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微纳尺度腔量子电动力学

中科院半导体所 2019-07-11 15:39 次阅读

摘要腔量子电动力学是在单量子层次上研究光和物质相互作用,在光和原子的强弱耦合、量子相干以及量子信息等方面取得了巨大的成功。通过局域场增强效应,微纳光子结构可以极大地提高光和量子体系的耦合强度,给传统腔量子电动力学带来了新的研究机遇。文章综述了微纳尺度腔量子电动力学的基本原理、重要进展以及可能的应用,特别是在基于金属微纳结构的复合体系中的量子光学效应。这些研究工作不但丰富了光和物质相互作用的内容,还将为芯片上量子信息过程及其可扩展量子网络提供一定的基础。

1 引言

腔量子电动力学(cavity quantum electrodynamics,CQED)是研究单量子层次上的光和物质相互作用,是指受限空间内量子体系(原子、分子、量子点、电子空穴对、氮空位中心等激子)与量子化光场(光子)之间的相互耦合作用[1,2]。继量子力学在1900—1930 年建立以来,经过几十年的努力,法国Serge Haroche 等人终于在1996 年第一次在光学腔中目击到单个二能级原子和单个光子相互作用的演化过程,观察到了拉比振荡等典型的量子现象[3],从而和美国David J. Wineland 共同获得了2012年的诺贝尔物理学奖(图1)。

图1 2012 年诺贝尔物理学奖得主之一:法国的Serge Haroche,以及他们用于实现单个二能级原子和单光子相互作用的实验装置图[3]

传统的腔一般几百微米,量子体系和腔中的光学模式之间不断地进行能量交换(耦合系数用g表示),同时,量子体系和腔模自身都有光子损耗(损耗率分别用γ 和κ 表示)。当g ≪(κ,γ) 时,量子体系和光子之间的能量交换率远远小于体系的损耗,即激子和光子间还未来得及交换能量,光子就损耗掉了,属于弱耦合区域。此时腔模不占优势,和腔模以外的其他模式作用相同,所以这些模式的存在只能改变量子体系的自发辐射速率,这就是著名的珀塞尔效应[4],自发辐射的改变率就是珀塞尔系数( F=γ/γ0,其中γ0 是量子体系在真空中的自发辐射速率)。相反,当g ≫(κ,γ)时,量子体系和光子之间能量交换率远远大于光子的损耗率,即在光子损耗掉之前,可以和原子进行数次的能量交换,这是一种单量子之间的可逆交换,伴随着真空拉比劈裂等过程,这就是强耦合区域。除此之外,在腔中还可以实现各种各样的量子干涉过程,如粒子布局数的崩塌和复苏、共振荧光、Mollow吸收、电磁感应透明等[5,6]。

2001 年,四位量子信息和量子光学研究领域的专家在Nature 上发文[7],提出一种利用原子系综(多个原子组成的体系)作为光子与存储器之间的量子接口,通过与光子相互作用记录光子信息,从而在长损耗信道中实现稳定的量子通信的方案,也就是著名的以他们姓名的第一个字母命名的DLCZ方案,并指出“该方案涉及对原子系综、分束器和高效的单光子探测器的激光操控,因此和目前(量子信息方面)的实验技术是可兼容的”。而受限的空间(即腔)可以提供较小的光学模式体积V 和较大的品质因子Q,使得量子体系和光子之间相互作用大大增强。因此,随后腔量子电动力学的基本原理被广泛地应用在量子信息的研究中,如在量子纠缠、存贮和量子态转移和操控等方面[8,9]。

在量子体系和腔的强弱耦合中,珀塞尔系数F 正比于Q/√V ,而耦合系数g 正比于Q/ V ,其中Q反比于腔模的损耗率κ ( κ ∝1/Q,通常用腔膜吸收谱的线宽表示),所以后来人们努力的方向就集中在如何增大Q并减少V 的方面。近年来,随着微纳制备技术的提高,各种各样的微纳光子结构在实验上得以实现,并且,在微纳结构中存在比传统法布里—珀罗(FP)腔更加局域的光场模式。如果把量子体系放在这些微纳光子结构内部或附近,通过精心的光学模式设计,可以实现光子和激子在微纳尺度上的强弱耦合过程。

回音壁模式是在介质中通过全反射形成的一种环形的光学模式,通常可以在介质微球、微盘或微环中得到。相比于普通的FP腔,回音壁腔具有超高的品质因子Q[10-12]。例如,2006 年实现的回音壁微腔(图2(a)),直径在几十微米量级,而它的品质因子Q却可达108 量级,极大地增强了光和量子体系的相互作用,实现了NV色心(氮空位中心)和回音壁模式之间的强耦合效应[13]。EliYablonovitch 和Sajeev John 在1987 年分别提出了波长量级周期排列的光子结构,也就是光子晶体,可以产生很强的光子局域或禁带效应,并指出在光子禁带中原子的自发辐射受到抑制[14,15]。随后,人们在光子晶体中引入各种缺陷(如点缺陷、线缺陷等),从而制成光子晶体微腔(图2(b))。在这种腔中,缺陷周围形成光场局域,典型的品质因子Q在105—107量级,光学模式体积V 在波长的三次方量级[10,16—18],能够显著增强光子和激子的耦合,从而得到了自发辐射增强、真空拉比劈裂等量子现象[16,19,20]。为了进一步减小光学模式体积,人们又提出了用能够支撑表面等离激元模式的微纳金属结构去实现强弱耦合[21—28]。表面等离激元是由金属的电子集体振荡引起的,伴随着近场增强;如果将量子体系放在表面等离激元结构的近场区域,表面等离激元结构就充当了光学腔的作用,此时,光学模式体积V 可以被压缩在亚波长的尺度。但是由于金属中自由电子和原子实的不断碰撞,这种金属微纳结构的内禀损耗比较大,即Q因子比较小。为了克服这个缺点,近年来,复合的表面等离激元结构(图2(c))成为腔量子电动力学的研究热点,如纳米颗粒与金属薄膜[29, 30]的复合结构、金纳米颗粒二聚体结构[31]、金属纳米颗粒与介质材料的复合结构[32]等。在这种复合结构中,间隙表面等离激元被激发,腔膜被压缩在只有几纳米到十几纳米的间隙中,光学模式体积极大缩小,另外和介质材料的复合也可以使得腔模的损耗降低。

