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IBM的另一面 半导体市场的曾经王者

旺材芯片 2019-06-18 10:38 次阅读

近日,IBM发布了2019财年第一季度财报,财报显示,IBM第一季度营收为181.8亿美元,较去年同期的190.7亿美元同比下降5%,且低于分析师预期的184.6亿美元。净利润为15.9亿美元,较去年同期的16.8亿美元同比下将5%。至此,IBM营收已经连续三个季度下降。外媒报道,IBM将迎来新一波的裁员,裁员人数约为1700人左右。看来IBM又要进行新一轮的转型了。

关于IBM的百年丰功伟绩相信懂行的人也都了解的七七八八了,过多的历史笔者就不再一一赘述了。业界对于IBM的认识,大多可能认为它是一家大型计算机公司及软件供应商,是一家技术服务型公司,擅长于提供软件支持。我想提的是,实际上IBM对于全球半导体业的贡献也不容小觑。

IBM对半导体的贡献

在全球半导体工业发展历程中IBM曾推出多项突破性的半导体技术,对于产业发展作出巨大贡献:

1960年IBM开发出了倒装芯片封装技术,为了降低成本,提高速度,提高组件可靠性,FC使用在第1层芯片与载板接合封装,封装方式为芯片正面朝下向基板,无需引线键合,形成最短电路,降低电阻;采用金属球连接,缩小了封装尺寸,改善电性表现,解决了BGA为增加引脚数而需扩大体积的困扰。

1966年IBM 科学家:Robert Dennard在家里欣赏 Croton River Gorge 的落日余晖时,躺在客厅沙发上灵感闪现,从而提出了单晶体管DRAM的想法,1970年,Intel采用三个晶体管单元设计方法推出了大获成功的1KB DRAM芯片,而多家制造商在20世纪70年代中期使用 Dennard的单晶体管单元制造出了 4KBx 芯片,后来经过一波波的创新,成就了当时容量高达4,000,000,000比特的DRAM芯片。

IBM 科学家Robert Dennard

1974年,IBM研究院的研究员John Cocke和他的团队开始设计电话交换控制器。他们成功设计了采用精简指令集计算机 (RISC) 架构计算机原型。第一台采RISC(精简指令集计算机)架构的计算机原型由IBM 在1980年研制而成。直到今天,这种架构仍应用在几乎每台计算设备中。

IBM研究员John Cocke

1982年,IBM的Kanti Jain开创性的提出了“excimer laser lithography(准分子激光光刻)”,并进行了演示,现在准分子激光光刻机器(步进和扫描仪)在全球集成电路生产中得到广泛使用。在过去的30年中,准分子激光光刻技术一直是摩尔定律持续推进的关键因素。

1994年,IBM研究院从硅锗 (SiGe) 中制造低成本半导体芯片的方法获得了专利。SiGe是Meyerson在一次事故中发现的,随后经过不断研究中发现,SiGe比当时更稀有、更昂贵的材料更容易活动,而且改进了集成电路的速度和通用性。将锗引入全硅芯片基层中可以显著改进运行频率、电流、噪声和动力。这些更廉价、体积更小、能效更高的芯片拓展了无线行业。如今,SiGe 技术为新一代移动设备和智能技术提供了强大动力。

1997年,IBM研究院宣布用铜互连技术制造芯片将比使用铝而使芯片更快、更小、更廉价时,这在技术行业中投下了一颗重磅炸弹。与铝相比,铜线导电电阻低大约40%,使得微处理器的速度再提高15%。在这之后,更小、更高效的芯片技术不断被开发,而这依赖于过去 15年的铜互连技术的进步才能得以实现。即使随着新的“亿亿次”技术的进步,例如纳米光子—使用光脉冲以“亿亿次”速度传送数据,铜将继续成为微处理器设计与演进的最根本元件。这项突破导致行业出现了新的转折点,并使IBM成为全球领导者。

除此之外,IBM还取得了多个创新,如①low-k绝缘体,这种技术使用 SiLK来防止铜线“串扰”;②绝缘硅(SoI),在硅表面之间放上很薄的一层绝缘体,可以防止晶体管的“电子效应”,这样可以实现更高的性能和更低的功耗;③应变硅,这种技术对硅进行拉伸,从而加速电子在芯片内的流动,不用进行小型化就可以提高性能和降低功耗。如果与绝缘硅技术一起使用,应变硅技术可以更大程度地提高性能并降低功耗。

