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MOS管被击穿的原因及解决方案

张飞实战电子 2019-05-20 17:21 次阅读

MOS管为什么会被静电击穿?静电击穿是指击穿MOS管G极的那层绝缘层吗?击穿就一定短路了吗?JFET管静电击穿又是怎么回事?

MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电(少量电荷就可能在极间电容上形成相当高的电压(想想U=Q/C)将管子损坏),又因在静电较强的场合难于泄放电荷,容易引起静电击穿。静电击穿有两种方式:一是电压型,即栅极的薄氧化层发生击穿,形成针孔,使栅极和源极间短路,或者使栅极和漏极间短路;二是功率型,即金属化薄膜铝条被熔断,造成栅极开路或者是源极开路。JFET管和MOS管一样,有很高的输入电阻,只是MOS管的输入电阻更高。

静电放电形成的是短时大电流,放电脉冲的时间常数远小于器件散热的时间常数。因此,当静电放电电流通过面积很小的pn结或肖特基结时,将产生很大的瞬间功率密度,形成局部过热,有可能使局部结温达到甚至超过材料的本征温度(如硅的熔点1415℃),使结区局部或多处熔化导致pn结短路,器件彻底失效。这种失效的发生与否,主要取决于器件内部区域的功率密度,功率密度越小,说明器件越不易受到损伤。

MOS管被击穿的原因及解决方案

反偏pn结比正偏pn结更容易发生热致失效,在反偏条件下使结损坏所需要的能量只有正偏条件下的十分之一左右。这是因为反偏时,大部分功率消耗在结区中心,而正偏时,则多消耗在结区外的体电阻上。对于双极器件,通常发射结的面积比其它结的面积都小,而且结面也比其它结更靠近表面,所以常常观察到的是发射结的退化。此外,击穿电压高于100V或漏电流小于1nA的pn结(如JFET的栅结),比类似尺寸的常规pn结对静电放电更加敏感。

所有的东西是相对的,不是绝对的,MOS管只是相对其它的器件要敏感些,ESD有一个很大的特点就是随机性,并不是没有碰到MOS管都能够把它击穿。另外,就算是产生ESD,也不一定会把管子击穿。静电的基本物理特征为:(1)有吸引或排斥的力量;(2)有电场存在,与大地有电位差;(3)会产生放电电流。这三种情形即ESD一般会对电子元件造成以下三种情形的影响:(1)元件吸附灰尘,改变线路间的阻抗,影响元件的功能和寿命;(2)因电场或电流破坏元件绝缘层和导体,使元件不能工作(完全破坏);(3)因瞬间的电场软击穿或电流产生过热,使元件受伤,虽然仍能工作,但是寿命受损。所以ESD对MOS管的损坏可能是一,三两种情况,并不一定每次都是第二种情况。 上述这三种情况中,如果元件完全破坏,必能在生产及品质测试中被察觉而排除,影响较少。如果元件轻微受损,在正常测试中不易被发现,在这种情形下,常会因经过多次加工,甚至已在使用时,才被发现破坏,不但检查不易,而且损失亦难以预测。静电对电子元件产生的危害不亚于严重火灾和爆炸事故的损失。 

电子元件及产品在什么情况下会遭受静电破坏?可以这么说:电子产品从生产到使用的全过程都遭受静电破坏的威胁。从器件制造到插件装焊、整机装联、包装运输直至产品应用,都在静电的威胁之下。在整个电子产品生产过程中,每一个阶段中的每一个小步骤,静电敏感元件都可能遭受静电的影响或受到破坏,而实际上最主要而又容易疏忽的一点却是在元件的传送与运输的过程。在这个过程中,运输因移动容易暴露在外界电场(如经过高压设备附近、工人移动频繁、车辆迅速移动等)产生静电而受到破坏,所以传送与运输过程需要特别注意,以减少损失,避免无所谓的纠纷。防护的话加齐纳稳压管保护。 

现在的mos管没有那么容易被击穿,尤其是是大功率的vmos,主要是不少都有二极管保护。vmos栅极电容大,感应不出高压。与干燥的北方不同,南方潮湿不易产生静电。还有就是现在大多数CMOS器件内部已经增加了IO口保护。但用手直接接触CMOS器件管脚不是好习惯。至少使管脚可焊性变差。

