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新能源汽车领域的国产IGBT厂商有哪些?

Carol Li 来源:电子发烧友网 作者:Carol Li 2019-07-19 17:14 次阅读

近年来,新能源汽车逐渐走进人们的生活,据中国汽车工业协会预测,2019年我国新能源汽车销量将达到160万辆,同比增长30%。与此同时,充电基础设施也将迎来爆发期,据悉,截至2019年6月,全国充电基础设施累计数量为100.2万台,突破百万。

IGBT模块是新能源汽车电控系统和直流充电桩的核心器件,成本占到新能源整车成本的10%,占到充电桩成本的20%。未来几年,随着新能源汽车及充电桩市场进入爆发期,IGBT作为其核心器件也将迎来黄金发展期,预计未来5年国内新能源汽车和充电桩市场将带动200亿IGBT模块的需求。

IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品,封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上,当前市场上销售的多为此类模块化产品,一般所说的IGBT也指IGBT模块。

新能源汽车哪些部分会用到IGBT模块?

1、汽车电机驱动控制系统

新能源汽车中电机驱动控制系统的主要作用在于能量的转换,即从DC(电池直流电)转换到AC(电机交流电)或者从AC(电机交流电)转换到DC(电池直流电),从DC转到AC称为逆变,其中主要用到的功率器件就是IGBT。

IGBT和我们熟知的MOSFET一样,都是进行功率转换的器件,但不同的是IGBT更常用于高压功率转换。电动汽车在转换过程中,电池电压一般在200V以上,过流能力在300A以上,功率器件的击穿电压在600-1200V左右,开关频率在20KHZ以内,所以需要对高压大电流进行操作,主要通过IGBT模块实现。

新能源汽车电动控制用IGBT的规格一般在600-1200V/120-800A左右,以比亚迪F3DM为例,其电池的工作电压为330V,驱动电机功率为50KW,加速过程中,输出电流峰峰值在1500A以上,所以采用自制1200V/600A额定电压电流的IGBT模块。

2、车载空调控制系统

电动汽车车载空调的工作原理,是通过逆变器将高压电池的直流电转换成交流电后,驱动空调压缩机电机进行工作,其原理与电动驱动相同,只是功率较小。一般电流需求在50A以内,工作频率在20KHz左右。

以比亚迪BIP60030为例,其车载空调控制系统中存在一个三相全桥智能IGBT模块,内有6颗IGBT,6颗FRD,击穿电压和额定电流分别选定为600V和30A。

3、充电桩

充电桩有直流和交流两种类型。交流充电桩俗称“慢充”,指固定安装在电动汽车外、与交流电网连接,为电动汽车车载充电机(即固定安装在电动汽车上的充电机)提供交流电源的供电装置。交流充电系统相当于一个控制电源,只提供电力输出,没有充电功能,需连接车载充电机为电动汽车充电。

直流充电桩主要用于公共场所,为电动汽车提供快充服务。其工作原理是通过充电电源系统将输入交流电转化为隔离高压直流电,为电动汽车动力电池充电。这也是功率半导体的用武之地之一。

上文提到的逆变器是一种DCtoAC的变压器,它其实与转化器是一种电压逆变的过程。转换器是将电网的交流电压转变为稳定的12V直流输出,而逆变器是将Adapter输出的12V直流电压转变为高频的高压交流电;电动汽车逆变器用于控制汽车主电机为汽车运行提供动力,IGBT功率模块是电动汽车逆变器的核心功率器件,其驱动电路是发挥IGBT性能的关键电路。

国内可提供新能源汽车用的IGBT厂商有哪些?

1、比亚迪微电子

成立于2004年10月,是比亚迪的第六事业部,主要承担着公司集成电路及功率器件的开发、整合性晶圆制造服务的生产任务。事业部现有员工2300余人,在深圳、宁波拥有两大生产基地。

公司目前产品主要覆盖功率半导体器件、IGBT功率模块、电源管理IC、CMOS图像传感器、传感及控制IC、音视频处理IC等。应用领域覆盖了对光、电、磁及声等信号的感应、处理及控制,提供IC产品及完整的解决方案。相关产品可广泛应用于汽车、能源、工业、通讯和消费类电子领域。

据介绍,比亚迪的IGBT团队于2005年成立,当时为什么要开始自己研制IGBT呢?深圳比亚迪微电子有限公司高级研发经理吴海平先生曾在一个论坛上表示,“因为我们做电动车做的比较早,当时在市面上几乎找不到针对电动车的IGBT,基本上都是工业级的IGBT。我们也找过一些厂家去谈定制,基本上都不理,所以当时也是被逼的没有办法才做这个事情。”

成立IGBT团队之后,公司又于2008年收购了宁波中玮,2009年模块厂正式投产,最开始芯片是外购的,不过到2012年,比亚迪开始大批量量产IGBT芯片,2015年,其IGBT模块销售额超过3个亿,2017年底在汽车上累计出货超过50万支。

