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同时挑战台积电与索尼,三星拼了!

章鹰 2019-05-15 10:31 次阅读

三星电子的投资计划和宏伟目标

2019年4月24日,三星电子公布了未来的投资计划和目标。三星电子的投资计划,将在未来12年内(1999年至2030年)将投资133万亿韩元(约1200亿美元)加强系统LSI和晶圆代工业务方面的竞争力,扩大非存储器业务。其中:73万亿韩元(约660亿美元)的国内研发,60万亿韩元(约540亿美元)的生产基础设施,预计每年平均投资11万亿韩元(约100亿美元)。

总体来说,三星电子的目标就是:保持存储芯片全球第一的位置的同时,在晶圆代工领域挑落台积电,在CMOS图像传感器领域击败索尼,在营收方面维持对英特尔的领先,坐稳全球第一大半导体厂商的宝座。

三星电子半导体事业部发展历程

三星电子有限公司半导体事业部是指元件解决方案事业群(Device Solution Business)下面的内存部门(Memory)、系统逻辑部门(SystemLSI)和晶圆代工部门(Foundry);其中内存包括dram、NAND Flash,系统逻辑芯片包括系统级芯片SOC、图像传感器CIS、显示驱动芯片、智能卡芯片、电源管理芯片。

三星电子半导体事业部年收入占三星电子总收入的30%左右,对三星电子公司旗下的信息和手机(IT&Mobile)、消费类电子产品(Consumer Electronics)两大事业部的终端产品而言,是拉大后位竞争者距离,缩小前方领先者差距,并强化重点终端产品差异化程度的重要角色。

三星电子成立于1969年,1974年通过收购韩泰半导体公司(Hankook SeMIconductor)50%的股份,成立半导体事业部,开始进军半导体产业;1975年开发出手表芯片;1977年7月开始生产双极晶体管;1979年收购全资拥有韩泰半导体,并更名三星半导体;1983年正式进军存储器行业,开发出韩国第首个64K DRam;1988年半导体业务和电子及无线通讯业务合并成立三星电子;1994年开始研发DsP;1995年推出第一个8位mcu;1997年推出700MHz Alpha处理器;2000年发布0.25µm 66MHz手机应用处理器S3C44B0X;2002年成立SoC研发中心;2005年进入CMOS传感器领域,并开始晶圆代工业务。

三星半导体在全球拥有七大生产基地,分别位于韩国器兴、韩国华城、韩国安阳、韩国平泽、美国奥斯汀、中国苏州、中国西安。

三星电子半导体事业部目前是全球最大的存储芯片制造商,2018年位居全球营收排行榜第一位。

强化晶圆代工,挑落台积电

1.三星电子晶圆代工发展历程

2005年,三星电子开始进入12英寸逻辑工艺晶圆代工领域,至今已经整整15年了,通过专注于先进的工艺节点,致力为客户提供最优化的产品和服务,目前晶圆代工业务已经成长为面向全球FABLESS产业的低功耗、高性能SOC的代工公司之一。

从2005年到2009年,三星电子的年代工营收不足4亿美元。到2010年啃上苹果(Appple),开始代工苹果A系列处理器(包括A4、A5、A6、A7),代工营业收入出现爆长,2010年整体代工收入激增至12亿美元(其中苹果A系列处理器产品代工收入达8亿美元)。由于苹果手机等移动终端产品出货激增,三星电子的晶圆代工营收水涨船高,到2013年达到39.5亿美元,当年苹果的代工收入占到公司代工总收入的86%。可以说2010--2013年三星电子的代工营收完全是靠苹果在支撑。

由于20纳米工艺制程良率无法突破等多方面的原因,2014年三星电子失去苹果A系列处理器订单,苹果A8处理器全部交由台积电(TSMC)代工;2015年好不容易抢到A9处理器部分订单,但由于良率和功耗控制不如台积电,导致2016年的A10处理器又全部由台积电包圆。由于失去苹果这个大客户,导致2014年和2015年晶圆代工营收出现下滑。

为了填补产能,三星电子代工部门积极出击,抢下高通(Qualcomm)应用处理器和服务器芯片、超微半导体(amd)的微处理器芯片、英伟达(Nvidia)的图形处理芯片、安霸(Ambarella)的视觉处理芯片、特斯拉(Tesla)的自驾系统芯片的订单,得以弥补苹果跑单的窘境。2016年营收达到44亿美元,超过2013年的水平,创下三星电子晶圆代工营收的新纪录。

2.晶圆代工拆分

2017年5月12日,三星电子宣布调整公司业务部门,将晶圆代工业务部门从系统LSI业务部门中独立出来,成立三星电子晶圆代工。据悉,新部门主要负责为全球客户--高通和英伟达等--制造非存储芯片,从而与以台积电为首的纯晶圆代工公司竞争。

根据市场研究公司IC Insights的数据显示,三星电子2017年晶圆代工营收达46亿美元,在全球晶圆代工市场以6%的市占率排名第四,前三分别是台积电(TSMC)的56%,格芯半导体(GlobalFoundries)的9%,联电(UMC)的8.5%;2018年晶圆代工营收达100亿美元,市占率达14%,排名全球第二。

