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碳化硅(SiC)功率器件发展现状

Carol Li 来源:电子发烧友网 作者:Carol Li 2019-07-05 11:56 次阅读

近年来,SiC功率器件的出现大大提升了半导体器件的性能,这对电力电子行业的发展意义重大。据Yole预测,到2023年SiC功率器件市场规模预计将达14亿美元,其主要的市场增长机会在汽车领域,特别是EV、混合动力车和燃料电池车等电动车应用市场。

与Si器件相比,SiC功率器件可以有效实现电力电子系统的高效率、小型化和轻量化。据了解,SiC功率器件的能量损耗只有Si器件的50%,发热量只有Si器件的50%,且有更高的电流密度。在相同功率等级下,SiC功率模块的体积显著小于Si功率模块,以智能功率模块IPM为例,利用SiC功率器件,其模块体积可缩小至Si功率模块的1/3~2/3。

目前越来越多的厂商对碳化硅(SiC)器件加大投入,国外知名厂商有ROHM、Bombardier、Cree、SDK、STMicroelectronics、InfineonTechnologies、Littelfuse、Ascatron等,国内也有不少厂商陆续推出SiC功率器件产品,如泰科天润、基本半导体、上海瞻芯电子、杨杰科技、芯光润泽、瑞能半导体等。

SiC功率半导体器件技术发展近况

1、SiC功率二极管

SiC功率二极管有3种类型:肖特基二极管(SBD),PIN二极管和结势垒控制肖特基二极管(JBS)。由于存在肖特基势垒,SBD具有较低的结势垒高度。因此,SBD具有低正向电压的优势。SiCSBD的出现将SBD的应用范围从250V提高到1200V。同时,其高温特性好,从室温到由管壳限定的175℃,反向漏电流几乎没有增加。在3kV以上的整流器应用领域,SiCPiN和SiCJBS二极管由于比Si整流器具有更高的击穿电压、更快的开关速度以及更小的体积和更轻的重量而备受关注。

2、SiC MOSFET器件

Si功率MOSFET器件具有理想的栅极电阻、高速的开关性能、低导通电阻和高稳定性。在300V以下的功率器件领域,是首选的器件。有报道称,已成功研制出阻断电压10kV的SiCMOSFET。研究人员认为,SiC MOSFET在3kV~5kV领域将占据优势地位。尽管遇到了不少困难,具有较大的电压电流能力的SiCMOSFET的研发还是取得了显著进展。

另外,有报道介绍,SiC MOSFET栅氧层的可靠性已得到明显提高。在350℃条件下有良好的可靠性。这些研究结果表明栅氧层将有希望不再是SiCMOSFET的一个显著的问题。

3、碳化硅绝缘栅双极晶体管(SiC BJT、SiC IGBT)和碳化硅晶闸管(SiC Thyristor)

之前报道了阻断电压12kV的碳化硅P型IGBT器件,并具有良好的正向电流能力。SiC IGBT器件的导通电阻可以与单极的碳化硅功率器件相比。与Si双极型晶体管相比,SiC双极型晶体管具有低20~50倍的开关损耗以及更低的导通压降。SiCBJT主要分为外延发射极和离子注入发射极BJT,典型的电流增益在10-50之间。

关于碳化硅晶闸管,有报道介绍了1平方厘米的晶闸管芯片,阻断电压5kV,在室温下电流100A(电压4.1V),开启和关断时间在几十到几百纳秒。

国内厂商SiC功率器件发展现状

1、泰科天润

泰科天润成立于2011年,是一家致力于碳化硅(SiC)功率器件研发和生产的企业。总部位于北京中关村,在北京拥有一座完整的半导体工艺晶圆厂,可在4英寸SiC晶圆上实现半导体功率器件的制造工艺。产品线涉及基础核心技术产品、碳化硅成型产品以及多套行业解决方案,基础核心产品以碳化硅肖特基二极管为代表。

早在2015年,泰科天润就宣布推出了一款3300V/50A高功率碳化硅肖特基二极管产品。据报道,该产品具有低正向电压降、快开关速度、卓越的导热性能等特性,适用于轨道交通、智能电网等高端领域。

据介绍,3300V/50A高功率碳化硅肖特基二极管工作时的正向压降的典型值为2.22V(IF=50A,Tj=25℃)、4.75V(IF=50A,Tj=175℃);反向漏电流的典型值为120uA(VR=3300V,Tj=25℃)、200uA(VR=3300V,Tj=175℃);在恶劣的电气环境下最大限度地提高可靠性;可在-55℃到175℃温度范围内正常工作。产品可提供未封装的裸芯片,器件封装类型可根据客户要求定制。

2018年10月,泰科天润与高温长寿半导体解决方案领先供应商CISSOID达成战略合作,共同推进碳化硅功率器件在工业各领域,尤其是新能源汽车领域实现广泛应用,如上文介绍,新能源汽车将会是碳化硅功率器件市场规模的主要增长领域。