MOS管被击穿的原因及解决方案

第一MOS管本身的输入电阻很高,而栅源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压(U=Q/C),将管子损坏。虽然MOS输入端有抗静电的保护措施,但仍需小心对待,在存储和运输中最好用金属容器或者导电材料包装,不要放在易产生静电高压的化工材料或化纤织物中。组装、调试时,工具、仪表、工作台等均应良好接地。要防止操作人员的静电干扰造成的损坏,如不宜穿尼龙、化纤衣服,手或工具在接触集成块前最好先接一下地。对器件引线矫直弯曲或人工焊接时,使用的设备必须良好接地。

第二MOS电路输入端的保护二极管,其导通时电流容限一般为1mA,在可能出现过大瞬态输入电流(超过10mA)时,应串接输入保护电阻。因此应用时可选择一个内部有保护电阻的MOS管应。还有由于保护电路吸收的瞬间能量有限,太大的瞬间信号和过高的静电电压将使保护电路失去作用。所以焊接时电烙铁必须可靠接地,以防漏电击穿器件输入端,一般使用时,可断电后利用电烙铁的余热进行焊接,并先焊其接地管脚。

MOS是电压驱动元件,对电压很敏感,悬空的G很容易接受外部干扰使MOS导通,外部干扰信号对G-S结电容充电,这个微小的 电荷可以储存很长时间。在试验中G悬空很危险,很多就因为这样爆管,G接个下拉电阻对地,旁路干扰信号就不会直通了,一般可以10~20K。这个电阻称为栅极电阻,作用1:为场效应管提供偏置电压;作用2:起到泻放电阻的作用(保护栅极G~源极S)。第一个作用好理解,这里解释一下第二个作用的原理:保护栅极G~源极S:场效应管的G-S极间的电阻值是很大的,这样只要有少量的静电就能使他的G-S极间的等效电容两端产生很高的电压,如果不及时把这些少量的静电泻放掉,他两端的高压就有可能使场效应管产生误动作,甚至有可能击穿其G-S极;这时栅极与源极之间加的电阻就能把上述的静电泻放掉,从而起到了保护场效应管的作用。

MOS管静电击穿,关于穿通击穿,有以下一些特征 

1穿通击穿的击穿点软,击穿过程中,电流有逐渐增大的特征,这是因为耗尽层扩展较宽,发生电流较大。另一方面,耗尽层展广大容易发生DIBL效应,使源衬底结正偏呈现电流逐渐增大的特征。 

2穿通击穿的软击穿点发生在源漏的耗尽层相接时,此刻源端的载流子注入到耗尽层中, 被耗尽层中的电场加快到达漏端,因此,穿通击穿的电流也有急剧增大点,这个电流的急剧增大和雪崩击穿时电流急剧增大不同,这时的电流相当于源衬底PN结正向导通时的电流,而雪崩击穿时的电流主要为PN结反向击穿时的雪崩电流,如不作限流,雪崩击穿的电流要大。 

3穿通击穿一般不会呈现破坏性击穿。因为穿通击穿场强没有到达雪崩击穿的场强,不会发生许多电子空穴对。 

4穿通击穿一般发生在沟道体内,沟道外表不容易发生穿通,这主要是因为沟道注入使外表浓度比浓度大构成,所以,对NMOS管一般都有防穿通注入。 

5一般的,鸟嘴边际的浓度比沟道中心浓度大,所以穿通击穿一般发生在沟道中心。 

6多晶栅长度对穿通击穿是有影响的,跟着栅长度添加,击穿增大。而对雪崩击穿,严格来说也有影响,可是没有那么明显。

原文标题:MOS管为什么会被静电击穿?gs电阻可保护MOS?

