张飞软硬开源基于STM32 BLDC直流无刷电机驱动器开发视频套件,👉戳此立抢👈

碳化硅(SiC)功率器件发展现状

Carol Li 来源:电子发烧友网 作者:Carol Li 2019-07-05 11:56 次阅读

近年来,SiC功率器件的出现大大提升了半导体器件的性能,这对电力电子行业的发展意义重大。据Yole预测,到2023年SiC功率器件市场规模预计将达14亿美元,其主要的市场增长机会在汽车领域,特别是EV、混合动力车和燃料电池车等电动车应用市场。

与Si器件相比,SiC功率器件可以有效实现电力电子系统的高效率、小型化和轻量化。据了解,SiC功率器件的能量损耗只有Si器件的50%,发热量只有Si器件的50%,且有更高的电流密度。在相同功率等级下,SiC功率模块的体积显著小于Si功率模块,以智能功率模块IPM为例,利用SiC功率器件,其模块体积可缩小至Si功率模块的1/3~2/3。

目前越来越多的厂商对碳化硅(SiC)器件加大投入,国外知名厂商有ROHM、Bombardier、Cree、SDK、STMicroelectronics、InfineonTechnologies、Littelfuse、Ascatron等,国内也有不少厂商陆续推出SiC功率器件产品,如泰科天润、基本半导体、上海瞻芯电子、杨杰科技、芯光润泽、瑞能半导体等。

SiC功率半导体器件技术发展近况

1、SiC功率二极管

SiC功率二极管有3种类型:肖特基二极管(SBD),PIN二极管和结势垒控制肖特基二极管(JBS)。由于存在肖特基势垒,SBD具有较低的结势垒高度。因此,SBD具有低正向电压的优势。SiCSBD的出现将SBD的应用范围从250V提高到1200V。同时,其高温特性好,从室温到由管壳限定的175℃,反向漏电流几乎没有增加。在3kV以上的整流器应用领域,SiCPiN和SiCJBS二极管由于比Si整流器具有更高的击穿电压、更快的开关速度以及更小的体积和更轻的重量而备受关注。

2、SiC MOSFET器件

Si功率MOSFET器件具有理想的栅极电阻、高速的开关性能、低导通电阻和高稳定性。在300V以下的功率器件领域,是首选的器件。有报道称,已成功研制出阻断电压10kV的SiCMOSFET。研究人员认为,SiC MOSFET在3kV~5kV领域将占据优势地位。尽管遇到了不少困难,具有较大的电压电流能力的SiCMOSFET的研发还是取得了显著进展。

另外,有报道介绍,SiC MOSFET栅氧层的可靠性已得到明显提高。在350℃条件下有良好的可靠性。这些研究结果表明栅氧层将有希望不再是SiCMOSFET的一个显著的问题。

3、碳化硅绝缘栅双极晶体管(SiC BJT、SiC IGBT)和碳化硅晶闸管(SiC Thyristor)

之前报道了阻断电压12kV的碳化硅P型IGBT器件,并具有良好的正向电流能力。SiC IGBT器件的导通电阻可以与单极的碳化硅功率器件相比。与Si双极型晶体管相比,SiC双极型晶体管具有低20~50倍的开关损耗以及更低的导通压降。SiCBJT主要分为外延发射极和离子注入发射极BJT,典型的电流增益在10-50之间。

关于碳化硅晶闸管,有报道介绍了1平方厘米的晶闸管芯片,阻断电压5kV,在室温下电流100A(电压4.1V),开启和关断时间在几十到几百纳秒。

国内厂商SiC功率器件发展现状

1、泰科天润

泰科天润成立于2011年,是一家致力于碳化硅(SiC)功率器件研发和生产的企业。总部位于北京中关村,在北京拥有一座完整的半导体工艺晶圆厂,可在4英寸SiC晶圆上实现半导体功率器件的制造工艺。产品线涉及基础核心技术产品、碳化硅成型产品以及多套行业解决方案,基础核心产品以碳化硅肖特基二极管为代表。

早在2015年,泰科天润就宣布推出了一款3300V/50A高功率碳化硅肖特基二极管产品。据报道,该产品具有低正向电压降、快开关速度、卓越的导热性能等特性,适用于轨道交通、智能电网等高端领域。

据介绍,3300V/50A高功率碳化硅肖特基二极管工作时的正向压降的典型值为2.22V(IF=50A,Tj=25℃)、4.75V(IF=50A,Tj=175℃);反向漏电流的典型值为120uA(VR=3300V,Tj=25℃)、200uA(VR=3300V,Tj=175℃);在恶劣的电气环境下最大限度地提高可靠性;可在-55℃到175℃温度范围内正常工作。产品可提供未封装的裸芯片,器件封装类型可根据客户要求定制。

2018年10月,泰科天润与高温长寿半导体解决方案领先供应商CISSOID达成战略合作,共同推进碳化硅功率器件在工业各领域,尤其是新能源汽车领域实现广泛应用,如上文介绍,新能源汽车将会是碳化硅功率器件市场规模的主要增长领域。

汽车中用量最多的半导体器件主要是三大类,传感器MCU和功率器件。其中功率器件主要应用在动力控制系统、照明系统、燃油喷射、底盘安全等系统中。与传统汽车相比,新能源汽车新增大量功率器件用量,为什么呢?由于新能源汽车普遍采用高压电路,当电池输出高电压时,需要频繁进行电压变换,这时电压转换电路(DC-DC)用量大幅提升,此外,还需要大量的DC-AC逆变器变压器、换流器等,这些对IGBT、MOSFET、二极管等半导体器件的需求量也大幅增加。

据泰科天润官微介绍,公司当前的产品主要以SiC肖特基二极管为主,可以提供反向电压为600V、1200V、1700V、3300V等级别的器件,包括击穿电压为600V,工作电流为1A、2A、3A、4A、5A、6A、8A、10A、20A的器件,以及击穿电压为1200V,工作电流为2A、5A、10A、20A、30A、40A、50A的器件,此外,器件的封装类型主要为TO-220、TO-247(可根据客户要求定制)。

2、深圳基本半导体

深圳基本半导体成立于2016年,由清华大学、浙江大学、剑桥大学、瑞典皇家理工学院等国内外知名高校博士团队创立,专注于碳化硅功率器件的研发与产业化,是深圳第三代半导体研究院发起单位之一。

深圳基本半导体有限公司长期专注SiC功率器件研发,主要产品包括SiC二极管、SiC?MOSFET及车规级全SiCMOSFET模块,广泛应用于新能源发电、新能源汽车、轨道交通和智能电网等领域。