汽车中用量最多的半导体器件主要是三大类,传感器MCU和功率器件。其中功率器件主要应用在动力控制系统、照明系统、燃油喷射、底盘安全等系统中。与传统汽车相比,新能源汽车新增大量功率器件用量,为什么呢?由于新能源汽车普遍采用高压电路,当电池输出高电压时,需要频繁进行电压变换,这时电压转换电路(DC-DC)用量大幅提升,此外,还需要大量的DC-AC逆变器变压器、换流器等,这些对IGBT、MOSFET、二极管等半导体器件的需求量也大幅增加。

据泰科天润官微介绍,公司当前的产品主要以SiC肖特基二极管为主,可以提供反向电压为600V、1200V、1700V、3300V等级别的器件,包括击穿电压为600V,工作电流为1A、2A、3A、4A、5A、6A、8A、10A、20A的器件,以及击穿电压为1200V,工作电流为2A、5A、10A、20A、30A、40A、50A的器件,此外,器件的封装类型主要为TO-220、TO-247(可根据客户要求定制)。

2、深圳基本半导体

深圳基本半导体成立于2016年,由清华大学、浙江大学、剑桥大学、瑞典皇家理工学院等国内外知名高校博士团队创立,专注于碳化硅功率器件的研发与产业化,是深圳第三代半导体研究院发起单位之一。

深圳基本半导体有限公司长期专注SiC功率器件研发,主要产品包括SiC二极管、SiC?MOSFET及车规级全SiCMOSFET模块,广泛应用于新能源发电、新能源汽车、轨道交通和智能电网等领域。

以SiC二极管为例,通过采用国际领先的碳化硅设计生产工艺,基本半导体旗下SiC二极管的性能对标国际知名厂商同类产品,甚至在某些产品参数上更优于国际厂商,实现光伏逆变器、车载电源、新能源汽车充电电源、通讯电源、服务器电源等行业的大规模应用。

同时,基本半导体在2018年10月正式发布的1200V碳化硅MOSFET,是第一款由中国企业自主设计并通过可靠性测试的工业级产品,各项性能达到国际领先水平,其中短路耐受时间更是长达6μs。

SiC功率模块对于器件芯片本身要求很高、对封装要求很高。前不久,深圳基本半导体营销总监蔡雄飞先生在接受媒体采访的时候透露,基本半导体目前正在研发一款对标“用于特斯拉Model3的ST全SiCMOSFET模块”的车规级产品,2019年已经能提供工程样品,将会跟国内知名汽车整车厂进行联合开发以及样机研发,预期该产品将于2021-2022年上市。

3、扬杰科技

扬杰科技成立于2006年8月2日,2014年1月在深交所创业板挂牌上市,公司专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展,主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN产品、SGTMOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等。产品广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等诸多领域。

从扬杰科技2018年半年度报告中了解到,公司正在积极推进SiC芯片、器件研发及产业化项目,加强碳化硅领域的专利布局,重点研发拥有自主知识产权的碳化硅芯片量产工艺,针对电动汽车、充电桩、光伏逆变等应用领域。

扬杰科技官网显示,目前已有的4个碳化硅碳化硅肖特基模块,型号分别是MB200DU01FJ、MB200DU02FJ、MB300U02FJ、MB40DU12FJ,如查看Datasheet可以知道,MB200DU01FJ这个型号,可以应用在电镀电源、高频电源、大电流开关电源、反向电池保护、焊机等场景中。

3、芯光润泽

芯光润泽成立于2016年3月,是一家专业从事第三代半导体SiC功率器件与模块研发和制造的高科技企业。目前已与西安交大、西安电子科技大学、华南理工等院校成立联合研发中心,与美的集团、爱发科集团和强茂集团等企业签署合作。

2018年9月18日,芯光润泽国内首条碳化硅智能功率模块(SiCIPM)生产线正式投产,该项目于2016年12月正式开工建设,据了解,该产线投产稳定后,每月生产规模可达30万、每年可达360万颗。

从芯光润泽官网获悉,公司目前拥有碳化硅产品为碳化硅SBD和碳化硅MOSFET,如XGSCS1230SWA是碳化硅SBD其中一个型号,可以满足电压为1200V的电压需求,适用场景为开关电源、功率因数校正、电力逆变器、不间断电源(UPS)、电机驱动等等。

4、瑞能半导体

瑞能半导体有限公司是由恩智浦半导体与北京建广资产管理有限公司共同投资建立的高科技合资企业,于2016年1月19日宣布正式开业,运营中心落户上海。瑞能半导体一直专注于研发行业领先的、广泛且深入的双击功率半导体产品组合,包括可控硅整流器和三端双向可控硅、硅功率二极管、高压晶体管和碳化硅二极管等。

