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滨化集团电子级氢氟酸取得重大突破,成功打入韩国市场

2019-07-18 10:23 次阅读

突破!滨化集团电子级氢氟酸成功打入韩国市场

日前,滨化集团电子级氢氟酸在市场推进方面取得重大突破,已成功打入韩国市场。

为响应政府新旧动能转换的号召,滨化集团引进台湾技术新建6000吨/年电子级氢氟酸装置于2018年7月实现量产,采用的分析仪器如感应偶合等离子质谱(ICP-MS-安捷伦8900)、电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP-OES-赛默飞)、在线取样系统(IAS-CSI)、空气颗粒计数器和液体颗粒计数器(日本力昂-19AF)、浓度检测仪(瑞士万通905——精密度0.05%)等设备均为国外最先进产品,性能稳定,配套仓储管理系统和实验室LIMS系统,在产品质量管控方面达到世界一流水平。目前装置已稳定运行一年有余,金属离子指标全部控制在10PPT以下,品质已得到国内第三方检测机构的认证,并成功向国内部分8-12英寸半导体芯片制造企业稳定供货。

电子级氢氟酸自量产以来,滨化集团一直努力推进与韩国企业建立合作伙伴关系,一年来经过多批次的样品检测和小批量试验后,得到了韩国企业对产品质量的高度认可。不久前,日本宣布将限制对韩国出口半导体核心上游原材料,冲击了三星电子、SK海力士、LG电子等韩国主要电子产品生产企业。某种程度上加速了韩国企业与滨化集团在电子级氢氟酸方面的合作,目前陆续有韩国企业向滨化集团下了批量订单。

据悉,滨化集团始建于1968年,历经五十年艰苦奋斗和创新突破,已发展成为主业突出、产业链完整的综合型化工企业集团,产业涵盖盐化工、石油化工、精细化工、热电、口岸仓储、金融等领域,产品覆盖全球100多个国家和地区。此外,滨化集团还与清华工业研究院共同成立北京水木滨华科技有限公司,并与清华工研院、中国原子研究院合作,共同打造氢燃料电池、新能源汽车产业链(1000吨/年六氟磷酸锂已成功进入市场)及军民融合氢能利用产业集群。并拟巨额资金在北海经济开发区投资建设“轻质原料、绿色过程、面向高增长行业的高科技新材料”的化工园区。

李寿生:我国高端化工新材料产业现状及发展方向

新材料产业是国民经济的先导性产业,也是制造强国及国防工业发展的关键保障。在全球新一轮科技和产业革命背景下,世界主要国家都在抢占这一战略制高点。迄今为止,我国化工新材料产业的发展取得了哪些成绩?还存在哪些问题?“十四五”化工新材料产业发展的战略和任务何在?本文对此进行探讨。

1

深刻认识石化行业高质量发展的紧迫性和重要性

经过多年的持续快速发展,我国石化行业成功实现了从石化弱国到石化大国的历史性转变,2018年,全国石油和化学工业规模以上企业主营业务收入达到12.4万亿元,利润总额8393.8亿元,分别占全国规模以上工业主营收入和利润总额的12.1%和12.7%。甲醇、化肥、农药、烧碱、纯碱、电石、合成树脂、合成橡胶等产品产量稳居世界第一位,原油加工量、乙烯居世界第二位。成绩非常瞩目,但是与高质量发展的要求相比,还有很大差距。

从产业结构来看,国内石化产业主要以基础和大宗原料生产为主,处于产业链中低端,2018年全行业主营业务收入12.4万亿元,其中高端制造业和战略性新兴产业所占比例不足10%。从产业发展效率来看,2018年全行业销售收入利润率仅6.8%,百元销售成本高达81.3%,行业人均利润不到10万元。合成氨、甲醇、乙烯等重点产品平均能耗水平与国际先进相比,普遍存在10%~20%差距。从创新能力来看,目前我国石化产业规模、技术水平、产品质量等方面与发达国家仍存较大差距,不少高端化工新材料仍未实现规模化生产,部分产品虽已国产化,但技术不成熟,成品率低,质量与进口差距较大。无材可用、有材不好用、好材不敢用现象仍十分突出。从企业竞争力来看,企业整体竞争能力不强,国际化经营水平低,抗风险能力弱。特别是在当前以技术为核心的安全、绿色等贸易壁垒下,国内企业处于竞争劣势。国际知名咨询机构科睿唯安最近评出的2018—2019年度全球创新百强企业,其中有15家化工企业,全部是日本、美国、德国、法国等发达国家的企业,我国没有一家企业入选。从现代经济体系建设来看,行业管理、法律法规标准、教育培训、基础设施等严重不适应石化产业快速发展的需要。突出表现就是安全环保事故多发,给行业发展造成恶劣影响。

