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比较器的传播延迟规范与测量参数介绍

电子设计 2019-04-09 09:19 次阅读

比较器的关键规格之一是传播延迟 - 信号从比较器输入传播到输出所需的时间。无论是作为电池供电应用中的阈值检测器,还是作为高速信号处理板上的阈值检测器,比较器的传播延迟都是工程师在选择合适的器件时想要知道的第一个参数。不幸的是,传播延迟规范在其所做或不能揭示的信息方面可能并且通常是模糊或误导的。这是因为有几个因素影响传播延迟规范,但这些因素通常不在数据表中讨论。影响传播延迟的因素有:测量方式,过驱动量,电源电压,输出驱动器电源电压,电容负载,共模电压,配置(反相或非反相),边缘一个度量(上升或下降)和温度。

测量传播延迟

要了解传播,首先必须查看正在测量的内容。让我们假设一个理想的比较器(没有偏移电压)。比较器基本上比较两个输入信号,并在一个输入信号超过另一个输入信号时使输出跳闸。但输出并没有瞬间改变;当信号在到达输出之前通过内部电路传播(传播)时存在延迟。重要的是要注意传播延迟定义为输出达到输出值的50%而不是完整值的点。此指定与输出负载相结合,是导致电路测量延迟时间长于预期延迟时间的几个因素之一。

比较器的传播延迟规范与测量参数介绍

通常说话

传播延迟通常是典型规范,意味着给定的值不是生产测试或保证。由于工艺和工厂的变化,除了正常的统计变化之外,典型值可以具有相当大的范围。平均所有值将给出接近预期值的值,但是个别IC可能具有测量的传播延迟规范,该规范实际上根本不是典型的。当有保证的规格时,它可能包括一个注释,在进一步检查后发现该设备经过样品测试,由相关性保证或由设计保证。流行的行业标准,LT1016双10ns比较提供了这样一个例子。以下是数据表中具有保证最大数量的传播延迟规范。经过进一步检查,请注意4“在低速过驱动的自动处理设备中无法测量tPD.LT1016采用1V步进和500mV过驱动进行了样品测试。相关测试表明,如果测试显示tPD限值,则可以保证进行额外的直流测试以确保所有内部偏置条件都正确。“

比较器的传播延迟规范与测量参数介绍

凌力尔特公司最新的高速比较器在数据手册中提供了有保证的规格。 LTC6752 2.9ns CMOS输出比较器的传播延迟规范如下所示。注8简单地告诉信号步长(150mV)。

比较器的传播延迟规范与测量参数介绍

LTC6754 1.8ns LVDS输出比较器还具有保证的传播延迟规范。由于其速度,提供LVDS输出以简化数字接口时钟要求。

踢入过载

影响传播延迟的因素之一是应用于比较器的过驱动量;过驱动越高,传播延迟越快。因此,在不知道过载量的情况下查看传播延迟可能会产生误导。 ATE客户已经意识到这一点并且经常要求如下所示的色散图,其示出了作为过驱动的函数的传播延迟。色散也是一个典型值,但当与典型的传播延迟相结合时,可以为使用比较器时预期的传播延迟值提供更紧密的范围。在某些情况下,使用具有较慢传播延迟但是具有较小色散的比较器可能是有利的,而不是使用具有稍快的传播延迟但是具有宽色散的装置。下图显示了LT1719单个4.5ns 3V / 5V比较器的传播延迟与输入过驱动之间的关系。

比较器的传播延迟规范与测量参数介绍

调高果汁

影响传播延迟规格的另一个因素是电源电压。下图显示了LTC6752单个2.9ns比较LT1719的电源电压变化时传播延迟如何变化。变化量取决于电源电压或器件优化的范围,但对于单电源系统,通常较低的电源电压通常转换为较慢的传播延迟。注意LT1719,该图表显示,只要VEE上存在负电源电压,正电源就会发生变化,传播延迟几乎没有变化。

比较器的传播延迟规范与测量参数介绍

比较器的传播延迟规范与测量参数介绍

输出端有更多电压

某些比较器的输出驱动器和输出逻辑电平有一个独立的电源引脚。与电源引脚类似,输出驱动器电源电压会影响传播延迟的速度。一般而言,输出驱动器电压越高,传播延迟越快。下图突出显示了这种关系。

比较器的传播延迟规范与测量参数介绍

你可以携带那个负载吗?