公司的碳化硅二极管主要应用在工业、服务器、空调等领域,从官网了解到,瑞能半导体碳化硅二极管型号共有25个,都可以满足电压为650V的需求,如型号NXPSC16650B,可以应用在功率因数校正、开关模式电源、不间断电源(UPS)、光伏逆变器、LED/OLED电视、电机驱动等场景中。

5、上海瞻芯电子

上海瞻芯电子成立于2017年7月17日,是一家由海归博士领衔的Fabless半导体初创公司,齐集了海内外一支经验丰富的工艺、器件、电路设计、系统应用、市场推广和商务管理的高素质核心团队。公司致力于开发以碳化硅功率器件为核心的高性价比功率芯片和模块产品,为电源和电驱动系统的小型化、高效化和轻量化提供完整的半导体解决方案。

2017年10月上旬,公司完成工艺流程、器件和版图设计,在10月到12月间完成初步工艺试验;并且从2017年12月开始正式流片,在短短不到5个月内克服种种困难,成功地在一条成熟量产的6英寸工艺生产线上完成碳化硅(SiC)MOSFET的制造流程。晶圆级测试结果表明,各项电学参数达到预期,为进一步完成工艺和器件设计的优化奠定了坚实基础。2018年5月1日,第一片国产6英寸SiCMOSFET晶圆正式诞生。

总结

新能源汽车是SiC功率器件的主要增长点,充电桩也是,以直流充电桩为例,据CASA测算,电动汽车充电桩中的SiC器件的平均渗透率达到10%,2018年整个直流充电桩SiC电力电子器件的市场规模约为1.3亿,较2017年增加了一倍多。

SiC功率器件存在很多优势,未来发展空间也在逐渐增大,不过在发展SiC器件的过程中,还是存在不少问题,从近几年的发展来看,国内外厂商还是研究机构,都在加大投入发展更有的技术和产品,相信未来SiC器件不管在性能还是价格等多方面都会更适应市场需求。

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发表于 12-18 15:35 197次 阅读
如何使用Boost电路实现软开关详细资料说明

变频器在哪些情况下需要配制动电阻

实际上,三相380伏输入的IGBT的耐压值是1200伏,往往要求工作在800伏以内,考虑到电压如果升....
发表于 12-17 09:08 338次 阅读
变频器在哪些情况下需要配制动电阻

Vishay推业内最低RS-S(ON)60V共漏极器件,适于24V系统和工业应用双向开关

Vishay推出采用小型热增强型PowerPAK® 1212-8SCD封装新款共漏极双N沟道60 V....
发表于 12-13 15:54 558次 阅读
Vishay推业内最低RS-S(ON)60V共漏极器件,适于24V系统和工业应用双向开关

【技术探讨】BUCK电路设计技术要点

这次交流,我邀请电子老顽童一起,来讨论BucK电路设计要点,先列个提纲: 一、分解BUCK电路原理、项目设计中合理的原...
发表于 12-10 13:53 12755次 阅读
【技术探讨】BUCK电路设计技术要点

手把手教你测IGBT内部电容

目前,IGBT技术正全面快速的更新换代,IGBT器件也在各个领域广泛应用,为了进一步了解IGBT特性,从而满足器件性能、...
发表于 12-02 09:24 823次 阅读
手把手教你测IGBT内部电容

开关控制器的 MOSFET 选择是一个复杂的过程哦,来教你怎么选择MOSFET

DC/DC 开关控制器的 MOSFET 选择是一个复杂的过程。仅仅考虑 MOSFET 的额定电压和电流并不足以选择到合适的 MO...
发表于 11-30 18:41 1035次 阅读
开关控制器的 MOSFET 选择是一个复杂的过程哦,来教你怎么选择MOSFET

IGBT触发问题

我自制一台高频电加热设备,在设备调试中发现有两次出现IGBT管栅极击穿,不知是什么原因,请各位大师给分析一下原因,感谢...
发表于 11-29 08:58 863次 阅读
IGBT触发问题

NCP81143 VR多相控制器

43多相降压解决方案针对具有用户可配置3/2/1相位的Intel VR12.5兼容CPU进行了优化。该控制器结合了真正的差分电压检测,差分电感DCR电流检测,输入电压前馈和自适应电压定位,为台式机和笔记本电脑应用提供精确调节的电源。该控制系统基于双边沿脉冲宽度调制(PWM)与DCR电流检测相结合,以降低的系统成本提供对动态负载事件的最快初始响应。它具有在轻负载运行期间脱落到单相的能力,并且可以在轻负载条件下自动调频,同时保持优异的瞬态性能。 NCP81143提供两个内部MOSFET驱动器,带有一个外部PWM信号。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。获得专利的动态参考注入无需在闭环瞬态响应和动态VID性能之间进行折衷,从而进一步简化了环路补偿。获得专利的总电流求和提供高精度的数字电流监控。 应用 终端产品 基于工业CPU的应用程序 信息娱乐,移动,自动化,医疗和安全 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-09 11:36 300次 阅读
NCP81143 VR多相控制器