2

正确认识我国化工新材料产业发展的成绩和问题

我国高度重视新材料产业的发展,国务院成立了国家新材料产业发展领导小组,相关部门连续发布了《工业强基工程实施指南(2016-2020)》、《“十三五”国家战略性新兴产业发展规划》、《新材料产业发展指南》、《十三五”材料领域科技创新专项规划》、《重点新材料首批次应用示范指导目录》、《新材料标准领航行动计划》等一系列产业政策,聚集多种要素资源,大力推动我国新材料产业快速发展。

一系列关键技术取得重大进展。T800及以上级碳纤维、聚碳酸酯、聚苯硫醚、氢化苯乙烯异戊二烯共聚物(SEPS)、聚丁烯-1、耐高温半芳香尼龙PA10T、ADI全产业链技术等打破国外垄断,先后实现产业化生产。世界首套高强高模聚酰亚胺纤维百吨级装置率先在中国建成。聚氨酯及原料基本实现自给,氟硅树脂、热塑性弹性体、功能膜材料等自给率近70%,高性能树脂、高端超高分子量聚乙烯、水性聚氨酯、脂肪族异氰酸酯、氟硅树脂橡胶等先进化工新材料国内市场占有率大幅提升,部分产品实现出口。化工新材料行业已经成为引领、支撑、推动行业高质量发展的重要动力。

产业规模不断扩大。2018年我国化工新材料产品产量约1700万吨,实现销售收入4800多亿元,产量较“十二五”末提升60%,销售收入增长2.5倍,总体自给率上升至60%左右。2018年,合成材料和专用化学品对行业收入贡献率分别达到30.9%和18.6%;其中,生物基材料制造增加值同比增长2.1倍。化工新材料已成为石化行业发展最快、发展质量最好的重要引领力量。

在看到我国化工新材料行业攻坚克难、努力拼搏,实现快速发展同时,我们也必须看到,我国发展化工新材料产业的发展历史还比较短,发展过程中还存在很多短板和不足,也面临不少困难和挑战。主要是:

不少高端产品仍供给严重不足。茂金属聚丙烯、聚醚醚腈、发动机进气歧管用特种改性尼龙、可溶性聚四氟乙烯、聚酰胺型热塑性弹性体、PVF太阳能背板膜等部分产品仍未实现大规模工业化生产。尤其在电子化学品领域,高纯磷烷特气、CMP抛光垫材料等电子信息领域所需的关键材料完全依赖进口。不少化工新材料产品虽已国产化但产品质量与进口产品差距仍较大,只能满足中低端需求。有些化工新材料的生产装置运行情况不理想,产品不能稳定供应。加快实现关键化工新材料国产化、提升重点化工新材料自给能力仍是我们当前非常急迫的首要任务。

3

“十四五”化工新材料产业发展的战略和任务

习近平总书记在视察万华化学时强调,要坚持走自主创新之路,要有这么一股劲,要有这样的坚定信念和追求,不断在关键核心技术研发上取得新突破。我们要认真学习领会习近平总书记的重要指示精神,铭记“核心技术靠买是买不来的”这一事实,坚定信心、保持定力,努力营造有利于创新的政策和市场环境,扎扎实实推进技术创新,做好我们自己的事,以不变应万变,全面用好我国经济发展的重要战略机遇期、围绕化工新材料产业发展,着力抓好以下重点工作:

01 | 面向国家和行业重大需求,努力攻克一批补短板技术。

结合我国新能源汽车、轨道交通、航空航天、国防军工等重大战略需求,聚焦产业发展瓶颈,集中力量补长“短板”,攻克一批卡脖子技术,推动产业供给侧结构性改革。开发α-烯烃及聚烯烃弹性体(POE)、茂金属聚乙烯(mPE)、耐刺薄膜专用树脂等高端聚烯烃材料生产技术;开发己二腈、聚苯醚、热塑性聚酯(PBT)等通用及特种工程塑料关键中间体和产品;研制纤维用大丝束腈纶长丝等新型(特种)合成纤维;开发子午胎用高极性与高气密性溴化丁基橡胶等新型(特种)合成橡胶;开发5G通信基站用核心覆铜板用树脂材料等高端电子化学品。

