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美光公布DRAM和NANDFlash的最新技术线路图 将持续推进1ZnmDRAM技术及研发128层3DNAND

半导体动态 2019-05-24 16:56 次阅读

作为全球知名的存储器厂商,近日,美光召开了2019年投资者大会,在大会中上,美光展示了DRAM和NAND Flash下一代技术的发展以及规划。

据悉,美光的技术研发和Fab制造工厂遍布全球,其中核心技术研发主要集中在美国的爱达荷州(Idaho)基地。Fab工厂分布上,日本主要负责生产DRAM,新加坡主要生产NAND Flash,3D Xpoint工厂则设在美国的犹他州(Utah),中国台湾则负责封装。

此外,为了满足汽车市场需求,美光还在美国弗吉尼亚州(Virginia)设立了工厂。

美光公布DRAM和NANDFlash的最新技术线路图 将持续推进1ZnmDRAM技术及研发128层3DNAND

最值得关注的是,美光在此次投资者大会上公布了DRAM和NAND Flash的最新技术线路图。

DRAM方面,美光将持续推进1Znm DRAM技术,并且还将基于该先进技术推出16Gb LPDDR4。而在1Znm DRAM技术之后,美光还将发展1α、1β、1γ。

未来美光DRAM产品研发计划采用EUV技术。美光表示,其拥有从1Znm至1ynm的成熟的技术和成本效益,而多重曝光微影技术是它的战略性优势。目前,DRAM的EUV光刻技术正在进行评估中,准备在合适的时候实现对EUV技术的应用。

NAND Flash方面,继96层3D NAND之后,美光计划下一代研发128层3D NAND,采用64+64层的结构。

另外,为了在芯片尺寸、连续写入性能、写入功耗方面领先,美光研发128层3D NAND时,将实现从Floating Gate技术向Replacement Gate技术过渡的重大进展,以及对CuA(CMOS under Array)技术的持续利用。

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