NCV8853 汽车级非同步降压控制器

3是一款可调输出非同步降压控制器,用于驱动外部P沟道MOSFET。该器件采用峰值电流模式控制和内部斜率补偿。该IC集成了一个内部稳压器,为栅极驱动器提供电荷。保护功能包括内部软启动,欠压锁定,逐周期电流限制,打嗝模式过流保护,打嗝模式短路保护。其他功能包括可编程开关频率,低静态电流睡眠模式和外部同步开关频率。 特性 优势 带内部斜率补偿的峰值电流模式控制 宽输入电压范围内的良好瞬态响应 0.8 V 2%参考电压 精确的电压调节 3.1 V至36 Vdc的宽输入电压范围,44 V负载转储 适用于各种应用 输入欠压锁定(UVLO ) 禁用欠压条件下的启动 内部软启动 在启动期间降低浪涌电流并避免输出过冲 睡眠模式下的低静态电流 睡眠电流非常低 电力良好(PG) 简单数字电源监控 外部时钟同步高达600 kHz 允许频率同步和扩频操作 逐周期电流限制保护(CL) 防止过电流条件 打嗝模式短路保护(SCP) 防止短路故障 热缩(TSD) 热保护IC 应用 终端产品 汽车信息娱乐 仪表 集群 汽车系统...
发表于 07-29 20:02 208次 阅读
NCV8853 汽车级非同步降压控制器

NCP81246 用于IMVP8的三轨多相降压控制器

46是一款3轨多相降压解决方案,针对Intel IMVP8兼容CPU进行了优化。它包含一个两相和两个单相导轨,支持Core,GT和SA,配置如下2ph-1ph-1ph,1ph-2ph-1ph和1ph-1ph-1ph。该部件专为Notebook和Ultrabook应用程序而设计。两相控制器结合了真正的差分电压检测,差分电感DCR电流检测,输入电压前馈和自适应电压定位,以提供精确调节的功率。两个单相控制器可用于Core,GT或SA导轨。两者均利用安森美半导体的专利高性能RPM操作。 RPM控制可最大化瞬态响应,同时允许不连续频率缩放操作和连续模式全功率操作之间的平滑过渡。单相轨道具有超低偏移电流监视放大器,具有可编程偏移补偿,可实现超高精度电流监视.NCP81246提供三个内部MOSFET驱动器,具有单个外部PWM信号 特性 优势 3内部驱动程序 允许高度集成,减少整体解决方案PCB占用空间 高性能RPM控制系统 新1相架构减少了补偿元件PWM输出提供了布线灵活性 多相轨的双边沿调制 对瞬态加载的最快初始响应 动态VID前馈 自适应电压定位(AVP) 开关频率范围为300 kHz - 750 kHz 相间动态电流...
发表于 07-29 20:02 337次 阅读
NCP81246 用于IMVP8的三轨多相降压控制器

NCV8876 汽车级启停非同步升压控制器

6是一款非同步升压控制器,设计用于在启动 - 停止车辆运行电池电压下降期间提供最小输出电压。控制器驱动外部N沟道MOSFET。该器件采用峰值电流模式控制和内部斜率补偿。该IC集成了一个内部稳压器,为栅极驱动器提供电荷。保护功能包括逐周期电流限制,保护和热关断。其他功能包括低静态电流睡眠模式操作。当电源电压低于7.3 V时,NCV8876使能,当电源电压低于6.8 V时启动升压操作。 使用 NCV8876评估板SystemVision设计和模拟环境验证参数和功能性能,并通过实时虚拟测试更好地了解功能和行为。 特性 优势 自动启用低于7.3 V (工厂可编程) 紧凑型SOIC8封装的额外功能 -40 C至150 C操作 汽车级 2 V至45 V操作 通过曲柄转动和装载转储进行操作 低静态曲线睡眠模式(...
发表于 07-29 20:02 125次 阅读
NCV8876 汽车级启停非同步升压控制器

NCV1034 AEC Qual - 100 V同步降压控制器

4是一款高压PWM控制器,专为高性能同步降压DC-DC应用而设计。 NCV1034采用高达500 kHz的可编程开关频率驱动一对外部N-MOSFET,可灵活调整IC的工作,以满足系统级要求。外部同步功能允许简化系统级过滤器设计。对于低压应用,可以使用内部1.25 V基准电压精确调节输出电压。提供欠压锁定和打嗝电流限制等保护,以便在发生故障时提供所需的系统级安全性。 特性 优势 输入电压高达100V + 48V或+ 60V输入使用的宽输入电压 2输出驱动能力 能够使用更大尺寸的FET提高效率 1.25 V +/- 2.5%反温电压 整个温度范围内的系统级精度优异 外部频率同步 能够同步到外部频率或输出同步脉冲 可编程切换频率高达500 kHz 效率和尺寸优化 AEC-Q100合格 中压DC-DC系统 应用 终端产品 48 V非隔离式DC-DC转换器 汽车高压DC-DC转换器 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 20:02 223次 阅读
NCV1034 AEC Qual  -  100 V同步降压控制器