图2 (a)回音壁模式微腔[17];(b)光子晶体微腔[20];(c)复合表面等离激元结构及其间隙表面等离激元模式[29]

目前,随着纳米制备技术的蓬勃发展,器件的小型化和集成化成为不可替代的发展趋势。由于光限制能力强,各种各样的微纳光子结构和低维光子材料被广泛研究,用于光谱学、量子光学与量子信息、非线性光学、太阳能电池、光电集成等多个领域。尤其在和量子结合的体系中,如2011 年Zubin Jacob 和Vladimir M. Shalaev 在Science 上发文[33],指出由于表面等离激元的波粒二象性,它们在腔量子电动力学和量子信息等方面都有很大优势。同年,Oliver Benson 在Nature的综述文献中[34]指出微纳光子结构和量子体系的结合能够带来比单种光子结构更多的优势,典型的如微纳腔和量子体系结合,就会在微纳尺度上实现各种基本量子现象或功能,如自发辐射抑制或增强、光子和激子可逆相互作用、量子非线性效应等,对于微纳光芯片和光回路中的量子光源、量子纠缠和量子逻辑门设计有基础研究的意义。2013 年,M. S. Tame 等在Nature Physics 上以“量子表面等离激元”为题[35],综述了金属微纳结构中表面等离激元的量子化、单粒子性、增强和传导单光子源的机制和强耦合的可能性等。

从上面可以看到,通过微纳光子结构和量子体系的结合,在单量子层次上研究光子、激子和声子相互作用是实现芯片上量子信息过程及其可扩展量子网络的重要基础。接下来,将综述在微纳光子结构中光子和激子的强弱耦合以及量子干涉的发展状况,并着重介绍我们组的工作,最后给出总结和展望。

2 微纳尺度上光子和激子的弱耦合效应

在g ≪(κ,γ) 的弱耦合区域,量子体系的自发辐射速率受到周围电磁场模式的调制,并且,单个量子体系放在微纳结构的近场区域,发射出的光子拥有单光子的特征,大量有方向性的单光子在单光子源和片上器件的制备中有着重要应用[36]。虽然光子晶体微腔和回音壁微腔对量子体系辐射速率有很大的增强[10,37—42],而具有亚波长尺度光场局域能力的表面等离激元纳腔在自发辐射增强上表现的更加优异[21—23]。M. Pelton 在2015 年的Nature Photonics 的综述文献中详细地说明了在表面等离激元颗粒对量子体系的自发辐射受到的影响[43]。基于微纳金属结构的间隙表面等离激元,场分布更加局域,珀塞尔系数通常可以达到成千上万倍[29—31,44,45],因此近年来被广泛应用于微纳尺度的自发辐射调控。另外,精心设计的金属微纳结构可以在量子体系周围产生各向异性的珀塞尔系数环境,被用来控制自发辐射谱线的线宽[46,47]等。金属微纳结构在调控自发辐射速率的同时,还可以调控量子体系的辐射方向[48,49],常被用作纳米光学天线等。

在表面等离激元结构中,金属纳米颗粒可以支持亚波长尺度的局域模式,存在着巨大的近场增益或电磁场“热点”,但是却很难收集产生的单光子[21—23];而束缚在金属和介质界面的倏逝波,是传播的模式,它虽然可以传导光子,但是珀塞尔系数又相对较低[36, 50]。为了克服这些困难,我们提出了既能高效产生又能高效收集的间隙表面等离激元结构[30, 51—53]。不同于传统的腔模,在这种复合结构中,因为表面等离激元模式存在损耗并且具有开放性,单量子体系的自发辐射一般可分为三个通道:与传播表面等离激元耦合的表面等离激元通道(速率为γSPP ),远场辐射通道(速率为γr ),以及由于金属损耗导致的非辐射通道(速率为γnr )。量子体系总的自发辐射速率为三者之和,即γtotal = γSPP + γr + γnr[30,51—53]。

下面介绍几个具体结构。由于金属的内禀损耗无法解决,表面等离激元模式在金属界面传输距离比较短,通常在百微米量级,通过设计间隙表面等离激元结构并与波矢匹配光纤结合,2015年我们提出了有效的单光子发射和纳米尺度一维低损传导[30]。在表面等离激元通道中传播的光子可以耦合进入光纤,从而在光纤中低损耗地传输,解决了金属薄膜中光子传播距离有限的问题。在如图3 所示的结构中,通过光学模式设计,最后发射体总的自发辐射速率可达5000γ0 ,而沿表面等离激元通道的光子衰减速率也可达1500γ0 ,两者均是只有金属纳米膜时的几十倍。特别指出,加了波矢匹配的光纤后,最终的单光子导出率在290—770 γ0 之间。拥有如此高发射率和收集率的纳米结构设计,为实现芯片亮单光子源提供了重要的理论基础。

图3 (a)复合的银纳米棒—金纳米薄膜间隙表面等离激元结构:一个半径为20 nm长度为a 的银纳米棒和一个52 nm厚的金纳米薄膜复合在一起形成间隙表面等离激元结构,中间的间隙宽10 nm。在纳米间隙中的电场“热点”中,加入一个沿z 轴偏振、工作波长为680 nm的量子发射体,一个模式匹配的介质光纤放置在纳米薄膜的上方[30];(b)量子发射体沿不同自发辐射通道的珀塞尔系数[30]

光子结构一旦被制备出来,自发辐射的性质将不能被改变。为了实现主动调控,我们将折射率随光轴变化的液晶材料引入到表面等离激元结构中。先是在液晶—金属—低折射率超材料的三明治平板结构中,通过外加方式调节液晶的光轴,从而得到主动调控的表面等离激元模式,可以实现2.5 倍的珀塞尔系数调控范围[51]。然后,我们又加入了金属纳米棒到这个结构中,设计了可调谐的间隙表面等离激元模式(图4(a)),使得“热点”处的量子发射体的珀塞尔系数从103变化到8750,开关比达到了85,实现了单个量子体系的自发辐射开关[52],利用液晶材料的超快响应特性,可以在10 ns 之内,完成10 倍对比度的开关效应。进一步地,我们还设计了对称的方形介质波导光纤,使光子的收集效率超过了40%[52]。另外,我们还提出了使用纳米线上的倏逝波模式来形成间隙表面等离激元并完成一维的光子收集和传输[53],如图4(b)所示。在复合的银纳米线和银纳米棒结构中,珀塞尔系数可以达到14208,其中沿银纳米线传播的部分可达39.3%,辐射光子在纳米线中的传播距离大于25 μm。如果将银纳米线换成介质纳米线,珀塞尔系数可达3142 并且53%的辐射光子可以通过介质纳米线进行低损耗的传输。这些结构以及新的增大珀塞尔效应的机制,结合了大的自发辐射增强、可调谐、有效的纳米尺度的光子收集和传输等优点,将会对芯片上的超亮单光子源和纳米激光有重要影响。

