手机芯片国产化现状与趋势分析

微波射频网 2019-06-17 11:55 次阅读

为更好地保障通信信息安全,使我国在芯片领域摆脱依赖进口的现状,首先分析了智能手机主要采用的芯片与芯片供应商格局的基本情况,然后从芯片设计与芯片制造两方面剖析了手机芯片国产化的发展进程,指出了目前存在的问题并对未来发展趋势作出判断。

1

引言

芯片是半导体元件产品的统称,是集成电路的载体,由晶圆分割而成。1960年,美国仙童公司制造出第一块可实际使用的单片集成电路[1]。我们现在所说的芯片,则是超大规模集成电路发展的杰出代表。据Gartner预测,2017年全球半导体行业总营收将突破4000亿美元大关[2]。按收入统计,IC Insights所公布的2016年全球半导体排名TOP20中[3],美国占据8家,日本、欧洲、中国台湾地区各有3家,韩国拥有2家,新加坡1家,中国大陆暂未有企业上榜。其中纯芯片代工企业3家,芯片设计公司5家,其余公司则同时具备芯片设计和制造的能力。这一榜单基本反映了芯片行业主导竞争的全球格局分布。10 nm及其后续7 nm、5 nm、3 nm制造工艺、4G+/5G通信技术、高性能低功耗移动芯片平台、大容量存储芯片、物联网、车联网等是芯片行业聚焦的热点,知识产权(IP, Intellectual Property)、先进制造/封装技术、关键设备/原料、高级技术人才是主要的竞争壁垒。

据有关部门统计,2016年中国集成电路进口额高达2271亿美元[4],对外依存度仍处于高位。近些年,在国家政策的引导下,国内集成电路产业发展稳步提升,本文梳理了在此轮国内集成电路大发展中智能手机芯片产业链国产化情况,分析现状及存在问题,并对未来的发展趋势作出判断。

2

国家政策扶持

芯片在智能手机行业中拥有重要地位,是制造业的尖端领域之一,也是先进技术的代表行业之一。鉴于芯片行业的重要性以及我国在该领域的落后现实,工业和信息化部于2014年颁布《国家集成电路产业推进纲要》[5](以下简称“纲要”),纲要根据全球的发展趋势以及我国的产业现状,提出了集成电路行业发展的主要任务和发展重点,即着力发展集成电路设计业,加速发展集成电路制造业,提升先进封装测试业发展水平,推动集成电路关键装备和材料相关技术的突破。

纲要中制定了我国芯片产业中长期发展目标,到2020年,集成电路产业与国际先进水平的差距逐步缩小,全行业销售收入年均增速超过20%,企业可持续发展能力大幅增强。移动智能终端、网络通信、云计算、物联网、大数据等重点领域集成电路设计技术达到国际领先水平,产业生态体系初步形成。16/14 nm制造工艺实现规模量产,封装测试技术达到国际领先水平,关键装备和材料进入国际采购体系,基本建成技术先进、安全可靠的集成电路产业体系。到2030年,集成电路产业链主要环节达到国际先进水平,一批企业进入国际第一梯队,实现跨越发展。

为配合集成电路产业发展,从中央到地方成立了多只产业基金,国家集成电路产业投资基金,以及北京、湖北、合肥、深圳、贵州、湖南、上海、厦门、四川、辽宁、广东、陕西、南京、无锡、昆山[6]等地方基金目标规模已超过3000亿元,各地也纷纷出台相应政策以促进相关项目在当地的落实推进。

3

手机主要芯片及主流供应商

智能手机属于较为复杂的电子设备,它集成了种类繁多的器件。现阶段智能手机主要采用的芯片如图1所示:

图1    智能手机硬件框图

从图1可以看出,现阶段一部智能手机中,主要使用的芯片包括主芯片(应用处理器,AP)、基带芯片、射频芯片、存储芯片、摄像头芯片、显示/触控芯片、指纹识别芯片、电源管理芯片、连接芯片(Wi-Fi蓝牙等)等。另外,部分智能手机也会搭载专用的音频芯片、用于图像处理的DSP芯片、虹膜识别芯片、感光芯片、协处理芯片等。手机主要芯片及供应商汇总如表1所示:

表1    手机主要芯片及供应商

从技术、专利、市场表现等方面来比较可知,国外芯片供应商在主要手机芯片领域,例如SoC、存储、摄像头等,处于领导或领先位置,可喜的是国内芯片企业已在不少领域实现了零的突破,正奋起直追业界先进。

图2    手机芯片产业链地区分布示意图

从图2的全球手机芯片产业链分布来看,主流供应商主要集中在美国、日本、韩国及中国台湾,但中国内地已在大部分环节和领域展开了布局。

4

手机芯片国产化进展

半导体芯片行业中常见有两种商业模式[7]及三类企业。

第一种商业模式是IDM(Integrated Design and Manufacture,集成器件制造),拥有从设计到制造、封装测试以及市场销售等全部职能,代表厂商有英特尔。第二种商业模式是垂直分工模式,主要由两类企业(设计公司与代工商)分工协作。其中芯片设计公司只做设计,没有工厂(即Fabless),代表厂商有高通联发科英伟达等。代工厂(Foundry)则主要进行晶圆代工制造服务,代表厂商有台积电、格罗方德、中芯国际等。另外还有一类企业聚焦于IP设计领域,为Fabless厂商提供各类IP,代表厂商有ARM、Imagination等。

在经济全球化的大浪潮下,国产化概念在某种程度上被弱化,但芯片的国产化对于国民经济及国家安全等仍然具有重要的战略意义,本文在对手机芯片国产化情况进行梳理之前,对“国产化”进行了定义:即拥有自主知识产权,掌握核心技术,国内公司全资拥有或具有控股权,掌握企业实际运营。接下来将从芯片设计和芯片制造两方面来梳理分析手机芯片的国产化情况,其中芯片制造部分包含封装测试。

4.1

芯片设计

芯片设计作为半导体行业中极为重要的一环,研发成本和技术壁垒相对稍低,是相对容易突破的环节,在手机芯片产业链中亦是如此。表2是手机芯片领域中有代表性的国产厂商及其在行业中的地位,在一定程度上反应了芯片国产化的水平。

表2    有代表性的国产手机芯片厂商及其业界地位

功耗、成本等原因促使手机芯片集成化程度提高,SoC中包含的模块愈加丰富,技术门槛提升。另外,为达到更好的平台性能,SoC厂商会同时提供射频芯片(Transceiver)、电源管理芯片PMIC等,提高业务收入的同时也加深与下游手机厂商的联系。客观上有利于领导厂商保持竞争优势,同时,展讯这样的国产中低端SoC厂商在由中低端向中高端技术突破、以及开拓更多客户时遭遇更大的挑战。

由于存储芯片的特殊性,其设计和制造一般由同一家厂商完成,技术和资金门槛更高,且业内早已形成寡头垄断的格局,想要取得突破的难度较大。国产厂商在手机的其他功能芯片领域已具有一定规模市场,但在存储芯片领域仍处于技术研发和建厂阶段。现阶段国内已有的存储芯片项目如表3所示:

表3    国内主要存储芯片项目及其进展

综合来看,除了SoC(以及相关射频、电源管理芯片)领域的海思(海思麒麟970在业界率先将神经网络处理器NPU引入SoC)、指纹识别领域的汇顶(旭日大数据显示,汇顶出货量104.2kk,已接近业界领导厂商FPC的123KK)已接近业界先进水平,其它手机芯片设计领域国产厂商尚处于中低端、小众或起步阶段,整体实力相对薄弱,追赶国际先进水平任重道远。

4.2

芯片制造

相比于芯片设计领域,芯片制造的国产化进程门槛更高。中芯国际是国内芯片制造厂商的突出代表,2016年中芯国际收入29亿美元[12],再创历史新高,在IC Insights“2017年McClean报告中位列晶圆代工市场第四位。其芯片制造业务涵盖逻辑芯片(SoC)、图像传感芯片、NOR Flash、电源管理芯片等,提供0.35 μm到28 nm的多种制程服务。展讯、海思、高通、格科微等都是中芯国际的客户。