2018年三星电子排名全球第二大晶圆代工公司,并非业绩大增,实乃拆分部门导致。原因是晶圆代工部门自立门户,不再隶属于系统LSI业务。所以现在包括处理器芯片(Exynos等)、CIS图像传感器、显示驱动芯片、电源管理芯片的生产收入都算作晶圆代工部门营收,因此营收一路高涨,市占率一夕飙高。

但千万别因此就小瞧三星的晶圆代工。

下面我们来谈谈三星电子的晶圆代工的产能和工艺等情况。

3.晶圆代工工厂和产能

截止2018年底,三星电子晶圆代工专属线有5条,包括4条12英寸和1条8英寸。

韩国器兴(Kiheung)的S1,建成于2005年,是三星首条12英寸逻辑代工生产线,目前量产65纳米至8纳米低功耗芯片,产品主要用于计算机网络、智能手机、汽车、以及日益成长的物联网市场等。

美国奥斯汀(Austin)的S2是由原8英寸厂改造而来;2010年8月开始洁净室建设,2011年4月开始12英寸逻辑产品投产,当年达产43000片;目前量产65纳米至14纳米产品。2010年设立研发中心,旨在为系统LSI部门开发高性能、低功耗、复杂的cpu和系统IP架构和设计。

韩国华城(Hwasung)的S3,是2018年建成投产的12英寸逻辑生产线,目前主要生产10纳米至8纳米产品,将是三星7纳米产品的主力生产厂。

韩国华城的S4,是原DRAM用产线FAB11进行改造,目前CMOS影像传感器(CIS)专用生产线。位于华城的12英寸DRAM产线FAB13也正在加紧改造为CMOS影像传感器专用生产线。

韩国华城的EUV专用产线自2018年2月开工建设以来,正在加紧建设。工厂将投资60亿美元,将于明年下半年完成建设、2020年正式投产。初期以7纳米产品为主,辅以EUV光刻机。

韩国器兴的8英寸晶圆代工线FAB 6于2016年开放,从180纳米到70纳米节点都可涵盖,工艺技术包括嵌入式快闪记忆体(eFlash)、功率元件、影像感测器CIS,以及高电压制程的生产,主要针对韩国本土的FABLESS。

目前,三星电子代工业务可以提供包括65纳米、45纳米、32/28纳米HKMG、14纳米FinFET、10纳米FinFET、7纳米FinFET EUV工艺,客户包括苹果、高通、超微半导体、赛灵思、英伟达、恩智浦(NXP)以及韩国本土公司Telechips等。

到2019年底,三星电子晶圆代工专属线将增至7条,包括6条12英寸和1条8英寸。

4.晶圆代工工艺:追求先进制程永不停歇

2005年三星电子进入晶圆代工业;2006年首个客户签约65纳米;2009年45纳米工艺开始接单,同年11月在半导体研究所成立逻辑工艺开发团队,以强化晶圆代工业务;2010年1月首个推出32纳米HKMG工艺。

由于苹果订单的丢失,三星在工艺研发方面加大投入,试图证明基其技术领先地位。

2014年推出第一代14纳米FinFET工艺,称作14LPE(Low Power Early,低功耗早期),并于2015年成功量产;2016年1月推出第二代14纳米FinFET工艺并量产,称作14LPP(Low Power Plus,低功耗增强),功耗降低15%,用于Exynos 8 OCTA及高通骁龙(Snapdragon)820处理器;2016年5月推出第三代14纳米FinFET工艺并量产,称作14lpc;2016年11月推出第四代14纳米FinFET工艺,称为14LPU(Low PowerUltimate,低功耗终极)。并在14纳米的基础上,推出微缩版11LPP。

2016年10月17日,第一代10纳米FinFET工艺量产,称为10LPE,首款产品是应用处理器Exynos 8895,另一客户就是高通骁龙830,新工艺性能可以提供27%,功耗将降低40%;2017年11月,开始批量生产第二代10纳米FinFET工艺,称为10LPP,性能提高10%,功耗降低15%,首款产品是Exynos 9810,另一客户就是高通骁龙845;2018年6月,推出了第三代10纳米FinFET工艺,称为10LPU,性能再次得以提升。三星电子采用10纳米的三重图案光刻技术。

三星电子强调,10纳米工艺系列(包括8纳米衍生产品)的生命周期很长。8LPP/8LPU在生产工艺转换为EUV光刻技术之前,具有最大的竞争优势。但我们要注意到,台积电10纳米工艺的营收已经逐季下滑,给人已经放弃的感觉。而7纳米工艺制程已经成为台积电第一大营收来源。

那么我们来看看三星电子的10纳米以下工艺的布局情况。

8LPP:8LPP在生产工艺转换为EUV(Extreme Ultra Violet)光刻技术之前,具有最大的竞争优势。结合三星10nm技术的关键工艺流程创新,与10LPP相比,8LPP在性能和门电路密度方面提供了额外的优势。2018年11月成功量产Exynos 9系列(9820)。

7LPP:7LPP将是第一个使用EUV光刻解决方案的半导体工艺技术。这里要强调两点,一是通过和ASML的合作,开发出了250W最大的EUV源功率,这是EUV进入到大量生产中的最重要的里程碑,EUV光刻技术的部署将打破摩尔定律扩展的障碍,为单一的纳米半导体技术的发展铺平了道路;二是关键IP将于2019年上半年完成研发,下半年将进行投产。