图4 (a)液晶控制下可调谐的间隙表面等离激元结构[52];(b)银纳米线/介质纳米线和银纳米棒的复合结构[53]

3 微纳尺度上光子和激子的强耦合效应

腔量子电动力学系统产生的一些量子资源,如量子纠缠等,一般发生在g ≫(κ,γ) 的强耦合区域。2004 年, J. P. Reithmaier 等和T. Yoshie 等分别在光子晶体微腔中实现了光子与单个量子点的强耦合[54,55]。随后两年,研究者们又在各种回音壁模式微腔中实现了光子和不同量子体系的强耦合[56-58]。为了芯片集成以及可扩展量子网络的需要,表面等离激元纳腔成为更好的选择。不同于传统的腔模,表面等离激元腔模的特点是场局域强但是对量子体系放置的位置敏感(即把量子体系放在金属结构旁边不同的位置,g 因子变化很大)、有损耗( κ 很大)并且整个模式是开放的(不同于传统腔模的相对封闭性)。如果没有经过精心的光学模式设计,在通常的表面等离激元结构中,γ < g < κ ,即形成坏腔,但是在这个区域仍然可以发生很多有趣的量子干涉现象[59-61],如Fano 线型、金属球协助下的无粒子数反转增益和纳米尺度上的光子统计调控等,将在下一节详述。虽然之前有工作研究过表面等离激元结构和多个分子、量子点等之间的强耦合[24-26](这是因为多个量子体系的等效偶极矩更大,增大了强耦合的可能性),但是由于金属结构的内禀损耗以及微纳结构的低收集和传导效率,使得单个表面等离激元结构和单个量子体系的强耦合很少实现。从制备的角度看,微纳光子结构在10 nm 尺度是可控的,多种微纳光子结构被制备出来,不但模式繁多,而且不同结构间存在着模式耦合或叠加,为光学模式设计提供了很大的空间,从而可以实现光子和激子的强耦合。例如,在2016 和2017 年,英国剑桥大学J. J. Baumberg 小组[27]和中山大学王雪华小组[28],利用具有超小模式体积的间隙表面等离激元结构,分别实现了室温下的单分子层次上的光子和激子强耦合。

倏逝电磁波广泛存在于金属纳米线、介质纳米光纤、金属板、金属薄膜等多种光子学结构中[62-64]。一般情况下,这些倏逝波模式被当作腔模来处理[36,65,66],而不是作为强耦合发生时的电磁真空背景。在间隙表面等离激元结构中(图5),我们发现,当量子体系和倏逝波的耦合强度远远小于它和纳米棒上的局域共振模式时,倏逝波的作用就和纳米棒周围的平面波模式类似,可以当作电磁真空背景来处理。基于此,我们提出了倏逝电磁真空的概念,然后利用倏逝真空去增强腔模和量子体系的耦合因子g,并在多种间隙表面等离激元结构中达到了强耦合,同时可以用倏逝波模式进行高效的荧光收集[32,67,68]。

图5 一维倏逝电磁真空中的腔量子电动力学系统:银纳米腔放置在金属或介质纳米线的上方,间隔2 nm,单偶极子放置在间隙中的“热点”处,工作波长为780 nm。右上方是有无纳米线时银纳米腔周围的电场分布,下方的电场分布是银纳米线上的一维倏逝波模式[67]

我们首先提出了一种纳米尺度上的腔量子电动力学系统,包含量子体系和共振的银纳米腔,整个系统处于一维金属纳米线或介质纳米线的倏逝波环境中[67],如图5 所示。通过精心的模式设计,相比于自由电磁真空背景,在倏逝电磁真空的作用下纳米间隙中的元激发电场值E 将大大增加,从而增强银纳米腔和量子体系的耦合因子g。在银纳米线提供倏逝电磁真空背景中,g 因子可以达到4.2 倍的增强,同时量子体系的荧光光谱上出现了拉比劈裂。同时,通过金属或者介质纳米线上的倏逝波模式收集荧光光子,收集率可达12%—47%。进一步地,我们又将这个系统放在由金属薄膜所支撑的二维倏逝真空环境中[68]。通过增加倏逝深度,间隙表面等离激元的“热点”强度进一步增强,随之量子体系和光子的耦合系数也会极大增加。另外,通过改变金属纳米微腔的大小、微腔和银板之间的距离以及将金属纳米棒换成锥型或者双锥型,耦合系数会进一步提高。最后,为了减少金属纳腔的固有损耗,在低损耗情况下得到强耦合,我们将回音壁模式和倏逝波模式结合,设计了一种介质纳米圆环—纳米线的复合结构[32]。在介质微米圆环和介质纳米线的几纳米间隙中,耦合系数g 增强了数倍,而腔损耗κ 和原子损耗γ 小于g,达到了强耦合。

由此可见,倏逝电磁真空的构造不仅可以增强量子体系与表面等离激元结构的耦合强度,同时还能利用倏逝波进行高效的荧光收集,为实验上实现单个微纳结构和单个量子体系的强耦合提供了理论指导。此外,亚波长尺度的强耦合作用可以实现量子态操控、量子纠缠、量子可逆相互作用等[8,9],在芯片上的量子信息过程及其可扩展的量子网络中有潜在的应用。这种电磁真空的构造还可以延伸到光子晶体、超材料等更多的微纳光子材料中,进一步在微纳尺度上研究光和物质相互作用。

