CEO、200位操盘上万亿基金经理莅临助场地;同时,中国半导体投资联盟正式成立。此后,集微半导体峰会声名鹊起。2018第二届集微半导体峰会,以“产业资本风向标”为主题,350位行业CEO、139位投资机构合伙人出席;19个地方园区主政官激情碰撞,首届面向园区的政策峰会反响强烈。为此,集微半导体峰会名声大振。

今年集微半导体峰会同样受到业内人士的高度认可,今后集微网还将继续努力,持续打造中国集成电路产业最高端的行业峰会。

在19日的集微峰会上,刁石京、蒋尚义、王汇联等做了主题报告;同时,举行了5G、投资、射频AI四场论坛,以及封闭式的校友会。以下为19日集微峰会全天内容的要点:

中国半导体投资联盟秘书长  老杳

中国半导体投资联盟秘书长老杳出席会议并致辞。老杳表示,过去一年是惊心动魄的一年,中美贸易战大家都有感受,但其实还不止这些,如果说过去30年是欧美日韩产业向中国转移,那么未来30年是中国制造向海外转移,比如向印度、东南亚,甚至是墨西哥转移。

中美贸易战来了之后会加速各个产业的进程,这不是危言耸听。据统计,去年中国手机产量降低了8千万部,而印度增加了5千万部,去年印度手机产量超过两亿,而这个过程还在继续,也会给未来中国的产业带来非常大的挑战。

福建省委常委、厦门市委书记  胡昌升

福建省委常委、厦门市委书记胡昌升表示,厦门集成电路产业从无到有,从少到多,成功引进了一大批企业,初步形成了覆盖全产业链的产业集群,部分环节的生产能力已经达到国际一流水平。目前厦门市半导体和集成电路的产业聚集了400多家企业,去年产值417亿元,今年有望超过500亿元,产业规模也位居全国的前列。

胡昌升强调,厦门正在全面推动抓招商、促发展,大力扶持壮大高技术、高成长的高附加值的企业,集成电路产业是坚定不移的优先发展方向,厦门将以全球化的视野和格局,自主创新,不断优化提升产业生态系统,尽最大努力推动厦门的集成电路产业做强做大。

武汉东湖高新区管委会副主任  唐超

武汉东湖高新区管委会副主任唐超表示,早在十年前武汉东湖高新区投资了100亿元建立集成电路项目,以武汉新芯为起步,总投资300亿美元的国家存储器项目落地光谷,成为国之重器项目。如今,作为国家四大集成电路产业基地之一,武汉东湖高新区有一批具有全球竞争力的IC产业企业,形成以存储、光通信为特色的IC产业集群,并在新型显示领域聚集天马、华星光电等50多家企业。

国家集成电路产业投资基金总裁  丁文武

国家集成电路产业投资基金总裁丁文武表示,去年中国集成电路进口突破了3000亿美元,包括各种高端芯片以及设备和材料这样的短板。

中国电子信息产业主要分为制造业和软件业两个部分,去年制造业产值已经超过了10万亿元,软件业产值超过6万亿元,去年手机生产产量也超过了18亿,计算机产量超过了3亿,这些巨大的市场为产业发展提供了巨大的推动力。

最后他强调,产业发展要靠有拼搏精神的企业家,靠睿智投资的资本家,产融结合是非常好的一种方式。他建议,资本不仅仅要支持IC设计业,也要支持设备业和材料业等短板领域,还要支持CPUDSP等高端芯片这样的战略性领域。

紫光集团联席总裁  刁石京

紫光集团联席总裁刁石京表示,IC企业的发展要找到自己的定位,做好自己的事。

按照研究机构的预测,今年整个产业规模将会萎缩14%,给整个行业带来了新的挑战。作为IC企业,要在大的发展环境下寻找到自己的定位,做好自己的事。

这主要体现在四个方面:一是大力发展创新,二是做好知识产权保护,三是做好管理,四是合作将建设生态。

刁石京指出,目前我国设计企业有一半销售额是不到一千万,规模很小,而反观国际趋势和产业发展规律,随着产业的高度融合,国外设计企业都在趋于整合做大,提供更多的产品。

他强调,这并不是反对中小企业,而是要考虑如何做好产业协同,而不是大家都在做重复的劳动。“我们这么多企业在创业,做蓝牙,做WIFI,要做高端,但市场上这么多企业在竞争,大家可想而知最后的结果是什么。”刁石京说。