5LPE:5LPE将采用三星独特的智能缩放(Smart Scaling)解决方案,将其纳入基于EUV的7LPP技术之上,可实现更大面积扩展和超低功耗优势。

4LPE/LPP:4LPE/LPP是三星电子最后一次应用高度成熟和行业验证的FinFET技术,结合此前5LPE工艺的成熟技术,芯片面积更小,性能更高,可以快速达到高良率量产,也方便客户升级。

3LPP:3LPP将第一次使用全新的MBCFETTM(Multi Bridge Channel FET,多桥接通道场效应晶体管)结构,基于三星电子特有的GAAFET(Gate All Around FET,环绕栅极场效应晶体管)技术。GAAFET需要重新设计晶体管底层结构,克服当前技术的物理、性能极限,增强栅极控制,性能大大提升。预计2020年投入风险性试产。

5、加强封装技术,布局FOPLP

2019年4月,三星电子收购三星电机(SEMcO)的FOPLP业务。三星电子希望作凭籍搭配FOPLP封装技术,再次挑战台积电的InFO,希望抢下2020年苹果A系列处理器的代工订单。

首先我们来了解一下FOPLP。FOPLP是Fan-Out Panel Level Packaging(面板级扇出型封装)的缩写。

据悉,FOPLP可降低封装厚度、增加导线密度、提升产品电性能,面板大工作平台可提高生产效率,可运用于5GAI、生技、自驾车、智慧城市及物联网等相关产品。由于有着成本上的优势,看好面板级扇出型封装技术未来发展。目前积极布局FOPLP的公司除OAST公司安靠(Amkor)、日月光(ASE)/Deca、长电科技(JCET)、纳沛斯(nepes)、力成科技(PTI)、硅品(SPIL)外,还有PCB供应商三星电机(SEMCO)、欣兴电子(Unimicron)。

三星电机(SEMCO,SAMSung Electro-Mechanics)成立于1973年,是三星电子的兄弟公司。三星电机主要由四个业务部门组成:元件解决方案部门,生产无源元件,如多层陶瓷电容(MLCC)和电感;基板解决方案部门,生产高密度互连板(HDI)、封装基板和RFPCB;模组解决方案部门,生产摄像头模组、WiFi模组;FOPLP部门,2016年新设立,从事面板级扇出型封装技术研发。

三星电子在和台积电争抢苹果A系列处理器订单失利后,痛定思痛,决定成立特别工作小组,目标开发先进封装FOPLP技术,且2018年正式应用于三星智能型手表Galaxy Watch的处理器封装应用中。

于是三星电机于2016年正式成立FOPLP部门,并收购三星面板(Samsung Display)位于韩国天安(Cheonan)的液晶面板厂,进行改造,建设FOPLP生产线,2017年10月开始搬入设备,2018年10月正式量产。

三星电机研发FOPLP最初是用来生产电源管理芯片(PMIC),进入2018年之后,开始为三星Galaxy Watch制造用于应用处理器(AP)芯片,预计2019年全面跨入异质集成、晶圆堆叠的3D SiP系统级封装。

三星电机用于Galaxy Watch的FOPLP有3个重布线层(RDL)和1个背面RDL(Backside RDL)。三星电机表示,将标准的层叠(PoP)结构应用于AP和PMIC的多芯片封装,可以将封装的厚度减少20%以上,从而提高了电气和热性能,并有助于扩大产品的电池容量。

三星电机目前使用510x415mm规格的面板制造FOPLP,800x600mm规格的面板已经开发成功。据悉面板尺寸可以根据客户要求更改。

三星电子收购三星电机的POPLP业务,就是要力拼台积电。三星电机在FOPLP技术投入巨大,已量产的FOPLP-PoP与I-Cube 2.5D先进封装技术,据称可与台积电的InFO、CoWoS封装分庭抗礼。

台积电当年就是凭借InFO、CoWoS封装技术从三星电子手中抢到苹果A系列处理器订单。

规划第二跑道,发力FD-SOI

三星电子是FD-SOI的重要推动力量。

按三星电子官方消息,晶圆业务部门的发展路径从28纳米节点开始分为两条,一条是按照摩尔定律继续向下发展,不断提升FinFET的工艺节点,从14纳米到目前的10纳米,进而转向下一步的7纳米,好像,三星把8纳米以下的数字都用上,8纳米、7纳米、6纳米、5纳米、4纳米、3纳米......

