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英特尔预计10纳米产品将在6月开始出货 并预期2021年7纳米制程可望进入量产阶段

半导体动态 来源:工程师吴畏 2019-05-14 16:32 次阅读

就在台积电及三星电子陆续宣布支援极紫外光(EUV)技术的7纳米技术进入量产阶段后,半导体龙头英特尔也确定开始进入10纳米时代,预计采用10纳米产品将在6月开始出货。同时,英特尔将加速支援EUV技术的7纳米制程研发,预期2021年可望进入量产阶段,首款代表性产品将是Xe架构绘图芯片

同时,英特尔新任执行长司睿博(Robert Swan)也宣布重新定义市场策略,过去的Intel Inside指的是个人计算机或服务器中采用英特尔的中央处理器CPU),但未来的Intel Inside指的会是在计算机、汽车、物联网等所有装置中所摊载的英特尔XPU处理器平台。

若以制程推进来看,英特尔自2014年采用14纳米量产以来,虽然推出加强版的14+/14++纳米技术,但长达5年时间停留在14纳米世代,制程停滞太久时间。不过,随着英特尔确定未来发展方针后,今年将会有所改变,10纳米确定会在今年进入量产阶段。

根据英特尔的技术蓝图,10纳米处理器将在6月开始出货,首发产品线应是应用在终端个人计算机市场的Ice Lake处理器及Lakefield系统单晶片。英特尔2020年及2021年将陆续推出优化后的10+及10++纳米制程,明年之后会再推出采用10+/10++纳米的Tiger Lake处理器或Sapphire Rapids处理器。10纳米的主力量产时程预期介于2019∼2021年。

至于7纳米部份,英特尔已加快研发速度,预计2021年将开始量产支援EUV微影技术的7纳米制程,2022至2023年再逐年推出优化的7+及7++纳米。以英特尔7纳米推出及量产时间来看,首发产品线之一将是英特尔回归绘图处理器(GPU)市场的代表作,亦即Xe架构绘图芯片。

英特尔以其芯片密度及线宽线距来定义制程,并说明今年量产的英特尔10纳米制程约与台积电7纳米制程相当,2021年将量产的英特尔7纳米制程则与台积电的5纳米制程相当。但以市场技术及摩尔定律推进的角度来看,台积电去年已量产7纳米,明年可望开始量产5纳米,等于在先进制程竞赛中已经迎头赶上英特尔脚步。

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