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台积电官宣启动2nm工艺研发 预计2024年投产

2019-06-17 16:48 次阅读

今年4月初,晶圆代龙头大厂台积电宣布,其5nm制程已正式进入试产阶段,并已在开放创新平台下推出完整的5nm设计架构。现在,台积电官方又宣布,正式启动2nm工艺的研发,工厂设置在位于台湾新竹的南方科技园,预计2024年投入生产。

按照台积电给出的指标显示,2nm工艺是一个重要节点,Metal Track(金属单元高度)和3nm一样维持在5x,同时Gate Pitch(晶体管栅极间距)缩小到30nm,Metal Pitch(金属间距)缩小到20nm,相比于3nm都小了23%。

台积电没有透露2nm工艺所需要的技术和材料,看晶体管结构示意图和目前并没有明显变化,能在硅半导体工艺上继续压榨到如此地步真是堪称奇迹,接下来就看能不能做到1nm了。当然,在那之前,台积电还要接连经历7nm+、6nm、5nm、3nm等多个工艺节点。

其中,台积电的7nm+工艺将首次引入EUV极紫外光刻技术,目前已即将量产;而6nm只是7nm的一个升级版,预计明年第一季度试产;5nm工艺将全面导入EUV光刻,已经开始风险性试产,明年底之前有望实现量产,苹果A14、AMD五代锐龙(Zen 4都有望采纳);3nm有望在2021年试产、2022年量产。三星也早就规划到了3nm,预期2021年量产。

原文标题:台积电宣布启动2nm工艺研发,预计2024年投产

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