以SiC二极管为例,通过采用国际领先的碳化硅设计生产工艺,基本半导体旗下SiC二极管的性能对标国际知名厂商同类产品,甚至在某些产品参数上更优于国际厂商,实现光伏逆变器、车载电源、新能源汽车充电电源、通讯电源、服务器电源等行业的大规模应用。

同时,基本半导体在2018年10月正式发布的1200V碳化硅MOSFET,是第一款由中国企业自主设计并通过可靠性测试的工业级产品,各项性能达到国际领先水平,其中短路耐受时间更是长达6μs。

SiC功率模块对于器件芯片本身要求很高、对封装要求很高。前不久,深圳基本半导体营销总监蔡雄飞先生在接受媒体采访的时候透露,基本半导体目前正在研发一款对标“用于特斯拉Model3的ST全SiCMOSFET模块”的车规级产品,2019年已经能提供工程样品,将会跟国内知名汽车整车厂进行联合开发以及样机研发,预期该产品将于2021-2022年上市。

3、扬杰科技

扬杰科技成立于2006年8月2日,2014年1月在深交所创业板挂牌上市,公司专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展,主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN产品、SGTMOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等。产品广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等诸多领域。

从扬杰科技2018年半年度报告中了解到,公司正在积极推进SiC芯片、器件研发及产业化项目,加强碳化硅领域的专利布局,重点研发拥有自主知识产权的碳化硅芯片量产工艺,针对电动汽车、充电桩、光伏逆变等应用领域。

扬杰科技官网显示,目前已有的4个碳化硅碳化硅肖特基模块,型号分别是MB200DU01FJ、MB200DU02FJ、MB300U02FJ、MB40DU12FJ,如查看Datasheet可以知道,MB200DU01FJ这个型号,可以应用在电镀电源、高频电源、大电流开关电源、反向电池保护、焊机等场景中。

3、芯光润泽

芯光润泽成立于2016年3月,是一家专业从事第三代半导体SiC功率器件与模块研发和制造的高科技企业。目前已与西安交大、西安电子科技大学、华南理工等院校成立联合研发中心,与美的集团、爱发科集团和强茂集团等企业签署合作。

2018年9月18日,芯光润泽国内首条碳化硅智能功率模块(SiCIPM)生产线正式投产,该项目于2016年12月正式开工建设,据了解,该产线投产稳定后,每月生产规模可达30万、每年可达360万颗。

从芯光润泽官网获悉,公司目前拥有碳化硅产品为碳化硅SBD和碳化硅MOSFET,如XGSCS1230SWA是碳化硅SBD其中一个型号,可以满足电压为1200V的电压需求,适用场景为开关电源、功率因数校正、电力逆变器、不间断电源(UPS)、电机驱动等等。

4、瑞能半导体

瑞能半导体有限公司是由恩智浦半导体与北京建广资产管理有限公司共同投资建立的高科技合资企业,于2016年1月19日宣布正式开业,运营中心落户上海。瑞能半导体一直专注于研发行业领先的、广泛且深入的双击功率半导体产品组合,包括可控硅整流器和三端双向可控硅、硅功率二极管、高压晶体管和碳化硅二极管等。

公司的碳化硅二极管主要应用在工业、服务器、空调等领域,从官网了解到,瑞能半导体碳化硅二极管型号共有25个,都可以满足电压为650V的需求,如型号NXPSC16650B,可以应用在功率因数校正、开关模式电源、不间断电源(UPS)、光伏逆变器、LED/OLED电视、电机驱动等场景中。

5、上海瞻芯电子

上海瞻芯电子成立于2017年7月17日,是一家由海归博士领衔的Fabless半导体初创公司,齐集了海内外一支经验丰富的工艺、器件、电路设计、系统应用、市场推广和商务管理的高素质核心团队。公司致力于开发以碳化硅功率器件为核心的高性价比功率芯片和模块产品,为电源和电驱动系统的小型化、高效化和轻量化提供完整的半导体解决方案。

2017年10月上旬,公司完成工艺流程、器件和版图设计,在10月到12月间完成初步工艺试验;并且从2017年12月开始正式流片,在短短不到5个月内克服种种困难,成功地在一条成熟量产的6英寸工艺生产线上完成碳化硅(SiC)MOSFET的制造流程。晶圆级测试结果表明,各项电学参数达到预期,为进一步完成工艺和器件设计的优化奠定了坚实基础。2018年5月1日,第一片国产6英寸SiCMOSFET晶圆正式诞生。

总结

新能源汽车是SiC功率器件的主要增长点,充电桩也是,以直流充电桩为例,据CASA测算,电动汽车充电桩中的SiC器件的平均渗透率达到10%,2018年整个直流充电桩SiC电力电子器件的市场规模约为1.3亿,较2017年增加了一倍多。

SiC功率器件存在很多优势,未来发展空间也在逐渐增大,不过在发展SiC器件的过程中,还是存在不少问题,从近几年的发展来看,国内外厂商还是研究机构,都在加大投入发展更有的技术和产品,相信未来SiC器件不管在性能还是价格等多方面都会更适应市场需求。

收藏 人收藏
分享:

评论

相关推荐

第七部:分立器件搭建BUCK电源

【LLC系统课程推荐】史上最全张飞半桥LLC电源教程,60小时深度讲解半桥串联谐振软开关电源设计http://url.e
发表于 07-26 00:00 32607次 阅读
第七部:分立器件搭建BUCK电源

浙江省嘉善县捷报IGBT功率半导体正式落户嘉善经济技术开发区

7月16日,浙江省嘉善县数字经济发展再传捷报,IGBT功率半导体项目正式签约落户嘉善经济技术开发区。
的头像 芯论 发表于 07-18 16:11 66次 阅读
浙江省嘉善县捷报IGBT功率半导体正式落户嘉善经济技术开发区

[初阶科普向] IGBT这玩意儿——定义怎么看

引用:IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极性三极管)和MOSFET(绝缘栅型...
发表于 07-18 14:14 241次 阅读
[初阶科普向] IGBT这玩意儿——定义怎么看

[初阶科普向] IGBT这玩意儿——定义怎么看

引用:IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极性三极管)和MOSFET(绝缘栅型...
发表于 07-18 14:14 241次 阅读
[初阶科普向] IGBT这玩意儿——定义怎么看

IGBT功率半导体项目落户嘉善经济技术开发区

7月16日,浙江省嘉善县数字经济发展再传捷报,IGBT功率半导体项目正式签约落户嘉善经济技术开发区。
的头像 中国半导体论坛 发表于 07-18 10:04 215次 阅读
IGBT功率半导体项目落户嘉善经济技术开发区