台积电前CTO、武汉弘芯半导体制造有限公司总经理兼CEO  蒋尚义

台积电前CTO、武汉弘芯半导体制造有限公司总经理兼CEO蒋尚义在演讲中表示,半导体产业环境在近两年产生了巨大的变化。

这主要体现在以下几个方面:一是摩尔定律的进展已接近物理极限;二是最先进硅工艺,只有极少数极大需求量产品才能用;三是封装和电路板技术进展相对落后,渐成系统性能的瓶颈;三是芯片多元化时代来临,市场将不再掌握在少数厂商。

因而,为应对上述技术和产业的变化,解决封装和电路板的瓶颈,应当通过集成系统来使芯片之间连接的紧密度和整体系统性能类似于单一芯片,从而使成本降低,效能增加。具体来说,就是依据不同系统,针对各单元的特殊需求,选择合适的单元经由先进封装和电路板技术重新整合称之为集成系统,这将是后摩尔时代的发展趋势。

最后,对于国内半导体产业的发展,蒋尚义给出了几点建议:一是建立三套完整的生态环境,分别针对高性能、低耗能、消费性产品等的需求;二是加速后摩尔时代的布局,开发集成系统的技术和建造所需的整体生态环境。

厦门半导体投资集团总经理  王汇联

厦门半导体投资集团总经理王汇联指出,中美贸易战以及当前风口浪尖上的华为事件,应该使中国半导体业界意识到,需要做好中美贸易战长期性的准备,即便关税谈判达成协议,但与美国战略竞争对手的格局不会变。

这次美国高强度的极限施压影响深远,无论何时结束、何种结局,必将影响全球半导体产业链、供应链的格局甚至重新洗牌。目前只是刚刚开始,长远看,会倒逼中国的半导体产业快速提速。

他建议,既要支持有条件的地区发展集成电路产业,也要坚决杜绝“招商引狼”的区域发展模式。人才方面,吸引最优秀人才进入半导体领域是可持续的关键,然而产业快速发展带来的人才紧缺更加凸显,相互恶意挖人现象增多,特别是新建项目,留住人才、培养人才已成为主要因素之一。

半导体不是一蹴而就,需要多年的持续积累、持续投入和坚持,建议加大深水区的改革力度,改善创新、创业环境,构建学术界、工业界双向流动渠道、机制。

上午举行的5G主题论坛环节,由中国通信学会副理事长兼秘书长张延川主持,与嘉宾探讨“5G给产业带来的机会与挑战”。

高通无线通信技术(中国)有限公司董事长孟樸表示,大带宽仍然是行业里最大的应用,从IT产业过去30年发展看,每一代通讯技术叠加的时候,都会带来很多机会,这其中手机扮演了重要的角色。

恩智浦全球资深副总裁兼大中华区总裁郑力表示,5G时代的到来,手机仅是众多智能终端之一,而在5G的第二阶段毫米波将会给产业带来更多机会。

华勤通讯技术有限公司董事长崔国鹏表示,预测后年中期左右,有可能能够把5G手机让客户终端售价达到150美金以内,也就是1000元人民币以内。

舜宇光学科技(集团)有限公司执行董事王文杰表示,5G跟工厂的结合会对数字化优化带来巨大的帮助。5G会提供很多的平台、通道,所以很多画面、数据都会非常及时地得到优化。

阿里云首席科学家丁险峰表示,5G带来2B业务的多元化,5G时代的到来不仅仅表现在云计算一个方面,5G是一个无处不在的技术。

在之后举行的半导体投资论坛上,众位嘉宾都表达了对中国半导体现状的看法。装备和材料是嘉宾们都认为差距较大的地方,高端芯片和EDA也是一大短板。同时,人才方面需要加强。除此之外,在软件方面也加大投入。

随着贸易摩擦长期化的情况,对行业的短期和长期影响也是嘉宾们非常关注的。嘉宾们都认为半导体行业是一个开放的行业,只有包容才能让行业协调发展。对于国内的半导体行业,短期内可能会带来一些损失,但是从长期看,是为我们敲响了警钟,会推动供应链本土化的进程。