02 | 紧跟国际前沿,抢占一批制高点技术。

密切关注国际科技前沿,加强超前部署,构建先发优势,在更多关键技术上努力实现自主研发、自主创新,努力形成一批具有自主知识产权的国际领先的原创核心技术。我们要加大研发投入和科技成果转化力度,加强理论研究和基础研究,突破一批新型催化、微反应等过程强化技术,开发一批新材料技术,抢占一批科技制高点。大力发展聚砜、聚苯砜、聚醚醚酮、液晶聚合物等高性能工程塑料,电子特气、电子级湿化学品、光刻胶、电子纸等高端电子化学品,加强石墨烯材料和3D打印材料的研发和应用研究。努力为我国石化行业高质量发展打下坚实基础。

03 | 围绕提高自主创新能力,建设一批高水平创新平台。

要利用国际、国内创新资源,积极培育和组建一批国家级和行业级创新中心。按照行业科技创新规划,将领先科研院所和创新型企业组织起来,建设一批高水平的产学研用创新平台;积极开展同国外跨国公司和科研机构的交流合作,为突破行业发展关键技术和行业转型升级提供新鲜土壤,为产学研优势集聚提供更大空间。进一步加快科研技术产业化速度和成果转化,形成对行业转型升级发展的有力支撑。

04 | 深化科技体制机制改革,积极营造有利于创新的发展环境。

党的十九大以来,国家连续出台了一系列鼓励创新的法律和政策文件,包括在产学研合作中的知识产权、成果转化效益中的相关分配原则等各个方面,可以说有利于创新的法律政策环境正在不断改善。我们建议有关部门进一步听取企业和科研单位的意见,进一步出台更加细化、更可操作的实施细则。特别是要进一步强化知识产权保护,建立健全技术资料、商业秘密、对外合作等法律法规,增强企业守法意识,切实保障知识产权所有者的合法权益,促进自主创新成果的产权化、商品化、产业化,提升行业知识产权创造、运用、保护和管理的能力,从体制机制上充分释放广大企业和科技工作者创新活力和创新动力。

中国的发展正进入高质量发展的崭新阶段,我们既面临着百年未有之大变局,也面临着世界能源结构调整、世界石化产业结构调整的难得战略机遇期,我们要牢牢把握新一轮世界科技革命和产业变革的新机遇,密切关注全球石化产业竞争格局变化的最新动向,结合我国的实际需求,在新的科技革命中赢得主动、有所作为。我相信,在有关政府部门、新材料企业、科研院所、业内专家的全力支持下,我国化工新材料行业一定能够抓住经济转型的历史机遇,全力开创创新发展的新局面,为推动我国实现由石化大国向强国的跃升,为建设制造强国做出我们更大的贡献!

原文标题:滨化集团电子级氢氟酸成功打入韩国市场!分析我国高端化工新材料产业现状及发展方向

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据新华网报道,中国海油近日在渤海莱州湾北部地区发现一处新的大型油田——垦利6-1油田。这是莱州湾北部....
的头像 lhl545545 发表于 03-24 14:48 372次 阅读
分析仪器将会在海洋石油勘探领域中快速发展

国外一些经典电子书籍,值得一看

链接:https://pan.baidu.com/s/1Xz7-RKb_1oa094vXJad6Ew 提取码:oeyx 目录: ...
发表于 03-09 00:36 380次 阅读
国外一些经典电子书籍,值得一看

单片机初学者

刚接触单片机,要完成毕业设计,题目是基于单片机的工频电压测量仪,现在不知道从什么开始学,我是直接开始学单片机,还是要...
发表于 02-15 21:02 546次 阅读
单片机初学者