2002年,Stuart Parkin开始考虑硬盘驱动器和存储器芯片的基本技术的局限性—并且考虑是否有更好的方式设计一种无需部件移动的磁盘驱动器。他利用基于自旋电子学的存储器概念设计出了赛道存储器,并且在2004年获得了他的第一项专利。

IBM研究员Stuart Parkin

IBM的POWER处理器也将半导体技术推向了新的高潮:

1990年,IBM推出了集成有80万个晶体管的POWER1,这预示着IBM POWER全新架构的开始。POWER1后来也充当了火星探路者的中央处理器,协助人类完成了迄今为止最为成功的星际探测计划之一。它也是后来PowerPC产品线的先驱。

1993年11月,IBM推出了POWER1的增强版POWER2,它拥有55至71.5MHz的时钟频率,32KB指令缓存,256KB数据缓存,该处理器成为当时性能最高的处理器,一直被使用到1998年。

1994年5月,IBM推出POWER2的改进型POWER2+,该处理器芯片拥有二级缓存,而且L2可达512KB、1MB或者2MB。

1998年IBM发布POWER3处理器芯片,该处理器每个芯片中集成了1500万个晶体管。

2001年IBM推出了POWER4芯片,这种芯片中集成了1亿7400万个晶体管,POWER4 继承了POWER3芯片的所有优点,每个处理器都可以并行执行200条指令。。

2004年,IBM采用90纳米工艺开发出低功耗、高性能的新型微处理器—64位的PowerPC 970FX,在970FX上,硅拉伸(strained silicon)、绝缘硅(SOI)与铜制程(copper wiring)3种制造技术结合在了一起。

2004年,IBM推出POWER5芯片,POWER5是首个支持“并发多线程”的处理器,拥有比上一代POWER4处理器性能提高4倍的功能。POWER5是IBM当时有史以来最强大的64位处理器。

2005年发布POWER5+,新的POWER5+处理器被称为“片上服务器”(server on a chip)。

2007年5月,IBM推出POWER6处理器。该处理器突破了4GHz主频,最高可以实现5.0GHz。

2009年4月,IBM发布了Power6+处理器。

2010年2月,IBM公司发布了新一代的POWER7处理器。POWER7是IBM自2007年5月推出上一代产品POWER6以来的最新巅峰之作,也把UNIX服务器推向了新的高度。

关于IBM的代工服务,也很值得一提,IBM于1988年在Vermont创建200mm生产线,并在East Fishkill于2001年创建300mm的R&D线,2002年投资超过25亿美元,兴建世界上最先进的300毫米晶园制造生产线,并开展代工服务。

2004年,AMD与IBM签订协议,共同开发新的65纳米和45纳米逻辑制程技术。根据协议,在研发期间AMD将支付给IBM大约2.5亿~2.8亿美金。作为回报,AMD有权采用IBM部分先进的制造技术,包括C-4芯片封装技术。

2004年3月,三星公司宣布与IBM、新加坡特许半导体制造公司(Chartered Semiconductor Manufacturing)和英飞凌达成战略性半导体技术开发合作关系。结成合作伙伴关系的4家公司重点关注65纳米及45纳米芯片技术。

2015年7月,由IBM研究院牵头的合作伙伴GlobalFoundries,三星电子及纽约州立大学(SUNY)理工学院的纳米科学和工程学院(SUNY Poly CNSE)共同协作,制造出业界首款7纳米节点测试芯片,该芯片具备了在指甲盖大小的芯片上放置200亿只晶体管的能力,能够为各种智能设备提供计算能力,小到智能手机,大到宇宙飞船。7纳米节点这一里程碑成就,继承了IBM硅片和半导体创新的悠久传统。

2016年11月16日,IBM 的研究人员已经找到如何使用纳米碳管制造微型晶片的方法,这一成果可以让我们制造更强的晶片,使得曲面电脑、可注射晶片成为可能。

2017年,IBM官方博客透露,其已发明了一种可以运行在100万个相变内存(PCM)上的无监督式机器学习算法,业界认为,相变存储器是首款既具有 DRAM 特性又具有闪存特性的通用存储器装置,因此可解决业界面临的重大挑战之一,也许,一个存储革命真的要开启了。

