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功率半导体需求旺 预计2030年SiC增长10倍,GaN翻至60倍

渔翁先生 来源:电子发烧友网 作者:Allen Yin 编译 2019-06-25 11:22 次阅读

据日本富士经济(Fuji Keizai)6月发布功率半导体全球市场的报告预估,汽车,电气设备,信息和通信设备等领域对下一代功率半导体(SiC和GaN)需求的预计将增加。预计2030年(与2018年相比)SiC成长10倍,GaN翻至60倍,Si增长45.1%。

该机构指出,SiC功率半导体市场主要在中国和欧洲扩张,从2017年~2018年,SiC增长41.8%至3.7亿美元。目前,SiC-SBD(肖特基势垒二极管)占70%,并且主要在信息和通信设备领域需求增加。6英寸晶圆的推出使得成本降低,预计将进一步增长。此外,SiC-FET(场效应晶体管)主要在汽车和电气设备领域大大扩展。

海外汽车制造商计划在2022年左右将SiC功率半导体用于驱动逆变器模块,预计汽车和电气元件的需求将增加。尤其是欧洲和中国的需求领先,大型商用车和豪华车的采用正在扩大,预计将在2025年左右主流车辆开始采用。目前,Si功率半导体被用于驱动逆变器模块,车载充电器和DC-DC转换器,但预计将被SiC功率半导体取代。在铁路车辆领域,对新型高速车辆的需求正在增加,并且在工业领域中,预期将在大功率设备相关应用中比较常见。

虽然市场一直在放缓,但由于未来的高耐压,预计GaN功率半导体将主要在汽车和电气元件领域得到广泛采用。与SiC功率半导体相比,目前市场扩张速度缓慢,入门级制造商预计2022年需求将全面增长。

由于GaN功率半导体在高速开关性能方面具有优势,因此对于信息通信设备领域中的基站电源和用于虚拟货币交易的采矿服务器电源的需求预计会增加。在汽车和电气设备领域,对于配备有用于EV和高频脉冲电源电路的无线电源的机床和医疗设备,预计需求将增加。在消费电子领域,高端音频,无线供电系统和AC适配器很有前景。

在安装GaN功率半导体时,改变用户侧的电路设计需要是扩散的障碍之一。然而,随着控制电路集成到IC中的封装产品开发正在进行中,预计未来的采用将会增加。由于大规模生产导致价格下降和高击穿电压进展,预计采用的应用将会扩大。

基于氧化镓的功率半导体市场预计将于2019年全面推出,届时主要制造商将主要生产SBD。此外,FET的样品出货时间安排在2020年左右,预计其实际使用将在此后进行。在大规模生产之初,预计将在消费设备领域采用电源。最初,计划开发600V和10A产品,但从现在开始,由于电流值的提高,预计应用扩展到工业领域。

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1B是一款高电流,高效率电压模式同步降压转换器,工作电压为4.5 V至18 V,输出电压低至0.6 V,最高可达25 A. 特性 优势 宽输入电压范围4.5V至18V 支持广泛的应用 1MHz开关频率 需要小电感和少量输出电容 无损耗低端FET电流检测 良好的散热性能 0.6V内部参考电压 外部可编程软启动 输出ove r电压和欠压保护 使用热敏电阻或传感器通过OTS引脚进行系统过热保护 所有故障的打嗝模式操作 预偏置启动 可调节输出电压 电源良好指示灯 内部过热保护 应用 终端产品 采用6x6 QFN封装的25A稳压器 ASIC,FPGA,DSP和CPU内核及I / O电源 移动电话基站 电信和网络设备 服务器和存储系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 04:02 14次 阅读
NCP3231B 高电流 1MHz 同步降压转换器

NCP3231 高电流同步降压转换器

1是一款高电流,高效率电压模式同步降压转换器,工作电压为4.5 V至18 V,输出电压低至0.6 V,最高25 A DC负载或30 A瞬时负载。 特性 优势 宽输入电压范围4.5V至18V 支持广泛的应用 500KHz开关频率 需要小电感和少量输出电容 无损耗低 - 侧FET电流检测 提高效率 0.6V内部参考电压 外部可编程软启动 输出过压保护和欠压保护 使用热敏电阻或传感器进行系统过热保护 所有故障的打嗝模式操作 预偏置启动 可调节输出电压 电力良好输出 内部过热保护 应用 终端产品 采用6x6 QFN封装的25A稳压器 ASIC,FPGA,DSP和CPU内核及I / O电源 移动电话基站 电信和网络设备 服务器和存储系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 03:02 16次 阅读
NCP3231 高电流同步降压转换器

NCP1592 同步降压稳压器 PWM 6.0 A 集成FET

2是一款低输入电压,6 A同步降压转换器,集成了30mΩ高侧和低侧MOSFET。 NCP1592专为空间敏感和高效应用而设计。主要特性包括:高性能电压误差放大器,欠压锁定电路,防止启动直到输入电压达到3 V,内部或外部可编程软启动电路,以限制浪涌电流,以及电源良好的输出监控信号。 NCP1592采用耐热增强型28引脚TSSOP封装。 特性 30mΩ,12 A峰值MOSFET开关,可在6 A连续输出源或接收器处实现高效率电流 可调节输出电压低至0.891 V,准确度为1.0% 宽PWM频率:固定350 kHz,550 kHz或可调280 kHz至700 kHz 应用 终端产品 低压,高密度分布式电源系统 FPGA 微处理器 ASICs 便携式计算机/笔记本电脑 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 03:02 33次 阅读
NCP1592 同步降压稳压器 PWM 6.0 A 集成FET

NCP3230 DC / DC转换器 4.5 V至18 V 30 A.