年代较老但非常不错的资料 《电子电路百科全书》

分享该书籍,希望对大家有所帮助
发表于 12-26 22:49 3838次 阅读
年代较老但非常不错的资料     《电子电路百科全书》

TIL113M 6引脚DIP光敏达林顿输出光电耦合器

4N30M,4N32M,4N33M,H11B1M和TIL113包含一个砷化镓红外线发射器,光耦合至一个硅平面达林顿放大器。 特性 “对于低输入驱动电流高度敏感 满足或超过所有JEDEC寄存规格 安全和法规认证: UL1577,4170 VAC RMS (1分钟) DIN-EN / IEC60747-5-5,850 V峰值工作绝缘电压“ 应用 消费型设备 工业级电机 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 20:06 193次 阅读
TIL113M 6引脚DIP光敏达林顿输出光电耦合器

TIL117M 6引脚DIP光电晶体管输出光电耦合器

信息MOC8100、TIL111和TIL117光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管,该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。 UL认证(文件编号E90700) 通过VDE认证(文件编号94766);(文件编号102497,白色封装) 为白色封装增加选件V(例如,TIL111VM)
发表于 04-18 20:06 114次 阅读
TIL117M 6引脚DIP光电晶体管输出光电耦合器

TIL111M 6引脚DIP光电晶体管输出光电耦合器

信息MOC8100、TIL111和TIL117光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管,该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。 UL认证(文件编号E90700) 通过VDE认证(文件编号94766);(文件编号102497,白色封装) 为白色封装增加选件V(例如,TIL111VM)
发表于 04-18 20:06 34次 阅读
TIL111M 6引脚DIP光电晶体管输出光电耦合器

6N139M 8引脚DIP单通道低输入电流高增益分离式达灵顿光电耦合器

信息6N138M/9M和HCPL2730M/31M光电耦合器包含与高增益分离式达灵顿光电检测器光耦合的AlGaAs LED。分离式达灵顿配置将输入光电二极管和第一级增益与输出晶体管分开,相对于传统的达灵顿光电晶体管光电耦合器,可降低输出饱和电压,提高运行速度。在双通道器件中,集成发射极-基极电阻 HCPL2730M/HCPL2731M 可提供一流的耐温稳定性。0.5mA的极低输入电流与2000%的高电流传输比相结合,使得该系列对于MOS、CMOS、LSTTL和EIA RS232C的输入接口特别有用,同时也确保了至CMOS的输出兼容性,并且满足高扇出TTL要求。内部噪声屏蔽可提供 10 kV/µs 的出色共模抑制性能。 低电流 – 0.5 mA 一流的 CTR-2000% 一流的 CMR-10 kV/µs CTR 保证 0–70°C U.L. 认证(文件编号 E90700,卷 2) VDE 认证(待定) – 订购选件 V,如 6N138VM 双通道 – HCPL2730M,HCPL2731M(即将上市)...
发表于 04-18 20:02 96次 阅读
6N139M 8引脚DIP单通道低输入电流高增益分离式达灵顿光电耦合器

6N137M 高速10MBit/s逻辑门光电耦合器

信息6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M单通道和HCPL2630M、HCPL2631M双通道光电耦合器包含850 nm砷化铝镓LED,该LED光学耦合至带可选通输出的超高速集成光电探测器逻辑门。 该输出具有开路集电极,允许有线或输出。 在-40°C至+85°C温度范围内可确保耦合参数。 5mA的最大输入信号将提供13mA的最小输出灌电流(扇出为8)。 内部噪声屏蔽提供卓越的通常为10kV/μs的共模抑制。 HCPL2601M和HCPL2631M的CMR最小值为5kV/µs。 HCPL2611M的CMR最小值为10kV/µs。 超高速 – 10 MBit/s 卓越 CMR – 10 kV/µs -40°C 至 +85°C 时扇出为 8 逻辑栅极输出 可选通输出 有线OR开路集电极 U.L. 认证(文件编号E90700)...
发表于 04-18 20:01 45次 阅读
6N137M 高速10MBit/s逻辑门光电耦合器

