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美国曾经与日本打了一场芯片战 最终摧毁日本的芯片产业

芯论 2019-05-24 15:09 次阅读

在上世纪80年代,美国曾经与日本打了一场芯片战,最终摧毁了日本的芯片产业。黄树东在《大国兴衰》中,向我们讲述了这样一个非常精彩的故事。

上世纪五六十年代,当美国的电子厂商向日本推销电子产品时,日本几乎没有电子产业。于是,日本决定赶超。到了70年代,日本在电子产业开始与美国抗衡,其产品质优价廉,深受美国消费者欢迎。美国的电子产业受到严重打击,尤其是芯片工业,甚至出现大量亏损,于是美国决定反制。

日本电子产业迅速崛起的秘诀是:严格的市场保护,培育大而全的电子财团,政府推动民族产业的技术开发与合作。随着松下、日立、索尼等龙头企业的崛起,日本企业在国际市场上的份额急剧上升,日本电子产品风靡世界,开始在全世界挑战美国。20多年后称雄世界的硅谷电子企业,当时为了救亡图存,不得不把目光投向美国政府。1977年3月,美国半导体行业协会(SIA)得出结论:日本电子产业的成功,是在美国倾销的结果。而为了保持美国电子产业的竞争力,美国政府必须介入这次争端。美国政府认同了SIA的立场。一场美国政府主导的围绕芯片产业的产业战争,就此开始。

要了解这场产业战争,首先需要了解美国政府对高科技的战略立场。对于高科技的垄断地位,是美国霸权的基石。而电子---尤其是芯片---产业,则是霸权皇冠上的明珠,对国家安全有着巨大的战略意义。美国国内有一些利益集团认为,由于日本芯片质优价廉,从国际分工的角度,美国应当让盟国日本成为自己的芯片提供商,这也有利于美国消费者。从比较优势的角度出发,既然芯片已经不是美国的优势产业,就应该放弃。

鉴于高科技对于美国防务的重大意义,美国国防部专门设立了一个小组研究这个问题。后来发布了一个报告,回答了美国国防对外国芯片技术的依赖性问题。报告指出,美国所有的先进武器系统,都建立在无比先进的芯片技术上。芯片是决定电子产品领先地位的关键,而有竞争力的生产规模又是决定芯片领先地位的关键。而芯片业的生产规模必须由商业市场支撑,所以,美国必须保护芯片业的商业市场。

这个报告的关键,是它在经济利益和国家安全利益上的优先顺序。在一个国家的产业战略和贸易战略中,国家安全利益压倒任何经济利益。纯粹从经济角度、从国际分工角度来处理关键产业,是一种不顾国家长远安危的行为。在国家博弈中,需要的是捍卫国家利益的战略家,而不是只会算计短期效益的账房先生。假如在当时,美国放弃自己的芯片产业,今天的美国,将没有英特尔这样的芯片厂商,美国在计算机上、防卫系统上将全面依赖日本!依赖于人必受制于人。依赖别人的霸权,还是霸权吗?!

尤其严重的是,如果日本的芯片技术被苏联获得,将会对美国的霸权和安全构成致命威胁。在国家安全问题上没有选择。美国决定大力打击日本芯片业,大力扶持美国的芯片业。美国国防部发挥了重要作用,提供研究经费、大规模增加订货等等。

美国在这场产业战争中的战略,有一个从“反倾销”到全方位的形成过程。1982年3月,美国商务部表示,将调查日本的芯片商对美国的廉价倾销。日本通产省马上下达了出口指南,要求自动减少对美出口,自动提高对美出口价格。而到了6月,美国司法部告知日本通产省,他们正在调查日本厂商用卡特尔等手段在美国市场上限制数量,提高价格。总之,无论日本厂商怎么做,美国都有借口打击。双方成立了一个高科技工作小组,于11月达成了《关于原则问题的协议》。

这个协议是一个广泛而务虚的协议,确认自由贸易的重要性,呼吁给予彼此的企业进入对方市场以平等的国民待遇。这一协议轻易获得了日方的同意。美国的目的十分明确而且有限。当时美苏争霸,美国需要日本,因此不能伤害与日本的联盟关系,但是同时又要打击日本在电子产业上的领先地位。