半导体行业的发展需要政府的投入和指导。众位嘉宾纷纷表达了对政府的期望。“让政府做政府该做的事,市场做市场该做的事”是嘉宾们一致的观点。

元禾华创投委会主席陈大同表示,芯片业独立是一个成人礼,中国必须要过这一关。

中芯聚源总裁孙玉望指出,华为挺身而出,不光救了自己,为民族科技自立也打了一针强心剂。

通富微电子总裁石磊表示,创新体制下,要包容失败。

华登国际中国董事总经理黄庆指出,中国要做自己的事,一定会有自己的英特尔和谷歌。

国民技术董事长孙迎彤认为,股市上应该建立中国集成电路短板的产业国际版。

武岳峰创始合伙人潘建岳指出,中国芯片业要有自己的必杀神器,也要建立完整的产业。

中银律师事务所律师(前商务部反垄断局副处长)  张华薇

中国反垄断法于2008年8月1日开始正式施行。据张华薇介绍,中国反垄断法主要有四大部分内容,一是滥用市场支配地位;二是对横向和纵向限制竞争协议的规制;三是经营者集中反垄断审查--事先申报;四是行政性垄断。

此外,反不正当竞争法实际上在九十年代便已存在,而在2019年4月23日进行了最新修订。而不可靠实体清单针对的就比如像美国对中国华为的断供。

对于半导体企业未来的操作建议,张华薇表示,首先企业自查,系统梳理和上下游的供应合同和合作关系,寻找素材和寻求突破;其次,密切关注上下游、同行业的经营者集中(购买股权和资产、协议控制、设立合资、合营、产业联盟等),及时利用这些机会向手机联盟反映诉求或举报;最后,密切和手机联盟的沟通、反映情况,从而利用法律手段达到维护企业自身权益的效果和目的。

元禾华创董事总经理  陈智斌

元禾华创董事总经理陈智斌在演讲中表示,尽管外部资本环境得到很大的改善,有很强的财富效应,但是半导体投资难以获得很好回报的规律并没有得到本质的改变。

在2008年全球金融危机之后,整个全球的风险投资都处在一个低谷,在十年前能够坚持到现在做半导体投资的机构已经不多,一直坚持下来的只有最活跃的几家机构。陈智斌表示,现在资本市场经常讲半导体行业投资热,但跟主流的VC、主流的资本赛道相比,半导体领域的融资额还是小巫见大巫。

国内半导体投资主要是从2014年之后国务院出台了《国家集成电路产业发展推进纲要》和大基金的设立,带动第一波芯片投资热;2019年科创板开板,预计将会全面引爆半导体行业的风险投资,有可能会成为芯片投资热潮的元年。

陈智斌强调,在这个热点下,我们仍然需要有非常冷静的思考,这里面的投资更需要专业化的团队,大浪淘沙更需要专业化的慧眼;同时,在资本方面,效率不见得会很高,比如说电子产业链在新的国际贸易形式下,国内企业更愿意把国产芯片用起来,也给芯片公司提供机会从廉价的替代到提供高附加值的契机。

在下午举行的《5G国产射频芯片的挑战和机遇》圆桌讨论环节上,主持人小米产业投资部合伙人孙昌旭提出,目前中国国产射频芯片厂商基本都是在单点突破,每家找一个切入点,在5G时代到来时,如何克服产品单一的短板,如何弥补在单点突破、整体方案欠缺方面的问题?