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信息优势和特点 标称电阻容差误差:±8%(最大值) 游标电流:±6 mA 可变电阻器模式下的温度系数: 35 ppm/°C 低功耗:2.5 μA(最大值,2.7 V,125°C) 宽带宽:4 MHz(5 kΩ选项) 上电EEPROM刷新时间:< 50 μs 125°C时典型数据保留期:50年 100万写周期 模拟电源电压:2.3 V至5.5 V 逻辑电源电压:1.8 V至5.5 V 宽工作温度范围:−40℃至+125℃ 2 mm × 2 mm × 0.55 mm、8引脚超薄LFCSP封装 欲了解更多特性,请参考数据手册产品详情AD5112为64位调整应用提供一种非易失性解决方案,保证±8%的低电阻容差误差,A、B和W引脚提供最高±6 mA的电流密度。低电阻容差、低标称温度系数和高带宽特性可以简化开环应用和容差匹配应用。新的低游标电阻特性将电阻阵列两个极值之间的游标电阻降低至45 Ω(典型值)。游标设置可以通过I2C兼容型数字接口控制,也可以利用该接口回读游标寄存器和EEPROM内容。电阻容差存储在EEPROM中,端到端容差精度为0.1%。AD5112采用2 mm × 2 mm LFCSP封装,保证工作温度范围为−40°C至+125°C的扩展工业温度范围。应用 机械电位计的替代产品 便携式电子设备的电平调整 音量控制 ...
发表于 04-18 19:33 2次 阅读
AD5112 单通道、64位、I2C接口、±8%电阻容差、非易失性数字电位计

AD5110 单通道、128位、I2C接口、±8%电阻容差、非易失性数字电位计

信息优势和特点 标称电阻容差误差:±8%(最大值) 游标电流:±6 mA 可变电阻器模式下的温度系数: 35 ppm/°C 低功耗:2.5 μA(最大值,2.7 V,125°C) 宽带宽:4 MHz(5 kΩ选项) 上电EEPROM刷新时间:< 50 μs 125°C时典型数据保留期:50年 100万写周期 模拟电源电压:2.3 V至5.5 V 逻辑电源电压:1.8 V至5.5 V 宽工作温度范围:−40℃至+125℃ 2 mm × 2 mm × 0.55 mm、8引脚超薄LFCSP封装 产品详情AD5110提供了针对128位调整应用的非易失性解决方案,保证±8%的低电阻容差误差,A、B和W引脚之间的电流密度可达±6 mA。低电阻容差、低标称温度系数和高带宽等特性可简化开环应用和容差匹配应用。新的低游标电阻特性将电阻阵列两个极值之间的游标电阻降低至45 Ω(典型值)。游标设置可通过I2C兼容型数字接口控制,该接口还用于回读游标寄存器和EEPROM内容。电阻容差存储在EEPROM内,端到端容差精度为0.1%。AD5110采用2 mm × 2 mm LFCSP封装。器件的保证工作温度范围为−40°C至+125°C的宽工业温度范围。应用 机械电位计的替代产品 便携式电子设备的电平调整 音量控制 低分辨率DAC LCD面板亮度...
发表于 04-18 19:33 0次 阅读
AD5110 单通道、128位、I2C接口、±8%电阻容差、非易失性数字电位计

AD5111 单通道、128位、升/降接口、±8 %电阻容差、非易失性数字电位计

信息优势和特点 标称电阻容差误差:±8%(最大值) 游标电流:±6 mA 可变电阻器模式下的温度系数:35 ppm/°C 低功耗:2.5 μA(最大值,2.7 V,125°C) 宽带宽:4 MHz(5 kΩ选项) 上电EEPROM刷新时间:< 50 μs 125°C时典型数据保留期:50年 100万写周期 2.3 V至5.5 V电源供电 内置自适应去抖器 宽工作温度范围:−-40℃至+125℃ 2 mm × 2 mm × 0.55 mm、8引脚超薄LFCSP封装产品详情AD5111提供了针对128位调整应用的非易失性解决方案,保证±8%的低电阻容差误差,A、B和W引脚之间的电流密度可达±6 mA。低电阻容差、低标称温度系数和高带宽等特性可简化开环应用和容差匹配应用。新的低游标电阻特性将电阻阵列两个极值之间的游标电阻降低至45 Ω(典型值)。简单的三线式升/降接口可在时钟速率高达50 MHz的情况下实现手动开关或高速数字控制。AD5111采用2 mm × 2 mm LFCSP封装。器件的保证工作温度范围为−40°C至+125°C的宽工业温度范围。应用•机械电位计的替代产品•便携式电子设备的电平调整•音量控制•低分辨率DAC •LCD面板亮度与对比度控制 •可编程电压至电流转换•可编程滤波器、延迟、时间常...
发表于 04-18 19:33 4次 阅读
AD5111 单通道、128位、升/降接口、±8 %电阻容差、非易失性数字电位计