目前,比亚迪已经拥有国内首个汽车IGBT打造链条,包括IGBT芯片设计、晶圆制造、模块封装等部分,还有仿真测试以及整车测试。目前比亚迪IGBT芯片晶圆的产能为5万片/月,年供应新能源汽车60万辆。到今年年中,比亚迪IGBT产能有望达到10万片/月,年供应新能源汽车可达120万辆,将很大程度上缓解我国新能源汽车IGBT芯片供应不足问题。

2、中车株洲所

中车株洲电力机车研究所有限公司(中国中车株洲所)始创于1959年,前身是铁道部株洲电力机车研究所,现为中国中车股份有限公司一级全资子公司。中车株洲所在很早就开始投入研发IGBT技术,并取得重大突破。

2017年6月26日上午11时05分,两列“复兴号”从京沪两地同时对开首发,这是中国标准动车组的正式亮相。其使用的大功率IGBT(绝缘栅双极型晶体管)技术,正是中车株洲所研发突破,实现的自主国产化,此前,这项技术已经被德国、日本等国把控了30年。

过去,我国机车车辆用IGBT模块都要从德国、日本进口,特别是在高等级的IGBT器件。2008年,随着高铁建设的加快,需求倍增,一个8列的动车组就需要152个芯片,成本高达200万元。每年中国需要10万只芯片,总金额高达12亿元。中车株洲所IGBT项目的一位研发负责人说,国际产品销售市场中,中国并非优先级,我们买的价格贵,一个模块就高达1万多元,而且只能买成品,产品交货周期很长。

以7200千瓦大功率交流电力机车用IGBT为例,一块巴掌大小的IGBT模块内共有36块指甲大小的芯片,每块芯片并联摆放5万个被称作为“元胞”的电子单元。这些“元胞”相当于IGBT的“细胞”,它们能够在百万分之一秒的时间内实现电流的快速转化。而要在指甲大小的芯片上均匀加工处理5万个细如发丝的“元胞”,难度无异于在“针尖上绣花”。

中车株洲所是如何将IGBT技术发展起来的?2007年年末,席卷全球的金融危机为中车株洲所带来了机遇。当时,成立于1956年的英国老牌企业丹尼克斯半导体公司因为金融危机陷入困境。它是世界最早进行IGBT技术研发的厂家,该公司有一条4英寸生产线,因缺少资金和应用平台,发展较为缓慢。2008年10月31日,中国中车株洲所下属的时代电气股份有限公司成功收购英国丹尼克斯半导体公司75%的股权,成为中国轨道交通装备企业首个海外并购项目。

2010年5月,中车株洲所在英国成立功率半导体研发中心,成为中国轨道交通装备制造企业首个海外研发中心,集中开发新一代IGBT芯片技术、新一代高功率密度IGBT模块技术和下一代碳化硅功率器件技术等前沿基础技术,并从所里派出了多批技术专家前往英国。

中车株洲所投入巨资,为丹尼克斯建成了多年梦寐以求的6英寸IGBT芯片生产线。随后,更多国内技术人员来到英国,新开发出多个1700伏以上高等级IGBT模块。合作顺利的双方携手进行下一代高功率IGBT芯片技术研究、生产。

2013年12月,中国企业自主研制的第一款国内最大电压等级、最高功率密度的6500伏高压IGBT芯片诞生。该成果总体技术处于国际领先水平、填补国内行业空白,实现了中国在高端IGBT技术领域与国际先进水平接轨,具有重大战略意义。

此外,2011年5月,中车株洲所投入约16亿元,建设国内第一条8英寸IGBT芯片生产基地;2014年6月,该生产线建成投产,这是世界上第二条8英寸IGBT专业芯片生产线,11月,装有首批自主8英寸IGBT芯片的模块在云南昆明地铁成功运行,中车株洲所自主研制生产的8英寸IGBT芯片打破了国外高端IGBT技术垄断,实现从研发、制造到应用的完全国产化。

2018年10月,在世界智能网联汽车大会上,中车首次在公众面前展示了电机控制器DM3020,该产品采用中车自主研发的汽车级IGBT芯片,这也是中车“芯”在新能源汽车产品上的首次应用。凭借十几年IGBT发展经验和技术积累,中车株洲所进军新能源汽车领域的难度也会有所减少。

3、扬杰科技

扬杰科技成立于2006年8月2日,2014年1月在深交所创业板挂牌上市,公司专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展,主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN产品、SGTMOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等。产品广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等诸多领域。

目前,公司设有广州、深圳、厦门、宁波、杭州、上海、武汉、成都、青岛、天津等12个境内技术服务站,境外设有台湾、韩国、新加坡、日本、美国、德国、土耳其、意大利、法国、墨西哥等10个国际营销、技术网点。

2018年6月11日,扬杰科技在互动平台表示,公司于2018年3月控股一条位于宜兴的6寸晶圆线,该生产线目前已能够小批量生产IGBT芯片。公司正在积极规划8寸线,储备8寸晶圆、IGBT技术人才。

