0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

LED | 总投资约20亿!中科潞安深紫外LED项目投产

每日LED 来源:YXQ 2019-06-05 11:36 次阅读

中科潞安半导体技术研究院落成典礼暨中科潞安深紫外LED项目投产仪式隆重举行。中国工程院院士赵沁平、陈良惠,中国科学院院士侯洵、顾瑛等出席。长治市委副书记、市长杨勤荣,中国科学院半导体研究所副所长杨富华,潞安集团总经理刘俊义,国家半导体照明工程研发与产业联盟秘书长、第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲,国家半导体照明工程研发与产业联盟研发执行主席、中国科学院半导体研究所研究员、中科潞安紫外光电科技有限公司董事长李晋闽分别为投产仪式致辞。

仪式现场

据介绍,中科潞安深紫外LED项目项目位于长治高新区漳泽新型工业园区,项目分两期建设,总投资约20亿元。其中:一期工程为年产3000万颗紫外LED芯片项目,投资5.4亿元。二期工程为年产3亿颗紫外LED芯片项目,投资15亿元。项目建成后,将形成以半导体深紫外LED芯片为核心、布局下游产品的千亿元深紫外产业园区,市场前景广阔。

中国科学院半导体研究所副所长杨富华致辞

杨富华在致辞中表示,中科院半导体所团队在高铝组分氮化物材料和紫外器件领域拥有十余年的研究积累,2009年国内首次成功制备了300nm以下深紫外LED器件并实现毫瓦级输出,多年来技术指标一直引领国内研发水平。目前,国际上深紫外材料和芯片技术,主要集中在美、日、韩少数几个公司和机构中。在国际技术封锁的背景下,中科潞安紫外项目将以市场为导向、效益为中心,科技创新为动力,在材料生长、芯片制备等领域打破国际垄断,抢占紫外LED领域的制高点。

潞安集团党委副书记、副董事长、总经理刘俊义致辞

刘俊义表示,当前正值山西省深化国资国企改革的关键时期。推动国有资本向能源革命方向进军、向新兴产业方向集结,在公共服务领域优化,实现煤与非煤产业结构反转。中科潞安研究院的落成和深紫外LED芯片项目一期建成投产,是潞安贯彻新发展理念,推进能源革命和高质量发展,推动产业结构转型升级的重大举措,将努力把中科潞安研究院打造成为国家级创新平台,也会力争把长治打造成全国乃至全球深紫外LED产业集聚区,为山西省高质量转型发展闯出一条新路。

第三代半导体产业创新战略联盟理事长、国家半导体照明工程研发及产业联盟秘书长吴玲致辞

吴玲表示,紫外LED作为高附加值和高成长空间的新方向,正在受到国内外学界和产业界的广泛关注和积极部署。深紫外LED具有明显的技术引领市场的特点——在全球范围内都具有“边研发、边生产”的特质。未来紫外LED的产业化进程要与技术研发紧密结合,通过不断技术升级,保证持久的市场竞争力。希望未来中科潞安的深紫外LED生产和研究院能够持续发挥中科院半导体所的人力资源和技术优势,引领紫外LED技术创新,突破应用关键技术,加速产业化进程,建成开放的创新平台,吸引全国乃至全球紫外LED创新资源集聚。

长治市委副书记、市长杨勤荣出席并致辞

杨勤荣在致辞中说,此次活动对进一步发展壮大长治LED产业集群、推动全市高质量发展具有重大意义。近年来,我市按照建设资源型经济转型发展示范区的具体要求,围绕打造国家级半导体光电产业集群,谋划实施了一批重大产业项目,初步形成了以中科潞安深紫外、高科华烨LED为龙头,集蓝宝石衬底、LED外延及芯片、LED封装、照明灯具等于一体的LED产业链条。2018年,我市LED产值占到全省的95%,龙头企业生产规模在全国同行业中排名前三。在未来几年内,长治一定能够建成以半导体深紫外产品为核心、布局下游产品的百亿元以上深紫外产业集聚区,成为全国半导体产业发展的新高地。

山西省半导体产业联盟揭牌仪式

国家半导体照明工程研发及产业联盟研发执行主席、中国科学院半导体研究所研究员、中科潞安紫外光电科技有限公司董事长李晋闽

李晋闽表示,深紫外LED产业作为LED行业的新增长点,正在迎来高速发展的时期,未来将会发展成为新的千亿乃至万亿产业。今天的投产仪式,标志着深紫外LED项目进入到一个新的阶段。未来随着设计的年产3000万颗深紫外LED的产能逐步释放至满产,我们将启动更大规模的亿颗深紫外LED芯片的二期建设,逐步规划对接资本市场。同时与产业链上下游企业友商加强合作,共同建设长治市深紫外LED产业集群。

