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4406和4435双桥原理图;场效应管到达雪崩电流会怎么样?

元器件对应的电子大杂烩 2019-04-28 19:24 次阅读

4406双桥原理图如下:

4406.png

4406-.png4406--.png4406---.png

4435双桥原理图如下:

4435.png

4435-.png

4435--.png

4435---.png


场效应管到达雪崩电流会怎么样?

漏极电压持续升高,则漏极体二极管由于雪崩倍增产生载流子,而进入持续导通模式,此时,全部的漏极电流(此时即雪崩电流)流过体二极管,而沟道电流为零。

在开关管雪崩击穿过程中,能量集中在功率器件各耗散层和沟道中,在寄生三极管激活导通发生二次击穿时,MOSFET会伴随急剧的发热现象,这是能量释放的表现。


雪崩电流在功率MOS管的数据表中表示为IAV,雪崩能量代表功率MOS管抗过压冲击的能力。在测试过程中,选取一定的电感值,然后将电流增大,也就是功率MOS管开通的时间增加,然后关断,直到功率MOSFET损坏,对应的最大电流值就是最大的雪崩电流。


标称的IAV通常要将前面的测试值做70%或80%降额处理,因此它是一个可以保证的参数。一些功率MOS管供应商会对这个参数在生产线上做100%全部检测,由于有降额,因此不会损坏器件。


留意:测量雪崩能量时,功率MOS管工作在UIS非钳位开关状态下,因此功率MOSFET不是工作在放大区,而是工作在可变电阻区和截止区。因此最大的雪崩电流IAV通常小于最大的连续的漏极电流值ID。


采用的电感值越大,雪崩电流值越小,但雪崩能量越大,生产线上需要测试时间越长,生产率越低。电感值太小,雪崩能量越小。目前低压的功率MOS管通常取0.1mH,此时,雪崩电流相对于最大的连续的漏极电流值ID有明显的改变,而且测试时间比较合适范围。
















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