从扬杰科技官微上表示,其IGBT模块可应用于变频器、光伏逆变器、风能逆变器、UPS、EPS电源、电焊机、切割机和电动汽车上。公司也曾在互动平台向投资者表示,公司有两款IGBT产品主要用于工控领域,也可运用到电动汽车的充电桩中,切公司电动汽车、变频器等高端通用MPS-FRD芯片与模块封装项目"的产品可运用在电动汽车的充电桩中,主要功能为逆变。

4、嘉兴斯达半导体

成立于2005年4月,是一家专业从事功率半导体元器件尤其是IGBT模块研发、生产和销售服务的国家级高新技术企业。总部设于浙江嘉兴,占地106亩,注册资金1.2亿元。公司在浙江、上海和欧洲均设有子公司。

从官网了解到,嘉兴斯达半导体的IGBT模块包含600V、650V、1200V、1700V和3300V。公司专门有新能源汽车的应用方案,从下图可以看出三相PWM转换器和辅助动力源两部分会用到IGBT模块。

新能源汽车领域的IGBT厂商有哪些?

三相PWM转换器中功率部分模块包括GD600HFT120C6S_G8(用于商用车、物流车),GD900HFT120P1S_G8(用于商用车、混动大巴),GD1400HFT120P2S_G8(纯电动大巴)、GD400HHT65P3S(乘用车)、GD800HHT65P4S(乘用车、商用车)等等。

以上提到的是一些电动汽车常用的功率模块,据介绍,嘉兴斯达半导体电动汽车模块不单单包含上述模块型号,只要是公司已有封装,市场上存在的电压电流等级模块,嘉兴斯达半导体都可以生产,例如:GD800HHT65P4S模块的封装,还做GD600HTT65P4S(650V/600A)、GD400HTT120P4S(1200V/400A)等模块,而且该封装可以做带Pin-fin的散热基板,也可以做不带Pin-fin的平面散热基板型模块。

新能源汽车领域的IGBT厂商有哪些?

辅助部分模块包括GD25PIT120C5S、GD40PIT120C5S、GD50HCT60L2S、GD75HCT60L2S、GD50FSK60L2S、GD50FST60L3S,具体型号和相应电压、电流和电路如下图。

新能源汽车领域的IGBT厂商有哪些?

5、宏微科技

江苏宏微科技股份有限公司是由一批长期在国内外从事电力电子产品研发和生产,具有多种专项技术的科技人员组建的国家重点高新技术企业。公司具有从600-1700VIGBT芯片设计、模块封装、特性分析及可靠性研究完整的设计研发和生产能力,自产600-1200VIGBT芯片已在工业电机控制器领域大批量应用,打破了国外IGBT芯片长期的垄断地位。研发的车用MOSFET、IGBT模块,已在国内外应用于电动叉车、高尔夫球车、电动物流车及低速电动车;研发的IGBTDCDC电源模块,已大规模应用于电动大巴。

2017年底与北汽新能源汽车股份公司联合成立宏微-北汽新能源IGBT联合实验室,计划从芯片设计到模块设计与封装再到电机控制器设计与生产,江苏宏微与北汽新能源联合打造电机控制器产业链。试验室将建设车用级IGBT模块封装平台、测试平台和可靠性试验平台。深入开展电动汽车控制器使用的高性能、高可靠性IGBT模块研发与应用研究,以实现提高车用IGBT性能,提升电机控制器性价比和可靠性的目的。

从官网了解到,在电动汽车应用方案中,IGBT模块主要应用在电机控制器和辅助动力部分,应用于电机控制器的主驱动功率部分模块有MMG300WE120B6E4N、MMG450WE120B6E4N、MMG600WE120B6E4N、MMG400VB065XEN;辅驱功率部分模块型号有MMG25HD120X6TN、MMG40HD120X6TN、MMG50HD120X6TN、MMG75HD120X6TN。电动汽车应用方案和各部分功率模块如下图。

新能源汽车领域的IGBT厂商有哪些?
新能源汽车领域的IGBT厂商有哪些?
新能源汽车领域的IGBT厂商有哪些?

总结

上文提到的多是IGBT模块,而IGBT模块所需的芯片,也是关键技术,据了解,目前多数IGBT芯片大量依赖进口,比亚迪微电子、中车株洲所、扬杰科技可以自产部分IGBT芯片,嘉兴斯达半导体、宏微科技主要提供IGBT模块。

新能源汽车的快速发展,对于多产功率器件厂商来说,既是机遇也是挑战。机遇是市场空间逐年增多,挑战则是新能源汽车对IGBT模块的要求比工业级的要求更加苛刻,所以功率器件厂商,想要取得新能源汽车这块市场,还需要投入更多精力。

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国产Model 3白菜价 国产汽车的挑战还在后头

新能源汽车洗牌加剧 动力电池市场压力增大

1 月 13 日讯,高工锂电网近期发布数据显示,宁德时代 2019 年实现装机电量 32.GWh,同....
发表于 01-14 09:54 182次 阅读
新能源汽车洗牌加剧 动力电池市场压力增大