4 微纳尺度上的量子干涉

在弱耦合部分我们提到,精心设计的金属微纳结构可以产生各向异性的珀塞尔系数环境,这是由于纳米金属结构电场增益或模式态密度的各向异性,对量子体系不同偏振的跃迁通道的光子辐射产生不同的作用,导致珀塞尔系数呈现出各向异性(即不同偏振方向的偶极子珀塞尔系数不同)。这种各向异性可以影响量子体系的干涉效应。放置在表面等离激元结构附近的量子体系的布居数和能级弛豫速率受到调节,从而可以控制其辐射光谱[69],还可以得到方向性的高效单光子产生[70,71]。通过构造各向异性珀塞尔系数环境,我们研究了二能级原子的共振荧光[72]、四能级原子的自发辐射谱线线宽变窄[47]和电磁感应透明的谱线线宽调节[46]以及克尔非线性增强和四波混频调控[73]等量子光学线性和非线性效应。

我们首先研究了表面等离激元的近场增益和各项异性珀塞尔系数下的二能级分子体系的共振荧光谱[72]。通过近场增益和珀塞尔系数间的微妙平衡,我们演示了分子荧光的三峰结构和光子反聚束效应。在精心设计的表面等离激元结构和分子跃迁通道共振匹配的前提下,荧光分子放置的区域需同时满足在金属结构的近场和有小的珀塞尔系数修正。我们利用这种共振的表面等离激元纳米天线,首次实现了二能级的量子光学效应,并阐述了在纳米尺度上的量子拍频、自发辐射相消和双光子关联的拉比振荡等[74]。

然后,我们提出在各向异性珀塞尔系数环境下调控四能级原子的辐射线宽的理论机制,并利用多种表面等离激元结构来验证这种机制,得到不同的自发辐射谱线宽的调节效果,如原子的自发辐射谱线线宽在靠近金属纳米线时迅速变窄、在周期性纳米金属结构中的“脉动”现象(图6),以及在经过特殊设计的金属微纳结构附近的谱线线宽剧烈变化等[47]。我们还研究了这种四能级体系中的电磁感应透明[46]现象,发现其具有双透明点、偏振依赖、线宽可调的性质,并把这些性质在精心设计的表面等离激元结构中演示出来。在以上量子线性光学效应的基础上,我们继续研究了基于表面等离激元微纳结构的量子非线性光学效应,发现具有较大各向异性珀塞尔系数的金属微纳结构可以有效地调控此四能级体系的非线性克尔效应和四波混频[73]。

图6 表面等离激元周期性结构在纳米尺度上对原子自发辐射光谱线宽的周期性调制[47]

这些理论工作架起了量子光学和表面等离激元光学之间的桥梁[46,47,72—74]。相比于传统腔量子电动力学,表面等离激元激发及其导致的各向异性珀塞尔效应可以在宽频范围内实现,原理上不需要波矢匹配,便于实验上实施量子体系的自发辐射和量子相干,实现单光子到单表面等离激元的高效耦合[70,75—79],并有助于在弱光条件下开展非线性光学的研究[80—83]。得益于迅速发展的纳米加工技术,这些结果使得表面等离激元纳米结构在实现超紧凑有源量子器件中有着不可替代的作用。

上述量子干涉的讨论中,都是纳米结构通过其光学模式而对量子体系产生影响。本质上说,光学模式和量子体系之间没有产生交互作用,在腔量子电动力学的原理中是属于弱耦合区域。而下面的讨论则是在中等耦合区域,量子体系和纳米颗粒之间的耦合系数满足γ < g < κ 。此时金属纳米颗粒较小,外光场下诱导的电偶极子大小可与其近场区域的量子体系的电偶极子比拟,两者之间的相互作用对量子体系有很强的反馈,即量子体系激发纳米颗粒的模式,同时又被这些模式反作用,最终达到稳态。

下面,我们首先建立量子发射体和表面等离激元的杂化体系(图7)。这里,量子发射体为Λ型三能级结构,其中只有|2> ↔ |3> 跃迁通道与金属小球的模式共振,另外一个通道则远离金属纳米颗粒的共振。30 nm 内的金属球纳米颗粒中存在着多种表面等离激元模式,一种是亮表面等离激元模式,可以向远场辐射能量,其他的则是无辐射的暗表面等离激元模式[84]。由于暗表面等离激元和量子发射体之间的反馈效应,杂化体系支持一种无布居数反转增益效应[59]。其次,考虑另外一个跃迁通道和小球的模式耦合,我们提出了一种表面等离激元辅助的干涉效应,并能基于此调控体系吸收谱线型[60]。最后,利用杂化体系光学模式的开放性导致的干涉和多模耦合效应,我们提出杂化体系可以不达到强耦合就能实现的光子统计调控[61]。这些研究结果揭示该杂化体系有可能用于传感、量子态制备、光子统计、量子逻辑器件和带通滤波器等方面,相比于单个子单元具有更丰富的性质和功能,为超紧凑和小型化器件的发展需求提供支持。

图7 具有Λ 型三能级结构的量子发射体和金属小球的杂化体系,用两束入射光驱动整个体系[59]

5 总结和展望

综上所述,通过将腔量子电动力学的基本原理用于微纳光子结构,可以形成多种微纳光学腔,实现了微纳尺度上自发辐射增强、光子和激子的可逆相互作用以及多种量子干涉效应等。这些研究工作在芯片上量子光源、量子态操控以及可扩展的量子网络方面有潜在的应用。然而,和传统的量子光学类似,原理性的理论多,实验验证少,如何在实验上实现这些微纳尺度腔量子电动力学基本原理,是将来研究者们的任务之一。另外,最近几年发展起来的拓扑光子学,其拓扑结构基本上都是依赖微纳光子结构去实现。如何将腔量子电动力学的基本原理用于拓扑光子结构,发展出新的理论和原理,也是将来的重要研究方向。最后,在这篇综述所提到的微纳光子结构中,我们重点总结了光子和激子之间的相互作用。然而,基于微纳结构的腔光力体系,也是目前蓬勃发展的方向之一。由于声子和光子相互耦合在量子节点中的重要作用,或许,在不久的将来,基于微纳结构的声子—光子—激子相互作用,也将成为重要的研究方向。

原文标题:微纳尺度腔量子电动力学

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为什么电感串联会增大总电感量,而电感并联会减小总电感量,下面我们先看一下简单的情况,即电感之间没有耦....
的头像 电子设计 发表于 03-02 15:16 810次 阅读
两个没有耦合关系的电感串联或者并联会发生什么