AD5115 单通道、32位、升/降接口、±8 %电阻容差、非易失性数字电位计

信息优势和特点 标称电阻容差误差:±8%(最大值) 游标电流:±6 mA 可变电阻器模式下的温度系数:35 ppm/°C 低功耗:2.5 μA(最大值,2.7 V,125°C) 宽带宽:4 MHz(5 kΩ选项) 上电EEPROM刷新时间:< 50 μs 125°C时典型数据保留期:50年 100万写周期 2.3 V至5.5 V电源供电 内置自适应去抖器 宽工作温度范围:−-40℃至+125℃ 2 mm × 2 mm × 0.55 mm、8引脚超薄LFCSP封装产品详情AD5115 为32位调整应用提供一种非易失性解决方案,保证±8%的低电阻容差误差,A、B和W引脚提供最高±6 mA的电流密度。低电阻容差、低标称温度系数和高带宽特性可以简化开环应用和容差匹配应用。新的低游标电阻特性将电阻阵列极端处的游标电阻降至仅 45 Ω(典型值)。简单的3线升降式接口支持手动切换或时钟速率高达50 MHz的高速数字控制。AD5115采用2 mm × 2 mm LFCSP封装,保证工作温度范围为−40°C至+125°C的扩展工业温度范围。应用 机械电位计的替代产品 便携式电子设备的电平调整 音量控制 低分辨率DAC LCD面板亮度和对比度控制 可编程电压至电流转换 可编程滤波器、延迟、时间常数 反馈电阻可编程电源 传感器校准...
发表于 04-18 19:33 2次 阅读
AD5115 单通道、32位、升/降接口、±8 %电阻容差、非易失性数字电位计

AD5113 单通道、64位、升/降接口、±8 %电阻容差、非易失性数字电位计

信息优势和特点 标称电阻容差误差:±8%(最大值) 游标电流:±6 mA 可变电阻器模式下的温度系数:35 ppm/°C 低功耗:2.5 μA(最大值,2.7 V,125°C) 宽带宽:4 MHz(5 kΩ选项) 上电EEPROM刷新时间:< 50 μs 125°C时典型数据保留期:50年 100万写周期 2.3 V至5.5 V电源供电 内置自适应去抖器 宽工作温度范围:−-40℃至+125℃ 2 mm × 2 mm × 0.55 mm、8引脚超薄LFCSP封装产品详情AD5113为64位调整应用提供一种非易失性解决方案,保证±8%的低电阻容差误差,A、B和W引脚提供最高±6 mA的电流密度。低电阻容差、低标称温度系数和高带宽特性可以简化开环应用和容差匹配应用。新的低游标电阻特性将电阻阵列极端处的游标电阻降至仅45 Ω(典型值)。简单的3线升降式接口支持手动切换或时钟速率高达50 MHz的高速数字控制。AD5113采用2 mm × 2 mm LFCSP封装,保证工作温度范围为−40°C至+125°C的扩展工业温度范围。应用 机械电位计的替代产品 便携式电子设备的电平调整 音量控制 低分辨率DAC LCD面板亮度和对比度控制 可编程电压至电流转换 可编程滤波器、延迟、时间常数 反馈电阻可编程电源 传感器校准...
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AD5113 单通道、64位、升/降接口、±8 %电阻容差、非易失性数字电位计