IBM之于中国半导体

IBM对中国半导体的发展有着不可磨灭的作用,业界可能知之甚少,华为海思曾是IBM半导体制造的最大客户,并且IBM半导体也是华为海思在芯片制造上的重要合作伙伴。

1998年,经任正非发起,推动了在华为研发内部进行的“向美国人学习”、“向IBM学习”的活动,任正非非常钦佩郭士纳,作为IBM的灵魂人物,他不仅具有罕见的坚强意志和变革的勇气,而且为人处世极端低调。任正非认为,华为要像IBM一样强大,仅仅自己以郭士纳为榜样还不够,整个华为需要向郭士纳虔诚拜师学艺。

任正非总裁在IBM总部听取汇报现场,左一为郭士纳

1998年华为还在位于深圳南山区科发路科技园办公,为了迎接IBM 50位顾问的到来,任正非亲自上阵指挥,把非常拥挤的华为总部腾出很多临海的房间,按照IBM风格进行布置并购买了新的办公家具。

50位IBM老师抵达华为

1999年2月,华为正式聘请IBM公司做顾问,花费5000万元开展IPD(集成产品研发流程)咨询项目。经过一系列的整治改革,华为今天的成绩大家也都看到了,一个令美国都忌惮的企业,华为成功了!

华为/海思不仅是IBM半导体制造这块最大的客户,并且也是华为/海思在芯片制造上的重要合作伙伴:华为/海思很多的芯片,尤其是ASIC芯片都是在IBM完成的;而IBM制造的多数产能也是华为/海思提供的,双方有着长远、深厚的合作基础,在对方眼中的地位都是非常重要。

同样中芯国际曾于2012年3月28日与IBM签订协议,合作开发行业兼容28纳米技术。根据合作协议,中芯国际及IBM将先交换若干技术资料,然后展开行业兼容28纳米技术的合作与开发。

半导体王者风范已去

历史上,IBM曾经开发了多个半导体制造的先进工艺,然而时过境迁,半导体制造业务占IBM整体营收不到2%,但该部门每年亏损最多曾达到15亿美元,2014上半年亏损4亿美元,2013全年亏损7亿美元。

IBM 的半导体业务大部分为自家产品服务,不像代工厂一样开放,然而随着IBM自有产品逐渐被边缘化以后,半导体工厂的营收每况愈下。虽然IBM的技术十分强、知识产权组合也完整,很多半导体大厂要开发新技术都需获得 IBM 授权,但公司的重心已不在生产制造上,因此不打算投资在工厂,若再继续持有工厂会因缺乏经济规模,而导致生产成本增加。尤其在进入高端工艺技术之后,半导体工艺越来越复杂、投资非常庞大,

因此决定壮士断腕。IBM 宁可“付钱”卖给 GlobalFoundries,也好过自己花钱升级设备和制程,因为耗费的成本可能更多,且要一代代技术都持续投入。2014年10月,IBM倒贴15亿美元脱手它的老旧芯片生产线给格罗方德,自此半导体业务弃之如敝履,转而发展其他业务。

近日,IBM发布了2019财年第一季度财报,财报显示,IBM第一季度营收为181.8亿美元,较去年同期的190.7亿美元同比下降5%。净利润为15.9亿美元,较去年同期的16.8亿美元同比下将5%。至此,IBM营收已经连续三个季度下降。

从历年财务数据来看,IBM于2017营收791.39亿美元,2018年营收398亿美元,营收几乎拦腰斩了。IBM虽然目前依然保持着盈利,但财务状况不容乐观。而IBM非常看重的云服务营收也并不理想,财报显示,包括基础设施和云计算服务,以及技术支持服务的全球技术服务部门营收为68.8亿美元,同比下降7%,可以说落后亚马逊一大截。

目前IBM也在紧追慢赶,正以重金约340亿美元收购开源软件公司红帽,这是有史以来规模最大的IT软件收购。花费极大代价收购红帽之后,为了避免人员臃肿,裁员似乎势在必行。