广州慧智微电子有限公司CEO李阳表示,5G时代射频前端芯片集成度越来越高,各类芯片数量需求也大幅提升,在弱耦合领域,越来越多的厂商寻求合作伙伴。现阶段市场不会形成主平台完全整合射频芯片的情形,如果能做到比高通等国外厂商更有竞争力,独立射频厂商就还有市场机会。

北京中科汉天下电子技术有限公司总经理钱永学表示,现在国内手机品牌在全球市场已经极具竞争力,但是中美贸易冲突以来凸显了一个问题,就是如果国内供应链内有培育起来,对他们的影响更大。因此手机等终端厂商应该发挥大公司的责任,有意识地培育国内的供应链,也给予他们试错的机会。

开元通信技术(厦门)有限公司董事长贾斌表示,滤波器作为一个标准器件,到了5G时代,对数量、系统集成等方面都提出了更高要求,对公司综合技术能力带来了极大的挑战。

上海迦美信芯通讯技术有限公司董事长倪文海倪文海表示,5G对射频芯片的频率、功率、模式、频段、带宽复杂性等方面需求等大幅提升。射频芯片厂商可以集中精力把简单的、容易的产品先实现,一步一个脚印做好苦功,相信国内也能成长出很有竞争力的企业。

2019集微半导体峰会下午的圆桌论坛《AI的泡沫与现实》,由元禾华创执行合伙人刘越主持,共同探讨“AI的泡沫与现实”。

华米科技董事长黄汪认为,AI落地在于产品或芯片,比如华米推出带AI芯片的智能可穿戴产品,进行医疗检测。而且未来AI无处不在。华米需要芯片,但由于数据没法共享,这是面临的最大挑战。

福州瑞芯微电子有限公司董事长励民认为,现在AI泡沫有三个问题:一是没有专门的AI芯片,未来芯片都有AI功能;二是AI场景和数据与芯片有隔离;三是目前AI场景不多,一窝峰走政府项目,未来要走更多的场景落地。瑞芯微愿景并不是要做AI芯片的普及,而是致力于用科技改善生活,AI将只是CPU、GPU、NPU的部分功能。

芯原微电子(上海)股份有限公司董事长戴伟民表示,今年AI比前两年理性,这是一个过程。AI不同应用领域需要生态化,而智能家居和可穿戴产品将率先落地。

黑芝麻智能科技(上海)有限公司CEO单记章提到,每个细分行业最后可能剩下两三家,这两三家应该成为真正非常高价值的公司,因而长周期来看并不存在泡沫。AI开发难点是要有自己的核心技术和应用场景,需要成功整合。AI将改变生活,黑芝麻希望能推动智能加强早日落地。

地平线上海总经理吴征提到,安防、汽车等有很大市场机会,假以时日,会有机会的。自动驾驶需要克服商业、技术、法律等挑战,今年地平线将发布车规级AI处理器。希望上下游能合作共赢,促进落地。

原文标题:中国IC领域的顶级盛会——2019集微半导体峰会在厦门圆满举办

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贸泽电子今日宣布其荣获Bourns®公司颁发的2018年度最佳电子商务分销商荣誉,这也是贸泽第三次荣....
的头像 人间烟火123 发表于 08-21 16:24 142次 阅读
贸泽荣获Bourns颁发的2018年度最佳电子商务分销商荣誉

3D封装成半导体巨头发展重点 封装技术在台积电技术版图中的重要性已越来越突出

近日,全球第二大晶圆代工厂格芯(GlobalFoundries)宣布,采用12nm FinFET工艺....
的头像 半导体动态 发表于 08-21 16:22 229次 阅读
3D封装成半导体巨头发展重点 封装技术在台积电技术版图中的重要性已越来越突出

日本政府再次批准对韩国出口一批半导体工业材料

据新华社8月20日综合多家媒体报道,日本政府再次批准对韩国出口一批半导体工业材料。
的头像 半导体动态 发表于 08-21 16:17 127次 阅读
日本政府再次批准对韩国出口一批半导体工业材料

5G的到来导致4G的降速?

5G将至4G降速:是谣言还是真相?
的头像 陈翠 发表于 08-21 16:02 220次 阅读
5G的到来导致4G的降速?