中国上个月新能源汽车销量16.3万辆

从中国汽车工业协会获悉,中国12月新能源汽车销量16.3万辆,同比下降27.4%;12月全国乘用车销....
的头像 汽车玩家 发表于 01-13 16:26 555次 阅读
中国上个月新能源汽车销量16.3万辆

补贴退坡 新能源汽车2019年以六连跌收尾

1月13日,记者从中国汽车工业协会获悉,2019年12月全国乘用车销量为221.3万辆,同比降0.9....
发表于 01-13 16:00 117次 阅读
补贴退坡 新能源汽车2019年以六连跌收尾

电动化之争下 电动化将是全球汽车产业变革下一个时代的入口

2018年,历经28年连续增长的中国车市踩了一脚急刹车。2019年,车市迎来寒冬期,下滑趋势更加严重....
发表于 01-13 14:20 193次 阅读
电动化之争下 电动化将是全球汽车产业变革下一个时代的入口

新能源汽车市场化发展要把握好高密度IGBT和碳化硅器件

在万物互联的指引下,新能源汽车也驶向了“百年未来大变革”的道路上。
的头像 汽车玩家 发表于 01-13 11:36 850次 阅读
新能源汽车市场化发展要把握好高密度IGBT和碳化硅器件

5G时代 新能源汽车不仅只是消费品

2020年1月11日,工信部部长苗圩在中国电动汽车百人会高层论坛上表示,2020年7月1日新能源汽车....
发表于 01-13 11:34 150次 阅读
5G时代 新能源汽车不仅只是消费品

我们要认清当前新能源汽车行业形势 实现从燃油车到电动车的平稳过渡

2020年,站在第二个“十年”发展新起点,在市场、政策和企业共同推动下,相信我国新能源汽车行业将会重....
发表于 01-13 11:16 133次 阅读
我们要认清当前新能源汽车行业形势 实现从燃油车到电动车的平稳过渡

急需IGBT模块

现急需FF1200R17IP5英飞凌原厂的IGBT模块,有谁有渠道的帮帮忙!...
发表于 01-12 10:47 354次 阅读
急需IGBT模块

IGBT损坏机理分析及保护电路设计原理分析

固态电源的基本任务是安全、可靠地为负载提供所需的电能。对电子设备而言,电源是其核心部件。负载除要求电源能供应高质量的输出...
发表于 12-27 08:30 819次 阅读
IGBT损坏机理分析及保护电路设计原理分析

IGBT在固态电源中是如何保护电路的?且看IGBT损坏机理分析

固态电源的基本任务是安全、可靠地为负载提供所需的电能。对电子设备而言,电源是其核心部件。负载除要求电源能供应高质量的输出...
发表于 12-25 17:41 1781次 阅读
IGBT在固态电源中是如何保护电路的?且看IGBT损坏机理分析

手把手教你测IGBT内部电容

目前,IGBT技术正全面快速的更新换代,IGBT器件也在各个领域广泛应用,为了进一步了解IGBT特性,从而满足器件性能、...
发表于 12-02 09:24 810次 阅读
手把手教你测IGBT内部电容

IGBT触发问题

我自制一台高频电加热设备,在设备调试中发现有两次出现IGBT管栅极击穿,不知是什么原因,请各位大师给分析一下原因,感谢...
发表于 11-29 08:58 852次 阅读
IGBT触发问题

一份电池充放电测试系统资料~~

随着新能源汽车的高速发展,也开启了动力电池的科研热潮。就拿我们公司来说,主要是做磷酸铁锂电池和三元锂电池,新型号和产量逐...
发表于 11-25 17:17 617次 阅读
一份电池充放电测试系统资料~~

【专栏1】微观电流:漂移电流

IGBT自20世纪八十年代进入市场以来,经过近半个世纪的推广,已成为功率半导体中应用领域最为广泛的一种器件。 IGBT全...
发表于 11-21 09:13 214次 阅读
【专栏1】微观电流:漂移电流

IGBT驱动原理是什么?

IGBT驱动原理及电路图
发表于 11-11 05:16 213次 阅读
IGBT驱动原理是什么?

大功率IGBT怎么分类?

按照大功率 igbt 驱动保护电路能够完成的功能来分类,可以将大功率 igbt 驱动保护电 路分为以下三种类型:单一功能型,多功能型,...
发表于 11-07 09:02 248次 阅读
大功率IGBT怎么分类?