C转换器采用耐热增强型6mm x 6mm QFN封装,可提供高达30 A的电流。 特性 优势 效率高 降低功耗并减少散热问题 4.5 V至18 V输入范围 允许使用5 V或12 V母线进行操作 综合mosfets 简化设计并提高可靠性 可调节软启动时序,输出电压 设计灵活性 过压,欠压和过流保护 安全启动到预偏置输出 应用 终端产品 高电流POL应用 为asics,fpga和DSP供电 基站 服务器和存储 网络 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 03:02 22次 阅读
NCP3230 DC / DC转换器 4.5 V至18 V 30 A.

NCP3235 4.5 V至21 V 集成MOSFET的DC / DC转换器

5是一款带内部MOSFET的15 A DC / DC转换器,设计灵活。该器件可提供低至0.6V至输入电压80%以上的可调输出电压。功能包括可调电流限制,输出电压和软启动时序。引脚可选功能可实现550 kHz或1 MHz的开关频率,选择DCM / CCM工作模式,以及在过流期间锁定或打嗝模式的能力。该器件可配置为在超声模式下工作,以避开音频带。该器件采用耐热增强型6mm x 6mm TQFN封装。 特性 优势 准确0.6 V参考 可调输出以设置所需电压低至0.6 V DCM / CCM可选择选项 在不连续模式下操作以在轻负载下提高效率 550kHz / 1.1MHz开关频率 选择更高效率或更小输出滤波器的设计灵活性 超声波模式 保持电容器不发出声音 热增强型QFN封装 3个裸露焊盘散布更高 4.5 V至21 V的宽工作范围 允许跨多个应用程序使用 可调软启动 允许在通电期间平稳上升 应用 终端产品 计算/服务器 数据通信/网络 FGPA,ASIC,DSP电源 12 V负载点 桌面 服务器 网络 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 03:02 21次 阅读
NCP3235 4.5 V至21 V 集成MOSFET的DC / DC转换器

蓝矽科技发布会隆重推出新一代功率产品——BlueMOS

蓝矽科技举办新产品发布会,隆重推出新一代功率产品——BlueMOS。由于该产品性能优异,在发布会当天....
发表于 07-27 10:02 328次 阅读
蓝矽科技发布会隆重推出新一代功率产品——BlueMOS

DeepMind把GAN又玩出了新花样!推出的是双视频判别器GAN

研究人员表示,由于“高效计算”组件和技术的使用,再加上新的定制数据集,他们训练出的最佳性能模型:双视....
的头像 新智元 发表于 07-27 07:37 307次 阅读
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第三代半导体领域再添新秀——北方华创新一代SiC晶体生长系统

随着电动汽车、5G通信、高速轨道交通、新能源、智能电网等领域的不断发展,市场对功率、射频器件的性能提....
的头像 北京市电子科技情报研究所 发表于 07-26 11:18 952次 阅读
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三驾马车驱动,功率半导体前景如何?英飞凌陈清源这么说

7月23日,2019英飞凌电源管理研讨会在深圳盛大开幕,英飞凌电源管理与多元化市场事业部大中华区高级....
的头像 章鹰 发表于 07-25 17:04 3757次 阅读
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UnitedSiC在UF3C FAST产品系列中新增两种TO220-3L封装选项

美国新泽西州普林斯顿 --- 新型功率半导体企业美商联合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布....
发表于 07-25 11:44 186次 阅读
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行业 | 全SiC模块正在加速,SiC功率器件走向繁荣

安森美半导体是功率电子领域的市场领导者之一,在SiC功率器件领域的地位正在迅速攀升。
的头像 MEMS 发表于 07-25 08:50 1140次 阅读
行业 | 全SiC模块正在加速,SiC功率器件走向繁荣

啥是碳化硅(SiC)?SiC和Si性能大比拼

SiC在天然环境下非常罕见,最早是人们在太阳系刚诞生的46亿年前的陨石中,发现了少量这种物质,所以它....
的头像 CINNO 发表于 07-24 10:10 1385次 阅读
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让照片“变脸”古典画像,俄罗斯 AI 换脸“神器” 爆红!

它会给人一种站在镜子前,好像有成千上万个伦勃朗、卡拉瓦乔和提香在画你的错觉。
的头像 AI科技大本营 发表于 07-24 08:45 752次 阅读
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GaN在射频领域有哪些优势?