海尔、华为、小米为代表的头部企业不断强化智能家居实力主导地位

华为进入智能家居领域虽晚,但推进速度不慢,2018年推出“百亿计划”加强物联网市场布局,2019年着....
的头像 倩倩 发表于 08-21 15:57 200次 阅读
海尔、华为、小米为代表的头部企业不断强化智能家居实力主导地位

WOIC互通币研发团队已成功与PBOC签署了项目落地协议书

据悉,在中国第三届互联网AI+区块链高峰论坛上,亚洲区块链研究院院长陈柏珲指出,在物联网行业本身是一....
的头像 倩倩 发表于 08-21 15:41 286次 阅读
WOIC互通币研发团队已成功与PBOC签署了项目落地协议书

服务型制造业已经成为了我国整个制造业产业发展的一大趋势

正如工信部一位负责人在书面讲话中所指出的那样,当今世界正面临着百年未有之大变局,中国经济正由高速增长....
发表于 08-21 15:19 21次 阅读
服务型制造业已经成为了我国整个制造业产业发展的一大趋势

感知:环境、视觉、触摸等感知方案一应俱全

通过智能传感器进行数据采集和通信,有助于实现数据分析、实时监控和预测性维护。但IoT边缘节点数众多,....
的头像 倩倩 发表于 08-21 15:15 842次 阅读
感知:环境、视觉、触摸等感知方案一应俱全

国产FPGA能否在5G通信商用圈分一杯羹

近日,中国首款5G商用手机在京东和苏宁正式开售,这也意味着国内5G商用正式拉开序幕,一场通信史上的重....
发表于 08-21 15:04 22次 阅读
国产FPGA能否在5G通信商用圈分一杯羹

半导体工艺技术的发展趋势是什么?

业界对哪种半导体工艺最适合某一给定应用存在着广泛的争论。虽然某种特殊工艺技术能更好地服务一些应用,但其它工艺技术也有很大...
发表于 08-20 08:01 32次 阅读
半导体工艺技术的发展趋势是什么?

模拟器件有什么应用领域?

回顾过去30年半导体产业的发展,在上世纪80年代的时候是以电脑作为主要的推动力,上世纪90年代是以通信产品为主,最近几年,消费...
发表于 08-19 07:20 25次 阅读
模拟器件有什么应用领域?

5G无线对多功能设备有什么要求?

氮化镓、MMIC、射频SoC以及光网络技术的并行发展共同助力提高设计和成本效率。 5G 的出现促使人们重新思考从半导体到基站...
发表于 08-16 07:57 121次 阅读
5G无线对多功能设备有什么要求?

铝电解电容器有什么缺点?

因其低成本的特点,铝电解电容器一直都是电源的常用选择。但是,它们寿命有限,且易受高温和低温极端条件的影响。铝电解电容器在...
发表于 08-14 06:41 39次 阅读
铝电解电容器有什么缺点?

隔离式偏压电源怎么实现?

C6 的电压相当于负载率 (duty factor) 乘以输入电压。和降压功率级一样,电感的伏秒 (voltage-second) 必须等于零。但此电路在电...
发表于 08-12 06:52 45次 阅读
隔离式偏压电源怎么实现?

一眼看透中国半导体行业的真实水平

自2018年4月“中兴事件”,2019年5月华为被列入美国“实体清单”以来,引发了全民对国产芯片越来越多的关注,国家也开始重视半导...
发表于 08-10 14:36 124次 阅读
一眼看透中国半导体行业的真实水平

半导体厂商和互联网巨头选择什么AI计算平台?

不同厂商有不同的应用场景,而适合构架和解决方案也各不相同,如云侧和端侧处理构架的设计导向差别较大。对于半导体领域,只要市...
发表于 08-09 07:40 71次 阅读
半导体厂商和互联网巨头选择什么AI计算平台?

65nm芯片设计出现的问题该怎么解决?

随着工艺技术向65nm以及更小尺寸的迈进,出现了两类关键的开发问题:待机功耗和开发成本。这两个问题在每一新的工艺节点上都非常...
发表于 08-07 07:17 71次 阅读
65nm芯片设计出现的问题该怎么解决?