高效能IGBT助力高功率应用

IGBT(Insulated-Gate Bipolar Transistor)是电源应用中相当常见的器件,可用于交流电的电机控制输出。由安森美半导体(...
发表于 07-18 06:12 151次 阅读
高效能IGBT助力高功率应用

IGBT功率半导体项目落户嘉善经济技术开发区 总投资达7.5亿美元

7月16日,浙江省嘉善县数字经济发展再传捷报,IGBT功率半导体项目正式签约落户嘉善经济技术开发区。
的头像 半导体动态 发表于 07-17 16:27 293次 阅读
IGBT功率半导体项目落户嘉善经济技术开发区 总投资达7.5亿美元

PRD1139是基于带有级联MOSFET的ADP1613升压稳压器IC

PRD1139是一款30至60V输入隔离反激式转换器,基于带有级联MOSFET的ADP1613升压稳压器IC。它使用初级侧调节来...
发表于 07-17 08:56 317次 阅读
PRD1139是基于带有级联MOSFET的ADP1613升压稳压器IC

逆变器核心开关器件IGBT的应用特点、可靠性

本文研究了逆变器核心开关器件IGBT主要参数的选择, 分析三相逆变电路拓扑及功率器件IGBT的应用特....
的头像 畅学电子 发表于 07-17 08:45 186次 阅读
逆变器核心开关器件IGBT的应用特点、可靠性

如何使用矢量控制策略进行三相逆变器驱动电路的设计

介绍基于矢量控制策略的三相逆变器驱动电路实现方法,分析该策略的矢量变换与解耦数学模型; 以IR211....
发表于 07-17 08:00 33次 阅读
如何使用矢量控制策略进行三相逆变器驱动电路的设计

单片式电流和温度检测电路

作者:Fabio Necco和Roy Davis 安森美半导体的650V汽车认证裸片IGBT针对正在开发汽车牵引逆变器先进方案的电源模块制...
发表于 07-17 07:51 203次 阅读
单片式电流和温度检测电路

隔离变压器可以去除不必要的噪声

工业自动化系统使用微处理器、数字信号处理器(DSP)和传感器网络来控制机电流程。这些元件具有高度敏感性,但是却在充满来自...
发表于 07-17 04:45 174次 阅读
隔离变压器可以去除不必要的噪声

高功率电动机各种元件给设计工程师带来了新的挑战

对于紧凑型且性能强大的电动机的强烈需求给设计工程师带来了新的挑战,为了最大限度的提高小型电动机的输出功率,工程师们正考虑...
发表于 07-16 20:43 113次 阅读
高功率电动机各种元件给设计工程师带来了新的挑战

太厉害了,终于有人能把IGBT讲得明明白白

一文看懂IGBT
的头像 电子发烧友网 发表于 07-16 10:11 1290次 阅读
太厉害了,终于有人能把IGBT讲得明明白白

三种IGBT驱动电路和保护方法的详细资料说明

本文着重介绍三个IGBT驱动电路。驱动电路的作用是将单片机输出的脉冲进行功率放大,以驱动IGBT,保....
发表于 07-16 08:00 44次 阅读
三种IGBT驱动电路和保护方法的详细资料说明

IGBT模块驱动及保护技术的详细资料说明

IGBT 是 MOSFET 和双极晶体管的复合器件。它既有 MOSFET 易驱动的特点,又具有功率晶....
发表于 07-16 08:00 43次 阅读
IGBT模块驱动及保护技术的详细资料说明

EM2140功率因数同步降压变换器的数据手册免费下载

EM2140是一个完全集成的40A功率因数同步降压变换器。它具有先进的数字控制器、栅极驱动器、同步M....
发表于 07-16 08:00 28次 阅读
EM2140功率因数同步降压变换器的数据手册免费下载

【微信精选】太厉害了,终于有人能把IGBT讲得明明白白

IGBT(绝缘栅双极型晶体管),是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功...
发表于 07-16 07:30 460次 阅读
【微信精选】太厉害了,终于有人能把IGBT讲得明明白白

儒卓力发布英飞凌OptiMOS功率MOSFET 具有出色的性能数据和功率密度

由于具有最低的导通电阻(RDS(on)),这些BiC MOSFET能够以良好的性价比降低损耗。此外,....
发表于 07-15 16:37 169次 阅读
儒卓力发布英飞凌OptiMOS功率MOSFET 具有出色的性能数据和功率密度

What ?55页PPT就把Mosfet从入门到精通讲清了!

收藏
的头像 电子发烧友网 发表于 07-15 09:58 1213次 阅读
What ?55页PPT就把Mosfet从入门到精通讲清了!

TP65H050WS GaN场效应晶体管的数据手册免费下载

TP65H050WS 650V,50MΩ氮化镓(GaN)场效应晶体管是一种通常关闭的器件。它结合了最....
发表于 07-15 08:00 31次 阅读
TP65H050WS GaN场效应晶体管的数据手册免费下载

求IGBT高频电源ADC采集电压滤掉开关管的尖峰!

模电前辈们,求 IGBT 高频电源 ADC采集电压 滤掉开关管的尖峰   办法   ...
发表于 07-15 02:57 130次 阅读
求IGBT高频电源ADC采集电压滤掉开关管的尖峰!

MOSFET栅极电压对电流的影响

FET通过影响导电沟道的尺寸和形状,控制从源到漏的电子流(或者空穴流)。沟道是由(是否)加在栅极和源....
的头像 发烧友学院 发表于 07-12 17:50 299次 阅读
MOSFET栅极电压对电流的影响

如何实现Buck电路的软开关详细方法说明

提出了一种Buck电路软开关实现方法,即同步整流加上电感电流反向。根据两个开关管实现软开关的条件不同....
发表于 07-11 16:14 98次 阅读
如何实现Buck电路的软开关详细方法说明

DC1901A演示板采用高效突发模式工作

DC1901A,演示板采用LTC3639EMSE高效率,150V,100mA同步降压转换器。该IC采用高效突发模式工作,包括内部高端...
发表于 07-11 13:38 426次 阅读
DC1901A演示板采用高效突发模式工作

焊机IGBT炸管的分析和维修注意事项资料免费下载

有的焊机不用分流器,而是通过互感器来检测主变初级的电流,它的优势是电流更稳,哪怕二次整流管短路也不至....
发表于 07-10 08:00 66次 阅读
焊机IGBT炸管的分析和维修注意事项资料免费下载

电力开关中不可缺少的死区时间发生电路的详细说明

在驱动电路等电力开关电路中,采用半桥式及全桥式电路时,必须注意图1.12所示的实现推挽动作的设备的断....
发表于 07-08 08:00 58次 阅读
电力开关中不可缺少的死区时间发生电路的详细说明

