国内最大OLED生产基地顺利封顶!

CINNO 2019-06-01 12:07 次阅读

四川阿格瑞OLED新材料项目一期建设于2019年5月28日顺利封顶。四川阿格瑞新材料有限公司是因应国内OLED面板行业对于OLED新材料的紧迫需求,由广东阿格蕾雅光电材料有限公司(以下简称“阿格蕾雅”)在四川天府新区眉山片区视高工业园区投资设立,是从事OLED新材料研发、生产和提供技术解决方案的创新型企业。阿格瑞OLED新材料项目建成后将成为国内生产规模最大的OLED材料生产基地,具备年产30吨OLED高纯材料生产能力。

阿格瑞首席科学家中科院院士,香港大学支志明教授、行业内知名产业专家中科院欧阳钟灿院士、中国光学光电子行业协会液晶分会常务副理事长兼秘书长梁新清等十余位行业泰斗到现场参观交流,眉山市委副书记、天府新区眉山党工委书记黄剑东莅临位于眉山天府新区的建设现场与专家交流并对项目予以指导,四川省经合局处长谭桂兰、眉山市经合局局长赖刚、天府新区眉山管委会副主任李洪强、姚文第出席现场参观和交流活动。

四川阿格瑞OLED新材料项目将主要根据国内西南地区、华中地区的产业需求,生产供应具有自主知识产权的国产化高纯OLED材料。当前,作为新型显示技术代表的OLED显示屏已经成为主流,国内面板厂家注入大量投资于OLED显示屏的开发与生产。在OLED显示面板中,OLED材料的地位至关重要。目前应用在OLED面板中的发光材料和功能材料,基本由国外公司的技术和产品所掌控,我国面板厂家要取得这些材料很困难且价格昂贵。

 

为进一步提高我国OLED材料的技术和生产水平,阿格瑞OLED新材料项目将在四川眉山打造集高水平材料开发和高质量材料量产于一体的OLED新材料量产项目,目标将为国内OLED面板行业提供具有世界一流技术水平、成本行优良的各类OLED材料。 此外,在目前国际上贸易战的大势下,作为OLED新型显示技术的OLED材料,既有可能会面临被取消供应和技术支持的巨大风险。因此,阿格瑞OLED材料项目通过建设可令我国OLED面板行业获得不受制约的高质量OLED材料需求的备用方案,也是解决我国产业应对OLED材料国外技术中断带来的困境的重要举措。

四川阿格瑞OLED新材料项目,获得了广东阿格蕾雅光电材料有限公司及香港大学联合研发团队的鼎力支持。阿格蕾雅,作为目前国内成立最早的OLED材料企业,积累了丰富的研发和量产经验,将为阿格瑞项目提供量产技术支撑;支志明院士领导的阿格蕾雅-香港大学研发团队雄厚的OLED发光材料研发实力,将全力支持阿格瑞项目的顺利开展、实施及建成。阿格瑞项目在四川省市各级领导的支持下、行业专家和教授的指导下、以及阿格蕾雅和国内OLED行业同仁的努力下,可以助推我国实现OLED材料使用和开发自由,实现OLED材料的国产化供应,助力中国OLED显示行业的发展。


原文标题:四川阿格瑞一期,国内最大OLED生产基地顺利封顶

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AFBR-2419TZ光纤接收器设计用于Broadcom HFBR-14xxZ / -1712TZ光纤发射器和多模玻璃光纤电缆。具有透镜的光学系统确保了与接收器的一致耦合。接收器输出是数字CMOS / TTL信号。 AFBR-2419TZ接收器包含一个集成光电二极管的IC,可直接将输入的光信号转换为数字输出信号,而无需额外的外部电路。由于其集成设计,接收器具有非常高的EMC电阻。可实现宽接收器动态范围和高温度灵敏度。数据速率通常从100kBd到50MBd。可提供监视器(RSSI)输出,其输出电流与平均输入光功率成比例。   功能  符合RoHS标准  与Broadcom HFBR-14xxZ(820nm LED)和HFBR-1712TZ(850nm VCSEL)发射器配合使用  信号速率为100 kBd的数据传输高达50 MBd  接收器:集成PIN二极管和带CMOS / TTL输出逻辑的数字化IC  多模玻璃光纤电缆距离最远3 km  工作温度范围-40°C至+ 85°C  兼容10Base-FL标准   3.3 V和5 V电源电压操作   RSSI输出 应用程序 光学传输范围从100 kBd到50 MBd 工业控制和工厂自动化 高压隔离 消除接地回路 降低电压瞬变...
发表于 07-04 10:58 20次 阅读
AFBR-2419TZ 50MBd微型链路光纤接收器,带有螺纹ST端口