AD5292 单通道、1%端到端电阻容差(R-TOL)、1024位数字电位计,具有20次可编程存储器

信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 标称电阻容差误差(电阻性能模式):±1%(最大值) 20次可编程游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 分压器温度系数:5 ppm/°C +9V至+33V单电源供电 ±9V至±16.5V双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 下载AD5292-EP (Rev 0)数据手册(pdf) 温度范围:−55°C至+125°C 受控制造基线 唯一封装/测试厂 唯一制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/12616 DSCC图纸号产品详情AD5292是一款单通道1024位数字电位计1,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件能够在宽电压范围内工作,支持±10.5 V至±16.5 V的双电源供电和+21 V至+33 V的单电源供电,同时确保端到端电阻容差误差小于1%,并具有20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291和AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机...
发表于 04-18 19:31 8次 阅读
AD5292 单通道、1%端到端电阻容差(R-TOL)、1024位数字电位计,具有20次可编程存储器

AD5272 单通道、1%电阻容差、1024位数字可变电阻器

信息优势和特点 单通道、1024/256位分辨率 标称电阻:20 kΩ 标称电阻容差误差:±1%(最大值) 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):5 ppm/°C 2.7 V至5.5 V单电源供电 ±2.5 V至±2.75 V双电源供电(交流或双极性工作模式) I2C兼容接口 游标设置回读功能 上电后采用50-TP存储器数据刷新 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5272/AD5274属于ADI公司的digiPOT+™ 电位计系列,分别是单通道1024/256位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。                                    这些器件的端到端电阻容差误差小于1%,并提供50次可编程(50-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5272/AD5274的游标设置可通过I2C兼容型数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将游标位置固定(类似于将环氧树脂...
发表于 04-18 19:31 2次 阅读
AD5272 单通道、1%电阻容差、1024位数字可变电阻器

AD5274 单通道、1%电阻容差、256位数字可变电阻器

信息优势和特点 单通道、1024/256位分辨率 标称电阻:20 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 校准标称电阻容差:1% 多次可编程、一劳永逸的电阻设置,提供50次永久编程机会 温度系数(可变电阻器模式):35 ppm/°C 2.7 V至5.5 V单电源供电 ±2.5 V至±2.75 V双电源供电(交流或双极性工作模式) 欲了解更多特性,请参考数据手册产品详情AD5272/AD5274均为单通道、1024/256位数字控制电阻器1,端到端电阻容差误差小于1%,并具有50次可编程存储器。这些器件可实现与机械可变电阻器相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和出色的低温度系数性能。AD5272/AD5274能够提供业界领先的±1%保证低电阻容差误差,标称温度系数为35 ppm/ºC。低电阻容差特性可以简化开环应用以及精密校准与容差匹配应用。AD5272/AD5274的游标设置可通过I2C兼容型数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP(五十次可编程)存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将游标位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5272和AD5274提供3 mm x 3 mm、薄型LF...
发表于 04-18 19:31 4次 阅读
AD5274 单通道、1%电阻容差、256位数字可变电阻器

AD5291 单通道、1%端到端电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,具有20次可编程存储器

信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校准的标称电阻容差:±1%(电阻性能模式) 20次可编程 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 温度系数(分压器模式):5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 单电源供电 ±9 V至±16.5 V 双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 产品详情AD5291/AD5292属于ADI公司的digiPOT+™ 电位计系列,分别是单通道256/1024位数字电位计1 ,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件的工作电压范围很宽,既可以采用±10.5 V至±16.5 V双电源供电,也可以采用+21 V至+33 V单电源供电,同时端到端电阻容差误差小于1%,并提供20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291/AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机会。在20-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将游标位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5291/AD52...
发表于 04-18 19:31 2次 阅读
AD5291 单通道、1%端到端电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,具有20次可编程存储器

AD5271 单通道、1%电阻容差、256位数字可变电阻器

信息优势和特点 单通道、1024/256位分辨率 标称电阻:20 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 校准标称电阻容差:1% 多次可编程、一劳永逸的电阻设置,提供50次永久编程机会 温度系数(可变电阻器模式):35 ppm/°C 2.7 V至5.5 V单电源供电 ±2.5 V至±2.75 V双电源供电(交流或双极性工作模式) 欲了解更多特性,请参考数据手册产品详情AD5270/AD5271均为单通道、1024/256位数字控制电阻器1,端到端电阻容差误差小于1%,并具有50次可编程存储器。这些器件可实现与机械可变电阻器相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和出色的低温度系数性能。AD5270/AD5271能够提供业界领先的±1%保证低电阻容差误差,标称温度系数为35 ppm/ºC。低电阻容差特性可以简化开环应用以及精密校准与容差匹配应用。AD5270/AD5271的游标设置可通过SPI兼容型数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP(五十次可编程)存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将游标位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5270和AD5271提供3 mm x 3 mm、薄型L...
发表于 04-18 19:30 6次 阅读
AD5271 单通道、1%电阻容差、256位数字可变电阻器