增强型和耗尽型MOS场效应管的详细资料和计算方式说明

根据导电方式的不同,MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指:当VGS=0时管子是呈截止状态,....
的头像 畅学电子 发表于 07-06 09:48 340次 阅读
增强型和耗尽型MOS场效应管的详细资料和计算方式说明

ACNW3190-000E 5.0安培高输出电流IGBT栅极驱动光电耦合器

ACNW3190栅极驱动光电耦合器包含一个AlGaAs LED,它与一个带功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。 输出级的高工作电压范围提供栅极控制器件所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适用于额定电压高达1200V / 200 A,600 V / 300 A的直接驱动IGBT。对于额定值较高的IGBT,ACNW3190可用于驱动分立电源驱动IGBT栅极的阶段。 ACNW3190在IEC / EN / DIN EN 60747-5-2中具有最高的VIORM = 1414 Vpeak绝缘电压。   功能 5.0最大峰值输出电流 15 kV /μs最小共模抑制(CMR) )VCM = 1500 V 0.5 V最大低电平输出电压(VOL) 无需负栅极驱动 ICC = 5 mA最大电源电流 带滞后的欠压锁定保护(UVLO) 宽工作VCC范围:15至30 V 500 ns最大开关速度 工业温度范围:-40°C至100°C 安全认证(UL认可5000 Vrms 1分钟,CSA认证,IEC / EN / DIN EN 60747-5-2认可VIORM = 1414 Vpeak) 应用 IGBT / MOSFET栅极驱动器 AC /无刷直流电机驱动器 工业逆变...
发表于 07-04 13:05 0次 阅读
ACNW3190-000E 5.0安培高输出电流IGBT栅极驱动光电耦合器

HSSR-7110#100 90 V / 1.0 Ohm,密封,功率MOSFET光电耦合器

HSSR-7110#100是商用级HSSR-7110,具有可表面安装的对接引线形式和金色铅涂层。请使用数据表链接获取更多详细信息。 功能 商用级,8针DIP 性能保证从-55度到125度C 可靠性数据 体积小,重量轻 MIL-PRF-38534 H级可用 可用空间级处理 提供DSCC标准微电路图(H级) 交流/直流信号和电源切换 紧凑型固态双向开关 连接A 0.8 A,1.0 Ohm 连接B 1.6 A,0.25 Ohm 1500 Vdc耐受测试电压 高瞬态抗扰度 5放大器输出浪涌电流 应用 军事和航空航天 高可靠性系统 标准28 Vdc和48 Vdc负载驱动器 标准24 Vac负载驱动器 飞机控制器 ac / dc机电和固态继电器更换 I / O模块 恶劣的工业环境...
发表于 07-04 12:47 0次 阅读
HSSR-7110#100 90 V / 1.0 Ohm,密封,功率MOSFET光电耦合器

HSSR-7110#600 90 V / 1.0 Ohm,密封,功率MOSFET光电耦合器

HSSR-7110#600是商用级HSSR-7110,具有非常短的表面安装人员切割引线形状和金铅表面。请使用数据表链接获取更多详细信息。 功能 商用级,8针DIP 性能保证从-55度到125度C 可靠性数据 体积小,重量轻 MIL-PRF-38534 H级可用 可用空间级处理 提供DSCC标准微电路图(H级) 交流/直流信号和电源切换 紧凑型固态双向开关 连接A 0.8 A,1.0 Ohm 连接B 1.6 A,0.25 Ohm 1500 Vdc耐受测试电压 高瞬态抗扰度 5放大器输出浪涌电流 应用 军事和航空航天 高可靠性系统 标准28 Vdc和48 Vdc负载驱动器 标准24 Vac负载驱动器 飞机控制器 ac / dc机电和固态继电器更换 I / O模块 恶劣的工业环境...
发表于 07-04 12:46 7次 阅读
HSSR-7110#600 90 V / 1.0 Ohm,密封,功率MOSFET光电耦合器

HSSR-7110#300 90 V / 1.0 Ohm,密封,功率MOSFET光电耦合器

HSSR-7110#300是商用级HSSR-7110,带有可表面安装的鸥翼形引线和焊接浸渍引线。焊料含有铅。请使用数据表链接获取更多详细信息。 功能 商用级,8针DIP 性能保证从-55度到125度C 可靠性数据 体积小,重量轻 MIL-PRF-38534 H级可用 可用空间级处理 提供DSCC标准微电路图(H级) 交流/直流信号和电源切换 紧凑型固态双向开关 连接A 0.8 A,1.0 Ohm 连接B 1.6 A,0.25 Ohm 1500 Vdc耐受测试电压 高瞬态抗扰度 5放大器输出浪涌电流 应用 军事和空间 高可靠性系统 标准28 Vdc和48 Vdc负载驱动器 标准24 Vac负载驱动器 飞机控制器 ac / dc机电和固态继电器更换 I / O模块 恶劣的工业环境...
发表于 07-04 12:45 9次 阅读
HSSR-7110#300 90 V / 1.0 Ohm,密封,功率MOSFET光电耦合器

HSSR-7111#300 90 V / 1.0 Ohm,密封,功率MOSFET光电耦合器

HSSR-7111#300是高可靠性等级H HSSR-7111,带有可表面安装的鸥翼形引线形式和焊料浸渍引线表面。焊料含有铅。请使用数据表链接获取更多详细信息。 功能 高可靠性,8引脚DIP 性能保证从-55度到125度C MIL-PRF-38534 H级,QML-38534 双重标记设备部件号和DSCC标准微电路图 可靠性数据 体积小,重量轻 可用空间电平处理 交流/直流信号和电源切换 紧凑型固态双向开关 连接A 0.8 A,1.0欧姆 连接B 1.6 A,0.25欧姆 1500 Vdc耐受测试电压 高瞬态抗扰度 5安培输出浪涌电流 应用 军事与航天 高可靠性系统 标准28 Vdc和48 Vdc负载驱动器 标准24 Vac负载驱动器 飞机控制器 ac / dc机电和固态继电器更换 I / O模块 Harsh Industrial环境...
发表于 07-04 12:45 11次 阅读
HSSR-7111#300 90 V / 1.0 Ohm,密封,功率MOSFET光电耦合器

