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高科华烨获国家发改委奖励 挂牌为产业转型升级示范区中央投资项目

山西高科光电LED 2019-06-11 10:22 次阅读

位于长治的山西高科华烨电子集团传来好消息,集团得到国家发改委挂牌奖励,荣列产业转型升级示范区中央投资项目,获得专项资金支持,标志着高科华烨集团核心竞争力进一步提升,进一步巩固了高科华烨在全国LED的龙头地位。

高科华烨是全国LED龙头企业,拥有235项专利、2个省级技术中心、5家国家高新技术企业,并于2018年6月获得了制定相关国家标准及行业标准资格,光电产品检测及工程技术研发中心是我省唯一的国家级光电检测中心,已获得国家CNAS实验室光通量、光通量效率、平均光强、色温、环境可靠性试验等多项LED核心检测的认可,目前开展20多个项目80余项参数的检测,成为华北地区技术实力最强的光电检测中心。

2017年长治成为国家老工业城市和资源型城市产业转型升级示范区,国家发改委对示范区内优质项目给予中央预算内专项资金支持。高科华烨经过专家评审、公示等并获得通过,专项资金支持企业进一步提升研发能力,巩固提升核心竞争力,服务示范区产业结构不断优化、科技创新能力不断增强。原南京电子器件研究所教授级高级工程师、厦门乾照光电股份有限公司创始人、南昌凯迅光电有限公司董事长王向武说,高科华烨是有核心竞争力、规模实力、知名品牌的LED高科技企业,现有7个生产厂,产品涵盖LED封装灯珠、显示屏、照明灯具、注塑配套等,在国家发改委和省市的支持下,有助于加快以高科为龙头的LED产业集群形成,进而服务长治产业转型升级。

据悉,目前国内LED相关设备、服务企业开始向高科华烨周围聚拢,一批LED优势企业已投资建厂。今年一季度,在LED行业传统淡季的情况下,高科华烨实现销售收入近5亿元,同比增长12.5%。

原文标题:高科华烨电子集团获国家发改委奖励 挂牌为产业转型升级示范区中央投资项目

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AFBR-2419MZ 50MBd微型链路光纤接收器,带金属ST端口

AFBR-2419MZ光纤接收器设计用于Broadcom HFBR-14xxZ / -1712TZ光纤发射器和多模玻璃光纤电缆。具有透镜的光学系统确保了与接收器的一致耦合。接收器输出是数字CMOS / TTL信号。 AFBR-2419MZ接收器包含一个集成光电二极管的IC,可直接将输入的光信号转换为数字输出信号,而无需额外的外部电路。由于其集成设计,接收器具有非常高的EMC电阻。可实现宽接收器动态范围和高温度灵敏度。数据速率通常从100kBd到50MBd。可提供监视器(RSSI)输出,其输出电流与平均输入光功率成比例。   功能  符合RoHS标准  与Broadcom HFBR-14xxZ(820nm LED)和HFBR-1712TZ(850nm VCSEL)发射器配合使用  信号速率为100 kBd的数据传输高达50 MBd  接收器:集成PIN二极管和带CMOS / TTL输出逻辑的数字化IC  多模玻璃光纤电缆距离最远3 km  工作温度范围-40°C至+ 85°C  兼容10Base-FL标准   3.3 V和5 V电源电压操作   RSSI输出 应用程序 光学传输范围从100 kBd到50 MBd 工业控制和工厂自动化 高压隔离 消除接地回路 降低电压瞬变...
发表于 07-04 10:58 175次 阅读
AFBR-2419MZ 50MBd微型链路光纤接收器,带金属ST端口

AFCD-P34CW 8,10和14 Gb / s 850nm 1x4阵列PIN光电探测器

Broadcom AFCD-P34CW是一款高性能850nm,4通道PIN探测器阵列,位于300微米厚的基板上。阵列中的每个PIN设计用于支持多模光纤上的光链路,串行(NRZ)比特率高达14.025 Gb / s。 特性 高可靠性III- V顶部入口1x4 PIN阵列 高带宽性能 850nm中心波长的响应度  低电容  符合RoHs 应用程序 8/10/14 Gb / s数字通信链接 QSFP收发器
发表于 07-04 10:56 24次 阅读
AFCD-P34CW 8,10和14 Gb / s 850nm 1x4阵列PIN光电探测器

AFCD-P51GP 25 Gbps 850nm PIN光电探测器

Broadcom AFCD-P51GP是一款高性能850nm,单通道25 Gb / s PIN探测器,在150微米厚的基板上具有40微米的光学窗口直径。它旨在通过串行(NRZ)比特率高达25.78 Gb / s的多模光纤支持通信链路。 功能 高可靠性III-V顶级入口PIN 高带宽性能 850nm中心波长的高响应度  40μm光学窗口直径 低电容  SG联系人配置  符合RoHS标准 应用程序 25 Gb / s数字通信链接 小型可插拔收发器 小型有源光缆(AOC)...
发表于 07-04 10:56 22次 阅读
AFCD-P51GP 25 Gbps 850nm PIN光电探测器