另一条线路就是FD-SOI工艺,从28纳米(28FDS)起步,目前推出18纳米(18FDS)。

不过三星研发FD-SOI的时间不长。2014年5月14日,三星电子从意法半导体(STM)获得了28纳米FD-SOI工艺授权许可,并利用它创建了三星的28FDS工艺。2015年有三星电子代工业务人士透露,晶圆质量已于2014年9月确认,产品质量已于2015年3月确认,说明FD-SOI技术已经完全过关了。

28 FDS于2015年开始投入风险生产,2016年正式大规模量产。据悉目前有超过40种产品,为射频应用、嵌入式MRAM提供达400 GHz以上的最大频率,并可应用于汽车。28FDS有一个1.0伏的Vdd。据悉,三星电子在现有的28FDS基础上,于2017、2018年添加RF与嵌入式非挥发性记忆体(NVM)技术,相比成熟的28LPP+eFlash+RF工艺,28FDS+eMRAM+RF更具竞争力,其速度提升了25%。

18FDS将于2019年下半年开始风险生产,大规模量产要到2020。其特点是后端采用三星的成熟14纳米FinFET(14LPE / 14LPP)相同的BEOL互连,但采用了新的晶体管和FEOL。相比28FDS,18FDS提升了22%的性能(在相同的复杂性和功耗下),降低了37%的功耗(在相同的频率和复杂度下),芯片面积减少了35%。据悉,18FDS也将支持RF和eMRAM,使得三星电子代工服务能满足2020年及以后的5G时代RF和嵌入式存储器的各种应用需求。相比28FDS的Vdd(器件内部的工作电压)为1.0V,而18FDS的Vdd仅为0.8V。

2018年6月,ARm公司和三星电子推出业界首款采用28FDS的嵌入式MRAM(eMRAM)编译器IP。2019年3月,ARM公司和三星电子宣布推出采用18FDS的嵌入式MRAM(eMRAM)编译器IP,包括7个内存编译器、3个逻辑库、2个GPIO库(1.8和3.3V)、3个POP IP和eMRAM内存编译器;支持汽车AEC-Q100一级设计要求,并配备ASIL-D支持完整的汽车安全套件。

三星电子还利用其在存储器制造方面的技术和规模优势,着力打造eMRAM,以满足未来市场的需求。

2019年3月,三星电子宣布基于28FDS成熟工艺成功规模量产eMRAM(嵌入式磁阻内存),可广泛应用于MCU微控制器、IoT物联网、AI人工智能领域。

更加关键的是,SOI晶圆供应商Soitec于2019年1月22日宣布扩大与三星电子合作,旨在保证FD-SOI晶圆的供应,加强FD-SOI供应链,并保证三星电子终端客户的大批量生产。

目前,三星电子的FD-SOI客户包括意法半导体、恩智浦、亚马逊(Amazon)旗下的Blink等。

三星电子的两大工艺路线FinFETT和FD-SOI已经准备妥当,正在揖门接单。下面我们来看看三星电子的产品情况,包括应用处理器、CMOS图像传感器等,这些产品能否大卖,将极大影响其代工业务的营收。

应用处理器蓄势待发,挑战现有格局

事实上,智能手机应用处理器(AP)芯片领域,能够摆得上桌面就是华为麒麟、苹果A系列、高通骁龙、联发科曦力和三星电子Exynos,当然还有紫光展锐。

但目前Exynos应用处理器只是三星电子自用,而没有大规模外卖。至于原因,归纳网上各种说法,无外乎主要有两个方面:一个是高通的芯片制造由台积电转向了三星,其中交换的条件就是三星的旗舰手机必须要搭载骁龙处理器,这是一个双赢的局面;另一个原因也是三星电子的无奈,那就是基带通信的问题,由于三星电子没有电信Cdma这方面的专利,所以Exynos处理器其实就是通信的残缺版,无法满足一部分用户的需求,所以三星也不得不将部分旗舰的芯片换成高通骁龙。

2016年韩国公平交易委员会(KFTC)宣判高通专利授权模式违反公平竞争原则,并对高通开出8.54亿美元的高额罚单,创下韩国反垄断史上最高罚金记录。为了降低韩国公平交易委员会开出的天价罚单的影响,2018年2月高通与三星签订了长期交叉授权协议,其内容之一便是允许三星电子Exynos应用处理器SoC供给第三方。

三星电子Exynos应用处理器SoC得以外卖,使得三星电子可以打包兜售的方式进军全球应用处理器市场,将充实自家晶圆代工订单需求,大大拉动其晶圆代工业务的营收,并可以练兵旗下先进制程业务。

重整CMOS图像传感器业务,力拼索尼

2018年12月,三星电子设备解决方案(DS)部门通过组织重组,在系统LSI部门下建立了一个“传感器业务团队”,负责LSI事业部内的CMOS图像传感器产品规划和销售,工艺研发由设备解决方案部门的代工部门完成。

CMOS图像传感器(CIS)可将半导体设备中的光转换成电信号,是数码相机和智能手机的标配。近年来,配备多个相机镜头的智能手机越来越流行,CMOS图像传感器的需求也在不断增加,并且随着自动驾驶车辆越来越受欢迎,CMOS图像传感器需求将进一步激增,原因在于CMOS图像传感器可以成为自动驾驶车辆的视神经,识别道路和周围环境的实时变化。

伴随着手机双摄的应用以及被应用于汽车等领域,CMOS图像传感器的增长需求增长迅速。市场研究公司IC Insights预测,到2022年,图像传感器市场市值预计从2018年的137亿美元增加至190亿美元。

三星电子CMOS图像传感器之前默默无闻,2013年推出ISOCELL技术之后,开始奋起直追。根据IC Insights的数据显示,从销售量上看,三星电子CMOS图像传感器份额在2017年的市场占有率已经达到25.4%,和索尼的28.3%的市占率差距已缩小至3个百分点。但从销售额看,索尼CMOS传感器的全球市占率搞达52.2%,遥遥领先于三星电子的19.1%。从销售额的角度看,三星电子的CMOS图像传感器想要追上龙头索尼,还有段不小距离。