氮化镓是一种二元III/V族直接带隙半导体晶体,也是一般照明LED和蓝光播放器最常使用的材料。
的头像 Qorvo半导体 发表于 07-23 17:42 1251次 阅读
GaN在射频领域有哪些优势?

SiC需求增长快于供应(内附SiC器件主要供应商)

宽禁带半导体材料越来越受行业欢迎。在碳化硅(SiC)正处于大力扩张之时,供应商都在努力满足SiC功率....
的头像 渔翁先生 发表于 07-19 16:59 5260次 阅读
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利用语音直接画出人脸,AI再添新能力

听声辨人,利用声纹进行解锁,这种技术已广泛应用,人类的声音含有该个体的一定特征,从而可以进行区分。
的头像 DeepTech深科技 发表于 07-17 09:54 568次 阅读
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为什么SiC业务可能成为Cree最大增长动力?

半导体制造商科锐(Cree)一直在稳步减少对竞争和商品化照明市场的依赖,同时转向其Wolfspeed....
的头像 渔翁先生 发表于 07-16 16:41 4472次 阅读
为什么SiC业务可能成为Cree最大增长动力?

技术 | 东北大学团队开发出低电流下也可高效发光的GaN Micro LED!

也适应于分辨率为2000ppi以上的显示屏
的头像 CINNO 发表于 07-15 10:22 623次 阅读
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TP65H050WS GaN场效应晶体管的数据手册免费下载

TP65H050WS 650V,50MΩ氮化镓(GaN)场效应晶体管是一种通常关闭的器件。它结合了最....
发表于 07-15 08:00 114次 阅读
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能不能用GAN破解标注数据不足的问题呢

在计算机视觉领域,深度学习方法已全方位在各个方向获得突破,这从近几年CVPR 的论文即可看出。但这往....
的头像 AI科技大本营 发表于 07-14 11:58 560次 阅读
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扩充产能 罗姆推进SiC产品布局

在不久前的一场罗姆SiC产品分享会上,笔者详细了解了SiC产品在功率器件中的比较优势,以及该公司在S....
的头像 坚白 发表于 07-12 17:35 4417次 阅读
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BigBiGAN问世,“GAN父”都说酷的无监督表示学习模型有多优秀?

BigBiGAN是一种纯粹基于生成模型的无监督学习方法,它在ImageNet上实现了图像表示学习的最....
的头像 AI科技大本营 发表于 07-11 15:48 488次 阅读
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能生成Deepfake也能诊断癌症,GAN与恶的距离

那么,技术本身就存在原罪么?又是哪里出了错呢?
的头像 大数据文摘 发表于 07-09 10:17 525次 阅读
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学不好人工智能,你连个披萨都做不出来?!

高科技做食物,或许可以激励吃货们的学习热情?
的头像 网易智能 发表于 07-09 10:07 484次 阅读
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行业 | 功率半导体市场分析,中国厂商竞争力不足

功率半导体的应用领域非常广泛,市场规模高达数百亿美元。
的头像 旺材芯片 发表于 07-05 16:23 1222次 阅读
行业 | 功率半导体市场分析,中国厂商竞争力不足

功率半导体市场分析 中国厂商竞争力不足

功率半导体主要用作电子元件中的开关及整流器,同时是矽、砷化镓、氮化矽等半导体材料,是在经过电学属性调....
的头像 芯闻社 发表于 07-04 08:56 1090次 阅读
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英飞凌亮相PCIM Asia 2019,以最新产品技术助力多领域实现节能增效

英飞凌以“我们赋能世界”为主题,在展会上展示了具备更高功率密度、最新芯片技术和功能更集成的一系列新产....
发表于 07-03 18:47 204次 阅读
英飞凌亮相PCIM Asia 2019,以最新产品技术助力多领域实现节能增效

SiC功率半导体市场起飞 电动车为主要驱动力

电动汽车推动了SiC功率半导体市场,但成本仍然是个问题。
的头像 DIGITIMES 发表于 07-03 14:37 1266次 阅读
SiC功率半导体市场起飞 电动车为主要驱动力

英飞凌碳化硅SiC占比充电桩市场份额超过五成

第三代半导体材料碳化硅的发展在功率器件市场成为绝对的焦点。全球功率器件龙头厂商英飞凌持续投入碳化硅器....
的头像 GaN世界 发表于 07-02 16:33 883次 阅读
英飞凌碳化硅SiC占比充电桩市场份额超过五成

为什么这么多人看好氮化镓?

GaN属于第三代高大禁带宽度的半导体材料,和第一代的Si以及第二代的GaAs等前辈相比,其在特性上优....
的头像 第一手机界 发表于 07-01 15:16 793次 阅读
为什么这么多人看好氮化镓?

聚焦 | GaN产业规模有望突破200亿美元

近年来,由于氮化镓(GaN)在高频下的较高功率输出和较小的占位面积,GaN已被RF工业大量采用。
的头像 GaN世界 发表于 07-01 15:13 531次 阅读
聚焦 | GaN产业规模有望突破200亿美元