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5G商用开启,哪些支点可以撬动这个蓝海市场?

章鹰 来源:电子发烧友原创 作者:章鹰 2019-06-07 09:08 次阅读

本站原创,作者:章鹰,电子发烧友执行副主编。

6月6日上午,中国工信部正式向中国电信、中国移动、中国联通、中国广电发放5G商用牌照,这表示在牌照层面,中国跳过了预商用直接进入商用阶段,中国5G进程在加速。

据美国CNN电台报道,6月6日,华为与俄罗斯 MTS 通讯公司已经达成协议,建立俄罗斯首个5G无线网络。MTS总裁兼首席执行官Alexei Kornya周四在一份声明中表示,MTS协议不仅将在不久的将来创造“俄罗斯5G网络的商业用途,而且还将促进俄中经济联系的进一步发展”。

正值中美贸易摩擦处于相持阶段,美国一直对华为进行封,美国已经发起一场针对华为的运动,将其从美国的5G网络中禁止,并发布禁制令让华为从智能手机和网络设备业务所需的美国软件和组件中切断。此外,美国还督促盟友限制或禁止在其5G网络中使用华为设备,并警告北京可以使用敏感数据基础设施进行间谍活动。俄罗斯不同意美国对安全的担忧,并且没有受到华为供应链可能中断的影响。

5G牌照的发放,标志着中国5G商用开闸,从商用牌照发放到商用成熟还需要2-5年以上的发展期,运营商、供应链上的的厂商是否完全准备好了呢?客户体验怎样,已经有工程师网友向记者吐槽,在深圳5G营业厅体验了一把,30秒完成911M得下载安装,速度快,5G带宽够了,他的担心是基站得布局和信号的稳定性如何?5G商业模式能否最终让消费者买单?小编为你分析。

5G竞争开始,美国抢跑,中国运营商开始发力

美国越来越关注5G技术和市场走向。据美国CNBC报道,美国总统唐纳德·特朗普称:“5G竞赛已经开始,美国必须赢。” 特朗普指出,到今年年底,美国将有92个5G城市准备就绪,超过韩国的48个城市。特朗普称:“这是一场有伟大美国公司参与的竞赛。据估计,无线行业计划在5G网络上投资2750亿美元,迅速为美国创造300万个就业机会,为美国经济增加5000亿美元动力。

6月6日,中国工信部对4家厂商发布5G牌照,此举预示着中国5G时代正式开启。未来中国的5G发展会多迅猛?据全球移动通信协会(GSMA)预测,到2025年全球5G连接数为14亿,其中中国占4.6亿,超过北美和欧洲的总和,位列全球第一。

中国三大运营商显然都是有备而来。目前,中国移动在17个城市启动5G规模试验,面向商用的5G规模试验和应用示范,同步开展2.6GHz和4.9GHz双频试验,推动我国力推的中频段5G产业成为国际主流。据中国移动副总经理李正茂透露,中国移动预计今年9月底前,将在全国40个城市提供5G服务,后续将持续扩大服务范围。客户“不换卡”“不换号”就可开通5G服务,后续将持续扩大服务范围,让广大客户方便、快捷地使用5G业务,享受5G新技术带来的福利。

中国联通目前已率先开通国内40个城市的5G试验网络,在众多城市中搭建各种5G行业应用场景,目前,中国联通已在40个城市推出了5G演示体验厅,本周开始在40城市范围开展“走进联通.5G在身边”为主题的5G体验活动。中国电信已经完成了在全国17个试点城市5G试验网建设。此外,还有首次拿到5G牌照的广电网络,他们拥有大量天然终端,可以实现5G入网互联,此外在国网融合的发展背景下,视频云、融媒体等新型业务形态的发展也需要广电网络运用5G网络实现“云、管、端”一体化建设。

5G商业模式之困

正如国际电信联盟发布的报告,5G将改善用户体验,带来新的应用和新的商业模式。但就目前看来,挑战也是巨大。

首先,5G将开启万物互联的新时代,但基于现有传统的商业模式,5G网络技术升级的高成本和低收益会让运营商望而却步。以4G时代发展最好的中国移动为例,自从2013年底发放4G牌照之后的半年内,4G用户的增长表现得不温不火,此后10个月内,中国4G网络渗透率上升到80%,4G在国际上渗透的时间,大约都达到了6年之久,先行先试者付出的成本巨大。