AFCD-P54GM 4x25 Gbps 850nm PIN光电探测器阵列

Broadcom AFCD-P54GM是一款高性能850nm,4通道25 Gb / s PIN探测器阵列,光学窗口直径为40微米,宽度为150微米厚基板。阵列中的每个PIN设计用于支持多模光纤上的光链路,串行(NRZ)比特率高达25.78 Gb / s。 特性 高可靠性III- V顶部入口1x4 PIN阵列 高带宽性能  对850nm中心波长的响应度 40μm光学窗口直径 低电容  大光圈  SG联系人配置  符合RoHs 应用程序 100GbE SR4 QSFP28可插拔收发器 100GbE QSFP28有源光缆(AOC)...
发表于 07-04 10:55 51次 阅读
AFCD-P54GM 4x25 Gbps 850nm PIN光电探测器阵列

AFCD-P54GD 4x25 Gbps 850nm PIN光电探测器阵列

Broadcom AFCD-P54GD是一款高性能850nm,4通道25 Gb / s PIN探测器阵列,在150微米厚的基板上具有31微米的光学窗口直径。  阵列中的每个PIN都支持多模光纤上的光链路,串行(NRZ)比特率高达25.78125 Gb / s。 功能 高可靠性III-V顶部入口1x4 PIN阵列 高带宽性能  对850nm中心波长的响应度 31μm光学窗口直径 低电容  大光圈  SG联系人配置  符合RoHs 应用程序 100GbE SR4 QSFP28可插拔收发器 100GbE QSFP28有源光缆(AOC)...
发表于 07-04 10:55 52次 阅读
AFCD-P54GD 4x25 Gbps 850nm PIN光电探测器阵列

AFCD-P21KP 10 Gb / s 850nm PIN光电探测器

Broadcom AFCD-P21KP是一款高性能850nm 10 Gb / s PIN探测器,具有150微米厚的基板。  此PIN设计用于支持多模光纤上的光链路,串行(NRZ)比特率高达10.3125 Gb / s。  功能 高带宽性能  ; 850nm中心波长的高响应度 低电容  低串联电阻  符合RoHs 应用程序 数字通信链路最高可达10.3125 Gb / s 小型可插拔收发器 小型设备有源光缆(AOC)
发表于 07-04 10:55 14次 阅读
AFCD-P21KP 10 Gb / s 850nm PIN光电探测器

SPD3025-4 28-Gb / s GaAs,1×4阵列PIN光电二极管,通道间距为250μm

SPD3025-4是一款台面结构,基于GaAs的1× 4 PIN光电二极管阵列,具有高响应度,低暗电流和低电容,适用于高带宽,高性能光接收机设计。 光电二极管’低寄生效应使其成为高速,多模4x25Gb / s和4x28Gb / s应用的理想选择,与当今的高性能4x28Gb / s四通道跨阻放大器(TIA)相结合。   3焊盘G-S-G设计使用户能够灵活地进行跨阻放大器(TIA)的引线键合,并有助于减少相邻通道的串扰。...
发表于 07-04 10:55 86次 阅读
SPD3025-4 28-Gb / s GaAs,1×4阵列PIN光电二极管,通道间距为250μm

SPD2025 28-Gb / s GaAs PIN光电二极管

SPD2025是一款台面结构的基于GaAs的PIN光电二极管,可为高带宽,高性能光接收机设计提供高响应度,低暗电流和低电容。光电二极管的低寄生效应使其成为高速,多模25Gb / s和28Gb / s应用的理想选择,与当今的高性能28Gb / s单通道跨阻放大器(TIA)相结合。
发表于 07-04 10:55 65次 阅读
SPD2025 28-Gb / s GaAs PIN光电二极管

AFCD-P51GC 25 Gbps 850nm PIN光电探测器

Broadcom AFCD-P51GC是一款高性能850nm单通道25 Gb / s PIN探测器,在150微米厚的基板上具有31微米的光学窗口直径。它旨在通过串行(NRZ)比特率高达25.78 Gb / s的多模光纤支持通信链路。 功能 高可靠性III-V顶级入口PIN 高带宽性能  850nm中心波长的高响应度  31μm光学窗口直径 低电容  SG联系人配置  符合RoHS标准 应用程序 25 Gb / s数字通信链接 小型可插拔收发器 小型有源光缆(AOC)...
发表于 07-04 10:55 21次 阅读
AFCD-P51GC 25 Gbps 850nm PIN光电探测器