NXH160T120L2Q2F2SG 功率集成模块(PIM) IGBT 1200 V 160 A和600 V 100 A

T120L2Q2F2SG是一款功率集成模块(PIM),包含一个分离式T型中性点钳位三电平逆变器,由两个160A / 1200V半桥IGBT和二极管组成,两个中性点120A / 1200V整流器,两个100A / 600V中性点IGBT,带反向二极管,两个半桥60A / 600V整流器和一个负温度系数热敏电阻(NTC)。 特性 优势 600 V IGBT规格:VCE(SAT)= 1.47 V,ESW = 2560 uJ 快速切换具有低VCE(SAT)的IGBT以实现更高效率 1200 V IGBT规格:VCE(SAT)= 2.15 V,ESW = 4300 uJ 快速切换具有低VCE(SAT)的IGBT以实现更高的效率 底板 热传播 可焊销 轻松安装 热敏电阻 温度检测 T型中性点钳位三电平逆变器模块 应用 终端产品 DC-AC阶段 太阳能逆变器 UPS 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 08:02 26次 阅读
NXH160T120L2Q2F2SG 功率集成模块(PIM) IGBT 1200 V 160 A和600 V 100 A

NXH80B120H2Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 15 A SiC二极管

120H2Q0SG是一款功率集成模块(PIM),包含一个双升压级,由两个40A / 1200V IGBT,两个15A / 1200V SiC二极管和两个用于IGBT的25A / 1600V反并联二极管组成。另外还包括两个用于浪涌电流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一个板载热敏电阻。 特性 优势 IGBT规格:VCE(SAT)= 2.2 V,ESW = 2180 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以实现高效率 25 A / 1600 V旁路和反并联二极管 低VF旁路二极管,在旁路模式下具有出色的效率 SiC整流器规格:VF = 1.4 V 用于高速切换的SiC二极管 可焊接引脚 轻松安装 双升压40 A / 1200 V IGBT + SiC整流器混合模块 热敏电阻 应用 终端产品 太阳能逆变器升压阶段 太阳能逆变器 UPS 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 08:02 16次 阅读
NXH80B120H2Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 15 A SiC二极管

NXH450N65L4Q2 功率集成模块(PIM) I型NPC 650 V 450 A IGBT 650 V 375 A二极管

N65L4Q2是功率集成模块,包含I型中性点钳位(NPC)三电平逆变器,由两个225 A / 650 V外部IGBT,两个375 A / 650 V内部IGBT和两个375 A / 650 V中性线组成点二极管。反向二极管是150 A / 650 V器件。该模块包含一个NTC热敏电阻。 特性 优势 现场停止4个650 V IGBT,具有快速开关性能和出色的VCE(SAT) 提高系统效率和简化热设计 焊针版本 应用 终端产品 DC-AC转换 分散式太阳能逆变器 - 1200V 不间断电源 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 08:02 20次 阅读
NXH450N65L4Q2 功率集成模块(PIM) I型NPC 650 V 450 A IGBT 650 V 375 A二极管

NXH80T120L2Q0 功率集成模块(PIM) T型NPC 1200 V 80 A IGBT 600 V 50 A IGBT

120L2Q0是功率集成模块,包含一个T型中性点钳位(NPC)三电平逆变器,由两个80 A / 1200 V半桥IGBT组成,带有40 A / 1200 V半桥二极管和两个50 A / 600 V NPC IGBT,带有两个50 A / 600 V NPC二极管。模块还包含一个板载热敏电阻。 特性 优势 低VCESAT的高速1200V和650V IGBT 提高效率 预先应用热界面材料(TIM)的选项预先应用的TIM 更简单的安装过程 使用压入销和焊针的选项 模块安装过程的更广泛选择 应用 终端产品 太阳能逆变器 UPS逆变器 太阳能串逆变器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 07:02 24次 阅读
NXH80T120L2Q0 功率集成模块(PIM) T型NPC 1200 V 80 A IGBT 600 V 50 A IGBT

NXH100B120H3Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 50 A IGBT + 1200 V 20 A SiC二极管

B120H3Q0是一款功率集成模块(PIM),包含一个双升压级,由两个50A / 1200V IGBT,两个20A / 1200V SiC二极管和两个用于IGBT的25A / 1600V反并联二极管组成。另外还包括两个用于浪涌电流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一个板载热敏电阻。 特性 优势 IGBT规格:VCE(SAT)= 1.77 V,ESW = 2200 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以实现高效率 25 A / 1600 V旁路和反并联二极管 低VF旁路二极管,在旁路模式下具有出色的效率 SiC整流器规格:VF = 1.44 V 用于高速开关的SiC二极管 焊针和压合销选项 灵活安装 应用 终端产品 MPPT提升阶段 Bat tery Charger Boost Stage 太阳能逆变器 储能系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 07:02 14次 阅读
NXH100B120H3Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 50 A IGBT + 1200 V 20 A SiC二极管

NXH160T120L2Q2F2S1 功率集成模块(PIM) IGBT 1200 V 160 A和650 V 100 A

T120L2Q2F2SG是一款功率集成模块(PIM),包含一个分离式T型中性点钳位三电平逆变器,由两个带反向二极管的160A / 1200V半桥IGBT,两个中性点120A / 1200V整流器组成,两个具有反向二极管的100A / 650V中性点IGBT,两个半桥60A / 650V整流器和一个负温度系数热敏电阻(NTC)。 特性 优势 650 V IGBT规格:VCE(SAT)= 1.47 V,ESW = 2560 uJ 快速切换具有低VCE(SAT)的IGBT以实现更高效率 1200 V IGBT规格:VCE(SAT)= 2.15 V,ESW = 4300 uJ 快速切换具有低VCE(SAT)的IGBT以实现更高的效率 底板 热传播 可焊销 轻松安装 热敏电阻 温度检测 T型中性点钳位三电平逆变器模块 应用 终端产品 DC-AC阶段 太阳能逆变器 UPS 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 07:02 16次 阅读
NXH160T120L2Q2F2S1 功率集成模块(PIM) IGBT 1200 V 160 A和650 V 100 A