不过三星电子认为独创的ISOCELL技术比索尼技术强,2018年6月推出ISOCELL Plus技术。在推出新技术的同时,三星电子正在提升CMOS图像传感器生产能力,表示要超越索尼(Sony),成为市场领导者。事实上,早在2017年三星电子就开始扩充12英寸CMOS图像传感器产能。截止2017年12月三星电子12英寸CMOS图像传感器的产能为每月4.5万组,2017年开始改造12英寸DRAM产线FAB 11,2018年底完成改造;同时对FAB 13进行改造,据悉,FAB 11和FAB 13的产能超过每月7万组,预计2019年底三星电子CMOS图像传感器产能将达12万组,超过索尼影像传感器每月10万组的产能。

三星电子的传感器业务原来主要面向移动终端市场,现在增加了汽车图像传感器。三星电子表示,公司汽车图像传感器符合行业各种严苛的标准,能够承受从−40°到105°C的极端温度条件,可满足汽车电子委员会AEC-Q100 2级标准(AEC-Q100 Grade 2)要求,凭借卓越的弱暗电流,即使在极端环境下也能提供优质图像。三星电子强调,公司汽车图像传感器采用先进的成像技术,推动着自动驾驶的创新和安全。

2018年10月,三星电子推出了汽车图像传感器品牌ISOCELL Auto。并向特斯拉提供车辆图像传感器,这是三星电子向汽车企业提供CMOS图像传感器的第一例,对三星电子扩大代工事业的意义非常大。

三星电子的底气:抗压能力强

三星电子一方面在位于华城的S3晶圆厂投入了56亿美元升级,部署7纳米LPP EUV制程技术进行风险试产;一方面投资6万亿韩元(约54亿美元)建设全新的EUV产线,预计2019年竣工,2020年扩大生产规模。

三星电子真是大手笔呀!

不过,这对于在风云诡谲的存储器市场血拼了30多年的三星来说,实在不是个事!逆势加码投资,会是三星电子甩开竞争对手的好时机吗?有专家表示,行业景气不好时,正是内部练兵时。

来自芯思想,本文作为转载分享。

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作为电子产业链上的一员,无论是芯片的设计者,生产者,测试者,使用者都很想了解清楚一颗芯片的成本究竟由....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 05-23 14:08 113次 阅读
一颗芯片的成本究竟由哪几个部分构成?

瑞芯微电子正式面向全球AI开发者发布三大开发套件 提升开发便利性

近日,福州瑞芯微电子Rockchip(以下简称瑞芯微)宣布旗下AI平台重大升级,正式面向全球AI开发....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 05-23 14:04 195次 阅读
瑞芯微电子正式面向全球AI开发者发布三大开发套件 提升开发便利性

海外供货商会否继续向华为供货 取决于美国会否扩大制裁

香港资讯科技商会荣誉会长方保侨对BBC中文表示,美国与台湾、日本关系密切,这些海外公司目前持观望态度....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 05-23 13:57 614次 阅读
海外供货商会否继续向华为供货 取决于美国会否扩大制裁

台积电决定不改变对华为的出货计划 即继续出货华为

美国以举国之力,并胁迫其他国家,打压中国一家民营企业,对华为造成了空前压力,但同时也堪称是华为的荣耀....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 05-23 11:44 975次 阅读
台积电决定不改变对华为的出货计划 即继续出货华为

单日损失1426亿 台积电仍要力挺华为

美国以举国之力,并胁迫其他国家,打压中国一家民营企业,对华为造成了空前压力,但同时也堪称是华为的荣耀....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 05-23 11:42 649次 阅读
单日损失1426亿 台积电仍要力挺华为

美国芯片企业被禁止雇佣中国员工?

美国已经大幅减缓了本土半导体公司雇用中国公民从事高级工程工作的批准。
的头像 半导体行业联盟 发表于 05-23 11:36 610次 阅读
美国芯片企业被禁止雇佣中国员工?

麒麟芯片将遭遇重大打击!ARM正在暂停与华为的业务往来

对此,Arm暂未发表任何评论。
的头像 半导体投资联盟 发表于 05-23 11:22 397次 阅读
麒麟芯片将遭遇重大打击!ARM正在暂停与华为的业务往来

未来IC封装材料市场增长空间巨大 有利于国产化封装材料的应用

亚化咨询估算,2018年全球IC封装材料市场规模达200亿美元。当前,全球半导体封装材料的主要供应商....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 05-23 11:09 218次 阅读
未来IC封装材料市场增长空间巨大 有利于国产化封装材料的应用

三星A8s发布 摄像头位置可以触控

今天很有趣,三星和荣耀分别公布了自己的“试水机”,都采用了屏下挖孔技术为什么是试水机呢?荣耀应用在了....
发表于 05-23 10:29 44次 阅读
三星A8s发布 摄像头位置可以触控