6N138M 8引脚DIP单通道低输入电流高增益分离式达灵顿光电耦合器

信息6N138M/9M 和 HCPL2730M/31M 光电耦合器包含与高增益分离式达灵顿光电检测器光耦合的 AlGaAs LED。 分离式达灵顿配置将输入光电二极管和第一级增益与输出晶体管分开,相对于传统的达灵顿光电晶体管光电耦合器,可降低输出饱和电压,提高运行速度。在双通道器件中,集成发射极-基极电阻 HCPL2730M/HCPL2731M 可提供一流的耐温稳定性。0.5mA的极低输入电流与2000%的高电流传输比相结合,使得该系列对于MOS、CMOS、LSTTL和EIA RS232C的输入接口特别有用,同时也确保了至CMOS的输出兼容性,并且满足高扇出TTL要求。内部噪声屏蔽可提供 10 kV/µs 的出色共模抑制性能。 低电流 – 0.5 mA 一流的 CTR-2000% 一流的 CMR-10 kV/µs CTR 保证 0–70°C U.L. 认证(文件编号 E90700,卷 2) VDE 认证(待定) – 订购选件 V,如 6N138VM 双通道 – HCPL2730M,HCPL2731M(即将上市)...
发表于 04-18 20:01 97次 阅读
6N138M 8引脚DIP单通道低输入电流高增益分离式达灵顿光电耦合器

6N136M 高速晶体管光电耦合器

信息HCPL4502M、HCPL4503M、HCPL2503M、6N135M、6N136M、HCPL2530M和HCPL2531M光电耦合器包含耦合高速光电检测器晶体管的AlGaAs LED。 通过降低输入晶体管的基极-集电极电容,单独连接实现光电二极管偏压使速度比传统光电晶体管光电耦合器提高数个级别。 HCPL4503M不会内部连接到光电晶体管基极,有助于改善抗噪能力,内部噪声屏蔽提供一流的共模抑制性能,高达50,000V/µs。 超高速 – 1 MBit/s 一流CMR – 10 kV/µs 双通道HCPL2530M HCPL2531M(初始版) CTR保证 0–70°C U.L. 认证(文件编号 E90700,卷 2) 2) VDE认证(待定)–订购选项“V”,例如6N135VM 5,000Vrms(1分钟)隔离电压 一流CMR,15,000V/µs min. (HCPL4503M)...
发表于 04-18 20:01 51次 阅读
6N136M 高速晶体管光电耦合器

6N135M 高速晶体管光电耦合器

信息 6N135光电耦合器包含一个砷化铝镓二极管,该二极管光耦合到一个高速光电晶体管探测器。  6N135为偏置二极管建立了单独的连接,降低了输入晶体管的基极-集电极容抗,使得6N135的速度比传统光耦提高了数个数量级。   6N135带有内部噪音屏蔽,提供优越的共模抑制,达到10kV/μs。改良的配套方案提供优越的隔离性能,相比220V的工业标准,6N135的工作电压高达480V。优势特点HCPL4502M、HCPL4503M、HCPL2503M、6N135M、6N136M、HCPL2530M和HCPL2531M光电耦合器包含耦合高速光电检测器晶体管的AlGaAs LED。 通过降低输入晶体管的基极-集电极电容,单独连接实现光电二极管偏压使速度比传统光电晶体管光电耦合器提高数个级别。 HCPL4503M不会内部连接到光电晶体管基极,有助于改善抗噪能力,内部噪声屏蔽提供一流的共模抑制性能,高达50,000V/µs。超高速 – 1 MBit/s一流CMR – 10 kV/µs双通道HCPL2530M HCPL2531M(初始版)CTR保证 0–70°CU.L. 认证(文件编号 E90700,卷 2)VDE认证(待定)–订购选件“V”,例如6N135VM5,000Vrms(1分钟)隔离电压一流CMR,15,000V/µs min....
发表于 04-18 20:01 93次 阅读
6N135M 高速晶体管光电耦合器

4N30M 4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M、TIL113M 6 引脚 DIP 通用光敏达灵顿光电耦合器

信息4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M和TIL113包含一个砷化镓红外线发射器,光耦合至一个硅平面达林顿放大器。“对于低输入驱动电流高度敏感满足或超过所有 JEDEC 寄存规格安全和法规认证:UL1577,4170 VAC(1 分钟)DIN-EN/IEC60747-5-5,850 V 峰值工作绝缘电压”
发表于 04-18 19:38 36次 阅读
4N30M 4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M、TIL113M 6 引脚 DIP 通用光敏达灵顿光电耦合器