AFBR-2419MZ 50MBd微型链路光纤接收器,带金属ST端口

AFBR-2419MZ光纤接收器设计用于Broadcom HFBR-14xxZ / -1712TZ光纤发射器和多模玻璃光纤电缆。具有透镜的光学系统确保了与接收器的一致耦合。接收器输出是数字CMOS / TTL信号。 AFBR-2419MZ接收器包含一个集成光电二极管的IC,可直接将输入的光信号转换为数字输出信号,而无需额外的外部电路。由于其集成设计,接收器具有非常高的EMC电阻。可实现宽接收器动态范围和高温度灵敏度。数据速率通常从100kBd到50MBd。可提供监视器(RSSI)输出,其输出电流与平均输入光功率成比例。   功能  符合RoHS标准  与Broadcom HFBR-14xxZ(820nm LED)和HFBR-1712TZ(850nm VCSEL)发射器配合使用  信号速率为100 kBd的数据传输高达50 MBd  接收器:集成PIN二极管和带CMOS / TTL输出逻辑的数字化IC  多模玻璃光纤电缆距离最远3 km  工作温度范围-40°C至+ 85°C  兼容10Base-FL标准   3.3 V和5 V电源电压操作   RSSI输出 应用程序 光学传输范围从100 kBd到50 MBd 工业控制和工厂自动化 高压隔离 消除接地回路 降低电压瞬变...
发表于 07-04 10:58 55次 阅读
AFBR-2419MZ 50MBd微型链路光纤接收器,带金属ST端口

AFCD-P34CW 8,10和14 Gb / s 850nm 1x4阵列PIN光电探测器

Broadcom AFCD-P34CW是一款高性能850nm,4通道PIN探测器阵列,位于300微米厚的基板上。阵列中的每个PIN设计用于支持多模光纤上的光链路,串行(NRZ)比特率高达14.025 Gb / s。 特性 高可靠性III- V顶部入口1x4 PIN阵列 高带宽性能 850nm中心波长的响应度  低电容  符合RoHs 应用程序 8/10/14 Gb / s数字通信链接 QSFP收发器
发表于 07-04 10:56 4次 阅读
AFCD-P34CW 8,10和14 Gb / s 850nm 1x4阵列PIN光电探测器

AFCD-P51GP 25 Gbps 850nm PIN光电探测器

Broadcom AFCD-P51GP是一款高性能850nm,单通道25 Gb / s PIN探测器,在150微米厚的基板上具有40微米的光学窗口直径。它旨在通过串行(NRZ)比特率高达25.78 Gb / s的多模光纤支持通信链路。 功能 高可靠性III-V顶级入口PIN 高带宽性能 850nm中心波长的高响应度  40μm光学窗口直径 低电容  SG联系人配置  符合RoHS标准 应用程序 25 Gb / s数字通信链接 小型可插拔收发器 小型有源光缆(AOC)...
发表于 07-04 10:56 6次 阅读
AFCD-P51GP 25 Gbps 850nm PIN光电探测器

AFCD-P54GM 4x25 Gbps 850nm PIN光电探测器阵列

Broadcom AFCD-P54GM是一款高性能850nm,4通道25 Gb / s PIN探测器阵列,光学窗口直径为40微米,宽度为150微米厚基板。阵列中的每个PIN设计用于支持多模光纤上的光链路,串行(NRZ)比特率高达25.78 Gb / s。 特性 高可靠性III- V顶部入口1x4 PIN阵列 高带宽性能  对850nm中心波长的响应度 40μm光学窗口直径 低电容  大光圈  SG联系人配置  符合RoHs 应用程序 100GbE SR4 QSFP28可插拔收发器 100GbE QSFP28有源光缆(AOC)...
发表于 07-04 10:55 19次 阅读
AFCD-P54GM 4x25 Gbps 850nm PIN光电探测器阵列