NCV8871 非同步升压控制器 汽车级

1是一款可调输出非同步升压控制器,用于驱动外部N沟道MOSFET。该器件采用峰值电流模式控制和内部斜率补偿。该IC集成了一个内部稳压器,为栅极驱动器提供电荷。保护功能包括内部设置软启动,欠压锁定,逐周期电流限制,打嗝模式短路保护和热关断。其他功能包括低静态电流睡眠模式和外部同步开关频率。 特性 优势 具有内部斜率补偿的峰值电流模式控制 在宽输入电压和负载范围内的良好瞬态响应 1.2 V 2%参考电压 精确的电压调节 宽输入电压范围3.2 V至40 Vdc,45 V负载转储 适用于各种应用 输入欠压锁定(UVLO) 在欠压条件下禁用启动 内部软启动 Decr缓解浪涌电流 睡眠模式下的低静态电流 非常低的关闭电流 周期 - 循环电流限制保护 防止过电流情况 打嗝模式短路保护(SCP) 防止短路故障 热关机(TSD) 热保护IC 应用 终端产品 启停系统 SEPIC(同相降压升压) 直接注气 汽车系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 20:02 287次 阅读
NCV8871 非同步升压控制器 汽车级

NCV8873 非同步升压控制器 汽车级

3是一款可调输出非同步升压控制器,用于驱动外部N沟道MOSFET。该器件采用峰值电流模式控制和内部斜率补偿。该IC集成了一个内部稳压器,为栅极驱动器提供电荷。保护功能包括内部设置软启动,欠压锁定,逐周期电流限制和热关断。其他功能包括低静态电流睡眠模式和外部同步开关频率。 特性 优势 具有内部斜率补偿的峰值电流模式控制 LED PWM调光能力 0.2 V 2%参考电压恒流负载 宽输入电压和负载范围内的良好瞬态响应 宽输入电压范围为3.2 V至45 V 精确的电流/电压调节 输入欠压锁定 适用于各种各样的应用程序 内部软启动 禁用启动在欠压条件下 睡眠模式下的低静态电流 降低浪涌电流 逐周期电流限制保护 电流非常低 打嗝模式过流保护 防止过电流情况 热关机 热保护IC 应用 终端产品 LED照明,背光,前照灯 启停系统 升压,SEPIC(非反相降压升压) 直接注气 汽车系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 20:02 231次 阅读
NCV8873 非同步升压控制器 汽车级

NCV898031 非同步SEPIC /升压控制器 2 MHz

031是一款可调输出非同步2 MHz SEPIC / boost控制器,用于驱动外部N沟道MOSFET。该器件采用峰值电流模式控制和内部斜率补偿。该IC集成了一个内部稳压器,为栅极驱动器提供电荷。 保护功能包括内部设置软启动,欠压锁定,逐周期电流限制和热关断。 其他功能包括低静态电流睡眠模式和微处理器兼容使能引脚。 特性 优势 具有内部斜率补偿的峰值电流模式控制 宽输入电压和负载范围内的良好瞬态响应 1.2 V 2%参考电压 准确的电压调节 2 MHz固定频率操作 卓越的瞬态响应,较小尺寸的滤波元件,基频高于AM频段 宽输入电压范围3.2 V至40 V,45 V负载转储 适用于各种应用 输入Und ervoltage Lockout(UVLO) 禁用欠压条件下的启动 内部软启动 减少启动期间的浪涌电流 睡眠模式下的低静态电流 非常低的关闭状态电流消耗 逐周期电流限制保护 防止过电流情况 打嗝模式短路保护(SCP) 防止短路故障 热关断(TSD) 热保护IC 应用 终端产品 启动 - 停止系统 SEPIC(非反相降压 - 升压),升压,反激...
发表于 07-29 19:02 233次 阅读
NCV898031 非同步SEPIC /升压控制器 2 MHz