AD5270 单通道、1%电阻容差、1024位数字可变电阻器

信息优势和特点 单通道、1024/256位分辨率 标称电阻:20 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 校准标称电阻容差:1% 多次可编程、一劳永逸的电阻设置,提供50次永久编程机会 温度系数(可变电阻器模式):35 ppm/°C 2.7 V至5.5 V单电源供电 ±2.5 V至±2.75 V双电源供电(交流或双极性工作模式) 欲了解更多特性,请参考数据手册产品详情AD5270/AD5271均为单通道、1024/256位数字控制电阻器1,端到端电阻容差误差小于1%,并具有50次可编程存储器。这些器件可实现与机械可变电阻器相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和出色的低温度系数性能。AD5270/AD5271能够提供业界领先的±1%保证低电阻容差误差,标称温度系数为35 ppm/ºC。低电阻容差特性可以简化开环应用以及精密校准与容差匹配应用。AD5270/AD5271的游标设置可通过SPI兼容型数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP(五十次可编程)存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将游标位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5270和AD5271提供3 mm x 3 mm、薄型L...
发表于 04-18 19:30 2次 阅读
AD5270 单通道、1%电阻容差、1024位数字可变电阻器

AD5248 256位、双通道、I2C兼容型数字电阻

信息优势和特点 双通道、256位电位计 端到端电阻:2.5 kΩ、10 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 紧凑型10引脚MSOP (3 mm × 4.9 mm)封装 快速建立时间:tS = 5 µs(上电时的典型值) 完整读/写游标寄存器 上电预设为中间值 额外的封装地址解码引脚:AD0和AD1 工厂编程应用中,计算机软件取代微控制器 单电源:2.7 V至5.5 V 低温度系数:35 ppm/°C 低功耗:IDD = 6 µA(最大值) 宽工作温度范围:−40°C至+125°C 提供评估板产品详情AD5243和AD5248提供一种适合双通道、256位调整应用的3 mm × 4.9 mm、紧凑型封装解决方案。AD5243可实现与三端机械电位计相同的电子调整功能,而AD5248可实现与两端可变电阻相同的调整功能。这些器件提供四种端到端电阻值(2.5 kΩ、10 kΩ、50 kΩ和100 kΩ),具有低温度系数特性,非常适合高精度、高稳定度可变电阻调整应用。游标设置可通过I2C兼容数字接口控制。AD5248具有额外的封装地址解码引脚AD0和AD1,允许多个器件在PCB上共享同一个双线式I2C总线。游标与固定电阻任一端点之间的电阻值,随传输至RDAC锁存器中的数字码呈线性变化。(数字电位计、VR和RDAC这些术语可以互换使用。)该器...
发表于 04-18 19:29 47次 阅读
AD5248 256位、双通道、I2C兼容型数字电阻

AD5246 采用SC70封装的128位I2C兼容可编程电阻

信息优势和特点 128 Position End-to-End Resistance 5kΩ, 10kΩ , 50kΩ , 100kΩ Ultra-Compact SC70-6 (2 mm x 2.1 mm) Package I2C Compatible Interface Full Read/Write of Wiper Register Power-on Preset to Midscale Single Supply +2.7 V to +5.5 V Low Temperature Coefficient 45 ppm/°C Low Power, IDD=3 µA typical Wide Operating Temperature –40°C to +125°C Evaluation Board Available Available in lead-free (Pb-free) package产品详情The AD5246 provides a compact 2 mm × 2.1 mm packaged solution for 128-position adjustment applications. This device performs the same electronic adjustment function as a variable resistor. Available in four different end-to-end resistance values (5 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ), these low temperature coefficient devices are ideal for high accuracy and stability variable resistance adjustments.The wiper settings are controllable through the I2C compatible digital interface, which can also be used...
发表于 04-18 19:29 206次 阅读
AD5246 采用SC70封装的128位I2C兼容可编程电阻