国内首个北斗三号全芯片解决方案发布

在第十届中国卫星导航年会上,广州海格通信集团发布了国内首个支持北斗三号应用的基带+射频全芯片解决方案....
的头像 刘伟DE 发表于 05-23 09:44 749次 阅读
国内首个北斗三号全芯片解决方案发布

北方华创:5G芯片的刻蚀需求及NAURA的解决方案

随着5G通讯时代的到来,化合物半导体芯片也出现了越来越多的新应用。
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 05-23 08:46 230次 阅读
北方华创:5G芯片的刻蚀需求及NAURA的解决方案

GL850X系列USB 2.0 4端口集线器控制器芯片的数据手册资料免费下载

GL850是一种4端口标准通用串行总线(USB)集线器控制器,符合通用串行总线规范第2.0版。GL8....
发表于 05-23 08:00 14次 阅读
GL850X系列USB 2.0 4端口集线器控制器芯片的数据手册资料免费下载

华为芯片能否完全自立 台积电选择非常关键

台媒称,华为创办人任正非5月21日表示,华为也能做出跟美国一样的芯片。华为消费者业务CEO余承东近日....
发表于 05-23 07:59 456次 阅读
华为芯片能否完全自立 台积电选择非常关键

元器件关税上调,华为被“围堵”,半导体行业深陷贸易战漩涡?(附关税上调通知)

上周(5月13日),国家财政部宣布:自今年6月1日起,对原产于美国的部分进口商品提高加征关税税率,加....
的头像 华强芯城官网 发表于 05-22 18:10 592次 阅读
元器件关税上调,华为被“围堵”,半导体行业深陷贸易战漩涡?(附关税上调通知)

元器件关税上调,华为被“围堵”,半导体行业深陷贸易战漩涡?(附关税上调通知)

上周(5月13日),国家财政部宣布:自今年6月1日起,对原产于美国的部分进口商品提高加征关税税率,加征幅度5-25%。 中国如此...
发表于 05-22 17:43 134次 阅读
元器件关税上调,华为被“围堵”,半导体行业深陷贸易战漩涡?(附关税上调通知)

常见硬件原理图中的“英文缩写”大全

常用控制接口EN:Enable,使能。使芯片能够工作。要用的时候,就打开EN脚,不用的时候就关闭。
的头像 电子发烧友网 发表于 05-22 17:38 758次 阅读
常见硬件原理图中的“英文缩写”大全

华为究竟做了哪些芯片

面对来自美国的封杀,华为也选择了正面回应,表明了自己有B计划,有备用芯片,能够在极限生存的环境下,持....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 05-22 17:26 1544次 阅读
华为究竟做了哪些芯片

如何通过降低传感器功率消耗来节省工厂维护成本的详细资料说明

在工业工厂和厂房中,希望降低环境传感器系统的维护成本时,可以通过降低传感器功耗来实现。本文描述如何利....
发表于 05-22 17:02 36次 阅读
如何通过降低传感器功率消耗来节省工厂维护成本的详细资料说明

三星一举斩获三项大奖 品道私厨冰箱打造精细分区

随着中国经济增长结构转变和国民生活水平的不断提高,家电消费升级趋势越发明显,当前,产业升级、产品结构....
发表于 05-22 16:03 71次 阅读
三星一举斩获三项大奖 品道私厨冰箱打造精细分区

三星灵动·自由格冰箱获奖 创新黑科技加持引人注目

近日,被誉为冰箱行业最具规模的盛典—“焕·鲜 1+X LIFE”2019中国冰箱行业高峰论坛在京举行....
发表于 05-22 15:57 48次 阅读
三星灵动·自由格冰箱获奖 创新黑科技加持引人注目

芯片和半导体以及集成电路之间的区别

芯片,又称微电路(microcircuit)、微芯片(microchip)、集成电路(英语:inte....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 05-22 15:25 331次 阅读
芯片和半导体以及集成电路之间的区别

三星GalaxyBuds2019体验 无需任何记忆就可以快速上手

2016年9月,苹果在秋季新品发布会上发布了举世无双的AirPods耳机,上市之后瞬间引爆了市场热度....
发表于 05-22 15:14 82次 阅读
三星GalaxyBuds2019体验 无需任何记忆就可以快速上手

Realtime Robotics 定制运动规划芯片,帮助自动驾驶汽车做出更好的决策

使运动规划流程的速度提升了三个数量级
的头像 智车科技 发表于 05-22 14:53 174次 阅读
Realtime Robotics 定制运动规划芯片,帮助自动驾驶汽车做出更好的决策

华为的核心元器件供货问题——台积电问题影响

台积电最终会不会迫于美国压力,取决于其政治智慧。
的头像 CINNO 发表于 05-22 14:50 1140次 阅读
华为的核心元器件供货问题——台积电问题影响

上海积塔半导体项目的建设进入新阶段

5月21日,上海积塔半导体有限公司特色工艺生产线建设项目迎来F1芯片生产厂房结构封顶
的头像 中国半导体论坛 发表于 05-22 14:41 282次 阅读
上海积塔半导体项目的建设进入新阶段

内存价格的下降 对三星第一季度盈利造成很大的影响

近日,三星电子发布了该公司截至2019年3月31日的财报。财报显示,一季度合并销售额52.39万亿韩....
发表于 05-22 14:16 61次 阅读
内存价格的下降 对三星第一季度盈利造成很大的影响

华为事件的各方反应与前景分析

亚化咨询认为,此次贸易摩擦争端,可看作是中美国运之争的“天王山”。而在中美贸易摩擦的风云对垒中,作为....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 05-22 14:11 3308次 阅读
华为事件的各方反应与前景分析

紫光国微将在安全芯片领域越走越稳,走向既深又广的格局

不单是掌握国内芯片卡市场的机遇商机,布局国外市场,并与金融机构合作,提供适当解决方案也是紫光国微非常....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 05-22 11:29 577次 阅读
紫光国微将在安全芯片领域越走越稳,走向既深又广的格局

台积电是否会依照美国禁令停止为华为供货呢?不受影响!