4N38M 6引脚DIP高BVceo光电晶体管输出光电耦合器

信息4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 都是耦合至光隔离器的光电晶体管类型。 一个砷化镓红外发光二极管与一个高压NPN硅光电二极管耦合。 该器件提供标准塑封6引脚双列直插封装。高电压:MOC8204M, BV= 400 VH11D1M, BV= 300 VH11D3M, BV= 200 V安全和法规认证:UL1577,4170 VAC(1 分钟)DIN-EN/IEC60747-5-5,850 V 峰值工作绝缘电压
发表于 04-18 19:38 36次 阅读
4N38M 6引脚DIP高BVceo光电晶体管输出光电耦合器

4N33M 6引脚DIP通用光敏达灵顿光电耦合器

4N30M,4N32M,4N33M,H11B1M和TIL113包含一个砷化镓红外线发射器,光耦合至一个硅平面达林顿放大器。 特性 “对于低输入驱动电流高度敏感 满足或超过所有JEDEC寄存规格 安全和法规认证: UL1577,4170 VAC RMS (1分钟) DIN-EN / IEC60747-5-5,850 V峰值工作绝缘电压“ 应用 AC-DC商用电源 消费型设备 工业级电机 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:38 116次 阅读
4N33M 6引脚DIP通用光敏达灵顿光电耦合器

4N37M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

信息该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管,该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。 通过UL认证(文件编号E90700,卷2) VDE认证(文件编号102497)– 添加选项V(例如,4N25VM)
发表于 04-18 19:38 70次 阅读
4N37M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

4N36M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

信息该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管,该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。 通过UL认证(文件编号E90700,卷2) VDE认证(文件编号102497)– 添加选项V(例如,4N25VM)
发表于 04-18 19:38 188次 阅读
4N36M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

4N32M 6引脚DIP通用光敏达灵顿光电耦合器

信息4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M和TIL113包含一个砷化镓红外线发射器,光耦合至一个硅平面达林顿放大器。“对于低输入驱动电流高度敏感满足或超过所有 JEDEC 寄存规格安全和法规认证:UL1577,4170 VAC(1 分钟)DIN-EN/IEC60747-5-5,850 V 峰值工作绝缘电压”
发表于 04-18 19:38 76次 阅读
4N32M 6引脚DIP通用光敏达灵顿光电耦合器

4N29M 6引脚DIP通用光敏达灵顿光电耦合器

信息4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M和TIL113包含一个砷化镓红外线发射器,光耦合至一个硅平面达林顿放大器。对于低输入驱动电流高度敏感满足或超过所有 JEDEC 寄存规格安全和法规认证:UL1577,4170 VAC(1 分钟)DIN-EN/IEC60747-5-5,850 V 峰值工作绝缘电压
发表于 04-18 19:38 69次 阅读
4N29M 6引脚DIP通用光敏达灵顿光电耦合器

4N35M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

信息该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管,该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。 通过UL认证(文件编号E90700,卷2) VDE认证(文件编号102497)– 添加选项V(例如,4N25VM)
发表于 04-18 19:38 161次 阅读
4N35M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

4N25M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

光电耦合器包含一个砷化镓红外发光二极管,用于驱动硅光敏晶体管,采用标准塑料六引脚双列封装。 特性 IF = 10 mA时的最小电流传输比,VCE = 10 V:•4N27M和4N28M的10%•4N25M和4N26M的20%•4N35M,4N36M和4N37M的100% 安全和法规认证:•UL1577,4,170 VACRMS 1分钟•DIN-EN / IEC60747-5-5,850 V峰值工作绝缘电压 应用 AC-DC商用电源 消费型设备 工业级电机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:38 195次 阅读
4N25M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

4N28M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

信息该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管,该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。 通过UL认证(文件编号E90700,卷2) VDE认证(文件编号102497)– 添加选项V(例如,4N25VM)
发表于 04-18 19:38 127次 阅读
4N28M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

4N26M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

信息该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管,该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。IF = 10 mA、VCE = 10 V 时的最小电流传输比: 4N27M 和 4N28M 为 10% 4N25M 和 4N26M 为 20% 4N35M、4N36M 和 4N37M 为 100%安全和法规认证: UL1577、4,170 VACRMS(1 分钟) DIN-EN/IEC60747-5-5,850 V 峰值工作绝缘电压
发表于 04-18 19:38 124次 阅读
4N26M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

4N27M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

信息该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管,该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。AC-DC商用电源消费型设备工业级电机
发表于 04-18 19:38 158次 阅读
4N27M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器