苏州能讯高能半导体有限公司4英寸氮化镓芯片产线建成 总投资3亿元

据新华社报道，近日，苏州能讯高能半导体有限公司4英寸氮化镓芯片产线建成。

据悉，该产线总投资3亿元，设计产能为17000片4英寸氮化镓晶圆，达产后可实现产值20亿元，以迎接5G无线通信对氮化镓射频芯片的市场需求，打造国产射频芯片新品牌。

苏州能讯半导体致力于宽禁带半导体氮化镓电子器件技术与产业化，主要为5G移动通讯、宽频带通信等射频微波领域和工业控制、电源、电动汽车等电力电子领域等两大领域提供高效率的半导体产品与服务。

苏州能讯半导体采用整合设计与制造（IDM）的模式，自主开发了氮化镓材料生长、芯片设计、晶圆工艺、封装测试、可靠性与应用电路技术。目前公司拥有专利280项，其中：中国发明186项，国际发明69项，实用新型25项、专利使用授权40项。

官网资料显示，苏州能讯半导体在江苏昆山国家高新区建成了中国第一家氮化镓（GaN）电子器件工厂，厂区占地55亩，累计投资10亿元。完成了面向5G通信系统的技术与产品的积累，产品性能已通过国际一流通讯企业的测试与认证。