FSBB15CH120DF 运动SPM

CH120DF是一款先进的Motion SPM ® 3模块,为交流感应,BLDC和PMSM电机提供功能齐全的高性能逆变器输出级。这些模块综合优化了内置IGBT的栅极驱动,最大限度降低电磁辐射和损耗,同时提供多种自带保护功能,包括欠压闭锁,过流关断,驱动芯片热监控和故障报告。内置高速HVIC仅需要单电源电压并将收到的逻辑电平栅极输入信号转换为高电压,高电流驱动信号,从而有效驱动模块的内部IGBT。独立负IGBT引脚适用于各相位,以支持最广泛的算法控制。 特性 UL认证号E209204(UL1557) 1200 V - 10 A三相IGBT逆变器,带积分栅驱动器和保护功能 低功耗,额定短路IGBT 使人 2 0 3 陶瓷基质实现极低热阻 专用Vs引脚能够简化PCB布局 低侧IGBT的独立发射极开路引脚用于三相电流检测 单相接地电源 LVIC内嵌温度感功能,用于监控温度 绝缘等级:2500 V rms /分 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 07:02 42次 阅读
FSBB15CH120DF 运动SPM

FSBB15CH120D 运动SPM

CH120D是一款先进的MotionSPM®3模块,用于交流感应,BLDC和PMSM电机提供功能齐全的高性能逆变器输出级。 这些模块综合优化了内置IGBT的栅极驱动,最大限度降低电磁辐射和损耗,同时提供多种自带保护功能,包括欠压闭锁,过流关断,驱动芯片热监控和故障报告。内置高速HVIC仅需要单电源电压并将收到的逻辑电平栅极输入信号转换为高电压,高电流驱动信号,从而有效驱动模块的内部IGBT。独立负IGBT引脚适用于各相位,以支持最广泛的算法控制。 特性 UL认证号E209204(UL1557) 1200 V - 10 A三相IGBT逆变器,带积分栅驱动器和保护功能 低功耗,额定短路IGBT 使人 2 0 3 陶瓷基质实现极低热阻 专用Vs引脚能够简化PCB布局 低侧IGBT的独立发射极开路引脚用于三相电流检测 单相接地电源 LVIC内嵌温度感功能,用于监控温度 绝缘等级:2500 V rms /分 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 07:02 30次 阅读
FSBB15CH120D 运动SPM

NXH80B120L2Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 30 A Si二极管

120L2Q0SG是一款功率模块,包含一个双升压级,由两个40A / 1200V IGBT,两个30A / 1200V硅二极管和两个用于IGBT的25A / 1600V反并联二极管组成。另外还包括两个用于浪涌电流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一个板载热敏电阻。 特性 优势 IGBT规格:VCE(SAT)= 2.2 V,ESW = 2830 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以实现高效率 25 A / 1600 V旁路和反并联二极管 低VF旁路二极管,在旁路模式下具有出色的效率 Si整流器规格:VF = 2.4 V,IRRM = 53 A 用于中速切换的Si二极管 可焊接针 轻松安装 双升压40 A / 1200 V IGBT + Si整流器模块 热敏电阻 应用 终端产品 太阳能逆变器升压阶段 太阳能逆变器 UPS 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 05:02 36次 阅读
NXH80B120L2Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 30 A Si二极管

FPF2G120BF07AS 具有NTC的F2,3ch升压模块

一种快速,可靠的的安装方式。 特性 高效率 低传导损耗和开关损耗 高速场截止IGBT SiC SBD用作升压二极管 内置NTC可实现温度监控 电路图、引脚图和封装图
发表于 07-31 04:02 34次 阅读
FPF2G120BF07AS 具有NTC的F2,3ch升压模块

NFL25065L4BT 用于2相交错式PFC的PFCSPM®2系列

65L4BT是一款PFCSPM®2模块,为消费,医疗和工业应用提供全功能,高性能的交错式PFC(功率因数校正)输入功率级。这些模块集成了内置IGBT的优化栅极驱动,可最大限度地降低EMI和损耗,同时还提供多种模块内保护功能,包括欠压锁定,过流关断,热监控和故障报告。这些模块还具有全波整流器和高性能输出SiC二极管,可节省更多空间和安装便利性。 特性 650 V - 50 A 2阶段具有整体栅极驱动器和保护的交错式PFC 使用Al2O3 DBC衬底的极低热阻 全波桥式整流器和高性能输出SiC升压二极管 用于温度监控的内置NTC热敏电阻 隔离评级:2500 Vrms / min 应用 终端产品 2相交错式PFC转换器 商用空调 工业电机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 04:02 44次 阅读
NFL25065L4BT 用于2相交错式PFC的PFCSPM®2系列