测量传播延迟时,比较器输出的负载在制造商与制造商之间并不一致,而且往往不是在同一制造商内保持一致。电气表电容负载通常在10pF至20pF范围内,但杂散电容和重电容负载会对传播延迟产生重大影响。

比较器的传播延迟规范与测量参数介绍

罕见的共模电压变化

比较器的输入共模电压可以在传播延迟中起作用。对于由不同输入共模范围有效的PNP对和NPN对组成的轨到轨输入比较器,这种影响非常明显。下图显示了传输延迟如何随着几个比较器的共模电压变化而变化。在第一个图中,下降沿数据(红色)显示由于这种效应导致的传播变化为13%。对于risingedge数据,这种变化要小得多。一些比较器在共模电压中表现出一个步骤而不是在该转变点处的尖峰。在图10中,传播延迟随着共模接近轨道而增加,导致延迟略有增加。

比较器的传播延迟规范与测量参数介绍

比较器的传播延迟规范与测量参数介绍

比较器的传播延迟规范与测量参数介绍

反转或不反转,即问题

拓扑可以在传播延迟中发挥作用。比较器可以被认为是放大器运行开环而没有线性输出级。与放大器类似,它可以配置为非反相或反相配置。望远镜的范围显示了使用反相和非反相配置的LT6700 / 3微功耗18ns比较器系列的传播延迟。从图中可以看出,上升沿非同相传播延迟约为24μs,下降沿约为20μs。对于反相配置,下降沿延迟为40μs,上升ege为10μs。

比较器的传播延迟规范与测量参数介绍

选择边缘

有时传播延迟对于上升沿和下降沿都是相似的,有时它是倾斜的。当数字不相同时,最佳规格通常显示在数据表的首页。下面的图表虽然在上面的不同示例中使用,但是观察上升和下降沿延迟之间的差异是一个很好的观察。在查看两个比较器时,务必确保比较相同的传播延迟边缘。

比较器的传播延迟规范与测量参数介绍

有人可以加热吗?

温度是我们提到的传播延迟变化的最后一个规范。虽然不能保证和生产测试,但通常可以在数据表中找到显示两个参数之间温度关系的图表。有时这种关系是相当线性的;其他时候,根本不是;这实际上取决于比较器的设计。下面是一些图表,显示了LTC6752和LT1719高速比较器的关系。请注意在某些情况下,温度变化如何超过20%,而在其他情况下,如果室温值的变化相当小。

比较器的传播延迟规范与测量参数介绍

比较器的传播延迟规范与测量参数介绍

武装并准备明智地选择

希望这已经揭开了传播延迟测量的一些细微之处。凌力尔特提供多种比较器,分组为高速(≥500ns传播延迟),微功率(典型电源电流≤110μA),特定应用和高温。

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TLV1805 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式高电压比较器

TLV1805高压比较器提供宽电源范围,推挽输出,轨到轨输入,低静态电流,关断能力和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要在正或负电压轨上进行检测的应用,例如智能二极管控制器的逆流保护,过流检测和过压保护电路,其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级,是高压比较器的独特之处,具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET栅极需要快速驱动高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中特别有价值。低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805足够灵活,可以处理国外的应用。上电复位可防止上电时的错误输出。 TLV1805采用6引脚SOT-23封装,工作温度范围为-40°C至+ 125°的扩展工业温度范围C。 特性 3.3 V至40 V电源范围 低静态电流:135μA 高峰电流推挽输出 具有相位反转保护的轨到轨输入 内置迟滞:14mV 250ns传播延迟 < li>低输入失调电压:500μV 高阻输出关断 上电复位(POR) SOT-23-6封装< /li> 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 比较器   Number of channels (#) Out...
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TLV1805 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式高电压比较器

TLV1704-SEP 采用增强型航天塑料的 2.2V 至 36V 耐辐射微功耗四路比较器

TLV1704-SEP(四路)器件提供宽电源范围,轨到轨输入,低静态电流和低传播延迟。所有这些功能都采用行业标准,极小的封装,使这些器件成为可用的最佳通用比较器。 集电极开路输出提供的优势是可以将输出拉至任意电压轨至无论TLV1704-SEP电源电压如何,均高于负电源36 V. 该器件是microPower比较器。低输入失调电压,低输入偏置电流,低电源电流和集电极开路配置使TLV1704-SEP器件足够灵活,可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器。 特性 VID V62 /18613 抗辐射 单事件闩锁(SEL)免疫43兆电子伏厘米 2 /MGAT 125°C ELDRS免至30拉德(Si)的 TotalIonizing剂量(TID)RLAT为每个晶圆地段向上到20krad(Si)的 空间增强塑料 所控制的基线 金线 镍钯金LeadFinish < /li> 一个装配和测试现场 一个制造现场 可用于军用(-55°C至125°C)温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 电源电压范围:2.2 V至36 V或±1.1 V至±18 V 低静态电流:每个比较55μA 输入共模范围包括两个轨 低传播延迟:560 ns 低输入失调电压...
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TLV1704-SEP 采用增强型航天塑料的 2.2V 至 36V 耐辐射微功耗四路比较器

TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围,推挽输出,轨到轨输入,低静态电流,关断的独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用,如智能二极管控制器的反向电流保护,过流检测和过压保护电路,其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处,它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活,可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100标准,采用6引脚SOT-23封装,额定工作温度范围为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下结果: DeviceTemperature 1级:-40°C至+ 125°C环境温度工作温度 器件HBMESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4A 3.3 V至40 V电源范围 低静态电流:每个比较器150μA 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...
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TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TLV7021 小尺寸微功耗低电压比较器