AD5415 双通道、12位、高带宽、乘法DAC,内置四象限电阻和串行接口

信息优势和特点 乘法带宽:10 MHz 片内四象限电阻提供灵活的输出范围 积分非线性(INL):±1LSB 24引脚TSSOP封装 2.5 V至5.5 V电源供电 ±10 V基准电压输入 50 MHz串行接口 更新速率:2.47 MSPS 扩展温度范围: -40℃至125℃ 四象限乘法 上电复位 功耗:0.5 µA(典型值) 保证单调性 菊花链模式 回读功能产品详情AD5415是一款CMOS1、12位、双通道、电流输出数模转换器(DAC)。 这款器件采用2.5 V至5.5 V电源供电,因此适合电池供电应用及其它应用。 该器件采用CMOS亚微米工艺制造,能够提供出色的四象限乘法特性,大信号乘法带宽达10 MHz。 满量程输出电流由所施加的外部基准输入电压(VREF)决定。 与外部电流至电压精密放大器配合使用时,集成的反馈电阻(RFB)可提供温度跟踪和满量程电压输出。 此外,该器件内置双极性操作及其它配置模式所需的四象限电阻。该DAC采用双缓冲三线式串行接口,并且与SPI®、QSPI™、MICROWIRE™及大多数DSP接口标准兼容。 采用多个封装时,还可以通过串行数据输出(SDO)引脚,将这些DAC以菊花链形式相连。 利用数据回读功能,用户可以通过SDO引脚读取D...
发表于 04-18 19:27 30次 阅读
AD5415 双通道、12位、高带宽、乘法DAC,内置四象限电阻和串行接口

AD5405 双通道、12位、高带宽、乘法DAC,内置四象限电阻和并行接口

信息优势和特点 乘法带宽:10 MHz 片内四象限电阻提供灵活的输出范围 INL:±1 LSB 40引脚LFCSP封装 电源电压:2.5 V至5.5 V ±10 V基准电压输入 更新速率:21.3 MSPS 欲了解更多特性,请参考数据手册。产品详情AD5405是一款CMOS、12位、双通道电流输出数模转换器(DAC),采用2.5 V至5.5 V电源供电,适合电池供电及其它应用。    这款器件采用CMOS亚微米工艺制造,能够提供出色的四象限乘法特性,大信号乘法带宽最高可达10 MHz。满量程输出电流由所施加的外部基准输入电压 (VREF) 决定。与外部电流至电压精密放大器配合使用时,集成的反馈电阻(RFB) 可提供温度跟踪和满量程电压输出。此外,该器件内置双极性操作及其它配置模式所需的四象限电阻。利用这款DAC的数据回读功能,用户可以通过DB引脚读取DAC寄存器的内容。上电时,内部寄存器和锁存以0填充,DAC输出处于零电平。AD5405采用6 mm × 6 mm、40引脚LFCSP封装。应用 便携式电池供电应用 波形发生器 模拟处理 仪器仪表应用 可编程放大器和衰减器 数字控制校准 可编程滤波器和振荡器 复合视频 超声 增益、失调和电压调整...
发表于 04-18 19:27 30次 阅读
AD5405 双通道、12位、高带宽、乘法DAC,内置四象限电阻和并行接口