基于精密技术的汽车安全保障

由于感测技术的数量之多,半导体容量在汽车中不断增加。在十年的时间里,传感器的数量在所有传感器类型中稳步增长。这种趋势可能...
发表于 08-06 04:45 104次 阅读
基于精密技术的汽车安全保障

如何设计包含西门子TC35i的GSM通信模块

  电源模块是整个电路的重要组成部分,直接关系到电路能否正常工作,我们首先确定输入的电压是经过稳压的+6V直流电源...
发表于 08-05 08:26 51次 阅读
如何设计包含西门子TC35i的GSM通信模块

LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

LM3xxLV系列包括单个LM321LV,双LM358LV和四个LM324LVoperational放大器或运算放大器。这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电压工作。 这些运算放大器是LM321,LM358和LM324的替代产品,适用于对成本敏感的低电压应用。一些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品。 LM3xxLV器件在低电压下提供比LM3xx器件更好的性能,并且功耗更低。运算放大器在单位增益下稳定,在过驱动条件下不会反相。 ESD设计为LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM规格。 LM3xxLV系列提供具有行业标准的封装。这些封装包括SOT-23,SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 用于成本敏感系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1 mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1 MHz 低宽带噪声:40 nV /√ Hz < li>低静态电流:90μA/Ch 单位增益稳定 工作电压为2.7 V至5.5 V 提供单,双和四通道变体 稳健的ESD规范:2 kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...
发表于 01-08 17:51 805次 阅读
LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分别是单,双和四运算放大器。这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化。输入和输出可以以非常高的压摆率从轨到轨工作。这些器件非常适用于需要低压工作,高压摆率和低静态电流的成本受限应用。这些应用包括大型电器和三相电机的控制。 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF,电阻性开环输出阻抗使容性稳定更高,容性更高。 TLV905x系列易于使用,因为器件是统一的 - 增益稳定,包括一个RFI和EMI滤波器,在过载条件下不会发生反相。 特性 高转换率:15 V /μs 低静态电流:330μA 轨道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压:±0.33 mV 单位增益带宽:5 MHz 低宽带噪声:15 nV /√ Hz 低输入偏置电流:2 pA Unity-Gain稳定 内部RFI和EMI滤波器 适用于低成本应用的可扩展CMOS运算放大器系列 工作电压低至1.8 V 由于电阻开环,电容负载更容易稳定输出阻抗 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...
发表于 01-08 17:51 93次 阅读
TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

TMP422是具有内置本地温度传感器的远程温度传感器监视器。远程温度传感器具有二极管连接的晶体管 - 通常是低成本,NPN-或者PNP - 类晶体管或者作为微控制器,微处理器,或者FPGA组成部分的二极管。 无需校准,对多生产商的远程精度是±1°C。这个2线串行接口接受SMBus写字节,读字节,发送字节和接收字节命令对此器件进行配置。 TMP422包括串联电阻抵消,可编程非理想性因子,大范围远程温度测量(高达150℃),和二极管错误检测。 TMP422采用SOT23-8封装。 特性 SOT23-8封装 ±1°C远程二极管传感器(最大值) ±2.5°C本地温度传感器(最大值) 串联电阻抵消 n-因子校正 两线/SMBus串口 多重接口地址 二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数 与其它产品相比 数字温度传感器   Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG)   TMP422-...
发表于 01-08 17:51 109次 阅读
TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

LP8733xx-Q1专为满足的电源管理要求而设计,这些处理器和平台用于汽车应用中的闭环性能。该器件具有两个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通用数字输出信号。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动PWM /PFM(AUTO模式)操作与自动相位增加/减少相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持远程电压检测(采用两相配置的差分),可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序(包括与使能信号同步的GPO信号)。在启动和电压变化期间,器件会对出转换率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压:2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器:输出电压:0.7V 至 3.36V最大输出电流 3A/相采用两相配置的自动相位增加/减少和强制多相操作采用两相配置的远...
发表于 01-08 17:51 126次 阅读
LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下工作,同时在整个V DD 上保持非常低的静态电流和温度范围。 TPS3840提供低功耗,高精度和低传播延迟的最佳组合(t p_HL =30μs典型值)。 当VDD上的电压低于负电压阈值(V IT - )或手动复位拉低逻辑(V MR _L )。当V DD 上升到V IT - 加滞后(V IT + )和手动复位( MR )时,复位信号被清除)浮动或高于V MR _H ,复位时间延迟(t D )到期。可以通过在CT引脚和地之间连接一个电容来编程复位延时。对于快速复位,CT引脚可以悬空。 附加功能:低上电复位电压(V POR ), MR 和VDD的内置线路抗扰度保护,内置迟滞,低开漏输出漏电流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的电压监测解决方案,适用于工业应用和电池供电/低功耗应用。 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 特性 宽工作电压:1.5 V至10 V 纳米电源电流:350 nA(典型值) 固定阈值电压(V IT - ) 阈值从1.6 V到4.9 V,步长为0.1 V 高精度:1%(典型值) 内置滞后(V IT + ) 1.6 V&lt; V IT - ≤3.1V= 100mV(典...
发表于 01-08 17:51 172次 阅读
TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