中信建投预计,未来5G基站数量将是4G的2倍,运营商5G建网主体投资可能将达1.23万亿元,较4G投资增长68%。运营商还需要建设大量的边缘计算中心,以满足5G网络低延时的上网体验。运营商建设耗费巨资建设好的管道该如何盈利?根据5G带动物联网发展,延伸出的流量计费模式,基于连接的商业模式、基于网络切片的商业模式、基于完整解决方案的商业模式,是否真的能为运营商带来可观的营收,都需要在发展中解决。

其次,5G演进路线变动,运营商还在持续探索中。中国三家运营商的思路都是比较清楚的,电信和移动偏向于SA直接组网,联通偏向于NSA。后来,电信和移动都对策略进行了调整,SA成了目标网,先行规模部署NSA成为了当前的选择。“采用NSA方案,具有部署简单、起步快和投资少的优点,同时终端也只需要支持宽带业务的能力,相对来说更容易生产和制造,如果先走向非独立组网,很可能产业都满足于只要简单提供宽带终端即可的现状,其他5G业务的后续推广难度就会增加,工业互联网的进程也会拖慢。“邬贺铨院士表示。

还有,5G应用场景的探索是发展关键点,全球包括中国企业都在尝试,比如制造业、物流业、零售、医疗智慧城市等等。2020年,大部分连接来自连接5G网络的消费者,随着5G商用场景拓展和不断完善,随后几年商用设备连接数量将远远超过消费者,占据主导地位。在中国市场,制造业、消费者和政府和中国IoT三大市场,到了2022年,制造业将会占到近31%的市场份额。消费者将会占据12.2%,政府占据12.7%市场。

设备供应商和芯片供应商已经就位

IDC预测,中国5G牌照发放开始,即2019年下半年到2020年,5G的支出主要是在硬件,设备供应商提供的产品将5G的网络架构搭建起来,随着应用的扩大,来自云厂商和系统集成商的支出会越来越大,预计两者会达到基础设施投资的两倍。更多的对于GDP的贡献会来自于应用层。4G改变了生活,从人们的消费方法、娱乐方法到学习方法,5G会改变社会。

在2G到4G时代,中国通信厂商大多处于跟随,到了5G时代,华为、中兴、中国移动等厂商在5G通信技术标准和基础设施建设过程中处于引领地位,5G技术标准的话语权降低了技术方案升级的成本,有利于产业规模的扩大。比如华为公司向3GPP组织提交5G标注提案18000多篇,标准提案和通过数高举全球首位,向ESTI声明5G基本专利2570族,持续排名业界第一。又比如华为提出地单一无线接入网、4G/5G共站同覆盖、智能电源等技术,将有力降低5G建设与运营成本。华为公司在全球已经签订了46份5G合同,基站发货量超过10万。

中兴通讯公司5G专利申请超过3500件,向ETSI(欧洲电信标准化协会)披露首批3GPP 5G SEP(标准必要专利)超过1200族,中兴通讯已具备完整的5G端到端解决方案的能力,在无线、核心网、承载、芯片、终端和行业应用等方面已做好全面商用准备。目前已和全球超过40家运营商开展5G合作,位居5G第一阵营。

美国高通公司今天表态,中国5G牌照的发放将极大促进中国5G网络、终端、应用和服务的快速发展和成熟,希望进一步融入其中,持续扩大合作生态圈。高通计划从三方面支持中国5G商用:第一、支持四家取得牌照的运营商,完成5G网络部署和优化;第二、与中国手机终端厂商合作,为5G智能手机提供芯片和技术支持;第三、发展5G智能网联,提供具有链接和计算能力的芯片和技术,与中国合作伙伴一起,赋能各个产业。

英特尔表示,其在全球范围支持5G的加速发展。“我们很高兴看到英特尔在中国5G网络部署中扮演重要角色,并将继续与中国的科技产业生态拓展合作,支持5G不断发展。”

联发科技已推出多模多频的5G调制解调器Helio M70,集成式的5G系统单芯片SoC也于日前发布。联发科技称,将致力于推进国内的5G化进程,打通从消费电子,智慧生活,智能工厂,智慧城市的全方位覆盖,成为智能制造的科技先锋。

结语:

5G越是快速地成熟商用,越能够形成大数据体量和数字经济运用方面地优势,带来巨大地经济潜力。但是前提是网络部署、终端体验的快速推进,让消费者首先愿意为新应用、新体验买单,其次,在组网方式上,如何快速进入能够支持三大场景的SA模式,也考验着5G发挥巨大作用的关键。还有,5G应用场景上,需要更多的厂商融入,开发杀手级应用,才能发挥5G产业链在商业推广上的潜力。

前路光明,但是挑战和阻力还是巨大,我们用发展的眼光看未来,希望中国5G可以走得更快,更好。

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BAS116T 75 V开关二极管

BAS16H 100 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。 S汽车及其他应用的前缀,需要独特的现场和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:13 42次 阅读
BAS16H 100 V开关二极管

BAS116L 75 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。该器件采用SOT-23表面贴装封装,非常适合自动插入。 低漏电流应用 中速开关时间 8 mm卷带和卷盘 - 使用BAS116LT1订购7英寸/ 3,000单位卷轴 Pb - 免费套餐。 汽车和其他应用的S前缀,需要独特的站点和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:13 40次 阅读
BAS116L 75 V开关二极管

BAR43 肖特基二极管

信息 BAR43 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。
发表于 04-18 19:13 44次 阅读
BAR43 肖特基二极管

BAR43C 肖特基二极管

信息 BAR43C 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。
发表于 04-18 19:13 53次 阅读
BAR43C 肖特基二极管

BAR43S 肖特基二极管

信息 BAR43S 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。
发表于 04-18 19:13 52次 阅读
BAR43S 肖特基二极管

BAL99L 70 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。该器件采用SOT-23表面贴装封装,非常适合自动插入。 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:13 48次 阅读
BAL99L 70 V开关二极管

A5191HRT 工业HART协议调制解调器

信息 A5191HRT是一款单芯片CMOS调制解调器,适用于高速公路可寻址远程传感器(HART)现场仪表和主机。调制解调器和一些外部无源组件提供满足HART物理层要求所需的所有功能,包括调制,解调,接收滤波,载波检测和发送信号整形。 A5191HRT与SYM20C15引脚兼容。有关引脚与SYM20C15兼容性的详细信息,请参见引脚说明和功能描述部分。 A5191HRT使用每秒1200位的相位连续频移键控(FSK)。为了节省功率,接收电路在发送操作期间被禁用,反之亦然。这提供了HART通信中使用的半双工操作。 低功耗 Bell 202移位频率为1200 Hz和2200 Hz 单芯片,半 - 双工1200比特FSK调制解调器 发送信号波形整形 接收带通滤波器 满足HART物理层要求 CMOS兼容 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:13 40次 阅读
A5191HRT 工业HART协议调制解调器

CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25128是一个128 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式(0,0和1,1) 工业和扩展温度范围 自定时写周期 64字节页写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留< / li> 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 具有永久写保护的附加标识页...
发表于 04-18 19:13 42次 阅读
CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25256是一个256 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0)和(1,1) ) 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页(新产品) 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留 1,000,000编程/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护< / li> - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业和扩展温度范围 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘UDFN和TDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
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CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
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CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25160 16-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25080 / 25160是8-kb / 16-kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为1024x8 / 2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25080 / 25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 32字节页写缓冲区 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 符合RoHS标准的8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装...
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CAT25160 16-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

MC10EP32 3.3 V / 5.0 V ECL÷·2分频器

信息 MC10 / 100EP32是一个集成的2分频器,具有差分CLK输入。 V 引脚是内部产生的电源,仅适用于该器件。对于单端输入条件,未使用的差分输入连接到V 作为开关参考电压。 V 也可以重新连接AC耦合输入。使用时,通过0.01μF电容去耦V 和V ,并限制电流源或吸收至0.5mA。不使用时,V 应保持开路。复位引脚是异步的,并在上升沿置位。上电时,内部触发器将达到随机状态;复位允许在系统中同步多个EP32。 100系列包含温度补偿。 350ps典型传播延迟 最大频率> 4 GHz典型 PECL模式工作范围:V = 3.0 V至5.5 V V = 0 V NECL模式工作范围:V = 0 V ,其中V = -3.0 V至-5.5 V 打开输入默认状态< / li> 输入安全钳位 Q输出打开或V 无铅封装可用时默认为低电平 < / DIV>...
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MC10EP32 3.3 V / 5.0 V ECL÷·2分频器