SPD2012-4 GaAs 1×3阵列PIN光电二极管

SPD2012-4是一款台面结构的基于GaAs的PIN光电二极管阵列,提供四通道60mm顶部照明检测窗口,每通道带宽高达12GHz 。该产品具有高响应度,低暗电流,低电容和出色的可靠性。光电二极管的低寄生效应使其成为高速,多模,4x10Gb / s应用的理想选择,与当今的高性能4x10Gb / s四通道跨阻放大器(TIA)相结合。
发表于 07-04 10:55 77次 阅读
SPD2012-4 GaAs 1×3阵列PIN光电二极管

SPD2012-12 GaAs 1×12阵列PIN光电二极管

SPD2012-12是一款台面结构的基于GaAs的PIN光电二极管阵列,提供12通道60mm顶部照明检测窗口,每通道带宽高达12GHz 。该产品具有高响应度,低暗电流,低电容和出色的可靠性。光电二极管的低寄生效应使其成为QSFP28高速,多模,10x10Gb / s以太网,12x10Gb / s(120Gb / s),12倍和12.5Gb / s(150Gb / s)和12x14Gb / s(168Gb)的理想选择/ s)用于CXP收发器和有源光缆(AOC)。
发表于 07-04 10:54 30次 阅读
SPD2012-12 GaAs 1×12阵列PIN光电二极管

SPD2025-4X 28-Gb / s GaAs,1×4阵列PIN光电二极管,通道间距为250μm

SPD2025-4X是一款台面结构,基于GaAs的1× 4 PIN光电二极管阵列,具有高响应度,低暗电流和低电容,适用于高带宽,高电容性能光接收机设计。光电二极管的低寄生效应使其成为高速,多模4x25Gb / s和4x28Gb / s应用的理想选择,与当今的高性能4x28Gb / s四通道跨阻放大器(TIA)相结合。
发表于 07-04 10:54 65次 阅读
SPD2025-4X 28-Gb / s GaAs,1×4阵列PIN光电二极管,通道间距为250μm

SPD2014-4 GaAs 1×4阵列PIN光电二极管

SPD2014-4是一款台面结构,基于GaAs的PIN光电二极管阵列,提供四通道60mm顶部照明检测窗口,每通道带宽高达12GHz 。该产品具有高响应度,低暗电流,低电容和出色的可靠性。光电二极管的低寄生效应使其成为高速,多模,4x10Gb / s应用的理想选择,与当今的高性能4x10Gb / s四通道跨阻放大器(TIA)相结合。
发表于 07-04 10:54 38次 阅读
SPD2014-4 GaAs 1×4阵列PIN光电二极管

LPD3030-4 28-Gb / s InGaAs,1×4阵列PIN光电二极管,通道间距为250μm

LPD3030-4是一款高性能1倍和4基于InGaAs的PIN光电二极管阵列,提供四通道高响应度,低暗电流和低电容,适用于高带宽,高性能光接收机设计。光电二极管的低寄生效应使其成为高速,单模,4x25Gb / s应用的理想选择,与当今的高性能4x25Gb / s四通道跨阻放大器(TIA)相结合。
发表于 07-04 10:54 117次 阅读
LPD3030-4 28-Gb / s InGaAs,1×4阵列PIN光电二极管,通道间距为250μm

LPD3035-4 32 Gb / s InGaAs,1×4阵列PIN光电二极管,具有250-μmGSG通道间距

LPD3035-4是一款高性能1倍和4基于InGaAs的PIN光电二极管阵列,提供四通道高响应度,低暗电流和低电容,适用于高带宽,高性能光接收机设计。光电二极管的低寄生效应使其成为高速,单模,4x28Gb / s应用的理想选择,与当今高性能4x28Gb / s四通道跨阻放大器(TIA)相结合。
发表于 07-04 09:47 38次 阅读
LPD3035-4 32 Gb / s InGaAs,1×4阵列PIN光电二极管,具有250-μmGSG通道间距

LPD3012-4 10 Gb / s至14 Gb / s InGaAs,1×4阵列PIN光电二极管,通道间距为250μm

LPD3012-4-32是一款基于InGaAs的高性能PIN光电二极管阵列,提供4通道32um顶部照明检测窗口,带宽高达12GHz每个频道。该产品具有高响应度,低暗电流,低电容和出色的可靠性。光电二极管的低寄生效应使其成为高速,单模,4x25Gb / s应用的理想选择,与当今的高性能4x25Gb / s四通道跨阻放大器(TIA)结合使用
发表于 07-04 09:47 49次 阅读
LPD3012-4 10 Gb / s至14 Gb / s InGaAs,1×4阵列PIN光电二极管,通道间距为250μm