分析和比较驱动电路结构和功率回路耦合特性对于并联IGBT均流特性的影响

本文作者北京交通大学电气工程学院穆峰,刘宜鑫,贾静雯,郝欣,杨勇,黄先进 摘要:随着电力电子应用越发....
的头像 英飞凌工业半导体 发表于 02-14 11:43 580次 阅读
分析和比较驱动电路结构和功率回路耦合特性对于并联IGBT均流特性的影响

变频器谐波治理方案

传导是指高次谐波按着各自的阻抗分流到电源系统和并联的负载,对并联的电气设备产生干扰;感应耦合是指在传....
发表于 02-08 17:25 304次 阅读
变频器谐波治理方案

微型直流电机为什么非常容易控制

控制微型直流电机的转速可以理解为控制转矩,微型直流电机的转矩和电流成正比,所以电枢电流中的电流改变就....
发表于 01-29 10:21 88次 阅读
微型直流电机为什么非常容易控制

ANSYS接触问题的实例教程免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是ANSYS接触问题的实例教程免费下载。
发表于 01-27 08:00 57次 阅读
ANSYS接触问题的实例教程免费下载

如何确定音频耦合电容容值大小?

音频耦合电容容值大小如何确定
发表于 01-26 06:01 101次 阅读
如何确定音频耦合电容容值大小?

使用感性耦合的解决方案

无线电池充电基础知识 导电异物检测 功率电平灵活性和性能 ...
发表于 01-25 06:02 0次 阅读
使用感性耦合的解决方案

柔性轮轨下轮轨波磨综合作用的振动特性研究

运用 ANSYS联合SIMPACK 建立基于柔性轮轨下的某型高速动车组的车辆-轨道耦合振动模型,选取....
发表于 01-08 08:00 127次 阅读
柔性轮轨下轮轨波磨综合作用的振动特性研究

电路中常见的几种耦合方式

在电路中,耦合指从一个电路部分到另一个电路部分的能量传递。两个或两个以上的电路构成一个网络时,若其中....
的头像 电子魔法师 发表于 01-01 17:11 4245次 阅读
电路中常见的几种耦合方式

射频PAFEM导杂散差的原因有哪些

问题:射频 PA+FEM 加上屏蔽罩的传导杂散更差(DCS 的二三次谐波),不知是何原因,请赐教!可....
发表于 12-29 05:11 77次 阅读
射频PAFEM导杂散差的原因有哪些

机器人动力系统的学习课件免费下载

机器人系统是一个复杂的机电一体化系统。它是一种仿生装置,用来模拟人或生物的一些功能完成一些复杂或繁重....
发表于 12-28 08:00 82次 阅读
机器人动力系统的学习课件免费下载

多级放大电路的学习课件免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是多级放大电路的学习课件免费下载包括了:多级放大电路的耦合方式,多级放大电....
发表于 12-15 08:00 97次 阅读
多级放大电路的学习课件免费下载

运算放大器基本电路的详细资料说明

集成运放实质上是一种双端输入、单端输出的具有高电压放大倍数,高输入阻抗、低输出阻抗的多级直接耦合放大....
发表于 12-14 08:00 195次 阅读
运算放大器基本电路的详细资料说明

单端信号和差分信号的对比

单端信号是相对于差分信号而言的,单端输入指信号有一个参考端和一个信号端构成,参考端一般为地端。
的头像 Wildesbeast 发表于 12-12 11:04 1121次 阅读
单端信号和差分信号的对比

如何使用接地技术实现抗干扰

电磁兼容是工程师在设计中必须要考虑的一个重要标准,那么为什么接地可以抗干扰?大家都知道接地屏蔽滤波并....
发表于 12-10 23:32 226次 阅读
如何使用接地技术实现抗干扰

多芯光纤中的超连续产生

多芯光纤是一种新型光纤,这种光纤的包层中存在距离较近的多根纤芯,纤芯之间可产生较强的耦合,从而使各个....
发表于 12-10 02:18 101次 阅读
多芯光纤中的超连续产生

有关差分信号及差分放大电路的基础知识

差分放大电路在数显表应用很多,本文以图文形式简单介绍差分信号、单端信号的概念及差分放大电路的作用,方....
发表于 12-03 22:48 188次 阅读
有关差分信号及差分放大电路的基础知识

电路中耦合的作用是什么

在电路中,耦合就是连接的意思,就是将上一级的信号送到下一级,有时候是不能直接连接在一起的,所以就需要....
的头像 陈翠 发表于 11-02 16:07 3413次 阅读
电路中耦合的作用是什么

电磁兼容测量_电磁干扰耦合途径

电磁兼容(Electromagnetic Compatibility,EMC)是指设备在共同的电磁环....
发表于 10-27 11:37 402次 阅读
电磁兼容测量_电磁干扰耦合途径

在层状钙钛矿中,氧八面体旋转与Rumpling晶格畸变之间竞争的新机制

钙钛矿材料具有优良的压电、铁电、光电等多场耦合特性,在能量转换和信息存储领域有着广泛的应用。在钙钛矿....
的头像 知社学术圈 发表于 10-17 10:30 1348次 阅读
在层状钙钛矿中,氧八面体旋转与Rumpling晶格畸变之间竞争的新机制

智能家居系统中有哪些干扰途径

产生干扰必须具备三个条件:干扰源、干扰通道、易受干扰设备。干扰源分为内部和外部。内部主要是装置原理和....
发表于 10-06 18:14 581次 阅读
智能家居系统中有哪些干扰途径

含有耦合电感的电路的复习题和答案免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是含有耦合电感的电路的复习题和答案免费下载。
发表于 09-28 08:00 143次 阅读
含有耦合电感的电路的复习题和答案免费下载

如何使用零阶谐振器设计小型化带通滤波器

1968年,Veselago提出了左手媒质(left-handed material - LHM)的....
发表于 09-24 10:45 68次 阅读
如何使用零阶谐振器设计小型化带通滤波器

阶跃阻抗谐振器的结构原理和实现微带带通滤波器的设计说明

近年来,随着移动通信系统、雷达系统以及超宽带通信系统的发展,小型化、宽阻带性能的滤波器在实际应用中受....
发表于 09-22 10:45 136次 阅读
阶跃阻抗谐振器的结构原理和实现微带带通滤波器的设计说明

多级放大器结构与各单元电路作用和电路分析

多级放大器通过级间耦合电路将一级级的单级放大器连接起来,级间耦合电路处于前一级放大器输出端与后一级放....
发表于 09-21 09:58 1007次 阅读
多级放大器结构与各单元电路作用和电路分析