74ALVC162244 低电压16位缓冲/线路驱动器 带3.6V容差输入和输出 输出端带26欧姆串联电阻

2244包含16个具有3态输出的同相缓冲器,可用作内存和地址驱动器,时钟驱动器或总线导向发射器/接收器。该器件为半字节(4位)控制器件。每个半字节均有独立的3态控制输入,可以短接在一起进行完整的16位运行.74ALVC162244设计用于低电压(1.65V到3.6V)V CC 应用,I / O能力最高可达3.6V.74ALVC162244也设计为输出端带26ohm串联电阻。此设计可降低应用中的线路噪声,如内存地址驱动器,时钟驱动器,或总线导向发射器/接收器.74ALVC162244采用先进的CMOS技术制造,以在实现高速运行的同时保持CMOS低功耗。 特性 1.65V至3.6VV CC 电源操作范围 3.6V容差输入和输出电压 输出端带26ohm串联电阻 t PD 最长3.8 ns,3.0V到3.6VV CC 最长4.3 ns, 2.3V到2.7VV CC 最长7.6 ns,1.65V到1.95VV CC 断电高阻抗输入和输出 支持带电插拔 使用专利噪声/电磁干扰(EMI)消减电路 闩锁符合JEDEC JED78规定 静电放电(ESD)性能:人体模型> 2000V机械模型> 200V 同样采用塑料微间距球栅阵列(FBGA)封装 应用 此产品是一...
发表于 04-18 19:19 101次 阅读
74ALVC162244 低电压16位缓冲/线路驱动器 带3.6V容差输入和输出 输出端带26欧姆串联电阻

AC1362 20 Ω电流检测电阻

信息产品分类接口和隔离 IOS子系统产品详情AC1362是一款完全密封的20 Ω、0.1%(典型值)、1/8 W、20 ppm/°C即插即用式替换电阻。
发表于 04-18 19:15 28次 阅读
AC1362 20 Ω电流检测电阻

AC1342 电流转换电阻

信息产品分类接口和隔离 IOS子系统Additional 3B Resources: Accessories, Backplanes and Power SuppliesSales and Service: North America (SCS Embedded Tech), Rest of WorldDownload a PDF copy of this user manual
发表于 04-18 19:15 48次 阅读
AC1342 电流转换电阻

AD5547 双通道电流输出、并行输入、16位乘法DAC,内置4象限电阻

信息优势和特点 双通道 16位分辨率 2象限或4象限、4 MHz带宽乘法DAC ±1 LSB DNL ±1 LSB INL 工作电源电压:2.7 V至5.5 V 低噪声:12 nV/√Hz 低功耗:IDD = 10 µA (最大值) 建立时间:0.5 µs 内置RFB便于电流至电压转换 欲了解更多特性,请参考数据手册 下载 AD5547-EP 数据手册 (pdf) 军用温度范围(如−55°C至+125℃) 受控制造基线 唯一封装/测试厂 唯一制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/12651 DSCC图纸号 产品详情AD5547/AD5557分别是双通道、精密、16/14位、乘法、低功耗、电流输出、并行输入数模转换器,采用+5 V单电源供电,四象限输出的乘法基准电压为±10 V,输出带宽最高可达4 MHz。内置的四象限电阻有利于电阻匹配和温度跟踪,使多象限应用所需的元件数量最少。此外,反馈电阻(RFB)也可以简化通过外部缓冲实现电流-电压转换的操作。AD5547/AD5557采用紧凑型TSSOP-38封装,工作温度范围为–40°C至+125°C扩展汽车应用级温度范围。应用 自动测试设备 仪器仪表 数字控制校准 数字波形生成...
发表于 04-18 19:12 36次 阅读
AD5547 双通道电流输出、并行输入、16位乘法DAC,内置4象限电阻

AD5293 单通道、1%端到端电阻容差(R-Tol)、1024位数字电位计

信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 标称电阻容差(电阻性能模式):1%(校正值) 可变电阻器模式下的温度系数:35 ppm/°C 分压器温度系数5 ppm/°C 单电源供电: 9 V至 33 V 双电源供电: ±9 V 至±16.5 V SPI兼容型串行接口 游标设置回读功能产品详情AD5293是一款单通道、1024位数字电位计1 ,端到端电阻容差该器件能提供业界领先的±1%保证低电阻容差误差,标称温度系数为35 ppm/°C。低电阻容差特性可以简化开环应用以及精密校准与容差匹配应用。AD5293采用紧凑的14引脚TSSOP封装。它的保证工作温度范围为−40°C至+105°C扩展工业温度范围。1本数据手册中,数字电位计和RDAC这些术语可以互换使用。应用 机械电位计的替代产品 仪器仪表:增益和失调电压调整 可编程电压至电流转换 可编程滤波器、延迟、时间常数 可编程电源 低分辨率DAC的替代产品 传感器校准电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:11 36次 阅读
AD5293 单通道、1%端到端电阻容差(R-Tol)、1024位数字电位计