INA240-SEP器件是一款电压输出,电流检测放大器,具有增强的PWM反射功能,能够在宽共模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V,与电源电压无关。负共模电压允许器件在地下工作,适应典型电磁阀应用的反激时间。 EnhancedPWM抑制为使用脉冲宽度调制(PWM)信号的大型共模瞬变(ΔV/Δt)系统(如电机驱动和电磁阀控制系统)提供高水平的抑制。此功能可实现精确的电流测量,无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波。 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电,最大电源电流为2.4 mA 。固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流检测,分流器上的最大压降低至10 mV满量程。 特性 VID V62 /18615 抗辐射 单事件闩锁(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用晶圆批次可达30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空间增强塑料 受控基线 金线 NiPdAu LeadFinish < /li> 一个装配和测试现场 一个制造现场 可用于军用(-55°C至125°C)温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...
发表于 01-08 17:51 85次 阅读
INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线数字接口。使用8位ΣΔADC,LM96000测量: 两个远程二极管连接晶体管及其自身裸片的温度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V电源(内部定标电阻)。 为了设置风扇速度,LM96000有三个PWM输出,每个输出由三个温度区域之一控制。支持高和低PWM频率范围。 LM96000包括一个数字滤波器,可调用该滤波器以平滑温度读数,从而更好地控制风扇速度。 LM96000有四个转速计输入,用于测量风扇速度。包括所有测量值的限制和状态寄存器。 特性 符合SMBus 2.0标准的2线制串行数字接口 8位ΣΔADC 监控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主板/处理器电源 监控2个远程热二极管 基于温度读数的可编程自主风扇控制 风扇控制温度读数的噪声过滤 1.0°C数字温度传感器分辨率 3 PWM风扇速度控制输出 提供高低PWM频率范围 4风扇转速计输入 监控5条VID控制线 24针TSSOP封装 XOR-tree测试模式< /li> Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...
发表于 01-08 17:51 133次 阅读
LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