如何看懂无源器件瓷片电容的参数

在选择无极性电容时,面对电容上面X5R、X7R、Y5V、C0G看上去很奇怪的参数,你是不是也和我一样....
发表于 09-17 10:45 90次 阅读
如何看懂无源器件瓷片电容的参数

EMC三要素之耦合途径介绍

传导是骚扰源与敏感设备之间的主要骚扰耦合途径之一。传导骚扰可以通过电源线、信号线、互连线、接地导体等....
发表于 09-16 16:32 539次 阅读
EMC三要素之耦合途径介绍

HFSS进行二维薄片和三维实物仿真的应用技巧说明

由上面两个例子对比可知,并不是所有时候三维导体模型都能用二维薄面来等效的。对于贴片天线,采用三维或二....
发表于 09-08 10:47 190次 阅读
HFSS进行二维薄片和三维实物仿真的应用技巧说明

新型天线技术有什么发展出现了那些新天线

由于现有的天线技术固有的缺点(阵列耦合、可重构难度大、射频隐身性能差等)或无法满足新形式下的应用需求....
发表于 09-04 10:47 131次 阅读
新型天线技术有什么发展出现了那些新天线

如何使用耦合线左右手复合传输线实现频扫天线阵的设计

左手材料(Left-Hand Material)也被称为双负媒质或者负折射率物质,是一类在一定的频段....
发表于 08-21 18:50 143次 阅读
如何使用耦合线左右手复合传输线实现频扫天线阵的设计

一种新型缝隙耦合双频RFID标签天线

射频识别(RFID)技术在后勤物资分配,制造业,邮政服务业等方面的应用已经变得相当的普遍。标签天线是....
发表于 08-20 18:50 88次 阅读
一种新型缝隙耦合双频RFID标签天线

耦合电容器的作用_耦合电容器的工作原理

本文首先介绍了耦合电容器的作用,其次阐述了耦合电容器的工作原理。最后说明了耦合电容器的的选择方法。
的头像 电子魔法师 发表于 08-13 09:47 2548次 阅读
耦合电容器的作用_耦合电容器的工作原理

耦合变压器的作用_耦合变压器的结构

耦合变压器,就是指无线电线路中常用作极间耦合的变压器。如收音机的中周、输入变压器、输出变压器都属于这....
的头像 电子魔法师 发表于 08-13 09:35 1805次 阅读
耦合变压器的作用_耦合变压器的结构

基于图像混沌加密算法的改善设计与实现方案

当3.569 945 6μ≤4时,Logistic映射工作处于混沌状态,即由初始条件x0在Logis....
发表于 08-10 15:55 276次 阅读
基于图像混沌加密算法的改善设计与实现方案

PCB板中干扰的存在

干扰源产生的干扰信号是通过一定的耦合通道对电控系统发生电磁干扰作用的。干扰的耦合方式无非是通过导线、....
的头像 电磁兼容EMC 发表于 08-10 11:35 1422次 阅读
PCB板中干扰的存在

微波暗室的一般技术指标和天线测量的误差详细说明

1.暗室参数微波暗室的电性能指标主要由静区的特征来表征。静区的特性又以静区的大小、静区内的最大反射电....
发表于 08-03 18:53 263次 阅读
微波暗室的一般技术指标和天线测量的误差详细说明

关于模拟电子电路那些事儿(耦合、放大、振荡、调幅和检波)

在电子电路中,电源、放大、振荡和调制电路被称为模拟电子电路,因为它们加工和处理的是连续变化的模拟信号。 1. 反馈 反馈是...
发表于 08-02 07:00 1549次 阅读
关于模拟电子电路那些事儿(耦合、放大、振荡、调幅和检波)

移动通信系统天线安装规范详细说明

由于移动通信的迅猛发展,目前全国许多地区存在多网并存的局面,即A、B、G三网并存,其中有些地区的G网....
发表于 07-28 18:52 231次 阅读
移动通信系统天线安装规范详细说明

视频系统设计中的配置方式判断和交流耦合分析

目前,在视频系统(机顶盒、PVR、TV等)的设计中采用集成式视频滤波器/驱动器有多种耦合与钳位配置方....
发表于 07-26 12:00 223次 阅读
视频系统设计中的配置方式判断和交流耦合分析

电解电容在做耦合电容的时候是如何工作的,如何理解电解电容两端的变化?

如上图C1是一个耦合电容,用于传递交流信号至三极管基级,C1的右侧是一个直流电压,左侧是电容负极接信号,可以肯定的是C1右侧...
发表于 04-09 13:02 879次 阅读
电解电容在做耦合电容的时候是如何工作的,如何理解电解电容两端的变化?

请问有脉冲耦合检测器电路图吗?

脉冲耦合检测器电路图
发表于 11-08 00:38 282次 阅读
请问有脉冲耦合检测器电路图吗?

实例解析,让你快速熟悉公共阻抗耦合

随着电子系统内设备数量的逐渐增多,噪声的干扰将越来越严重,噪声是无处不在的,总与信号共存。公共阻抗耦合是产生噪声的一个重...
发表于 10-14 08:00 502次 阅读
实例解析,让你快速熟悉公共阻抗耦合

射频识别技术是那两个部分组成?

  射频识别(RFID)技术是一种无接触自动识别技术,其基本原理是利用射频信号及其空间耦合、传输特性,实现对静止的或移动...
发表于 09-17 08:20 318次 阅读
射频识别技术是那两个部分组成?

如何减少710 MHz LTE天线的耦合?

为了提高天线的容量和发射接收速率,LTE通信系统使用了MIMO天线。由于移动终端上空间有限,多个天线间存在较大耦合,天线...
发表于 08-12 07:42 846次 阅读
如何减少710 MHz LTE天线的耦合?

串扰溯源是什么?

所谓串扰,是指有害信号从一个传输线耦合到毗邻传输线的现象,噪声源(攻击信号)所在的信号网络称为动态线,被干扰的信号网络称...
发表于 08-02 08:28 344次 阅读
串扰溯源是什么?