这个貌似公平的原则协议,其实有着很深的战略思考。前面说过,日本电子产业发展的历史经验,就是市场保护、自给自足的企业制度和强势的政府推动。因此这个原则协议,实际上直接刺中了日本电子产业的核心。而日本则在不自觉中做出了重要战略让步。这一让步,就使如日中天的日本电子产业忽然失去了坚实的基础。有了这种战略性败笔,以后所有的战术失败早就在美国的成算之中。

从里根政府以来,美国对日本的经济战争的主要战术是“剥洋葱”。先是提出一个原则性意见,对关键的问题往往一笔带过。在获得日本认可以后,再在这种原则上就关键问题提出具体建议。这是一个典型的“剥洋葱”的例子。

从“务虚”开始,以长远的战略立足,是美国在与许多国家博弈中的经验。以中国的入世谈判为例,中国谈了十几年,谈了什么?后来中国主导谈判的官员披露---谈的是四个字:“市场经济”。“市场经济”貌似务虚,然而一旦它成了谈判的原则基础,中国的经济体系、中国的产业保护、市场保护等等都成了谈判的内容。中国后来的所有不平等让步,都在这四个字当中。

在日方接受了市场准入的原则后,美国开始需要细节了。日本不得不同意全部废除芯片关税,并且开放了国内市场。然而,尽管如此,美国电子产业在世界市场上的份额仍然在继续下降。1985年,日本取代美国,成为世界上最大的芯片生产国。美国企业惠普公开指出,日本芯片确实是质优价廉,日本问题芯片的比例只有美国芯片的10%。但是,这场产业战争从一开始就不是真正意义上的经济原因,美国的战略目的是要维护美国在芯片业上的长期垄断地位。美国国家利益和产业利益在这里是完全吻合的。

到了1985年春,美国芯片业相信,假如政府不迅速采取严厉措施,整个芯片业将在与日本的竞争中消亡。SIA经过激烈争论,一致同意对日本采取激烈行动。1985年6月,SIA向美国贸易代表办公室就日本电子产品的倾销提起了诉讼,这就是著名的301条款起诉。起诉中把矛头直指日本政府。

对于美国政府而言,决定这个案子的核心是国家安全利益。美国当时的贸易代表尤特在回忆中写道:“我们的(芯片)技术和质量是不比日本的好,可能还更差。但是,我们。。。。。。不能承受(美国)失去芯片生产能力的后果。芯片业关系美国未来的关键。假如你失去了(芯片能力)你将变得依赖别人。美国作为世界领袖,能依赖别人吗?我们的判断是:不能。”

贸易代表首先考虑的不是比较利益,而是美国的安全利益。国家安全高于一切,大国博弈呼唤这样的贸易代表。从这个角度看,中国上世纪80年代关于大飞机、计算机产业、关于开放中国国防产业的决策,看不到安全战略。在国家博弈中,短期经济利益考虑多了,国家安全利益就少了;自由贸易迷信多了,技术和产业独立就少了。

就在美国政府思考对日决策时,美国出现了一系列后来对美国政策有极大影响的报告。这些报告宣称日本存在一个影子“九人委员会”。他们定期会晤以决定芯片价格、市场份额等等。日本坚决否认这些报告的真实性。对于“九人委员会”的真伪,美国政府从来没有确认。国家博弈,虚实相间。不同的利益需要不同的事实。强者大胆假设,弱者小心求证。

在一连串的压力面前,日本政府开始后退。1986年9月,两国签署了《半导体条约》。主要有以下规定:1)日本政府不仅必须停止在美国市场的倾销,而且必须停止在其他市场的倾销(为美国占领其他市场开路)。日本厂商必须保留详细的成本记录,以确定“公平价格”。日本厂商可以高于但是不能低于“公平价格”。2)美国企业将获得日本20%的市场份额。

这个条约是日本芯片业衰退的开始。芯片产业是一个更新很快、长平周期很短的产业。由于不能低于成本价出售老产品,导致产品周期延长。另外,这个条约导致日本的芯片厂商自相残杀,以前产业链上的协同合作荡然无存。