在地方政府的扶持下,中芯国际在上海、北京、武汉、天津、深圳等地拥有多座晶圆代工厂,但在先进制程方面与业界先进水平差距仍较大,落后2~3个世代,以至于海思为保证产品竞争力,将主力手机芯片交给了台积电代工。

中芯国际在先进制程与特色制程两个领域齐头并进,与高通、华为合作研发“14 nm”工艺,在物联网领域提供工艺、制造和芯片设计的一站式服务。

在芯片生产领域的另一重要环节是封测测试。长电科技通过收购星科金朋,来突破一直难以进入国际一流客户供应链的瓶颈,顺利跻身全球封测领域三甲位置[13]。在最新的股权调整后,中芯国际成为长电科技最大的股东,由此,国内芯片制造和封测的两个龙头企业实现了强强联合。今年上半年,长电科技先进技术Fan out和SiP封装业务拓展顺利,高端封装市场占比得到持续提高。

通富微电、华天科技是封测领域的另外两家代表企业,分别收购了AMD两家子公司和美国FCI,均跻身全球Top10榜单[13]。国内企业在封测领域已经初步形成了群体布局,同时将在先进技术和新兴领域继续追赶业界先进。

5

问题分析及未来展望

5.1

存在的问题

手机芯片国产化现阶段存在的问题主要体现在以下5个方面:

(1)仅在部分领域单兵突破,整体上与先进水平差距较大

国内手机芯片相关的从业公司中,从行业影响力来看,仅少数公司在部分领域取得了突破,例如海思的麒麟芯片、汇顶的指纹识别芯片等,多数公司仍扮演着各自领域的中低端产品或服务供应者的角色,整体上与业界先进水平差距较大,这些公司在技术和资金密集的半导体行业激烈的市场竞争中谋求发展的难度也较大。

(2)产业链整体实力尚薄弱,上游关键设备和原料仍依赖进口

如果说在芯片设计和制造领域国内公司尚有布局,那么在上游关键设备以及硅晶圆等原材料市场,国内则基本处于空白。关键设备和原料市场主要被ASML、美国应材、日本信越等几家寡头所垄断。不过,国内首座12吋硅晶圆厂新胜半导体即将量产[14],有望逐步改善目前12吋硅晶圆99%依赖进口的局面,是建立自主供应链的重要一步。

(3)核心技术(专利)、人才缺乏

由于起步较晚,核心技术(专利)和人才缺乏是制约国内包括手机芯片行业在内的半导体产业发展最大的桎梏。CPUGPU、通信等方面核心IP被国际领导厂商牢牢掌握,国内多数公司主要通过取得国际厂商授权来进行相应产品开发。部分设计公司和Foundry在业务开展之初主要依赖从日、韩、中国台湾等地挖来技术人才以开展相关业务,面临一定的专利诉讼风险,同时上述地区的领导厂商也因此对人才外流、技术保密等做了更多的防范和部署。

国内各类芯片人才储备严重不足,支撑产业高速发展的人才缺口较大。若按照2020年达到一万亿产值来计算,需要的人员规模是70万人,但目前人才储备不到30万,缺口较大[15]。高等教育在集成电路方面比较薄弱,专业化、体系化、产学结合、创新人才引进等方面仍有很多工作待开展。

(4)低层次、高频度竞争不利于可持续发展

国内多数手机芯片厂商起步较晚,业务起始于国际厂商逐步放弃的中低端市场,这决定了他们在市场竞争中须采取薄利多销的策略,价格战成为最常用的手段。例如,展讯为了与联发科争夺市场,高调发起价格战导致2016年毛利率急速下降[16]。低端产品、低价、低毛利,这样的商业模式不利于在资金和技术密集的芯片行业的可持续发展。产品上市可能会面临市场供应过剩,伴随着高额的资金投入,则可能导致利润缩小甚至亏损。