ACPL-33JT-000E 汽车R²Coupler®智能门驱动光电耦合器

ACPL-33JT是一款2.5A汽车R 2 耦合器®智能门驱动光电耦合器件,具有集成的反激控制器用于隔离式DC-DC转换器,具有故障反馈的IGBT去饱和感应,具有软关断和故障反馈的欠压锁定(UVLO)以及有源米勒电流钳位。快速传播延迟和严格的时序偏移性能可实现出色的时序控制和效率。 这款全功能设备采用紧凑的表面贴装SO-16封装,节省空间,适用于电动汽车(EV)和混合动力车辆中的牵引动力总成逆变器,电源转换器,电池充电器,空调和油泵电机驱动器电动汽车(HEV)应用。 R 2 耦合器隔离产品提供关键汽车和高温工业应用所需的增强绝缘和可靠性。 功能 符合AEC-Q100 1级测试指南 工作温度范围:-40°C至+ 125°C  用于隔离式DC-DC转换器的集成反激式控制器 稳压输出电压:16V 峰值输出电流:2.5A  (最大) 米勒钳位漏电流:2A 输入电源范围:4.5V至5.5V 传播延迟:300ns(最大)  死区时间失真范围:-150ns至+ 150ns 共模抑制(CMR): > 50 kV /μs;在 CM = 1500 V 集成的故障安全IGBT保护: 去饱和感应,“软” IGBT关断和故障反馈 带反馈的欠压锁定(UVLO)保护 ...
发表于 07-04 12:45 9次 阅读
ACPL-33JT-000E 汽车R²Coupler®智能门驱动光电耦合器

HSSR-7111#100 90 V / 1.0 Ohm,密封,功率MOSFET光电耦合器

HSSR-7111#100是高可靠性等级H HSSR-7111,具有可表面安装的对接引线形式和金色铅涂层。请使用数据表链接获取更多详细信息。 功能 高可靠性,8引脚DIP 性能保证从-55度到125度C MIL-PRF-38534 H级,QML-38534 双重标记设备部件号和DSCC标准微电路图 可靠性数据 体积小,重量轻 可用空间电平处理 交流/直流信号和电源切换 紧凑型固态双向开关 连接A 0.8 A,1.0欧姆 连接B 1.6 A,0.25欧姆 1500 Vdc耐受测试电压 高瞬态抗扰度 5安培输出浪涌电流 应用 军事与航天 高可靠性系统 标准28 Vdc和48 Vdc负载驱动器 标准24 Vac负载驱动器 飞机控制器 ac / dc机电和固态继电器更换 I / O模块 Harsh Industrial环境...
发表于 07-04 12:45 13次 阅读
HSSR-7111#100 90 V / 1.0 Ohm,密封,功率MOSFET光电耦合器

HSSR-7110#200 90 V / 1.0 Ohm,密封,功率MOSFET光电耦合器

HSSR-7110#200是商品级HSSR-7110,带有焊料浸渍引线。焊料含有铅。请使用数据表链接获取更多详细信息。 功能 商用级,8针DIP 性能保证从-55度到125度C 可靠性数据 体积小,重量轻 MIL-PRF-38534 H级可用 可用空间级处理 提供DSCC标准微电路图(H级) 交流/直流信号和电源切换 紧凑型固态双向开关 连接A 0.8 A,1.0 Ohm 连接B 1.6 A,0.25 Ohm 1500 Vdc耐受测试电压 高瞬态抗扰度 5放大器输出浪涌电流 应用 军事和空间 高可靠性系统 标准28 Vdc和48 Vdc负载驱动器 标准24 Vac负载驱动器 飞机控制器 ac / dc机电和固态继电器更换 I / O模块 恶劣的工业环境...
发表于 07-04 12:45 14次 阅读
HSSR-7110#200 90 V / 1.0 Ohm,密封,功率MOSFET光电耦合器

HSSR-7111#200 90 V / 1.0 Ohm,密封,功率MOSFET光电耦合器

HSSR-7111#200是高可靠性等级H HSSR-7111,带有焊接浸渍引线。焊料含有铅。请使用数据表链接获取更多详细信息。 功能 高可靠性,8引脚DIP 性能保证从-55度到125度C MIL-PRF-38534 H级,QML-38534 双重标记设备部件号和DSCC标准微电路图 可靠性数据 体积小,重量轻 可用空间电平处理 交流/直流信号和电源切换 紧凑型固态双向开关 连接A 0.8 A,1.0欧姆 连接B 1.6 A,0.25欧姆 1500 Vdc耐受测试电压 高瞬态抗扰度 5安培输出浪涌电流 应用 军事与航天 高可靠性系统 标准28 Vdc和48 Vdc负载驱动器 标准24 Vac负载驱动器 飞机控制器 ac / dc机电和固态继电器更换 I / O模块 Harsh Industrial环境...
发表于 07-04 12:44 18次 阅读
HSSR-7111#200 90 V / 1.0 Ohm,密封,功率MOSFET光电耦合器

HSSR-7111#600 90 V / 1.0 Ohm,密封,功率MOSFET光电耦合器

HSSR-7111#600是高可靠性等级H HSSR-7111,具有非常短的表面安装人员切割引线形状和金铅表面。请使用数据表链接获取更多详细信息。 功能 高可靠性,8引脚DIP 性能保证从-55度到125度C MIL-PRF-38534 H级,QML-38534 双重标记设备部件号和DSCC标准微电路图 可靠性数据 体积小,重量轻 可用空间电平处理 交流/直流信号和电源切换 紧凑型固态双向开关 连接A 0.8 A,1.0欧姆 连接B 1.6 A,0.25欧姆 1500 Vdc耐受测试电压 高瞬态抗扰度 5安培输出浪涌电流 应用 军事与航天 高可靠性系统 标准28 Vdc和48 Vdc负载驱动器 标准24 Vac负载驱动器 飞机控制器 ac / dc机电和固态继电器更换 I / O模块 Harsh Industrial环境...
发表于 07-04 12:44 12次 阅读
HSSR-7111#600 90 V / 1.0 Ohm,密封,功率MOSFET光电耦合器

英飞凌亮相PCIM Asia 2019,以最新产品技术助力多领域实现节能增效

英飞凌以“我们赋能世界”为主题,在展会上展示了具备更高功率密度、最新芯片技术和功能更集成的一系列新产....
发表于 07-03 18:47 130次 阅读
英飞凌亮相PCIM Asia 2019,以最新产品技术助力多领域实现节能增效

常见的MOSFET以及IGBT绝缘栅极隔离驱动技术解析

MOSFET以及IGBT绝缘栅双极性大功率管等器件的源极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构,直流电不能通....
发表于 07-03 16:26 184次 阅读
常见的MOSFET以及IGBT绝缘栅极隔离驱动技术解析