据外媒报道,近日IBM正进行数字化转型,计划重组业务。截至去年年底,IBM员工总数为350,600人,虽然该公司的裁员计划还不到员工总数的1%,但裁员也有约1,700人左右。IBM近年来裁员不断,IBM曾于2016和2017年分别进行了两次裁员,而在今年4月,IBM更是直接关闭了位于新加坡淡滨尼市的制造工厂。根据相关媒体报道,IBM位于新加坡淡滨尼的工厂有400名至600名员工。对于IBM的一系列举措和一季度财报看出,随着产业变革对传统巨头的影响,IBM目前日子并不好过,砍掉不创造收益的部门、降低运营成本情有可原。

IBM在裁员的同时也在招聘,该公司的招聘页面上列出了7705个空缺职位。IBM公司发言人在给CNBC的邮件中说:“我们会继续调整团队,以与我们对IT市场中高价值部分的关注。同时,在为客户与IBM本身贡献价值的前沿关键领域,我们还将继续积极地招聘员工。”

目前来看,IBM显然并不想放弃庞大的云服务市场,从收购红帽中就可以看出。因此,对于IBM来说,实行人员优化或许是转型的必要条件。

小结

IBM这次的裁员行动是自身财务状况和转型共同作用的结果,虽然目前IBM发展并不顺利,但随着未来转型完成,IBM或许将迎来新的增长,毕竟IBM过去多次的转型,都成功了!虽然IBM半导体王者身份已去,但是其他领域也是可以一搏的!

原文标题:行业 | IBM的另一面:半导体市场的曾经王者

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二手NXP LPC2478FBD芯片可烧录但无法正常工作?

因为这个芯片停产,目前回收了少量二手芯片做测试,使用希尔特5000编程器烧录程序进去以后,焊接到产品上,产品无法正常工作。使...
发表于 07-30 20:05 202次 阅读
二手NXP LPC2478FBD芯片可烧录但无法正常工作?

LMC6001可以用哪个芯片代替

请问LMC6001可以用哪个芯片代替呢? 感谢您的回复! ...
发表于 07-30 16:10 278次 阅读
LMC6001可以用哪个芯片代替

xc1004四轴SPI运动控制芯片资料

xc1004四轴SPI运动控制芯片,LQFP48封装。 SPI通讯,仅需使用10条指令便可完成复杂工作。 单模块四轴输出,多个模块...
发表于 07-28 12:21 325次 阅读
xc1004四轴SPI运动控制芯片资料

请问这是什么芯片?小米对讲机上的

请问这是什么芯片?
发表于 07-27 21:01 199次 阅读
请问这是什么芯片?小米对讲机上的

超低功耗AI国芯GX8002介绍

概述: GX8002采用了MCU+NPU的架构,集成国芯第二代自研神经网络处理器gxNPU V200和平头哥CK804处理器。 芯片...
发表于 07-25 10:34 101次 阅读
超低功耗AI国芯GX8002介绍

m430f149芯片下不了程序

手上有一块装载m430f149芯片的板子,使用JTAG接口可上传程序也可清除程序就是无法下载,一下载就显示验证失败,求解...........
发表于 07-22 22:47 202次 阅读
m430f149芯片下不了程序

芯片lm5106上电后HO有2.7v电压导致mosfet导通

设计了一款用lm5106芯片恒功率充电电路,但板子上电后LM5106的HO引脚就直接有2.7V左右的电压。导致电路后面的高侧MOSFE...
发表于 07-22 17:29 358次 阅读
芯片lm5106上电后HO有2.7v电压导致mosfet导通

电源管理芯片系列:设计教程与IC资料全集

电源管理芯片设计教程 介绍了稳压电源及DC-DC变换器的发展趋势和基本原理;根据功能要求和性能指标,在简明电路总体设计的基...
发表于 07-22 15:19 792次 阅读
电源管理芯片系列:设计教程与IC资料全集

STM805T/S/R STM805T/S/R3V主管

RST 输出 NVRAM监督员为外部LPSRAM 芯片使能选通(STM795只)用于外部LPSRAM( 7 ns最大值丙延迟) 手册(按钮)复位输入 200毫秒(典型值)吨 REC 看门狗计时器 - 1.6秒(典型值) 自动电池切换 在STM690 /795分之704/804分之802/八百零六分之八百零五监督员是自载装置,其提供微处理器监控功能与能力的非挥发和写保护外部LPSRAM。精密电压基准和比较监视器在V
发表于 05-20 16:05 34次 阅读
STM805T/S/R STM805T/S/R3V主管