NFCS1060L3TT 智能功率模块(IPM) PFC组合 600V 10A

60L3TT是一个完全集成的PFC和逆变器功率级,包括一个高压驱动器,六个电机驱动IGBT,一个PFC SJMOSFET,一个用于整流器的PFC SiC-SBD和一个热敏电阻,适用于驱动永磁同步( PMSM)电机,无刷直流(BLDC)电机和交流异步电机。 IGBT采用三相桥式配置,为小腿提供独立的发射极连接,以便在选择控制算法时获得最大的灵活性。 特性 优势 在一个封装中采用PFC和逆变器级的简单散热设计。 保存PCB面积并简化装配流程 交叉传导保护 避免手臂短路输入信号不足 集成自举二极管和电阻器 保存PCB面积 应用 终端产品 电机驱动模块 电机控制系统 工业/通用控制系统HVAC 工业风扇电机 泵 洗衣机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 04:02 16次 阅读
NFCS1060L3TT 智能功率模块(IPM) PFC组合 600V 10A

NFAP1060L3TT 智能功率模块(IPM) 600 V 10 A 带有先进的SIP封装

60L3TT是一个完全集成的逆变器功率级,由高压驱动器,六个IGBT和一个热敏电阻组成,适用于驱动永磁同步(PMSM)电机,无刷直流(BLDC)电机和交流异步电机。 IGBT采用三相桥式配置,为低支路提供独立的发射极连接,在控制算法选择方面具有最大的灵活性。功率级具有全面的保护功能,包括跨导保护,外部关断和欠压锁定功能。连接到过流保护电路的内部比较器和参考电压允许设计人员设置过流保护电平。 特性 紧凑型44mm x 20.9mm单列直插式封装 内置欠压保护 交叉传导保护 集成自举二极管和电阻器 应用 终端产品 工业驱动器 泵 粉丝 Automationas 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 03:02 10次 阅读
NFAP1060L3TT 智能功率模块(IPM) 600 V 10 A 带有先进的SIP封装

NCP5304 MOSFET / IGBT驱动器 高压 高压侧和低压侧 双输入

4是一款高压功率栅极驱动器,提供两路输出,用于直接驱动2个N沟道功率MOSFET或以半桥配置排列的IGBT。它使用自举技术确保正确驱动高端电源开关。驱动器使用2个具有交叉传导保护的独立输入。 特性 高压范围:高达600V dV / dt抗扰度±50 V / ns 栅极驱动电源范围为10 V至20 V 高低驱动输出 输出源/灌电流电流能力250 mA / 500 mA 兼容3.3 V和5 V输入逻辑 最多输入引脚上的Vcc摆动 两个通道之间的匹配传播延迟 带输入的阶段输出 具有100ns内部固定死区时间的交叉传导保护 在两个通道的Vcc LockOut(UVLO)下 Pin to Pin与行业标准兼容 应用 半桥电源转换器 全桥转换器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 01:02 66次 阅读
NCP5304 MOSFET / IGBT驱动器 高压 高压侧和低压侧 双输入

NCP5111 功率MOSFET / IGBT驱动器 单输入 半桥

1是一款高压功率栅极驱动器,提供两个输出,用于直接驱动2个N沟道功率MOSFET或以半桥配置排列的IGBT。它使用自举技术确保正确驱动高侧电源开关。 特性 高压范围:高达600V dV / dt抗扰度±50 V / ns 栅极驱动电源范围从10 V到20 V 高低驱动输出 输出源/灌电流电流能力250 mA / 500 mA 兼容3.3 V和5 V输入逻辑 输入引脚上的Vcc摆幅 两个频道之间的匹配传播延迟 内部固定Dea的一个输入d时间(650 ns) 在两个频道的Vcc LockOut(UVLO)下 引脚与引脚兼容行业标准 应用 半桥电源转换器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 01:02 44次 阅读
NCP5111 功率MOSFET / IGBT驱动器 单输入 半桥

MC33153 单IGBT驱动器

3专门设计用作高功率应用的IGBT驱动器,包括交流感应电机控制,无刷直流电机控制和不间断电源。虽然设计用于驱动分立和模块IGBT,但该器件为驱动功率MOSFET和双极晶体管提供了经济高效的解决方案。器件保护功能包括选择去饱和或过流检测和欠压检测。这些器件采用双列直插和表面贴装封装,包括以下特性: 特性 高电流输出级:1.0 A源/ 2.0 A接收器 常规和感测IGBT的保护电路 可编程故障消隐时间 防止过电流和短路 针对IGBT优化的欠压锁定 负栅极驱动能力 成本有效地驱动功率MOSFET和双极晶体管 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 01:02 127次 阅读
MC33153 单IGBT驱动器