(5)国际巨头拓宽了在中国本土的布局

ARM、台积电、高通、英特尔、三星、海力士、格罗方德等纷纷加大了在国内的投资,拓宽了布局,以最大限度分享内地的集成电路政策红利。表4是国际公司在国内的投资项目的情况:

国际巨头加大在内地布局是一把双刃剑,一方面给当地带来税收和GDP,同时带来就业和产业链配套,对人才培养也是利好。另一方面,国际巨头在内地布局多采用独资或合资方式,掌控了核心技术和公司运营,在一定程度上增强了其全球运营的实力,不利于本土民族芯片企业的成长。

表4    手机芯片行业部分国际公司在内地的布局情况

5.2

未来展望

《国家集成电路产业推进纲要》已经在产业政策方面指明芯片行业的发展方向和目标,国内厂商需在政府统筹下,稳步推进。除满足消费和工业需求外,还要兼顾在通信、信息安全等领域的发展,降低对国际半导体企业的依赖。

人才培养方面,教育部在2016年联合其它部门发布了《教育部等七部门关于加强集成电路人才培养的意见》,为解决芯片人才缺口奠定了教育培养制度基础。

在国家统一战略部署下,统筹协调各地的资源投入,集中扶植一批业内龙头企业,积极参与全球芯片产业分工,配套建设从原料、设备到设计、制造、封测等完整产业链,在掌握核心技术的基础上取得部分领域的市场优势地位,力争在智能手机领域率先实现国产芯片的高度自给。

6

结束语

在国家大力推进集成电路产业发展的大背景下,本文以智能手机芯片作为切入点,梳理了手机芯片国产化进展的情况。从手机主要采用的芯片入手,总结了各类芯片主要供应商的全球分布,然后从芯片设计和芯片制造两个维度,探讨了芯片的国产化进程,包括对主要的参与厂商及其在产业链中地位进行了归纳汇总,最后总结了手机芯片国产化过程中存在的主要问题,并对未来发展进行了展望。

受限于研究资源,本文主要从宏观和定性的角度进行研究和分析,后续可以进一步从关键技术/知识产权、市场表现、资源投入等角度进行细致、定量的研究,在搭建模型的基础上,可以尝试研究发布例如“手机芯片国产化指数”等定量化成果。

原文标题:手机芯片国产化现状与趋势分析

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智能手机已成为人们日常生活的一部分,其功能已超出了手机范畴。对于很多人而言,它还是重要的科学仪器、数....
发表于 10-14 15:41 121次 阅读
电容触控传感技术将会使得手机变得更智能

Oral-B推出人工智能牙刷GENIUS X,近日在日本发布上市销售

为了口腔清洁,我们每天都要刷牙,但即便是用了电动牙刷,有时候也未必能将口腔完全彻底的清洁干净,总有遗....
的头像 牵手一起梦 发表于 10-14 14:34 564次 阅读
Oral-B推出人工智能牙刷GENIUS X,近日在日本发布上市销售

华为Mate X将于10月份在中国区发布和销售

折叠屏一度被视为智能手机未来的一个全新方向,但无论三星Galaxy Fold还是华为Mate X,进....
的头像 牵手一起梦 发表于 10-14 14:22 225次 阅读
华为Mate X将于10月份在中国区发布和销售

纳米制程是什么?

三星以及台积电在先进半导体制程打得相当火热,彼此都想要在晶圆代工中抢得先机以争取订单,几乎成了 14....
发表于 10-14 10:38 84次 阅读
纳米制程是什么?