FPF2290 过压保护负载开关

0具有低R ON 内部FET,工作电压范围为2.5 V至23 V.内部钳位电路能够分流±100 V的浪涌电压,保护下游元件并增强系统的稳健性。 FPF2290具有过压保护功能,可在输入电压超过OVP阈值时关断内部FET。 OVP阈值可通过逻辑选择引脚(OV1和OV2)选择。过温保护还可在130°C(典型值)下关断器件。 FPF2290采用完全“绿色”兼容的1.3mm×1.8mm晶圆级芯片级封装(WLCSP),带有背面层压板。 特性 电涌保护 带OV1和OV2逻辑输入的可选过压保护(OVP) 过温保护(OTP) 超低导通电阻,33mΩ 终端产品 移动 便携式媒体播放器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 13:02 96次 阅读
FPF2290 过压保护负载开关

FTL75939 可配置负载开关和复位定时器

39既可作为重置移动设备的计时器,又可作为先进负载管理器件,用于需要高度集成解决方案的应用。若移动设备关闭,保持/ SR0低电平(通过按下开启键)2.3 s±20%能够开启PMIC。作为一个重置计时器,FTL11639有一个输入和一个固定延迟输出。断开PMIC与电池电源的连接400 ms±20%可生成7.5 s±20%的固定延迟。然后负荷开关再次打开,重新连接电池与PMIC,从而让PMIC按电源顺序进入。连接一个外部电阻到DELAY_ADJ引脚,可以自定义重置延迟。 特性 出厂已编程重置延迟:7.5 s 出厂已编程重置脉冲:400 ms 工厂自定义的导通时间:2.3 s 出厂自定义关断延迟:7.3 s 通过一个外部电阻实现可调重置延迟(任选) 低I CCT 节省与低压芯片接口的功率 关闭引脚关闭负载开关,从而在发送和保存过程中保持电池电荷。准备使用右侧输出 输入电压工作范围:1.2 V至5.5 V 过压保护:允许输入引脚> V BAT 典型R ON :21mΩ(典型值)(V BAT = 4.5 V时) 压摆率/浪涌控制,t R :2.7 ms(典型值) 3.8 A /4.5 A最大连续电流(JEDEC ...
发表于 07-31 13:02 183次 阅读
FTL75939 可配置负载开关和复位定时器

NCV8774 LDO稳压器 350 mA 低Iq

4是一款350 mA LDO稳压器。其坚固性使NCV8774可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至18μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8774包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V和3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压高达Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 NCV汽车前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流18μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和ESR稳定性值 确保任何类型的输出电容的稳定性。 车身控制模块 仪器和群集 乘员...
发表于 07-30 19:02 81次 阅读
NCV8774 LDO稳压器 350 mA 低Iq

NCV8674 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq

4是一款精密5.0 V或12 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态电流。 输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和12 V输出电压选项,输出精度为2.0%,在整个温度范围内 非常适合监控新的微处理器和通信节点 40 I OUT = 100 A时的最大静态电流 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 350 mV时600 mV最大压差电压电流 在低输入电压下维持输出电压调节。 5.5 V至45 V的宽输入电压工作范围 维持甚至duri的监管ng load dump 内部故障保护 -42 V反向电压短路/过流热过载 节省成本和空间,因为不需要外部设备 AEC-Q100合格 满足汽车资格要求 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 18:02 58次 阅读
NCV8674 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq

NCV8664C LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

4C是一款精密3.3 V和5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现22μA的典型静态电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反向,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664C与NCV4264,NCV4264-2,NCV4264-2C引脚和功能兼容,当需要较低的静态电流时可以替换这些器件。 特性 优势 最大30μA静态电流100μA负载 符合新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 极低压降600 mV(最大值)150 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部元件来实现保护。 5.0 V和3.3V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100 1级合格且PPAP能力 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 信息娱乐,无线电 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 18:02 85次 阅读
NCV8664C LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

