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三星使用EUV成功完成5nm FinFET工艺开发

渔翁先生 2019-04-18 15:48 次阅读

16日,三星电子宣布在基于EUV的高级节点方面取得了重大进展,包括7nm批量生产和6nm客户流片,以及成功完成5nm FinFET工艺的开发。

三星电子宣布其5纳米(nm)FinFET工艺技术的开发已经完成,现在可以为客户提供样品。通过在其基于极紫外(EUV)的工艺产品中添加另一个尖端节点,三星再次证明了其在先进晶圆代工市场的领导地位。

与7nm相比,三星的5nm FinFET工艺技术将逻辑区域效率提高了25%,功耗降低了20%,性能提高了10%,从而使其能够拥有更多创新的标准单元架构。

除了从7nm到5nm的功率性能区域(PPA)改进之外,客户还可以充分利用三星的高度复杂的EUV技术。与其前身一样,5nm在金属层图案化中使用EUV光刻,并减少掩模层,同时提供更好的保真度。

5nm的另一个主要优点是三星可以将所有7nm知识产权(IP)重用到5nm。因此,7nm客户过渡到5nm将极大地受益于降低的迁移成本,预先验证的设计生态系统,从而缩短了他们的5nm产品开发。

三星Foundry与其“三星高级代工生态系统(SAFE)”合作伙伴密切合作,为三星5纳米提供强大的设计基础架构,包括工艺设计套件(PDK),设计方法(DM),电子设计自动化(EDA)工具和IP,此自2018年第四季度开始提供。另外,三星Foundry已经开始向客户提供5nm多工程晶圆(MPW)服务。

“成功完成5nm开发,我们已经证明了在基于EUV的节点中的能力,”三星电子制造业务执行副总裁Charlie Bae说。“为响应客户对先进工艺技术不断增长的需求,以区分其下一代产品,我们继续致力于加速基于EUV技术的批量生产。”

2018年10月,三星宣布准备并初步生产7nm工艺,这是其首个采用EUV光刻技术的工艺节点。该公司已提供业界首批基于EUV的新产品的商业样品,并于今年初开始量产7nm工艺。

此外,三星正在与6nm的客户合作,这是一个定制的基于EUV的工艺节点,并且已经收到了其首款6nm芯片的产品录像带。

Bae强调,“考虑到包括PPA和IP在内的各种好处,三星基于EUV的先进节点预计将对5G,人工智能(AI),高性能计算(HPC)等新型创新应用有很高的需求,如汽车。利用我们强大的技术竞争力,包括我们在EUV光刻领域的领导地位,三星将继续为客户提供最先进的技术和解决方案。”

三星代工厂基于EUV的工艺技术目前正在韩国华城的S3生产线上生产。此外,三星将把其EUV产能扩大到华城的新EUV生产线,该生产线预计将在2019年下半年完成,并从明年开始增产。

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