指纹识别技术的发展将为智能手机带来流畅体验

随着苹果11系列发布的结束,关于苹果下一代新品的各类消息开始在网上出现,其中最引人注目的就是苹果下代....
发表于 10-14 10:24 74次 阅读
指纹识别技术的发展将为智能手机带来流畅体验

超大规模集成电路生产工艺流程

从大的方面来讲,晶圆生产包括晶棒制造和晶片制造两面大步骤,它又可细分为以下几道主要工序(其中晶棒制造....
发表于 10-14 09:06 149次 阅读
超大规模集成电路生产工艺流程

vivo两款型号为V1934A与V1934T的新机正式入网工信部

其机身尺寸为162.15×76.47×8.89mm,重193g,正面采用一块6.53英寸TFT屏幕,....
发表于 10-14 08:36 393次 阅读
vivo两款型号为V1934A与V1934T的新机正式入网工信部

三星I9250智能手机的电路原理图免费下载

本资料详细介绍了I9250各单元电路的工作原理,对其他手机的维修也具有指导借鉴作用。
发表于 10-14 08:00 188次 阅读
三星I9250智能手机的电路原理图免费下载

首批可以匹敌先进硅芯片性能的3D纳米管晶圆片生产出了

他于近日在底特律对数百名工程师表示:“这片晶片是上周五制造的……这是铸造厂制造的第一块单片3D集成电....
的头像 IEEE电气电子工程师学会 发表于 10-13 16:50 302次 阅读
首批可以匹敌先进硅芯片性能的3D纳米管晶圆片生产出了

极米推出全新4K激光电视A2系列,抗光幕全面升级

极米科技全新4K激光电视A2 Pro以及A2已经开始预售。相对于上一代产品,A2系列体积缩小了37%....
的头像 牵手一起梦 发表于 10-13 07:28 2402次 阅读
极米推出全新4K激光电视A2系列,抗光幕全面升级

模拟技术在芯片设计领域有着怎样的应用

在这样一个对数字电路处理有利的世界中,模拟技术更多地用来处理对它们不利的过程。但这个现象可能正在改变....
发表于 10-12 17:20 115次 阅读
模拟技术在芯片设计领域有着怎样的应用

2019年9月国内手机市场报告发布,整体出货量同比下降7.1%

国内手机市场总体出货量。2019年9月,国内手机市场总体出货量3623.6万部,同比下降7.1%,环....
的头像 牵手一起梦 发表于 10-12 16:48 605次 阅读
2019年9月国内手机市场报告发布,整体出货量同比下降7.1%

FPF2895C 限流负载开关含OVP和TRCB 28 V 5 A.

2895C具有28 V和5A额定电流限制电源开关,提供过流保护(OCP),过压保护(OVP)和真正反向电流模块(TRCB)来保护系统。具有典型值为27mΩ的低导通电阻,WL-CSP可在4 V至22 V的输入电压范围内工作.FPF2895C支持±10%的电流限制精度,500 mA至2 A的过流范围和± 5%的限流精度,2 A至5 A的过流范围,可选择的OVP,可选择的ON极性和可选的OCP行为等灵活操作,可根据系统要求进行优化。 FPF2895C可用于一个24焊球,1.67 mm x 2.60 mm晶圆级芯片级封装(WL-CSP),间距为0.4 mm。“ 特性 28V / 5A能力 宽输入电压范围:4V~22V 超低导通电阻 Typ。在5V和25°C时为27mΩ 外部RSET的可调电流限制: - 500 mA~5 A 带OV1和OV2逻辑输入的可选OVLO: - 5.95 V±50 mV - 10 V±100 mV - 16.8 V±300 mV - 23 V±460 mV 可选ON极性 可选择的过流行为: - 自动重启模式 - 当前来源模式 真实反向当前阻止 热关机 应用 终端产品 带OVP的USB Vbus电源开关和OCP整合 笔记本 平板电脑 PAD 监视器 ...
发表于 07-31 14:02 20次 阅读
FPF2895C 限流负载开关含OVP和TRCB 28 V 5 A.