SDOOHA MOSFET负载开关的数据手册免费下载

SDOOHA是一种低成本、低电压、单P MOSFET负载开关,针对自供电和总线供电的通用串行总线(U....
发表于 07-03 08:00 44次 阅读
SDOOHA MOSFET负载开关的数据手册免费下载

IGBT驱动模块的设计资料免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是IGBT驱动模块的设计资料免费下载。如图 1 所示,驱动模块由三个部分组....
发表于 07-03 08:00 114次 阅读
IGBT驱动模块的设计资料免费下载

常用的功率半导体器件汇总

电力电子器件(Power Electronic Device),又称为功率半导体器件,用于电能变换和....
发表于 07-02 16:52 305次 阅读
常用的功率半导体器件汇总

功率MOSFET平均售价持续上升 成为IDM大厂产品主要发展重点

自2018年开始,功率MOSFET(Power MOSFET)的平均售价(ASP)持续上升,其中以工....
的头像 半导体动态 发表于 07-02 16:42 592次 阅读
功率MOSFET平均售价持续上升 成为IDM大厂产品主要发展重点

如何消除静电释放(ESD)对电子设备的干扰和破坏?

在PCB板的设计当中,可以通过分层、恰当的布局布线和安装实现PCB的抗ESD设计。在设计过程中,通过....
的头像 电子发烧友网 发表于 07-02 11:24 684次 阅读
如何消除静电释放(ESD)对电子设备的干扰和破坏?

UC284X和UC384X系列电流模式脉宽调制控制器的数据手册免费下载

UC3842/3/4/5控制系列提供了实现离线或直流-直流固定频率电流模式控制方案所需的功能,外部部....
发表于 07-01 08:00 48次 阅读
UC284X和UC384X系列电流模式脉宽调制控制器的数据手册免费下载

IGBT基本结构和原理_IGBT设计关键因素

因为最近工作中比较多的涉及到IGBT,所以今天我们来聊一聊IGBT的设计的相关要点,当然只是从我们比....
的头像 电力电子技术与新能源 发表于 06-29 09:44 432次 阅读
IGBT基本结构和原理_IGBT设计关键因素

IGBT的双脉冲测试介绍

IGBT的双脉冲测试(Double Pulse Test)-Micro_Grid,欢迎加入技术交流Q....
的头像 电力电子技术与新能源 发表于 06-29 09:40 707次 阅读
IGBT的双脉冲测试介绍

功率半导体器件基础PDF电子书免费下载

本书系统介绍了电力电子领域广泛应用的各类功率半导体器件。由浅入深地介绍了器件的基本结构、物 理机理、....
发表于 06-27 08:00 160次 阅读
功率半导体器件基础PDF电子书免费下载

MOSFET理解与应用 如何提高放大器的Robust

哪些因素会影响MOSFET放大器的Robust增加一个电阻,提高Robust增加一个电容。
发表于 06-26 14:33 122次 阅读
MOSFET理解与应用 如何提高放大器的Robust

IGBT的定义及特性

IGBT晶体管采用这两种常见晶体管的最佳部分,即MOSFET的高输入阻抗和高开关速度利用双极晶体管的....
的头像 模拟对话 发表于 06-25 18:27 364次 阅读
IGBT的定义及特性

最经典MOS管电路工作原理及详解

mos管是金属(metal)、氧化物(oxide)、半导体(semiconductor)场效应晶体管....
发表于 06-25 16:59 157次 阅读
最经典MOS管电路工作原理及详解

IGBT功率模块及装置的热设计详细资料说明

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,....
发表于 06-21 08:00 214次 阅读
IGBT功率模块及装置的热设计详细资料说明

IR2133系列高电压和高速功率MOSFET IGBT驱动器的数据手册免费下载

IR2133IR2135/IR2233 IR2355(J&S)是高电压、高速功率MOSFET和IGB....
发表于 06-20 08:00 193次 阅读
IR2133系列高电压和高速功率MOSFET IGBT驱动器的数据手册免费下载

电动汽车成为增长动能 2021年IGBT产值预估将突破52亿美元

根据集邦咨询旗下拓墣产业研究院报告指出,电动汽车已成为汽车产业未来的主要成长动能,预估在2021年电....
的头像 章鹰 发表于 06-19 08:20 3597次 阅读
电动汽车成为增长动能 2021年IGBT产值预估将突破52亿美元

MOS管阈值电压与沟长和沟宽的关系

关于 MOSFET 的 W 和 L 对其阈值电压 Vth 的影响,实际在考虑工艺相关因素后都是比较复....
发表于 06-18 17:19 251次 阅读
MOS管阈值电压与沟长和沟宽的关系

MOSFET开通时间和关断时间定义

电路设计的问题,就是让MOS管工作在线性的工作状态,而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原....
发表于 06-18 16:49 438次 阅读
MOSFET开通时间和关断时间定义

MOS管参数及含义说明

 交流参数可分为输出电阻和低频互导2个参数,输出电阻一般在几十千欧到几百千欧之间,而低频互导一般在十....
发表于 06-18 16:01 201次 阅读
MOS管参数及含义说明

场效应管及其基本应用的详细资料说明

本文档的主要内容详细介绍的设计场效应管及其基本应用的详细资料说明主要内容包括了:1.引言,2.场效应....
发表于 06-17 08:00 94次 阅读
场效应管及其基本应用的详细资料说明

光刻机的背景技术和工作原理及专利分析的详细资料说明

近两年,中国芯片产业受到了严重打击,痛定思痛之余也让国人意识到芯片自主研发的重要性。从2008年以来....
的头像 旺材芯片 发表于 06-16 09:56 943次 阅读
光刻机的背景技术和工作原理及专利分析的详细资料说明

亚洲工业市场规模已达44亿美元,ST打算吞下这块“肥肉”

虽然工业市场规模庞大,然而却高度碎片化,要像吃下这块“肥肉”并不那么容易。为了能顺利吃到肉,2019....
的头像 荷叶塘 发表于 06-14 20:29 3410次 阅读
亚洲工业市场规模已达44亿美元,ST打算吞下这块“肥肉”

2019年世界IGBT市场总值将达到48.4亿美元 同比增长2.8%

据报道:电动汽车已成为汽车产业未来的主要成长动能,预计到2021年电动汽车将达到年产800万辆,为2....
的头像 集成电路园地 发表于 06-14 16:31 793次 阅读
2019年世界IGBT市场总值将达到48.4亿美元 同比增长2.8%

2019年世界IGBT市场总值将达到48.4亿美元

电动汽车已成为汽车产业未来的主要成长动能,预计到2021年电动汽车将达到年产800万辆,为2018年....
发表于 06-14 16:24 796次 阅读
2019年世界IGBT市场总值将达到48.4亿美元