LM63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器。 LM63精确测量:(1)自身温度和(2)二极管连接的晶体管(如2N3904)或计算机处理器,图形处理器单元(GPU)和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度。 LM63远程温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整。 LM63有一个偏移寄存器,用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差。 LM63还具有集成的脉冲宽度调制(PWM)开漏风扇控制输出。风扇速度是远程温度读数,查找表和寄存器设置的组合。 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度传递函数,通常用于静音声学风扇噪声。 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管 准确感知其自身温度< /li> 针对英特尔奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输出或转速计输入,功能的多功能,用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入< /li> 用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对...
发表于 01-08 17:51 199次 阅读
LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器,能够在76至81 GHz频段内工作。该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造,可在极小的外形尺寸内实现前所未有的集成度。 AWR1843是汽车领域低功耗,自监控,超精确雷达系统的理想解决方案。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案,可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺,可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX,4RX系统的单片实现。它集成了DSP子系统,其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷达信号处理。该设备包括BIST处理器子系统,负责无线电配置,控制和校准。此外,该器件还包括一个用户可编程ARM R4F,用于汽车接口。硬件加速器模块(HWA)可以执行雷达处理,并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法。简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现(短,中,长),并且可以动态重新配置以实现多模传感器。此外,该设备作为完整的平台解决方案提供,包括参考硬件设计,软件驱动程序,示例配置,API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL,发送器,接收...
发表于 01-08 17:51 743次 阅读
AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声,快速稳定,零漂移,零交叉器件,可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能,不会降低线性度.OPA388(单通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388(双通道版本)提供VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14两种封装。上述所有版本在-40°C至+ 125°C扩展工业温度范围内额定运行。 特性 超低偏移电压:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR实际RRIO 低噪声:1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声:140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 快速稳定:2μs(1V至0.01%) 增益带宽:10MHz 单电源:2.5V至5.5V 双电源:±1.25V至±2.75V 真实轨到轨输入和输出 已滤除电磁干扰( EMI)/射频干扰(RFI)的输入 行业标...
发表于 01-08 17:51 115次 阅读
OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗,通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性,非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理想选择。 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性,支持轨到轨输入和输出(RRIO),容性负载高达300PF,集成RF和EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)保护(4kV人体模型(HBM))。 此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...
发表于 01-08 17:51 105次 阅读
TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器。该器件采用2.5V至5.5V电源工作,可检测磁通密度,并根据预定义的磁阈值提供数字输出。 该器件检测垂直于封装面的磁场。当施加的磁通密度超过磁操作点(B OP )阈值时,器件的漏极开路输出驱动低电压。当磁通密度降低到小于磁释放点(B RP )阈值时,输出变为高阻抗。由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大,可抵抗噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作。 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感应带宽 开漏输出能够达到20 mA 优化的低压架构 集成滞后以增强抗噪能力 工作温度范围:-40° C至+ 125°C 标准工业封装: 表面贴装SOT-23 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 霍尔效应锁存器和开关   Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...
发表于 01-08 17:51 164次 阅读
DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围,推挽输出,轨到轨输入,低静态电流,关断的独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用,如智能二极管控制器的反向电流保护,过流检测和过压保护电路,其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处,它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活,可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100标准,采用6引脚SOT-23封装,额定工作温度范围为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下结果: DeviceTemperature 1级:-40°C至+ 125°C环境温度工作温度 器件HBMESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4A 3.3 V至40 V电源范围 低静态电流:每个比较器150μA 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...
发表于 01-08 17:51 141次 阅读
TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管,或者基板热晶体管/二极管,这些器件都是微处理器,模数转换器(ADC),数模转换器(DAC),微控制器或现场可编程门阵列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度,分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议,以及多达9个不同的引脚可编程地址。 该器件将诸如串联电阻抵消,可编程非理想性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合,提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度,进而简化了航天器维护活动。该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V,额定工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准:5962-1721801VXC 热增强型HKU封装 经测试,在50rad /s的高剂量率(HDR)下,可抵抗高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试,在10mrad /s的低剂量率(LDR)下,可抵抗高达100krad(Si)的电离辐射...
发表于 01-08 17:51 203次 阅读
TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核,配置为4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM(自动模式)操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测,以补偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,开关时钟可以强制为PWM模式,也可以与外部时钟同步,以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量,无需增加外部电流检测电阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号,以控制外部稳压器,负载开关和处理器复位。在启动和电压变化期间,器件控制输出压摆率,以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...
发表于 01-08 17:51 197次 阅读
LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

TAS2562是一款数字输入D类音频放大器,经过优化,能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中。 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时监控。这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量,防止系统关闭。 I 2 S /TDM + I中最多可有四个器件共用一个公共总线 2 C接口。 TAS2562器件采用36球,0.4 mm间距CSP封装,尺寸紧凑。 高性能D类放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V时4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V时为8Ω) 15μVrmsA加权空闲信道噪声 112.5dB SNR为1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 纹波频率为20 - 20 kHz 83.5%效率为1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) &lt; 1μAHW关断VBAT电流 扬声器电压和电流检测 VBAT跟踪峰值电压限制器,具有欠压预防 8 kHz至192 kHz采样率 灵活的用户界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2 < /sup> C:4个可选择的地址 MCLK免费操作 低流行并点...
发表于 01-08 17:51 251次 阅读
TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

LM358B 双路运算放大器

LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值,具有低失调(300μV,典型值),共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性,3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最坚固,极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装,例如TSOT-8和WSON,以及行业标准封装,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号,最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的产品上,除非另有说明,否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上,生产加工不一定包括所有参数的测试。 所...
发表于 01-08 17:51 210次 阅读
LM358B 双路运算放大器

LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
发表于 01-08 17:51 149次 阅读
LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LM290xLV系列包括双路LM2904LV和四路LM2902LV运算放大器。这些器件由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性,并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV < LI>共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号< /li> 严格的ESD规格:2kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
发表于 01-08 17:51 166次 阅读
LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
发表于 01-08 17:51 134次 阅读
LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器