FPF2290 过压保护负载开关

0具有低R ON 内部FET,工作电压范围为2.5 V至23 V.内部钳位电路能够分流±100 V的浪涌电压,保护下游元件并增强系统的稳健性。 FPF2290具有过压保护功能,可在输入电压超过OVP阈值时关断内部FET。 OVP阈值可通过逻辑选择引脚(OV1和OV2)选择。过温保护还可在130°C(典型值)下关断器件。 FPF2290采用完全“绿色”兼容的1.3mm×1.8mm晶圆级芯片级封装(WLCSP),带有背面层压板。 特性 电涌保护 带OV1和OV2逻辑输入的可选过压保护(OVP) 过温保护(OTP) 超低导通电阻,33mΩ 终端产品 移动 便携式媒体播放器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 13:02 22次 阅读
FPF2290 过压保护负载开关

FTL75939 可配置负载开关和复位定时器

39既可作为重置移动设备的计时器,又可作为先进负载管理器件,用于需要高度集成解决方案的应用。若移动设备关闭,保持/ SR0低电平(通过按下开启键)2.3 s±20%能够开启PMIC。作为一个重置计时器,FTL11639有一个输入和一个固定延迟输出。断开PMIC与电池电源的连接400 ms±20%可生成7.5 s±20%的固定延迟。然后负荷开关再次打开,重新连接电池与PMIC,从而让PMIC按电源顺序进入。连接一个外部电阻到DELAY_ADJ引脚,可以自定义重置延迟。 特性 出厂已编程重置延迟:7.5 s 出厂已编程重置脉冲:400 ms 工厂自定义的导通时间:2.3 s 出厂自定义关断延迟:7.3 s 通过一个外部电阻实现可调重置延迟(任选) 低I CCT 节省与低压芯片接口的功率 关闭引脚关闭负载开关,从而在发送和保存过程中保持电池电荷。准备使用右侧输出 输入电压工作范围:1.2 V至5.5 V 过压保护:允许输入引脚> V BAT 典型R ON :21mΩ(典型值)(V BAT = 4.5 V时) 压摆率/浪涌控制,t R :2.7 ms(典型值) 3.8 A /4.5 A最大连续电流(JEDEC ...
发表于 07-31 13:02 54次 阅读
FTL75939 可配置负载开关和复位定时器

NCV8774 LDO稳压器 350 mA 低Iq

4是一款350 mA LDO稳压器。其坚固性使NCV8774可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至18μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8774包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V和3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压高达Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 NCV汽车前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流18μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和ESR稳定性值 确保任何类型的输出电容的稳定性。 车身控制模块 仪器和群集 乘员...
发表于 07-30 19:02 20次 阅读
NCV8774 LDO稳压器 350 mA 低Iq

NCV8674 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq

4是一款精密5.0 V或12 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态电流。 输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和12 V输出电压选项,输出精度为2.0%,在整个温度范围内 非常适合监控新的微处理器和通信节点 40 I OUT = 100 A时的最大静态电流 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 350 mV时600 mV最大压差电压电流 在低输入电压下维持输出电压调节。 5.5 V至45 V的宽输入电压工作范围 维持甚至duri的监管ng load dump 内部故障保护 -42 V反向电压短路/过流热过载 节省成本和空间,因为不需要外部设备 AEC-Q100合格 满足汽车资格要求 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 18:02 8次 阅读
NCV8674 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq

NCV8664C LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

4C是一款精密3.3 V和5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现22μA的典型静态电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反向,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664C与NCV4264,NCV4264-2,NCV4264-2C引脚和功能兼容,当需要较低的静态电流时可以替换这些器件。 特性 优势 最大30μA静态电流100μA负载 符合新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 极低压降600 mV(最大值)150 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部元件来实现保护。 5.0 V和3.3V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100 1级合格且PPAP能力 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 信息娱乐,无线电 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 18:02 14次 阅读
NCV8664C LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

NCV8660B LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

0B是一款精密极低Iq低压差稳压器。典型的静态电流低至28μA,非常适合需要低负载静态电流的汽车应用。复位和延迟时间选择等集成控制功能使其成为微处理器供电的理想选择。它具有5.0 V或3.3 V的固定输出电压,可在±2%至150 mA负载电流范围内调节。 特性 优势 固定输出电压为5 V或3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压,最高VBAT = 40 V 维持稳压电压装载转储。 输出电流高达150 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 延迟时间选择 为微处理器选择提供灵活性。 重置输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车网站和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为28 uA的低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100uA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 在空载条件下稳定 将系统静态电流保持在最低限度。...
发表于 07-30 18:02 22次 阅读
NCV8660B LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