NCV8851-1 汽车平均电流模式控制器

1-1是一款可调输出,同步降压控制器,可驱动双N沟道MOSFET,是大功率应用的理想选择。平均电流模式控制用于在宽输入电压和输出负载范围内实现非常快速的瞬态响应和严格调节。该IC集成了一个内部固定的6.0 V低压差线性稳压器(LDO),为开关模式电源(SMPS)底栅驱动器提供电荷,从而限制了过多栅极驱动的功率损耗。该IC设计用于在宽输入电压范围(4.5 V至40 V)下工作,并且能够在500 kHz下进行10至1次电压转换。其他控制器功能包括欠压锁定,内部软启动,低静态电流睡眠模式,可编程频率,SYNC功能,平均电流限制,逐周期过流保护和热关断。 特性 优势 平均电流模式控制 快速瞬态响应和简单的补偿器设计 0.8 V 2%参考电压 可编程输出电压的严格公差 4.5 V至40 V的宽输入电压范围 允许通过负载突降情况直接调节汽车电池 6.0 V低压差线性稳压器(LDO) 耗材栅极驱动器的内部电源 输入UVLO(欠压锁定) 在欠压条件下禁用启动 内部软启动 降低浪涌电流并避免启动时输出过冲 睡眠模式下1.0μA的最大静态电流 睡眠电流极低 自适应非重叠...
发表于 07-29 19:02 324次 阅读
NCV8851-1 汽车平均电流模式控制器

LV5725JA 降压转换器 DC-DC 1通道

JA是一个降压电压开关稳压器。 特性 优势 宽输入动态范围:4.5V至50V 可在任何地方使用 内置过流逐脉冲保护电路,通过外部MOSFET的导通电阻检测,以及HICCUP方法的过流保护 烧伤保护 热关闭 热保护 负载独立软启动电路 控制冲击电流 外部信号的同步操作 它可以改善发生两个稳压器IC之间的振荡器时钟节拍 电源正常功能 稳定性操作 外部电压为输出电压高时可用 应用 降压方式开关稳压器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 19:02 134次 阅读
LV5725JA 降压转换器 DC-DC 1通道

FSEZ1317WA 集成了功率MOSFET的初级侧调节PWM

代初级侧调节(PSR)和高度集成的PWM控制器提供多种功能,以增强低功耗反激式转换器的性能。 FSEZ1317WA的专有拓扑结构TRUECURRENT®可实现精确的CC调节,并简化电池充电器应用的电路设计。与传统设计或线性变压器相比,可以实现低成本,更小,更轻的充电器。为了最大限度地降低待机功耗,专有绿色模式提供关断时间调制,以在轻载时线性降低PWM频率条件。绿色模式有助于电源满足节能要求。 通过使用FSEZ1317WA,可以用很少的外部元件实现充电器并降低成本。 特性 30mW以下的低待机功率 高压启动 最少的外部元件计数 恒压(CV)和恒流(CC)控制无二次反馈电路 绿色模式:线性降低PWM频率 固定频率为50kHz的PWM频率以解决EMI问题 CV模式下的电缆补偿 CV中的峰值电流模式控制模式 逐周期电流限制 V DD 使用Auto Restar进行过压保护t V DD 欠压锁定(UVLO) 栅极输出最大电压钳位在15V 自动重启固定过温保护 7导联SOP 应用 电子书阅读器 外部AC-DC商用电源 - 便携消费型 外部AC-D...
发表于 07-29 19:02 101次 阅读
FSEZ1317WA 集成了功率MOSFET的初级侧调节PWM

FSEZ1016A 带有集成式MOSFET的初级端调节PWM控制器

度集成的PWM控制器具备多种功能,可增强低功率反激转换器的性能.FSEZ1016A专有的拓扑简化了电路设计,特别是电池充电器应用中的电路设计。与传统设计或线性变压器相比,它成本更低,尺寸更小,具有更轻的充电器。启动电流仅为10μA,允许使用大启动电阻以实现进一步的节能。为了最大限度地降低待机功耗,专有绿色模式提供了关断时间调制,以在轻载条件下线性降低PWM频率。绿色模式有助于电源达到节电要求。通过使用FSEZ1016A,充电器可以用极少的外部元件和最低的成本来完成.FSEZ1016A系列控制器提供7引脚SOIC封装。 特性 恒压(CV)和恒流(CC)控制( 通过飞兆专有的TRUECURRENT™技术实现精准恒定电流 绿色模式功能:线性降低PWM频率 42 kHz的固定PWM频率(采用跳频来解决电磁干扰问题) 恒压模式下的电缆补偿 低启动电流:10μA 低工作电流:3.5 mA 恒压模式下的峰值电流模式控制 逐周期限流 V DD 过压保护(带自动重启) V DD 欠压锁定(UVLO) 带闩锁的固定过温保护(OTP) 采用SOIC-7封装 应用 ...
发表于 07-29 19:02 130次 阅读
FSEZ1016A 带有集成式MOSFET的初级端调节PWM控制器