日本通产省为了避免日本企业间的不良竞争,对出口规定了统一的最低价。这一政策马上受到美国芯片业反击。1987年3月,美国政府以日本没有执行协议为名,决定对日本进行3亿美元的进口限制,限制包括日本产的电视、计算机等等,但是不包括芯片。这种挑动群众斗群众的招数,可谓别具一格。这种进口限制一直持续到1991年。

在美国全力以赴拆散日本芯片业的产业联盟时,美国半导体协会得到了政府批准,成立了由14家美国芯片厂商组成的“美国半导体制造技术战略联盟”。这个联盟将运用产业基金和政府的资金进行新技术开发。与此同时,由美国一手导演的日元大幅度升值,迫使日本厂商大幅度提高了出口价格。

1992年,美国芯片产业重新获得失去的市场份额,与日本同为世界最大的芯片出口国。同时,在日本市场20%的目标得以实现。1993年,美国取代日本再度成为世界最大的芯片出口国。1994年,为了摆脱美国加在日本芯片业身上的枷,在条约即将到期时,日本贸易大臣抢先宣布这个条约完成了历史使命。但是美国却宣布延长这个条约,最后则是在原条约基础上签署了新的条约。

这场产业战争,从议题,到时间,到方式,全都由美国确定。美国还利用市场武器,大量培植对手的对手。在90年代中后期,韩国和台湾地区的芯片和电子产品,开始大规模涌进美国和世界市场,对日本构成全面挑战。而日元升值导致日本电子零配件价格飙升,不得不将零配件生产转移到海外。日本财团内部的传统产业链就此断裂,日本电子产业作为整体从此风光不再。再后来,漫长的经济衰退,使得日本的电子产业江河日下。进入21世纪,不仅芯片产业,日本整个高科技产业都被美国远远抛在后面。索尼、三洋等都在亏损中挣扎求生存。

原文标题:美国是如何摧毁日本的芯片产业的!

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请问芯片CA3140与CA3160有什么异同点?

芯片CA3140与CA3160有什么异同点,CA3160有什么优点,能否替代CA3140?...
发表于 06-13 22:36 17次 阅读
请问芯片CA3140与CA3160有什么异同点?

有什么芯片是LORA 的,但是数据口用的是串口

不知道有什么芯片是LORA 的,但是数据口用的是串口这种的,不知道大神们有什么推荐的嘛 ...
发表于 06-13 11:56 153次 阅读
有什么芯片是LORA 的,但是数据口用的是串口

BAS16XV2 开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。 引线表面处理:100%哑光锡(锡) 合格回流温度:260°C 极小型SOD-523封装 适用于汽车和其他应用的S前缀,需要独特的现场和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:14 0次 阅读
BAS16XV2 开关二极管

BAS16T 100 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。 可提供无铅封装* 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:14 2次 阅读
BAS16T 100 V开关二极管

BAS16W 100 V开关二极管

信息开关二极管设计用于超高速开关应用。该器件采用SC-70封装,专为低功耗表面贴装应用而设计。 可提供无铅封装 适用于汽车和其他应用的S前缀,需要独特的站点和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:14 24次 阅读
BAS16W 100 V开关二极管

BAS16SL 小信号二极管

信息小信号二极管 低正向压降 快速开关 非常小的薄型 最大剖面高度为0.43mm 尺寸为1.0 x 0.6mm
发表于 04-18 19:14 38次 阅读
BAS16SL 小信号二极管

BAS16P2 100 V开关二极管

信息 BAS16P2T5G开关二极管是我们广受欢迎的SOT-23三引线器件的衍生产品。它专为开关应用而设计,安装在SOD-923表面该封装非常适合低功率表面贴装应用,其中电路板空间非常宝贵。 极小的SOD-923封装
发表于 04-18 19:13 28次 阅读
BAS16P2 100 V开关二极管

BAS16 (Legacy Fairchild)开关二极管,85 V 200 mA

信息 SOT-23封装中的开关二极管。 高 - 速度切换应用
发表于 04-18 19:13 31次 阅读
BAS16 (Legacy Fairchild)开关二极管,85 V 200 mA

BAS16DXV6 双开关二极管,100 V

信息采用SOT-563封装的双开关二极管。 引脚表面处理:100%无光泽锡(锡) 合格回流焊温度:260°C 超小型SOD-523封装 适用于汽车和其他应用的S前缀,需要独特的现场和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:13 34次 阅读
BAS16DXV6 双开关二极管,100 V