不过台积电的表态也很谨慎,对后续发展还要继续观察及评估,所以未来此事还有可能生变。
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 05-22 11:10 699次 阅读
台积电是否会依照美国禁令停止为华为供货呢?不受影响!

请问TI公司有AD5240吗?

TI公司有AD5240这个芯片吗?不是ADS5240.!!
发表于 05-22 10:52 63次 阅读
请问TI公司有AD5240吗?

韩国三星首次研发5纳米半导体工艺

韩国《中央日报》发布消息称,三星电子已成功研发出5纳米(nm)半导体工艺,并于4月中正式量产首个利用....
的头像 刘伟DE 发表于 05-22 10:25 943次 阅读
韩国三星首次研发5纳米半导体工艺

AD9826和AD9822芯片及光电检测PD的驱动板电路图和PCB资料免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是AD9826和AD9822芯片及光电检测PD的驱动板电路图和PCB资料免....
发表于 05-22 08:00 29次 阅读
AD9826和AD9822芯片及光电检测PD的驱动板电路图和PCB资料免费下载

中芯国际与上海华力微电子将扮演我国大陆强化集成电路制造环节主要的推动者

就全球晶圆代工制程的演化来看,中国台湾厂商台积电依旧领先其他竞争对手,而三星则紧追不舍,至于中国大陆....
的头像 半导体动态 发表于 05-21 17:32 1276次 阅读
中芯国际与上海华力微电子将扮演我国大陆强化集成电路制造环节主要的推动者

ODB协议专用芯片问题请教各位

最近在学习下ODB。看看是如何实现与汽车之间的通讯。比较感兴趣。在网上找到有ODB专用芯片,ELM327,国内也有替代的芯...
发表于 05-21 16:44 212次 阅读
ODB协议专用芯片问题请教各位

低功耗DFM和高速接口

近两年,国际上大的半导体公司都推出了65纳米产品,并开始了45纳米/40纳米产品的研发,而国内也已经有五六家企业开始了65纳米的设...
发表于 05-20 05:00 37次 阅读
低功耗DFM和高速接口

请问芯片边上的焊屏蔽罩的怎么画?

如图,菜鸟求助,这些芯片周围的屏蔽罩的焊点是怎么画...
发表于 05-14 06:19 36次 阅读
请问芯片边上的焊屏蔽罩的怎么画?

请问能推荐下5V转-5V的芯片,芯片输出电流最小100ma

各位大神,有没有谁能推荐下5V转-5V的芯片,芯片输出电流最小100ma,好像我之前有用一款叫TPS60400,但是电流输出最大60ma,...
发表于 05-13 00:26 43次 阅读
请问能推荐下5V转-5V的芯片,芯片输出电流最小100ma

求一款针对音频的通道切换的芯片

求一款针对音频通道切换的芯片,要求一进两出,可切换芯片,可以通过软件来实现输出通道选择。...
发表于 05-10 14:57 278次 阅读
求一款针对音频的通道切换的芯片

请问怎么建立芯片技术?

芯片是怎么产生技术
发表于 05-09 02:46 72次 阅读
请问怎么建立芯片技术?

请问怎么建立芯片模型数据?

如何建立芯片模型数据?​
发表于 05-08 07:56 50次 阅读
请问怎么建立芯片模型数据?

各位好,请问这个是什么芯片?表面丝印为ajdj795

芯片表面丝印是ajdj795,大神们求告知,比较急...
发表于 05-06 15:55 272次 阅读
各位好,请问这个是什么芯片?表面丝印为ajdj795

BAS16XV2 开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。 引线表面处理:100%哑光锡(锡) 合格回流温度:260°C 极小型SOD-523封装 适用于汽车和其他应用的S前缀,需要独特的现场和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:14 0次 阅读
BAS16XV2 开关二极管

BAS16T 100 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。 可提供无铅封装* 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:14 0次 阅读
BAS16T 100 V开关二极管

BAS16W 100 V开关二极管

信息开关二极管设计用于超高速开关应用。该器件采用SC-70封装,专为低功耗表面贴装应用而设计。 可提供无铅封装 适用于汽车和其他应用的S前缀,需要独特的站点和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:14 14次 阅读
BAS16W 100 V开关二极管

BAS16SL 小信号二极管

信息小信号二极管 低正向压降 快速开关 非常小的薄型 最大剖面高度为0.43mm 尺寸为1.0 x 0.6mm
发表于 04-18 19:14 24次 阅读
BAS16SL 小信号二极管