受益于电动汽车发展,IGBT产值2021年突破52亿美元

电动汽车已成为汽车产业未来的主要成长动能,预计在2021年电动汽车将突破800万辆,为2018年的两....
的头像 Blue5 发表于 06-13 11:11 673次 阅读
受益于电动汽车发展,IGBT产值2021年突破52亿美元

IGBT与MOSFET到底有什么区别

mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管....
发表于 06-13 08:00 200次 阅读
IGBT与MOSFET到底有什么区别

UCC27511 4A/8A 单通道高速低侧闸极驱动器

UCC27511和UCC27512单通道高速低侧栅极驱动器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)电源开关.UCC27511和UCC27512采用的设计方案可最大程度减少击穿电流,从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟(典型值为13ns)。 UCC27511特有双输入设计,同一器件可灵活实现反相(IN-引脚)和非反相(IN +引脚)配置.IN +引脚和IN-引脚均可用于控制驱动器输出的状态。未使用的输入引脚可用于启用和禁用功能。出于安全考虑,输入引脚上的内部上拉和下拉电阻器在输入引脚处于悬空状态时,确保 UCC27 511器件的输入引脚阈值基于与TTL和COMS兼容的低电压逻辑电路,此逻辑电路是固定的且与V DD 电源电压无关。高低阈值间的宽滞后提供了出色的抗扰度。 UCC27511和UCC27512提供4A拉电流,8A灌电流(非对称驱动)峰值驱动电流能力。非对称驱动中的强劲灌电流能力提升了抗寄生,米勒接通效应的能力.UCC27511器件还具有一个独特的分离输出配置,其中的栅极驱动电流通过OUTH引脚拉出,通过OUTL引脚灌入。这种独特的引脚排列使...
发表于 10-16 11:19 57次 阅读
UCC27511 4A/8A 单通道高速低侧闸极驱动器

UCC27517 4A/4A 单通道高速低侧闸极驱动器

UCC27516和UCC27517单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)电源开关.UCC27516和UCC27517采用的设计方案可最大程度减少击穿电流,从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟(当前VDD = 12V时,UCC27516和UCC27517可提供峰值为4A的灌/拉(对称驱动)电流驱动能力。 UCC27516和UCC27517具有4.5V至18V的宽VDD范围,以及-40°C至140°C的宽温度范围.VDD引脚上的内部欠压闭锁(UVLO)电路可以超出VDD运行范围时使输出保持低电平。此器件能够在低电压(例如低于5V)下运行,并且拥有同类产品中较好的开关特性,因此非常适用于驱动诸如GaN功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。 UCC27516和UCC27517特有双输入设计,同一器件可灵活实现反相(IN-引脚)和非反相(IN +引脚)配置.IN +引脚和IN-引脚中的任何一个都可用于控制此驱动器输出的状态。未使用的输入引脚可被用于启用和禁用功能。出于安全考虑,输入引脚上的内部上拉和下拉电阻器在输入引脚处于悬空状态时,确保...
发表于 10-16 11:19 122次 阅读
UCC27517 4A/4A 单通道高速低侧闸极驱动器

UCC27200-Q1 汽车类 120V 升压 3A 峰值电流的高频高端/低端驱动器

UCC2720x-Q1系列高频N沟道MOSFET驱动器包括一个120V自举二极管和独立的高侧和低侧驱动器输入以实现最大的控制灵活这允许在半桥,全桥,双开关正向和有源钳位正激转换器中进行N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器可独立控制,并在相互之间的开启和关断之间匹配1 ns。 片内自举二极管消除了外部分立二极管。为高侧驱动器和低侧驱动器提供欠压锁定,如果驱动器电压低于指定阈值,则强制输出为低电平。 提供两种版本的UCC2720x-Q1 - UCC27200-Q1具有高噪声免疫CMOS输入阈值,UCC27201-Q1具有TTL兼容阈值。 两款器件均采用8引脚SO PowerPAD(DDA)封装。对于所有可用封装,请参见数据手册末尾的可订购附录。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1: -40°C至125°C环境工作温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C5 驱动两个高侧和低侧配置的N沟道MOSFET 最大启动电压:120 V 最大V DD < /sub>电压:20 V 片内0.65 V VF,0.6ΩRD自举二极管 大于1 MHz的工作 20- ns传播延迟时间 3-A漏极,3A源输出电流 8-ns上升和...
发表于 10-16 11:19 93次 阅读
UCC27200-Q1 汽车类 120V 升压 3A 峰值电流的高频高端/低端驱动器

UCC27538 栅极驱动器

UCC2753x单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A和5A灌电流的设计,同时结合了支持负断偏置电压,轨道轨道驱动功能,极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET和IGBT电源开关的理想解决方案.UCC2753x系列器件也可支持使能,双输入以及反相和同相输入功能。隔离输出与强大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性,并有助于减少地的抖动。 输入引脚保持断开状态将使驱动器输出保持低电平。驱动器的逻辑行为显示在应用图,时序图和输入与输出逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路提供一个欠压锁定功能,此功能在VDD电源电压处于工作范围内之前使用输出保持低电平。 特性 低成本栅极驱动器(为FET和IGBT的驱动提供最佳解决方案) 分立式晶体管(1800pF负载时的典型值分别为15ns和7ns) 欠压锁定(UVLO) 被用作高侧或低侧驱动器(如果采用适当的偏)置和信号隔离设计) 低成本,节省空间的5引脚或6引脚DBV(SOT-23)封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度范围:...
发表于 10-16 11:19 30次 阅读
UCC27538 栅极驱动器

UCC27517A-Q1 具有 5V 负输入电压处理能力的 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器

UCC27517A-Q1单通道高速低侧栅极驱动器件有效地驱动金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管UCC27517A-Q1能够灌,拉高峰值电流脉冲进入到电容负载值为13ns)。 UCC27517A-Q1器件在输入上处理-5V电压。 当V DD = 12V时,UCC27517A-Q1可提供峰值为4A的灌/拉(对称驱动)电流驱动能力。 UCC27517A-Q1在4.5V至18V的宽V DD 范围以及-40°C至140° C的宽温度范围内运行.V DD 引脚上的内部欠压锁定(UVLO)电路可在V DD 超出运行范围时使输出保持低电平。此器件能够在低电压(例如低于5V)下运行,并且拥有同类产品中最佳的开关特性,因此非常适用于驱动诸的GaN功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。 特性 符合汽车应用要求 具有符合AEC-Q100标准的下列结果: 符合汽车应用要求的器件温度1级:-40°C至125°C的环境运行温度范围 器件人体放电模式(HBM)静电放电(ESD)分类等级2 器件组件充电模式(CDM)ESD分类等级C6 低成本栅极驱动器件提供NPN和PNP离散解决方案的高品质替代产品 4A峰值拉电流和灌电流对称驱动 能够输入上处理负...
发表于 10-16 11:19 20次 阅读
UCC27517A-Q1 具有 5V 负输入电压处理能力的 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器