投产仪式

随后,市委副书记、市长杨勤荣,副市长尚日红,高新区管委会主任张志刚,潞安集团副总经理唐军华,中国科学院半导体研究所副所长杨富华,中科潞安紫外光电科技有限公司董事长李晋闽,中科潞安半导体技术研究院有限公司董事长贾和平捧起金灿灿的鎏金沙,标志着中科潞安半导体技术研究院落成典礼暨中科潞安深紫外LED项目投产全面启动。

基于AIGaN材料的深紫外LED,具有直流驱动、工作电压低、便于携带、无污染、长寿命等优点,在杀菌、水资源净化、生物医疗、光通信等领域具有广阔应用潜力和巨大经济效益。随着国际《水俣公约》的提出,深紫外LED全面替代汞灯更是迫在眉睫,紫外光源未来会形成万亿量级的巨大市场。

中国工程院院士赵沁平、陈良惠,中国科学院院士侯洵、顾瑛等与会嘉宾参观中科潞安展厅和芯片生产线

据了解,潞安集团是省属国有重点企业集团之一,是世界500强企业。深紫外LED是潞安重点培育的高新技术产业,在深紫外LED领域,潞安集团与中科院半导体所、长治市人民政府“三方共建”,成功搭建了“开发设计”和“产业化推广”两大平台。中科潞安半导体产业技术研究院作为高端创新平台,未来将实现前沿半导体技术研究攻关、高端应用产品开发设计、对外检验检测、行业标准制定及成果转化孵化“五大职能”。在深紫外LED芯片一期工程项目达产达效的基础上,将加快推进二期年产3亿颗深紫外LED外延芯片生产线建设,适时启动长治紫外光电产业园区建设。

资料显示,长治市半导体光电产业从2009年开始起步,经过近10年的发展,目前已形成从蓝宝石衬底、外延及芯片、封装到显示屏、照明灯具的垂直一体化产业链,初步构筑起以高科华烨集团和中科潞安紫外光电科技有限公司为龙头的半导体光电产业集群,集群内现有相关企业15家,其中规模以上企业5家,高科华烨集团LED产值占到全省的95%,位居全国同行业前三。在此基础上,长治立足科技发展前沿,围绕国家半导体产业发展重大战略需求,在全国范围内率先布局规划深紫外LED。今年长治市全力推进中科潞安深紫外LED二期、外延、封装等项目,完善产业链条。中科潞安深紫外LED项目的投产标志着长治深紫外LED产业发展迈出了重要一步,为将长治打造成为全国乃至全球深紫外LED产业集聚区奠定了坚实的基础。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • led
    led
    +关注

    关注

    237

    文章

    22420

    浏览量

    645785
  • 紫外
    +关注

    关注

    0

    文章

    44

    浏览量

    11523

原文标题:总投资约20亿元,中科潞安深紫外LED项目投产

文章出处:【微信号:MEIRILED,微信公众号:每日LED】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    总投资1.5亿美元!兆显光电高清超薄LED背光源制造项目落户开发区

    2月26日晚,昆山开发区与深圳市兆纪光电有限公司在深圳成功签约,总投资1.5亿美元的兆显光电高清超薄 LED 背光源及TFT-LCD 模组智能制造项目落户开发区
    的头像 发表于 02-29 14:12 276次阅读

    粒量科技Mini/Micro LED一期项目竣工投产

    1月24日上午,位于福建泉州安溪高端装备制造产业园区内的粒量科技(一期)项目正式竣工投产
    的头像 发表于 01-26 10:09 591次阅读

    总投资20亿元,泽石固态硬盘模组及芯片封测生产基地签约落户

    据“新城葛店”公众号消息,1月6日,泽石固态硬盘模组及芯片封测生产基地项目落户鄂州市葛店经济技术开发区,总投资20亿元。 据悉,该项目由北京泽石科技有限公司
    的头像 发表于 01-10 11:32 553次阅读
    <b class='flag-5'>总投资</b><b class='flag-5'>20</b>亿元,泽石固态硬盘模组及芯片封测生产基地签约落户

