避免被封杀！合肥长鑫重新设计DRAM芯片！

日前，据消息人士称，合肥长鑫存储为减少美国制裁威胁，已经重新设计了DRAM芯片，以尽量减少对美国原产技术的使用。

近日，媒体报道称合肥长鑫公司计划在今年底量产首款内存芯片，是8Gb LPDDR4颗粒，预计Q4季度产能约为2万片晶圆/月，不过产能最终会扩大到12.5万片晶圆/月。

在国内布局的三大存储芯片基地中，紫光旗下的长江存储240亿美元的投资主要是NAND闪存，DRAM内存有福建晋华以及合肥长鑫，前者跟联电合作，因为跟美光产生了专利纠纷被美国制裁，发展前景并不乐观，那长鑫公司会不会面临美国的打压？

对于这个问题，合肥长鑫一开始也注意到了产权的问题，日经新闻亚洲版日前报道称合肥长鑫重新设计了DRAM内存芯片，尽可能减少美国技术的使用。

不过在这方面，长鑫暂时还无法完全摆脱美国公司的限制，美国应用材料（Applied Materials）、Lam Research及科磊KLA-Tencor等公司生产的半导体制造设备、材料以Cadence和Synopsys等公司的EDA工具是全球半导体行业都绕不开的。

此前上海举办的GSA峰会上，长鑫存储的董事长兼CEO朱一明发表了《中国存储技术发展与解决方案》主题演讲，其中就提到了长鑫DRAM内存的技术来源。|中国半导体论坛公众号|朱一明表示长鑫存储通过与其合作，将一千多万份有关DRAM的技术文件及2.8TB数据收归囊中，这也是公司最初的技术来源之一。长鑫存储在所接收技术和国际合作的基础上，利用专用研发线，展开世界速度的快速迭代研发，已持续投入晶圆超过15000片。

根据长鑫公司之前公布的计划，合肥长鑫的一厂厂房已经于2018年1月建设完成，设备也开始安装。根据计划，长鑫将于2018年年底推出8Gb DDR4工程样品，2019年三季度推出8Gb LPDDR4，到2019年年底，产能将达到2万片一个月。从2020年开始，公司则开始规划二厂，2021年则完成17nn的研发。