UCC27211 120V 升压 4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

UCC27210和UCC27211驱动器是基于广受欢迎的UCC27200和UCC27201 MOSFET驱动器,但性能得到了显着提升。峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至4A拉电流和4A灌电流,并且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω,因此可以在MOSFET的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。现在,输入结构能够直接处理-10 VDC,这提高了稳健耐用性,并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。这些输入与电源电压无关,并且具有20V的最大额定值。 UCC2721x的开关节点(HS引脚)最高可处理-18V电压,从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响.UCC27210(a CMOS输入)和UCC27211( TTL输入)已经增加了滞后特性,从而使得到模拟或数字脉宽调制(PWM)控制器接口的抗扰度得到了增强。 低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的,并在彼此的接通和关断之间实现了2ns的延迟匹配。 由于在芯片上集成了一个额定电压为120V的自举二极管,因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能,可提供对称的导通和关断行为,并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低...
发表于 10-16 11:19 157次 阅读
UCC27211 120V 升压 4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

UCC27710 具有互锁功能的 620V 0.5A、1.0A 高侧低侧栅极驱动器

UCC27710是一款620V高侧和低侧栅极驱动器,具有0.5A拉电流,1.0A灌电流能力,专用于驱动功率MOSFET或IGBT。 对于IGBT,建议的VDD工作电压为10V至20V,对于MOSFET,建议的VDD工作电压为17V。 UCC27710包含保护特性,在此情况下,当输入保持开路状态时,或当未满足最低输入脉宽规范时,输出保持低位。互锁和死区时间功能可防止两个输出同时打开。此外,该器件可接受的偏置电源范围宽幅达10V至20V,并且为VDD和HB偏置电源提供了UVLO保护。 该器件采用TI先进的高压器件技术,具有强大的驱动器,拥有卓越的噪声和瞬态抗扰度,包括较大的输入负电压容差,高dV /dt容差,开关节点上较宽的负瞬态安全工作区(NTSOA),以及互锁。 该器件包含一个接地基准通道(LO)和一个悬空通道(HO),后者专用于自电源或隔离式电源操作。该器件具有快速传播延迟特性并可在两个通道之间实现卓越的延迟匹配。在UCC27710上,每个通道均由其各自的输入引脚HI和LI控制。 特性 高侧和低侧配置 双输入,带输出互锁和150ns死区时间 在高达620V的电压下完全可正常工作,HB引脚上的绝对最高电压为700V VDD建...
发表于 10-16 11:19 182次 阅读
UCC27710 具有互锁功能的 620V 0.5A、1.0A 高侧低侧栅极驱动器

UCC27533 栅极驱动器

UCC2753x单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A和5A灌电流的设计,同时结合了支持负断偏置电压,轨道轨道驱动功能,极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET和IGBT电源开关的理想解决方案.UCC2753x系列器件也可支持使能,双输入以及反相和同相输入功能。隔离输出与强大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性,并有助于减少地的抖动。 输入引脚保持断开状态将使驱动器输出保持低电平。驱动器的逻辑行为显示在应用图,时序图和输入与输出逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路提供一个欠压锁定功能,此功能在VDD电源电压处于工作范围内之前使用输出保持低电平。 特性 低成本栅极驱动器(为FET和IGBT的驱动提供最佳解决方案) 分立式晶体管(1800pF负载时的典型值分别为15ns和7ns) 欠压锁定(UVLO) 被用作高侧或低侧驱动器(如果采用适当的偏)置和信号隔离设计) 低成本,节省空间的5引脚或6引脚DBV(SOT-23)封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度范围:...
发表于 10-16 11:19 184次 阅读
UCC27533 栅极驱动器

UCC27531 2.5A、5A、40VMAX VDD FET 和 IGBT 单门驱动器

UCC2753x单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A和5A灌电流的设计,同时结合了支持负断偏置电压,轨道轨道驱动功能,极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET和IGBT电源开关的理想解决方案.UCC2753x系列器件也可支持使能,双输入以及反相和同相输入功能。隔离输出与强大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性,并有助于减少地的抖动。 输入引脚保持断开状态将使驱动器输出保持低电平。驱动器的逻辑行为显示在应用图,时序图和输入与输出逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路提供一个欠压锁定功能,此功能在VDD电源电压处于工作范围内之前使用输出保持低电平。 特性 低成本栅极驱动器(为FET和IGBT的驱动提供最佳解决方案) 分立式晶体管(1800pF负载时的典型值分别为15ns和7ns) 欠压锁定(UVLO) 被用作高侧或低侧驱动器(如果采用适当的偏)置和信号隔离设计) 低成本,节省空间的5引脚或6引脚DBV(SOT-23)封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度范围:...
发表于 10-16 11:19 72次 阅读
UCC27531 2.5A、5A、40VMAX VDD FET 和 IGBT 单门驱动器

TPS51604 用于高频 CPU 内核功率应用的同步降压·FET 驱动器

TPS51604驱动器针对高频CPU V CORE 应用进行了优化。具有降低死区时间驱动和自动零交越等 SKIP 引脚提供CCM操作选项,以支持输出电压的受控制理。此外,TPS51604支持两种低功耗模式。借助于脉宽调制(PWM)输入三态,静态电流被减少至130μA,并支持立即响应。当 SKIP 被保持在三态时,电流被减少至8μA(恢复切换通常需要20μs)。此驱动器与合适的德州仪器(TI)控制器配对使用,能够成为出色的高性能电源系统。 TPS51604器件采用节省空间的耐热增强型8引脚2mm x 2mm WSON封装,工作温度范围为-40°C至105°C。 特性 针对已优化连续传导模式(CCM)的精简死区时间驱动电路 针对已优化断续传导模式(DCM)效率的自动零交叉检测 针对已优化轻负载效率的多个低功耗模式 为了实现高效运行的经优化信号路径延迟 针对超级本(超极本)FET的集成BST开关驱动强度 针对5V FET驱动而进行了优化 转换输入电压范围(V IN < /sub>):4.5V至28V 2mm×2mm 8引脚WSON散热垫封装 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 半桥驱动器   Number of Channels (#) ...
发表于 10-16 11:19 117次 阅读
TPS51604 用于高频 CPU 内核功率应用的同步降压·FET 驱动器