5是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态接地电流。 NCV8665的引脚与NCV8675和NCV4275引脚兼容,当输出电流较低且需要非常低的静态电流时,它可以替代这些器件。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mv。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V固定输出电压,输出电压精度为2%(3.3 V和2.5 V可根据要求提供) 能够提供最新的微处理器 最大40 A静态电流,负载为100uA 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 17:02 27次 阅读
NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

NCV8664 LDO稳压器 150 mA 低Iq

4是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现典型的22μA静态接地电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV 。 内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664的引脚和功能与NCV4264和NCV4264-2兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代这些部件。 特性 优势 负载100μA时最大30μA静态电流 会见新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 极低压降电压 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3V固定输出电压,2%输出电压精度 AEC-Q100合格 汽车 应用 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 信息娱乐,无线电 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 17:02 11次 阅读
NCV8664 LDO稳压器 150 mA 低Iq

NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

5是一款精密5.0 V和3.3 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现34μA的典型静态接地电流。 内部保护免受输入瞬态,输入电源反转,输出过流故障和芯片温度过高的影响。无需外部元件即可实现这些功能。 NCV8675引脚与NCV4275引脚兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代该器件。对于D 2 PAK-5封装,输出电压精确到±2.0%,对于DPAK-5封装,输出电压精确到±2.5%,在满额定负载电流下,最大压差为600 mV。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%或2.5% 能够提供最新的微处理器 负载为100uA时最大34uA静态电流 满足100uA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来实现保护。 AEC-Q100 Qualifie d 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 16:02 9次 阅读
NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

NCV4264-2 LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

4-2功能和引脚与NCV4264引脚兼容,具有更低的静态电流消耗。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μA 处于待机模式时可以节省电池寿命。 保护: - 42 V反向电压保护短路保护热过载保护 无需外部元件在任何汽车应用中都需要保护。 极低压差 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100合格 应用 终端产品 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 12次 阅读
NCV4264-2 LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

NCV4264 LDO稳压器 100 mA 高PSRR

4是一款宽输入范围,精密固定输出,低压差集成稳压器,满载电流额定值为100 mA。输出电压精确到±2.0%,在100 mA负载电流下最大压差为500 mV。 内部保护免受45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压和2.0%输出电压精度 严格的监管限制 非常低的辍学 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合汽车资格标准 应用 终端产品 车身与底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 13次 阅读
NCV4264 LDO稳压器 100 mA 高PSRR

NCV4264-2C LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

4-2C是一款低静态电流消耗LDO稳压器。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μ 在待机模式下节省电池寿命。 极低压降500 mV( max)100 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 故障保护: -42 V反向电压保护短路/过流保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%,在整个温度范围内 AEC-Q100合格 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 36次 阅读
NCV4264-2C LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

NCV8772 LDO稳压器 350 mA 低Iq

2是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8772可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至24μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 Enable功能可用于进一步降低关断模式下的静态电流至1μA。 NCV8772包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流24μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过...
发表于 07-30 12:02 33次 阅读
NCV8772 LDO稳压器 350 mA 低Iq

NCV8770 LDO稳压器 350 mA 低Iq

0是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8770可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至21μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8770包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为21μA的超低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和E...
发表于 07-30 12:02 20次 阅读
NCV8770 LDO稳压器 350 mA 低Iq

MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

0系列是一种线性稳压器和监控电路,包含许多基于微处理器的系统所需的监控功能。它专为设备和工业应用而设计,为设计人员提供了经济高效的解决方案,只需极少的外部组件。这些集成电路具有5.0 V / 100 mA稳压器,具有短路电流限制,固定输出2.6 V带隙基准,低电压复位比较器,带可编程迟滞的电源警告比较器,以及非专用比较器,非常适合微处理器线路同步。 其他功能包括用于低待机电流的芯片禁用输入和用于过温保护的内部热关断。 这些线性稳压器采用16引脚双列直插式热片封装,可提高导热性。 特性 5.0 V稳压器输出电流超过100 mA 内部短路电流限制 固定2.6 V参考 低压复位比较器 具有可编程迟滞的电源警告比较器 未提交的比较器 低待机当前 内部热关断保护 加热标签电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 06:02 16次 阅读
MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