NCP81231 降压控制器 USB供电和C型应用

31 USB供电(PD)控制器是一款针对USB-PD C型解决方案进行了优化的同步降压控制器。它们是扩展坞,车载充电器,台式机和显示器应用的理想选择。 NCP81231采用I2C接口,可与uC连接,以满足USB-PD时序,压摆率和电压要求。 NCP81231工作在4.5V至28V 特性 优势 I2C可配置性 允许电压曲线,转换速率控制,定时等 带驱动程序的同步降压控制器 提高效率和使用标准mosfet 符合USB-PD规范 支持usb-pd个人资料 过压和过流保护 应用 终端产品 USB Type C 网络配件 消费者 停靠站 车载充电器s 网络中心 桌面 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 19:02 147次 阅读
NCP81231 降压控制器 USB供电和C型应用

NCP81239 4开关降压 - 升压控制器 USB供电和C型应用

39 USB供电(PD)控制器是一种同步降压升压,经过优化,可将电池电压或适配器电压转换为笔记本电脑,平板电脑和台式机系统以及使用USB的许多其他消费类设备所需的电源轨PD标准和C型电缆。与USB PD或C型接口控制器配合使用时,NCP81239完全符合USB供电规范。 NCP81239专为需要动态控制压摆率限制输出电压的应用而设计,要求电压高于或低于输入电压。 NCP81239驱动4个NMOSFET开关,允许其降压或升压,并支持USB供电规范中指定的消费者和供应商角色交换功能,该功能适用​​于所有USB PD应用。 USB PD降压升压控制器的工作电源和负载范围为4.5 V至28 V. 特性 优势 4.5 V至28 V工作范围 各种应用的广泛操作范围 I2C接口 允许uC与设备连接以满足USB-PD电源要求 将频率从150 kHz切换到1200 kHz 优化效率和规模权衡 过渡期间的压摆率控制 允许轻松实施USB-PD规范 支持USB-PD,QC2.0和QC3.0配置文件 过电压和过流保护 应用 终端产品 消费者 计算 销售点 USB Type-C USB PD 桌面 集线器 扩展...
发表于 07-29 19:02 179次 阅读
NCP81239 4开关降压 - 升压控制器 USB供电和C型应用

ADP3211 同步降压控制器 7位 可编程 单相

1是一款高效的单相同步降压开关稳压控制器。凭借其集成驱动器,ADP3211经过优化,可将笔记本电池电压转换为高性能英特尔芯片组所需的电源电压。内部7位DAC用于直接从芯片组或CPU读取VID代码,并将GMCH渲染电压或CPU核心电压设置为0 V至1.5 V范围内的值。 特性 优势 单芯片解决方案。完全兼容英特尔®IMVP-6.5 CPU和GMCH芯片组电压调节器规格集成MOSFET驱动器。 提高效率。 输入电压范围为3.3V至22V。 提高效率。 最差±7mV -case差分感应核心电压误差超温。 提高效率。 自动节电模式可在轻负载运行期间最大限度地提高效率。 提高效率。 软瞬态控制可降低浪涌电流和音频噪声。 当前和音频缩减。 独立电流限制和负载线设置输入,以增加设计灵活性。 改进设计灵活性ity。 内置电源良好屏蔽支持电压识别(VID)OTF瞬变。 提高效率。 具有0V至1.5V输出的7位数字可编程DAC。 提高效率。 短路保护。 改进保护。 当前监听输出信号。 提高效率。 这是一款无铅设备。完全符合RoHS标准和32引...
发表于 07-29 19:02 154次 阅读
ADP3211 同步降压控制器 7位 可编程 单相

NCP81149 具有SVID接口的单相电压调节器 适用于计算应用

49是一款单相同步降压稳压器,集成了功率MOSFET,可为新一代计算CPU提供高效,紧凑的电源管理解决方案。该器件能够在带SVID接口的可调输出上提供高达14A TDC的输出电流。在高达1.2MHz的高开关频率下工作,允许采用小尺寸电感器和电容器,同时由于采用高性能功率MOSFET的集成解决方案而保持高效率。具有来自输入电源和输出电压的前馈的电流模式RPM控制确保在宽操作条件下的稳定操作。 NCP81149采用QFN48 6x6mm封装。 特性 优势 4.5V至25V输入电压范围 针对超极本和笔记本应用进行了优化 支持11.5W和15W ULT平台 符合英特尔VR12.6和VR12.6 +规格 使用SVID接口调节输出电压 可编程DVID Feed - 支持快速DVID的前进 集成栅极驱动器和功率MOSFET 小外形设计 500kHz~1.2MHz开关频率 降低输出滤波器尺寸和成本 Feedforward Ope输入电源电压和输出电压的比例 快线瞬态响应和DVID转换 过流,过压/欠压和热保护 防止故障 应用 终端产品 工业应用 超极本应用程序 笔记本应用程序 集成POL U...
发表于 07-29 19:02 60次 阅读
NCP81149 具有SVID接口的单相电压调节器 适用于计算应用