NCV8660B LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

0B是一款精密极低Iq低压差稳压器。典型的静态电流低至28μA,非常适合需要低负载静态电流的汽车应用。复位和延迟时间选择等集成控制功能使其成为微处理器供电的理想选择。它具有5.0 V或3.3 V的固定输出电压,可在±2%至150 mA负载电流范围内调节。 特性 优势 固定输出电压为5 V或3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压,最高VBAT = 40 V 维持稳压电压装载转储。 输出电流高达150 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 延迟时间选择 为微处理器选择提供灵活性。 重置输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车网站和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为28 uA的低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100uA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 在空载条件下稳定 将系统静态电流保持在最低限度。...
发表于 07-30 18:02 95次 阅读
NCV8660B LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

5是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态接地电流。 NCV8665的引脚与NCV8675和NCV4275引脚兼容,当输出电流较低且需要非常低的静态电流时,它可以替代这些器件。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mv。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V固定输出电压,输出电压精度为2%(3.3 V和2.5 V可根据要求提供) 能够提供最新的微处理器 最大40 A静态电流,负载为100uA 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 17:02 99次 阅读
NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

NCV8664 LDO稳压器 150 mA 低Iq

4是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现典型的22μA静态接地电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV 。 内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664的引脚和功能与NCV4264和NCV4264-2兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代这些部件。 特性 优势 负载100μA时最大30μA静态电流 会见新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 极低压降电压 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3V固定输出电压,2%输出电压精度 AEC-Q100合格 汽车 应用 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 信息娱乐,无线电 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 17:02 100次 阅读
NCV8664 LDO稳压器 150 mA 低Iq

NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

5是一款精密5.0 V和3.3 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现34μA的典型静态接地电流。 内部保护免受输入瞬态,输入电源反转,输出过流故障和芯片温度过高的影响。无需外部元件即可实现这些功能。 NCV8675引脚与NCV4275引脚兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代该器件。对于D 2 PAK-5封装,输出电压精确到±2.0%,对于DPAK-5封装,输出电压精确到±2.5%,在满额定负载电流下,最大压差为600 mV。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%或2.5% 能够提供最新的微处理器 负载为100uA时最大34uA静态电流 满足100uA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来实现保护。 AEC-Q100 Qualifie d 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 16:02 72次 阅读
NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

NCV4264-2 LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

4-2功能和引脚与NCV4264引脚兼容,具有更低的静态电流消耗。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μA 处于待机模式时可以节省电池寿命。 保护: - 42 V反向电压保护短路保护热过载保护 无需外部元件在任何汽车应用中都需要保护。 极低压差 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100合格 应用 终端产品 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 81次 阅读
NCV4264-2 LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

NCV4264 LDO稳压器 100 mA 高PSRR

4是一款宽输入范围,精密固定输出,低压差集成稳压器,满载电流额定值为100 mA。输出电压精确到±2.0%,在100 mA负载电流下最大压差为500 mV。 内部保护免受45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压和2.0%输出电压精度 严格的监管限制 非常低的辍学 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合汽车资格标准 应用 终端产品 车身与底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 134次 阅读
NCV4264 LDO稳压器 100 mA 高PSRR

NCV4264-2C LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

4-2C是一款低静态电流消耗LDO稳压器。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μ 在待机模式下节省电池寿命。 极低压降500 mV( max)100 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 故障保护: -42 V反向电压保护短路/过流保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%,在整个温度范围内 AEC-Q100合格 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 151次 阅读
NCV4264-2C LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

NCV8772 LDO稳压器 350 mA 低Iq

2是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8772可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至24μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 Enable功能可用于进一步降低关断模式下的静态电流至1μA。 NCV8772包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流24μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过...
发表于 07-30 12:02 110次 阅读
NCV8772 LDO稳压器 350 mA 低Iq

NCV8770 LDO稳压器 350 mA 低Iq

0是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8770可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至21μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8770包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为21μA的超低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和E...
发表于 07-30 12:02 74次 阅读
NCV8770 LDO稳压器 350 mA 低Iq

MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

0系列是一种线性稳压器和监控电路,包含许多基于微处理器的系统所需的监控功能。它专为设备和工业应用而设计,为设计人员提供了经济高效的解决方案,只需极少的外部组件。这些集成电路具有5.0 V / 100 mA稳压器,具有短路电流限制,固定输出2.6 V带隙基准,低电压复位比较器,带可编程迟滞的电源警告比较器,以及非专用比较器,非常适合微处理器线路同步。 其他功能包括用于低待机电流的芯片禁用输入和用于过温保护的内部热关断。 这些线性稳压器采用16引脚双列直插式热片封装,可提高导热性。 特性 5.0 V稳压器输出电流超过100 mA 内部短路电流限制 固定2.6 V参考 低压复位比较器 具有可编程迟滞的电源警告比较器 未提交的比较器 低待机当前 内部热关断保护 加热标签电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 06:02 76次 阅读
MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