TIL113M 6引脚DIP光敏达林顿输出光电耦合器

4N30M,4N32M,4N33M,H11B1M和TIL113包含一个砷化镓红外线发射器,光耦合至一个硅平面达林顿放大器。 特性 “对于低输入驱动电流高度敏感 满足或超过所有JEDEC寄存规格 安全和法规认证: UL1577,4170 VAC RMS (1分钟) DIN-EN / IEC60747-5-5,850 V峰值工作绝缘电压“ 应用 消费型设备 工业级电机 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 20:06 621次 阅读
TIL113M 6引脚DIP光敏达林顿输出光电耦合器

TIL117M 6引脚DIP光电晶体管输出光电耦合器

信息MOC8100、TIL111和TIL117光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管,该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。 UL认证(文件编号E90700) 通过VDE认证(文件编号94766);(文件编号102497,白色封装) 为白色封装增加选件V(例如,TIL111VM)
发表于 04-18 20:06 404次 阅读
TIL117M 6引脚DIP光电晶体管输出光电耦合器

TIL111M 6引脚DIP光电晶体管输出光电耦合器

信息MOC8100、TIL111和TIL117光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管,该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。 UL认证(文件编号E90700) 通过VDE认证(文件编号94766);(文件编号102497,白色封装) 为白色封装增加选件V(例如,TIL111VM)
发表于 04-18 20:06 67次 阅读
TIL111M 6引脚DIP光电晶体管输出光电耦合器

6N139M 8引脚DIP单通道低输入电流高增益分离式达灵顿光电耦合器

信息6N138M/9M和HCPL2730M/31M光电耦合器包含与高增益分离式达灵顿光电检测器光耦合的AlGaAs LED。分离式达灵顿配置将输入光电二极管和第一级增益与输出晶体管分开,相对于传统的达灵顿光电晶体管光电耦合器,可降低输出饱和电压,提高运行速度。在双通道器件中,集成发射极-基极电阻 HCPL2730M/HCPL2731M 可提供一流的耐温稳定性。0.5mA的极低输入电流与2000%的高电流传输比相结合,使得该系列对于MOS、CMOS、LSTTL和EIA RS232C的输入接口特别有用,同时也确保了至CMOS的输出兼容性,并且满足高扇出TTL要求。内部噪声屏蔽可提供 10 kV/µs 的出色共模抑制性能。 低电流 – 0.5 mA 一流的 CTR-2000% 一流的 CMR-10 kV/µs CTR 保证 0–70°C U.L. 认证(文件编号 E90700,卷 2) VDE 认证(待定) – 订购选件 V,如 6N138VM 双通道 – HCPL2730M,HCPL2731M(即将上市)...
发表于 04-18 20:02 142次 阅读
6N139M 8引脚DIP单通道低输入电流高增益分离式达灵顿光电耦合器

6N137M 高速10MBit/s逻辑门光电耦合器

信息6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M单通道和HCPL2630M、HCPL2631M双通道光电耦合器包含850 nm砷化铝镓LED,该LED光学耦合至带可选通输出的超高速集成光电探测器逻辑门。 该输出具有开路集电极,允许有线或输出。 在-40°C至+85°C温度范围内可确保耦合参数。 5mA的最大输入信号将提供13mA的最小输出灌电流(扇出为8)。 内部噪声屏蔽提供卓越的通常为10kV/μs的共模抑制。 HCPL2601M和HCPL2631M的CMR最小值为5kV/µs。 HCPL2611M的CMR最小值为10kV/µs。 超高速 – 10 MBit/s 卓越 CMR – 10 kV/µs -40°C 至 +85°C 时扇出为 8 逻辑栅极输出 可选通输出 有线OR开路集电极 U.L. 认证(文件编号E90700)...
发表于 04-18 20:01 71次 阅读
6N137M 高速10MBit/s逻辑门光电耦合器

6N138M 8引脚DIP单通道低输入电流高增益分离式达灵顿光电耦合器

信息6N138M/9M 和 HCPL2730M/31M 光电耦合器包含与高增益分离式达灵顿光电检测器光耦合的 AlGaAs LED。 分离式达灵顿配置将输入光电二极管和第一级增益与输出晶体管分开,相对于传统的达灵顿光电晶体管光电耦合器,可降低输出饱和电压,提高运行速度。在双通道器件中,集成发射极-基极电阻 HCPL2730M/HCPL2731M 可提供一流的耐温稳定性。0.5mA的极低输入电流与2000%的高电流传输比相结合,使得该系列对于MOS、CMOS、LSTTL和EIA RS232C的输入接口特别有用,同时也确保了至CMOS的输出兼容性,并且满足高扇出TTL要求。内部噪声屏蔽可提供 10 kV/µs 的出色共模抑制性能。 低电流 – 0.5 mA 一流的 CTR-2000% 一流的 CMR-10 kV/µs CTR 保证 0–70°C U.L. 认证(文件编号 E90700,卷 2) VDE 认证(待定) – 订购选件 V,如 6N138VM 双通道 – HCPL2730M,HCPL2731M(即将上市)...
发表于 04-18 20:01 162次 阅读
6N138M 8引脚DIP单通道低输入电流高增益分离式达灵顿光电耦合器

6N136M 高速晶体管光电耦合器

信息HCPL4502M、HCPL4503M、HCPL2503M、6N135M、6N136M、HCPL2530M和HCPL2531M光电耦合器包含耦合高速光电检测器晶体管的AlGaAs LED。 通过降低输入晶体管的基极-集电极电容,单独连接实现光电二极管偏压使速度比传统光电晶体管光电耦合器提高数个级别。 HCPL4503M不会内部连接到光电晶体管基极,有助于改善抗噪能力,内部噪声屏蔽提供一流的共模抑制性能,高达50,000V/µs。 超高速 – 1 MBit/s 一流CMR – 10 kV/µs 双通道HCPL2530M HCPL2531M(初始版) CTR保证 0–70°C U.L. 认证(文件编号 E90700,卷 2) 2) VDE认证(待定)–订购选项“V”,例如6N135VM 5,000Vrms(1分钟)隔离电压 一流CMR,15,000V/µs min. (HCPL4503M)...
发表于 04-18 20:01 91次 阅读
6N136M 高速晶体管光电耦合器