NCP5106 MOSFET / IGBT驱动器 高压 高压侧和低压侧

6是一款高压栅极驱动器IC,提供两路输出,用于直接驱动2个N沟道功率MOSFET或IGBT,采用半桥配置版本B或任何其他高端+低端配置版本A. 它使用自举技术确保正确驱动高端电源开关。驱动程序使用2个独立输入。 NCP5109 = 200V NCP5106 = 600V 特性 高压范围:最高600 V dV / dt抗扰度±50 V / nsec 栅极驱动电源范围为10 V至20 V 高低驱动输出 输出源/灌电流电流能力250 mA / 500 mA 兼容3.3 V和5 V输入逻辑 输入引脚上的Vcc摆动 匹配传播两个渠道之间的延迟 输入阶段的输出 适应所有拓扑的独立逻辑输入(版本A) 交叉传导保护机智h 100 ns内部固定死区时间(版本B) 在两个通道的Vcc LockOut(UVLO)下 Pin-to-Pin与行业标准兼容 应用 半桥电源转换器 任何互补驱动转换器(非对称半桥,有源钳位)(仅限A型)。 全桥转换器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 00:02 86次 阅读
NCP5106 MOSFET / IGBT驱动器 高压 高压侧和低压侧

FL73282 半桥栅极驱动器

2是一款单片半桥栅极驱动器IC,可驱动工作电压高达+ 900V的MOSFET和IGBT.Fairchild的高压工艺和共模噪声消除技术可使高侧驱动器在高dV / dt噪声环境下稳定运行。先进的电平转换电路,可使高侧栅极驱动器的工作电压在V BS = 15 V时达到V S = - 9.8 V(典型值)。当V CC 或V BS 低于指定阈值电压时,两个通道UVLO电路可防止发生故障。输出驱动器的源电流/灌电流典型值分别为350 mA / 650 mA,适用于各种半桥和全桥逆变器。 特性 浮动通道可实现高达+900 V的自举运行 两个通道的源/灌电流驱动能力典型值为350 mA / 650 mA 共模dv / dt噪声消除电路 容许扩展负V S 摆幅至-9.8 V,以实现V CC = V BS = 15 V时的信号传输 10 V至20 V的V CC 和V BS 供电范围 双通道的欠压锁定功能 匹配传播延迟低于50 ns 内置170 ns死区时间 输出与输入信号同相 应用 照明 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 00:02 120次 阅读
FL73282 半桥栅极驱动器

NCV5703 IGBT栅极驱动器 大电流 独立式

3系列是一组高电流,高性能独立式IGBT驱动器,具有非反相输入逻辑,适用于中高功率应用,包括PTC加热器,EV充电器和其他汽车等汽车应用电源。通过消除许多外部组件,这些器件提供了经济高效的解决方案。器件保护功能包括Active Miller Clamp(用于NCV5703A),精确的UVLO,DESAT保护和漏极开路故障输出。这些驱动器还具有精确的5.0 V输出(适用于所有版本)和独立的高低(VOH和VOL)驱动器输出(仅适用于NCV5703C),便于系统设计。这些驱动器设计用于容纳宽电压范围的单极性偏置电源(以及NCV5703B的双极性偏置电源)。所有版本均采用8引脚SOIC封装,符合AEC-Q100标准。 特性 优势 IGBT米勒平台电压下的高电流输出(+ 4.0 / -6.0 A) 降低开关损耗并缩短切换时间 低VOH和VOL 完全增强IGBT 可编程延迟的DESAT保护 增强的可编程保护 活动密勒钳(仅限NCV5703A) 防止假门开启 应用 终端产品 DC-交流变频器 电池充电器 汽车PTC加热器 驱动程序 电机控制 电动汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 22:02 56次 阅读
NCV5703 IGBT栅极驱动器 大电流 独立式

NCV5702 IGBT栅极驱动器 大电流 独立式

2是一款高电流,高性能独立式IGBT驱动器,具有非反相输入逻辑,适用于高功率应用,包括PTC加热器,EV充电器,动力总成逆变器和其他汽车电源等汽车应用。该器件通过消除许多外部元件提供了经济高效的解决方案。器件保护功能包括有源米勒钳位,精确的UVLO,EN输入,DESAT保护和漏极开路故障输出。该驱动器还具有精确的5.0 V输出和独立的高低(VOH和VOL)驱动器输出,便于系统设计。该驱动器设计用于适应宽电压范围的偏置电源,包括单极性和双极性电压。它采用16引脚SOIC封装。符合AEC-Q100标准。 特性 优势 降低开关损耗和缩短开关时间 低VOH和VOL 完全增强IGBT 活动密勒钳 防止伪门开启 可编程延迟的DESAT保护 增强的可编程保护 应用 终端产品 DC-AC逆变器 电池充电器 汽车PTC加热器 板载充电器 xEV充电器 汽车动力总成逆变器 牵引逆变器 电动汽车 EV充电器 牵引 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 22:02 60次 阅读
NCV5702 IGBT栅极驱动器 大电流 独立式