    总投资4.63亿元!广汽集团旗下广州青蓝IGBT正式投产

    项目计划总投资4.63亿元,主要围绕新能源汽车自主IGBT领域开展技术研发和产业化应用,是华南地区首个新能源汽车自主IGBT投资项目。一期规划产能为年产40万只汽车IGBT模块;二期
    的头像 发表于 12-12 17:37 671次阅读

    总投资13.2亿!威远一半导体项目开工

    据了解,威远县半导体封装高端球形硅微粉新材料项目由四川豫顺新材料有限公司投资建设。项目总投资13.2亿元,分两期建设,一期总投资约为3.2亿
    的头像 发表于 12-01 16:09 416次阅读

    乾照光电再添多项LED芯片相关专利

    天眼查显示,近日,乾照光电取得多项LED芯片相关专利,包括“一种垂直结构LED芯片”、“一种LED芯片及其制备方法”、“一种LED芯片及其制作方法”、“一种
    的头像 发表于 11-30 13:59 431次阅读

    芯芯半导体获4亿元投资,建设LED半导体封装项目

    据了解,该led封装项目主要建设半导体封装生产线,生产rgb照明芯片,总投资额为11.6亿元。一期工程于今年4月正式投产,预计今后工程竣工后,年产值将达到13.8亿元。
    的头像 发表于 11-10 11:38 1254次阅读

    一种人际交互模块在紫外LED照射器中的应用设计

    电子发烧友网站提供《一种人际交互模块在紫外LED照射器中的应用设计.pdf》资料免费下载
    发表于 10-23 10:46 1次下载
    一种人际交互模块在<b class='flag-5'>紫外</b><b class='flag-5'>LED</b>照射器中的应用设计

    总投资30亿元,昆山千灯同兴达项目正式量产

    。 据悉,该项目预计总投资30亿元,达产后产值预计32亿元,纳税1.7亿元。一期项目投资9.8亿元,达产后可实现每月2万片全流程金凸块的产能,生产规模在全国领先。
    的头像 发表于 10-20 10:28 342次阅读

    深紫外光子灭活技术

    厦门大学康俊勇教授、尹君副教授课题组根据致病菌中遗传物质、蛋白质的紫外光吸收特性,开发了一种由275-nm氮化物LED组成的大功率(3.2 W)且辐照均匀的平面光源,能够在1秒内完成对新冠病毒
    的头像 发表于 10-17 15:22 909次阅读
    <b class='flag-5'>深紫外</b>光子灭活技术

    DUV μLED在无线光通信领域的研究现状

    μLED作为日盲紫外光通信光源的研究现状和综合分析尺寸效应引起器件性能的变化及其机理,分析出低的光提取效率和严重的自热效应是影响深紫外μLED光功率的两个主要因素。进而综述了各种提高
    的头像 发表于 09-05 11:16 381次阅读
    DUV μ<b class='flag-5'>LED</b>在无线光通信领域的研究现状

    深紫外μLED作为日盲紫外光通信光源的研究现状和综合分析

    实现深紫外光通信的一个关键器件是深紫外光源。早期深紫外光源利用高压汞灯实现,但汞灯的调制带宽非常小,这严重影响了深紫光通信的传输速率。
    发表于 09-05 11:13 500次阅读
    <b class='flag-5'>深紫外</b>μ<b class='flag-5'>LED</b>作为日盲<b class='flag-5'>紫外</b>光通信光源的研究现状和综合分析

    总投资210亿!三大MLED项目“赶路”

    7月31日,华灿光电Micro LED晶圆制造和封装测试基地项目的开工引发业界广泛的关注和谈论。
    发表于 08-04 14:15 709次阅读

    华灿光电Micro LED项目正式开工

    据了解,该项目是珠海今年重点推进的产业立州项目之一,项目总投资50亿元,全部生产后年产值达50亿元。此次开工的一期工程总投资额超过
    的头像 发表于 08-01 10:01 676次阅读

    总投资超39亿元,广楚科技智能传感器等7项目开工

    本次集中开工的浙江合量科技有限公司项目、广楚科技项目等7个项目涵盖智能传感、半导体等领域,计划总投资超39亿元。其中,浙江合量科技有限公司项目
    的头像 发表于 07-04 11:06 743次阅读
    <b class='flag-5'>总投资</b>超39亿元,广楚科技智能传感器等7<b class='flag-5'>项目</b>开工