AFCD-P54GD 4x25 Gbps 850nm PIN光电探测器阵列

Broadcom AFCD-P54GD是一款高性能850nm,4通道25 Gb / s PIN探测器阵列,在150微米厚的基板上具有31微米的光学窗口直径。  阵列中的每个PIN都支持多模光纤上的光链路,串行(NRZ)比特率高达25.78125 Gb / s。 功能 高可靠性III-V顶部入口1x4 PIN阵列 高带宽性能  对850nm中心波长的响应度 31μm光学窗口直径 低电容  大光圈  SG联系人配置  符合RoHs 应用程序 100GbE SR4 QSFP28可插拔收发器 100GbE QSFP28有源光缆(AOC)...
发表于 07-04 10:55 16次 阅读
AFCD-P54GD 4x25 Gbps 850nm PIN光电探测器阵列

AFCD-P21KP 10 Gb / s 850nm PIN光电探测器

Broadcom AFCD-P21KP是一款高性能850nm 10 Gb / s PIN探测器,具有150微米厚的基板。  此PIN设计用于支持多模光纤上的光链路,串行(NRZ)比特率高达10.3125 Gb / s。  功能 高带宽性能  ; 850nm中心波长的高响应度 低电容  低串联电阻  符合RoHs 应用程序 数字通信链路最高可达10.3125 Gb / s 小型可插拔收发器 小型设备有源光缆(AOC)
发表于 07-04 10:55 4次 阅读
AFCD-P21KP 10 Gb / s 850nm PIN光电探测器

SPD3025-4 28-Gb / s GaAs,1×4阵列PIN光电二极管,通道间距为250μm

SPD3025-4是一款台面结构,基于GaAs的1× 4 PIN光电二极管阵列,具有高响应度,低暗电流和低电容,适用于高带宽,高性能光接收机设计。 光电二极管’低寄生效应使其成为高速,多模4x25Gb / s和4x28Gb / s应用的理想选择,与当今的高性能4x28Gb / s四通道跨阻放大器(TIA)相结合。   3焊盘G-S-G设计使用户能够灵活地进行跨阻放大器(TIA)的引线键合,并有助于减少相邻通道的串扰。...
发表于 07-04 10:55 23次 阅读
SPD3025-4 28-Gb / s GaAs,1×4阵列PIN光电二极管,通道间距为250μm

SPD2025 28-Gb / s GaAs PIN光电二极管

SPD2025是一款台面结构的基于GaAs的PIN光电二极管,可为高带宽,高性能光接收机设计提供高响应度,低暗电流和低电容。光电二极管的低寄生效应使其成为高速,多模25Gb / s和28Gb / s应用的理想选择,与当今的高性能28Gb / s单通道跨阻放大器(TIA)相结合。
发表于 07-04 10:55 20次 阅读
SPD2025 28-Gb / s GaAs PIN光电二极管

AFCD-P51GC 25 Gbps 850nm PIN光电探测器

Broadcom AFCD-P51GC是一款高性能850nm单通道25 Gb / s PIN探测器,在150微米厚的基板上具有31微米的光学窗口直径。它旨在通过串行(NRZ)比特率高达25.78 Gb / s的多模光纤支持通信链路。 功能 高可靠性III-V顶级入口PIN 高带宽性能  850nm中心波长的高响应度  31μm光学窗口直径 低电容  SG联系人配置  符合RoHS标准 应用程序 25 Gb / s数字通信链接 小型可插拔收发器 小型有源光缆(AOC)...
发表于 07-04 10:55 5次 阅读
AFCD-P51GC 25 Gbps 850nm PIN光电探测器

SPD2012-4 GaAs 1×3阵列PIN光电二极管

SPD2012-4是一款台面结构的基于GaAs的PIN光电二极管阵列,提供四通道60mm顶部照明检测窗口,每通道带宽高达12GHz 。该产品具有高响应度,低暗电流,低电容和出色的可靠性。光电二极管的低寄生效应使其成为高速,多模,4x10Gb / s应用的理想选择,与当今的高性能4x10Gb / s四通道跨阻放大器(TIA)相结合。
发表于 07-04 10:55 18次 阅读
SPD2012-4 GaAs 1×3阵列PIN光电二极管