BAS116T 75 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。该器件采用SC-75表面贴装封装,非常适合自动插入。 低漏电流应用 中速开关时间 这些器件是无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准
发表于 04-18 19:13 36次 阅读
BAS116T 75 V开关二极管

BAS16H 100 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。 S汽车及其他应用的前缀,需要独特的现场和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:13 42次 阅读
BAS16H 100 V开关二极管

BAS116L 75 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。该器件采用SOT-23表面贴装封装,非常适合自动插入。 低漏电流应用 中速开关时间 8 mm卷带和卷盘 - 使用BAS116LT1订购7英寸/ 3,000单位卷轴 Pb - 免费套餐。 汽车和其他应用的S前缀,需要独特的站点和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:13 38次 阅读
BAS116L 75 V开关二极管

BAR43 肖特基二极管

信息 BAR43 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。
发表于 04-18 19:13 42次 阅读
BAR43 肖特基二极管

BAR43C 肖特基二极管

信息 BAR43C 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。
发表于 04-18 19:13 49次 阅读
BAR43C 肖特基二极管

BAR43S 肖特基二极管

信息 BAR43S 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。
发表于 04-18 19:13 50次 阅读
BAR43S 肖特基二极管

BAL99L 70 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。该器件采用SOT-23表面贴装封装,非常适合自动插入。 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:13 48次 阅读
BAL99L 70 V开关二极管

A5191HRT 工业HART协议调制解调器

信息 A5191HRT是一款单芯片CMOS调制解调器,适用于高速公路可寻址远程传感器(HART)现场仪表和主机。调制解调器和一些外部无源组件提供满足HART物理层要求所需的所有功能,包括调制,解调,接收滤波,载波检测和发送信号整形。 A5191HRT与SYM20C15引脚兼容。有关引脚与SYM20C15兼容性的详细信息,请参见引脚说明和功能描述部分。 A5191HRT使用每秒1200位的相位连续频移键控(FSK)。为了节省功率,接收电路在发送操作期间被禁用,反之亦然。这提供了HART通信中使用的半双工操作。 低功耗 Bell 202移位频率为1200 Hz和2200 Hz 单芯片,半 - 双工1200比特FSK调制解调器 发送信号波形整形 接收带通滤波器 满足HART物理层要求 CMOS兼容 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:13 38次 阅读
A5191HRT 工业HART协议调制解调器

CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25128是一个128 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式(0,0和1,1) 工业和扩展温度范围 自定时写周期 64字节页写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留< / li> 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 具有永久写保护的附加标识页...
发表于 04-18 19:13 40次 阅读
CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25256是一个256 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0)和(1,1) ) 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页(新产品) 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留 1,000,000编程/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护< / li> - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业和扩展温度范围 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘UDFN和TDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:13 38次 阅读
CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:13 40次 阅读
CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25160 16-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25080 / 25160是8-kb / 16-kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为1024x8 / 2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25080 / 25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 32字节页写缓冲区 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 符合RoHS标准的8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装...
发表于 04-18 19:13 48次 阅读
CAT25160 16-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

MC10EP32 3.3 V / 5.0 V ECL÷·2分频器

信息 MC10 / 100EP32是一个集成的2分频器,具有差分CLK输入。 V 引脚是内部产生的电源,仅适用于该器件。对于单端输入条件,未使用的差分输入连接到V 作为开关参考电压。 V 也可以重新连接AC耦合输入。使用时,通过0.01μF电容去耦V 和V ,并限制电流源或吸收至0.5mA。不使用时,V 应保持开路。复位引脚是异步的,并在上升沿置位。上电时,内部触发器将达到随机状态;复位允许在系统中同步多个EP32。 100系列包含温度补偿。 350ps典型传播延迟 最大频率> 4 GHz典型 PECL模式工作范围:V = 3.0 V至5.5 V V = 0 V NECL模式工作范围:V = 0 V ,其中V = -3.0 V至-5.5 V 打开输入默认状态< / li> 输入安全钳位 Q输出打开或V 无铅封装可用时默认为低电平 < / DIV>...
发表于 04-18 19:13 40次 阅读
MC10EP32 3.3 V / 5.0 V ECL÷·2分频器