NCP81141 Vr12.6单相控制器

41单相降压解决方案针对Intel VR12.6兼容CPU进行了优化。该控制器结合了真正的差分电压检测,差分电感DCR电流检测,输入电压前馈和自适应电压定位,为台式机和笔记本电脑应用提供精确调节的电源。单相控制器采用DCR电流检测,以降低的系统成本提供对动态负载事件的最快初始响应.NCP81141集成了内部MOSFET驱动器,可提高系统效率。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。获得专利的动态参考注入无需在闭环瞬态响应和动态VID性能之间进行折衷,从而进一步简化了环路补偿。获得专利的总电流求和提供高精度的数字电流监控。 应用 终端产品 基于工业CPU的应用程序 信息娱乐,移动,自动化,医疗和安全 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 18:02 239次 阅读
NCP81141 Vr12.6单相控制器

NCP81147 低压同步降压控制器

47是一款单相解决方案,具有差分相电流检测,同步输入,远程接地节能操作和栅极驱动器,可提供精确调节的电源。自适应非重叠栅极驱动和省电操作电路为服务器,笔记本和台式机系统提供低开关损耗和高效率解决方案。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。 NCP81147还具有软启动序列,精确的过压和过流保护,用于电源轨的UVLO和热关断。 特性 优势 内部高性能运算放大器 简化系统补偿 集成MOSFET驱动器 节省空间并简化设计 热关机保护 确保稳健的设计 过压和过流保护 确保稳健设计 省电模式 在轻载操作期间最大限度地提高效率 支持5.0 V至19 V输入 5.0 V至12 V操作 芯片使能功能通过OSC引脚 保证启动进入预充电负载 内部软启动/停止 振荡器频率范围为100 kHz至1000 kHz OCP准确度,锁定前的四次重入时间 无损耗差分电感电流检测 内部高精度电流感应放大器 20ns内部栅极驱动器的自适应FET非重叠时间 Vout从0.8V到3.3 V(5V,12V VCC) 热能补偿电流监测 ...
发表于 07-29 18:02 352次 阅读
NCP81147 低压同步降压控制器

NCP5230 低压同步降压控制器

0是一款单相解决方案,具有差分相电流检测,同步输入,远程接地节能操作和栅极驱动器,可提供精确调节的电源。自适应非重叠栅极驱动和省电操作电路为服务器,笔记本和台式机系统提供低开关损耗和高效率解决方案。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。 NCP5230还具有软启动序列,精确的过压和过流保护,用于电源轨的UVLO和热关断。 特性 高性能误差放大器 >内部软启动/停止 0.5%内部电压精度,0.8 V基准电压 OCP精度,锁存前四次重入时间无损差分电感电流检测内部高精度电流检测放大器振荡器频率范围100 kHz 1000 kHz 20 ns自适应FET内部栅极驱动器非重叠时间 5.0 V至12 V操作支持1.5 V至19 V Vin Vout 0.8 V至3.3 V(具有12 VCC的5 V电压)通过OSC引脚实现芯片功能锁存过压保护(OVP)内部固定OCP阈值保证启动预充电负载 热补偿电流监控 Shutdow n保护集成MOSFET驱动器集成BOOST二极管,内部Rbst = 2.2 自动省电模式,最大限度地提高光效率负载运行同步功能远程地面传感这是一个无铅设备 应用 桌面和服务器系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 17:02 127次 阅读
NCP5230 低压同步降压控制器

NCP3030 同步PWM控制器

0是一款PWM器件,设计用于宽输入范围,能够产生低至0.6 V的输出电压.NCP3030提供集成栅极驱动器和内部设置的1.2 MHz(NCP3030A)或2.4 MHz( NCP3030B)振荡器。 NCP3030还具有外部补偿跨导误差放大器,内置固定软启动。保护功能包括无损耗电流限制和短路保护,输出过压保护,输出欠压保护和输入欠压锁定。 NCP3030目前采用SOIC-8封装。 特性 优势 输入电压4.7 V至28 V 从不同输入电压源调节的能力 0.8 V +/- 1.5%参考电压 能够实现低输出电压 1200 kHz操作(NCP3020B - 2400 kHz) 高频操作允许使用小尺寸电感器和电容器 > 1A驱动能力 能够驱动低Rdson高效MOSFET 电流限制和短路保护 高级保护功能 输出过压和欠压检测 高级保护功能 具有外部补偿的跨导放大器 能够利用所有陶瓷输入和输出电容器 集成升压二极管 减少支持组件数量和成本 受管制的软启动 已结束软启动期间的环路调节可防止任何尖峰或下垂 AEC-Q100和PPAP兼容(NCV3030) 适用于汽车应用 应用 终端产品 ...
发表于 07-29 17:02 90次 阅读
NCP3030 同步PWM控制器