80是一款用于移动电源应用的低静态电流PMIC。 PMIC包含一个降压,一个升压和四个低噪声LDO。 特性 晶圆级芯片级封装(WLCSP) 可编程输出电压 软启动(SS)浪涌电流限制 可编程启动/降压排序 中断报告的故障保护 低电流待机和关机模式 降压转换器:1.2A,VIN范围: 2.5V至5.5V,VOUT范围:0.6V至3.3V 升压转换器:1.0A,VIN范围:2.5V至5.5V,VOUT范围:3.0V至5.7V 四个LDO:300mA,VIN范围:1.9V至5.5V,VOUT范围:0.8V至3.3V 应用 终端产品 电池和USB供电设备 智能手机 平板电脑 小型相机模块 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 04:02 227次 阅读
FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

NCV5171 升压转换器 280 kHz 1.5 A 用于汽车

1 / 73产品是280 kHz / 560 kHz升压调节器,具有高效率,1.5 A集成开关。该器件可在2.7 V至30 V的宽输入电压范围内工作。该设计的灵活性使芯片可在大多数电源配置中运行,包括升压,反激,正激,反相和SEPIC。该IC采用电流模式架构,可实现出色的负载和线路调节,以及限制电流的实用方法。将高频操作与高度集成的稳压器电路相结合,可实现极其紧凑的电源解决方案。电路设计包括用于正电压调节的频率同步,关断和反馈控制等功能。这些器件与LT1372 / 1373引脚兼容,是CS5171和CS5173的汽车版本。 特性 内置过流保护 宽输入范围:2.7V至30V 高频允许小组件 最小外部组件 频率折返减少过流条件下的元件应力 带滞后的热关机 简易外部同步 集成电源开关:1.5A Guarnateed 引脚对引脚与LT1372 / 1373兼容 这些是无铅设备 用于汽车和其他应用需要站点和控制更改的ons CS5171和CS5173的汽车版本 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 00:02 90次 阅读
NCV5171 升压转换器 280 kHz 1.5 A 用于汽车

NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

是一款线性稳压器,能够提供450 mA输出电流。 NCP161器件旨在满足RF和模拟电路的要求,可提供低噪声,高PSRR,低静态电流和非常好的负载/线路瞬态。该器件设计用于1μF输入和1μF输出陶瓷电容。它有两种厚度的超小0.35P,0.65 mm x 0.65 mm芯片级封装(CSP),XDFN-4 0.65P,1 mm x 1 mm和TSOP5封装。 类似产品:
发表于 07-29 21:02 195次 阅读
NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5

是一款1 / 2.5英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为2592(H)x 1944(V)。它通过滚动快门读数捕获线性或高动态范围模式的图像,并包括复杂的相机功能,如分档,窗口以及视频和单帧模式。它专为低亮度和高动态范围性能而设计,具有线路交错T1 / T2读出功能,可在ISP芯片中支持片外HDR。 AR0521可以产生非常清晰,锐利的数字图像,并且能够捕获连续视频和单帧,使其成为安全应用的最佳选择。 特性 5 Mp为60 fps,具有出色的视频性能 小型光学格式(1 / 2.5英寸) 1440p 16:9模式视频 卓越的低光性能 2.2 m背面照明像素技术 支持线路交错T1 / T2读出以启用ISP芯片中的HDR处理 支持外部机械快门 片上锁相环(PLL)振荡器 集成颜色和镜头阴影校正 精确帧率控制的从属模式 数据接口:♦HiSPi(SLVS) - 4个车道♦MIPI CSI-2 - 4车道 自动黑电平校准 高速可配置上下文切换 温度传感器 快速模式兼容2线接口 应用 终端产品 视频监控 高动态范围成像 安全摄像头 行动相机 车载DVR 电路图、引脚图和封装...
发表于 07-29 16:02 393次 阅读
AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5