6N135M 高速晶体管光电耦合器

信息 6N135光电耦合器包含一个砷化铝镓二极管,该二极管光耦合到一个高速光电晶体管探测器。  6N135为偏置二极管建立了单独的连接,降低了输入晶体管的基极-集电极容抗,使得6N135的速度比传统光耦提高了数个数量级。   6N135带有内部噪音屏蔽,提供优越的共模抑制,达到10kV/μs。改良的配套方案提供优越的隔离性能,相比220V的工业标准,6N135的工作电压高达480V。优势特点HCPL4502M、HCPL4503M、HCPL2503M、6N135M、6N136M、HCPL2530M和HCPL2531M光电耦合器包含耦合高速光电检测器晶体管的AlGaAs LED。 通过降低输入晶体管的基极-集电极电容,单独连接实现光电二极管偏压使速度比传统光电晶体管光电耦合器提高数个级别。 HCPL4503M不会内部连接到光电晶体管基极,有助于改善抗噪能力,内部噪声屏蔽提供一流的共模抑制性能,高达50,000V/µs。超高速 – 1 MBit/s一流CMR – 10 kV/µs双通道HCPL2530M HCPL2531M(初始版)CTR保证 0–70°CU.L. 认证(文件编号 E90700,卷 2)VDE认证(待定)–订购选件“V”,例如6N135VM5,000Vrms(1分钟)隔离电压一流CMR,15,000V/µs min....
发表于 04-18 20:01 181次 阅读
6N135M 高速晶体管光电耦合器

4N30M 4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M、TIL113M 6 引脚 DIP 通用光敏达灵顿光电耦合器

信息4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M和TIL113包含一个砷化镓红外线发射器,光耦合至一个硅平面达林顿放大器。“对于低输入驱动电流高度敏感满足或超过所有 JEDEC 寄存规格安全和法规认证:UL1577,4170 VAC(1 分钟)DIN-EN/IEC60747-5-5,850 V 峰值工作绝缘电压”
发表于 04-18 19:38 106次 阅读
4N30M 4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M、TIL113M 6 引脚 DIP 通用光敏达灵顿光电耦合器

4N38M 6引脚DIP高BVceo光电晶体管输出光电耦合器

信息4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 都是耦合至光隔离器的光电晶体管类型。 一个砷化镓红外发光二极管与一个高压NPN硅光电二极管耦合。 该器件提供标准塑封6引脚双列直插封装。高电压:MOC8204M, BV= 400 VH11D1M, BV= 300 VH11D3M, BV= 200 V安全和法规认证:UL1577,4170 VAC(1 分钟)DIN-EN/IEC60747-5-5,850 V 峰值工作绝缘电压
发表于 04-18 19:38 74次 阅读
4N38M 6引脚DIP高BVceo光电晶体管输出光电耦合器

4N33M 6引脚DIP通用光敏达灵顿光电耦合器

4N30M,4N32M,4N33M,H11B1M和TIL113包含一个砷化镓红外线发射器,光耦合至一个硅平面达林顿放大器。 特性 “对于低输入驱动电流高度敏感 满足或超过所有JEDEC寄存规格 安全和法规认证: UL1577,4170 VAC RMS (1分钟) DIN-EN / IEC60747-5-5,850 V峰值工作绝缘电压“ 应用 AC-DC商用电源 消费型设备 工业级电机 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:38 253次 阅读
4N33M 6引脚DIP通用光敏达灵顿光电耦合器

4N37M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

信息该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管,该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。 通过UL认证(文件编号E90700,卷2) VDE认证(文件编号102497)– 添加选项V(例如,4N25VM)
发表于 04-18 19:38 153次 阅读
4N37M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

4N36M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

信息该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管,该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。 通过UL认证(文件编号E90700,卷2) VDE认证(文件编号102497)– 添加选项V(例如,4N25VM)
发表于 04-18 19:38 273次 阅读
4N36M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

4N32M 6引脚DIP通用光敏达灵顿光电耦合器

信息4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M和TIL113包含一个砷化镓红外线发射器,光耦合至一个硅平面达林顿放大器。“对于低输入驱动电流高度敏感满足或超过所有 JEDEC 寄存规格安全和法规认证:UL1577,4170 VAC(1 分钟)DIN-EN/IEC60747-5-5,850 V 峰值工作绝缘电压”
发表于 04-18 19:38 104次 阅读
4N32M 6引脚DIP通用光敏达灵顿光电耦合器

4N29M 6引脚DIP通用光敏达灵顿光电耦合器

信息4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M和TIL113包含一个砷化镓红外线发射器,光耦合至一个硅平面达林顿放大器。对于低输入驱动电流高度敏感满足或超过所有 JEDEC 寄存规格安全和法规认证:UL1577,4170 VAC(1 分钟)DIN-EN/IEC60747-5-5,850 V 峰值工作绝缘电压
发表于 04-18 19:38 94次 阅读
4N29M 6引脚DIP通用光敏达灵顿光电耦合器

4N35M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

信息该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管,该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。 通过UL认证(文件编号E90700,卷2) VDE认证(文件编号102497)– 添加选项V(例如,4N25VM)
发表于 04-18 19:38 229次 阅读
4N35M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

4N25M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

光电耦合器包含一个砷化镓红外发光二极管,用于驱动硅光敏晶体管,采用标准塑料六引脚双列封装。 特性 IF = 10 mA时的最小电流传输比,VCE = 10 V:•4N27M和4N28M的10%•4N25M和4N26M的20%•4N35M,4N36M和4N37M的100% 安全和法规认证:•UL1577,4,170 VACRMS 1分钟•DIN-EN / IEC60747-5-5,850 V峰值工作绝缘电压 应用 AC-DC商用电源 消费型设备 工业级电机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:38 318次 阅读
4N25M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

4N28M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

信息该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管,该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。 通过UL认证(文件编号E90700,卷2) VDE认证(文件编号102497)– 添加选项V(例如,4N25VM)
发表于 04-18 19:38 202次 阅读
4N28M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

4N26M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

信息该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管,该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。IF = 10 mA、VCE = 10 V 时的最小电流传输比: 4N27M 和 4N28M 为 10% 4N25M 和 4N26M 为 20% 4N35M、4N36M 和 4N37M 为 100%安全和法规认证: UL1577、4,170 VACRMS(1 分钟) DIN-EN/IEC60747-5-5,850 V 峰值工作绝缘电压
发表于 04-18 19:38 188次 阅读
4N26M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

4N27M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

信息该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管,该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。AC-DC商用电源消费型设备工业级电机
发表于 04-18 19:38 258次 阅读
4N27M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器