BAS16P2 100 V开关二极管

信息 BAS16P2T5G开关二极管是我们广受欢迎的SOT-23三引线器件的衍生产品。它专为开关应用而设计,安装在SOD-923表面该封装非常适合低功率表面贴装应用,其中电路板空间非常宝贵。 极小的SOD-923封装
发表于 04-18 19:13 20次 阅读
BAS16P2 100 V开关二极管

BAS16 (Legacy Fairchild)开关二极管,85 V 200 mA

信息 SOT-23封装中的开关二极管。 高 - 速度切换应用
发表于 04-18 19:13 22次 阅读
BAS16 (Legacy Fairchild)开关二极管,85 V 200 mA

BAS16DXV6 双开关二极管,100 V

信息采用SOT-563封装的双开关二极管。 引脚表面处理:100%无光泽锡(锡) 合格回流焊温度:260°C 超小型SOD-523封装 适用于汽车和其他应用的S前缀,需要独特的现场和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:13 26次 阅读
BAS16DXV6 双开关二极管,100 V

BAS116T 75 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。该器件采用SC-75表面贴装封装,非常适合自动插入。 低漏电流应用 中速开关时间 这些器件是无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准
发表于 04-18 19:13 32次 阅读
BAS116T 75 V开关二极管

BAS16H 100 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。 S汽车及其他应用的前缀,需要独特的现场和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:13 30次 阅读
BAS16H 100 V开关二极管

BAS116L 75 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。该器件采用SOT-23表面贴装封装,非常适合自动插入。 低漏电流应用 中速开关时间 8 mm卷带和卷盘 - 使用BAS116LT1订购7英寸/ 3,000单位卷轴 Pb - 免费套餐。 汽车和其他应用的S前缀,需要独特的站点和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:13 32次 阅读
BAS116L 75 V开关二极管

BAR43 肖特基二极管

信息 BAR43 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。
发表于 04-18 19:13 30次 阅读
BAR43 肖特基二极管

BAR43C 肖特基二极管

信息 BAR43C 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。
发表于 04-18 19:13 33次 阅读
BAR43C 肖特基二极管

BAR43S 肖特基二极管

信息 BAR43S 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。
发表于 04-18 19:13 38次 阅读
BAR43S 肖特基二极管

BAL99L 70 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。该器件采用SOT-23表面贴装封装,非常适合自动插入。 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:13 44次 阅读
BAL99L 70 V开关二极管

A5191HRT 工业HART协议调制解调器

信息 A5191HRT是一款单芯片CMOS调制解调器,适用于高速公路可寻址远程传感器(HART)现场仪表和主机。调制解调器和一些外部无源组件提供满足HART物理层要求所需的所有功能,包括调制,解调,接收滤波,载波检测和发送信号整形。 A5191HRT与SYM20C15引脚兼容。有关引脚与SYM20C15兼容性的详细信息,请参见引脚说明和功能描述部分。 A5191HRT使用每秒1200位的相位连续频移键控(FSK)。为了节省功率,接收电路在发送操作期间被禁用,反之亦然。这提供了HART通信中使用的半双工操作。 低功耗 Bell 202移位频率为1200 Hz和2200 Hz 单芯片,半 - 双工1200比特FSK调制解调器 发送信号波形整形 接收带通滤波器 满足HART物理层要求 CMOS兼容 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:13 26次 阅读
A5191HRT 工业HART协议调制解调器

CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25128是一个128 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式(0,0和1,1) 工业和扩展温度范围 自定时写周期 64字节页写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留< / li> 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 具有永久写保护的附加标识页...
发表于 04-18 19:13 32次 阅读
CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25256是一个256 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0)和(1,1) ) 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页(新产品) 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留 1,000,000编程/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护< / li> - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业和扩展温度范围 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘UDFN和TDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:13 32次 阅读
CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:13 32次 阅读
CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25160 16-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25080 / 25160是8-kb / 16-kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为1024x8 / 2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25080 / 25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 32字节页写缓冲区 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 符合RoHS标准的8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装...
发表于 04-18 19:13 36次 阅读
CAT25160 16-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

MC10EP32 3.3 V / 5.0 V ECL÷·2分频器

信息 MC10 / 100EP32是一个集成的2分频器,具有差分CLK输入。 V 引脚是内部产生的电源,仅适用于该器件。对于单端输入条件,未使用的差分输入连接到V 作为开关参考电压。 V 也可以重新连接AC耦合输入。使用时,通过0.01μF电容去耦V 和V ,并限制电流源或吸收至0.5mA。不使用时,V 应保持开路。复位引脚是异步的,并在上升沿置位。上电时,内部触发器将达到随机状态;复位允许在系统中同步多个EP32。 100系列包含温度补偿。 350ps典型传播延迟 最大频率> 4 GHz典型 PECL模式工作范围:V = 3.0 V至5.5 V V = 0 V NECL模式工作范围:V = 0 V ,其中V = -3.0 V至-5.5 V 打开输入默认状态< / li> 输入安全钳位 Q输出打开或V 无铅封装可用时默认为低电平 < / DIV>...
发表于 04-18 19:13 26次 阅读
MC10EP32 3.3 V / 5.0 V ECL÷·2分频器