SPD2012-12 GaAs 1×12阵列PIN光电二极管

SPD2012-12是一款台面结构的基于GaAs的PIN光电二极管阵列,提供12通道60mm顶部照明检测窗口,每通道带宽高达12GHz 。该产品具有高响应度,低暗电流,低电容和出色的可靠性。光电二极管的低寄生效应使其成为QSFP28高速,多模,10x10Gb / s以太网,12x10Gb / s(120Gb / s),12倍和12.5Gb / s(150Gb / s)和12x14Gb / s(168Gb)的理想选择/ s)用于CXP收发器和有源光缆(AOC)。
发表于 07-04 10:54 10次 阅读
SPD2012-12 GaAs 1×12阵列PIN光电二极管

SPD2025-4X 28-Gb / s GaAs,1×4阵列PIN光电二极管,通道间距为250μm

SPD2025-4X是一款台面结构,基于GaAs的1× 4 PIN光电二极管阵列,具有高响应度,低暗电流和低电容,适用于高带宽,高电容性能光接收机设计。光电二极管的低寄生效应使其成为高速,多模4x25Gb / s和4x28Gb / s应用的理想选择,与当今的高性能4x28Gb / s四通道跨阻放大器(TIA)相结合。
发表于 07-04 10:54 21次 阅读
SPD2025-4X 28-Gb / s GaAs,1×4阵列PIN光电二极管,通道间距为250μm

SPD2014-4 GaAs 1×4阵列PIN光电二极管

SPD2014-4是一款台面结构,基于GaAs的PIN光电二极管阵列,提供四通道60mm顶部照明检测窗口,每通道带宽高达12GHz 。该产品具有高响应度,低暗电流,低电容和出色的可靠性。光电二极管的低寄生效应使其成为高速,多模,4x10Gb / s应用的理想选择,与当今的高性能4x10Gb / s四通道跨阻放大器(TIA)相结合。
发表于 07-04 10:54 14次 阅读
SPD2014-4 GaAs 1×4阵列PIN光电二极管

LPD3030-4 28-Gb / s InGaAs,1×4阵列PIN光电二极管,通道间距为250μm

LPD3030-4是一款高性能1倍和4基于InGaAs的PIN光电二极管阵列,提供四通道高响应度,低暗电流和低电容,适用于高带宽,高性能光接收机设计。光电二极管的低寄生效应使其成为高速,单模,4x25Gb / s应用的理想选择,与当今的高性能4x25Gb / s四通道跨阻放大器(TIA)相结合。
发表于 07-04 10:54 15次 阅读
LPD3030-4 28-Gb / s InGaAs,1×4阵列PIN光电二极管,通道间距为250μm

LPD3035-4 32 Gb / s InGaAs,1×4阵列PIN光电二极管,具有250-μmGSG通道间距

LPD3035-4是一款高性能1倍和4基于InGaAs的PIN光电二极管阵列,提供四通道高响应度,低暗电流和低电容,适用于高带宽,高性能光接收机设计。光电二极管的低寄生效应使其成为高速,单模,4x28Gb / s应用的理想选择,与当今高性能4x28Gb / s四通道跨阻放大器(TIA)相结合。
发表于 07-04 09:47 22次 阅读
LPD3035-4 32 Gb / s InGaAs,1×4阵列PIN光电二极管,具有250-μmGSG通道间距

LPD3012-4 10 Gb / s至14 Gb / s InGaAs,1×4阵列PIN光电二极管,通道间距为250μm

LPD3012-4-32是一款基于InGaAs的高性能PIN光电二极管阵列,提供4通道32um顶部照明检测窗口,带宽高达12GHz每个频道。该产品具有高响应度,低暗电流,低电容和出色的可靠性。光电二极管的低寄生效应使其成为高速,单模,4x25Gb / s应用的理想选择,与当今的高性能4x25Gb / s四通道跨阻放大器(TIA)结合使用
发表于 07-04 09:47 27次 阅读
LPD3012-4 10 Gb / s至14 Gb / s InGaAs,1×4阵列PIN光电二极管,通道间距为250μm