80是一款用于移动电源应用的低静态电流PMIC。 PMIC包含一个降压,一个升压和四个低噪声LDO。 特性 晶圆级芯片级封装(WLCSP) 可编程输出电压 软启动(SS)浪涌电流限制 可编程启动/降压排序 中断报告的故障保护 低电流待机和关机模式 降压转换器:1.2A,VIN范围: 2.5V至5.5V,VOUT范围:0.6V至3.3V 升压转换器:1.0A,VIN范围:2.5V至5.5V,VOUT范围:3.0V至5.7V 四个LDO:300mA,VIN范围:1.9V至5.5V,VOUT范围:0.8V至3.3V 应用 终端产品 电池和USB供电设备 智能手机 平板电脑 小型相机模块 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 04:02 50次 阅读
FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

NCV5171 升压转换器 280 kHz 1.5 A 用于汽车

1 / 73产品是280 kHz / 560 kHz升压调节器,具有高效率,1.5 A集成开关。该器件可在2.7 V至30 V的宽输入电压范围内工作。该设计的灵活性使芯片可在大多数电源配置中运行,包括升压,反激,正激,反相和SEPIC。该IC采用电流模式架构,可实现出色的负载和线路调节,以及限制电流的实用方法。将高频操作与高度集成的稳压器电路相结合,可实现极其紧凑的电源解决方案。电路设计包括用于正电压调节的频率同步,关断和反馈控制等功能。这些器件与LT1372 / 1373引脚兼容,是CS5171和CS5173的汽车版本。 特性 内置过流保护 宽输入范围:2.7V至30V 高频允许小组件 最小外部组件 频率折返减少过流条件下的元件应力 带滞后的热关机 简易外部同步 集成电源开关:1.5A Guarnateed 引脚对引脚与LT1372 / 1373兼容 这些是无铅设备 用于汽车和其他应用需要站点和控制更改的ons CS5171和CS5173的汽车版本 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 00:02 14次 阅读
NCV5171 升压转换器 280 kHz 1.5 A 用于汽车

NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

是一款线性稳压器,能够提供450 mA输出电流。 NCP161器件旨在满足RF和模拟电路的要求,可提供低噪声,高PSRR,低静态电流和非常好的负载/线路瞬态。该器件设计用于1μF输入和1μF输出陶瓷电容。它有两种厚度的超小0.35P,0.65 mm x 0.65 mm芯片级封装(CSP),XDFN-4 0.65P,1 mm x 1 mm和TSOP5封装。 类似产品:
发表于 07-29 21:02 37次 阅读
NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5

是一款1 / 2.5英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为2592(H)x 1944(V)。它通过滚动快门读数捕获线性或高动态范围模式的图像,并包括复杂的相机功能,如分档,窗口以及视频和单帧模式。它专为低亮度和高动态范围性能而设计,具有线路交错T1 / T2读出功能,可在ISP芯片中支持片外HDR。 AR0521可以产生非常清晰,锐利的数字图像,并且能够捕获连续视频和单帧,使其成为安全应用的最佳选择。 特性 5 Mp为60 fps,具有出色的视频性能 小型光学格式(1 / 2.5英寸) 1440p 16:9模式视频 卓越的低光性能 2.2 m背面照明像素技术 支持线路交错T1 / T2读出以启用ISP芯片中的HDR处理 支持外部机械快门 片上锁相环(PLL)振荡器 集成颜色和镜头阴影校正 精确帧率控制的从属模式 数据接口:♦HiSPi(SLVS) - 4个车道♦MIPI CSI-2 - 4车道 自动黑电平校准 高速可配置上下文切换 温度传感器 快速模式兼容2线接口 应用 终端产品 视频监控 高动态范围成像 安全摄像头 行动相机 车载DVR 电路图、引脚图和封装...
发表于 07-29 16:02 93次 阅读
AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5