TLV7011和TLV7021是单通道微功耗比较器,采用低工作电压,具有轨至轨输入功能。这些比较器采用0.8mm×0.8毫米超小型无引线封装,适用于空间紧凑型设计,例如智能手机和其他便携式或电池供电应用。 TLV7011和TLV7021提供出色的速度功率综合性能,其传播延迟为260ns,静态电源电流为5μA。得益于这种微功率下快速响应时间的综合性能,功率敏感型系统能够监测故障状况并快速做出响应。这些比较器的工作电压范围为1.6V至5.5V,因此可与3V和5V系统兼容。 此外,这些比较器在发生过驱动输入和内部迟滞时,不会产生输出相位反转。这些特性该系列的比较器非常适合在恶劣嘈杂环境中进行精密电压监测,其中缓慢输入信号必须转换为无噪声数字输出。 TLV7011具有推挽式输出级,能够灌/拉毫安级电流,同时可LED进行控制或驱动电容性负载.TLV7021具有可上拉到V CC 之上的漏极开路输出级,该特性使其适用于电平转换器和双极至单端转换器。 特性 超小型X2SON封装(0.8mm×0.8mm×0.4mm) 1.6V至5.5V的宽电源电压范围 5μA静态电源电流 260ns低传播延迟 轨至轨共模输入电压 内部迟滞(4mV) 推挽和开漏输出选项 过驱动输入无相位反...
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TLV7021 小尺寸微功耗低电压比较器

TLV7011 小尺寸微功耗低电压比较器

TLV7011和TLV7021是单通道微功耗比较器,采用低工作电压,具有轨至轨输入功能。这些比较器采用0.8mm×0.8 mm超小型无引线封装,适用于空间紧凑型设计,例如智能手机及其他便携式或电池供电应用。 TLV7011和TLV7021提供出色的速度功率综合性能,其传播延迟为260ns,静态电源电流为5μA。得益于这种微功率下快速响应时间的综合性能,功率敏感型系统能够监测故障状况并快速做出响应。这些比较器的工作电压范围为1.6V至5.5V,因此可与3V和5V系统兼容。 此外,这些比较器在发生过驱动输入和内部迟滞时,不会产生输出相位反转。这些特性该系列的比较器非常适合在恶劣嘈杂环境中进行精密电压监测,其中缓慢输入信号必须转换为无噪声数字输出。 TLV7011具有推挽式输出级,能够灌/拉毫安级电流,同时可LED进行控制或驱动电容性负载.TLV7021具有可上拉到V CC 之上的漏极开路输出级,该特性使其适用于电平转换器和双极至单端转换器。 特性 超小型X2SON封装(0.8mm×0.8mm×0.4mm) 1.6V至5.5V的宽电源电压范围 5μA静态电源电流 260ns低传播延迟 轨至轨共模输入电压 内部迟滞(4mV) 推挽和开漏输出选项 过驱动输入无相位反转...
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TLV7011 小尺寸微功耗低电压比较器

TLV1704-Q1 汽车类四路、2.2V 至 36V、微功耗比较器

TLV1701-Q1(单通道),TLV1702-Q1(双通道)和TLV1704-Q1(四通道)器件提供宽电源范围,轨到轨输入,低静态电流和低传播延迟。所有这些功能都采用行业标准,极小的封装,使这些器件成为最好的通用比较器。 集电极开路输出提供的优势是可以将输出拉至最高达36的任何电压轨。无论TLV170x-Q1电源电压如何,V都高于负电源。 该器件是microPower比较器。低输入失调电压,低输入偏置电流,低电源电流和集电极开路配置使TLV170x-Q1器件具有足够的灵活性,可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器。 该器件的额定工作温度范围为-40°C至+ 125°C扩展工业温度范围。 特性 符合汽车应用要求 AEC Q100-符合以下结果 设备温度等级1 :-40°C到+ 125°C环境OperatingTemperature 设备HBM ESD类别等级3A(TLV1701-Q1) DeviceHBM ESD类别等级1C(TLV1702-Q1,TLV1704-Q1 ) 器件CDM ESDClassification Level C5 电源范围:2.2 V至36 V或±1.1 V至±18 V 低静态电流:每个比较器55μA 输入共模范围包括两个导轨 低传播延迟:560 ns 低输入失调电压:300 μV 开路集电...
发表于 11-02 18:05 50次 阅读
TLV1704-Q1 汽车类四路、2.2V 至 36V、微功耗比较器

LM2901V 四路差动比较器,电压增强型

LMx39x和LM2901xx器件由四个独立的电压比较器组成,设计用于在宽电压范围内通过单个电源供电。只要两个电源之间的差值为2 V至36 V,并且V CC 比输入共模电压高至少1.5 V,也可以使用双电源供电。电流消耗与电源电压无关。输出可以连接到其他集电极开路输出,以实现线与关系。 LM139和LM139A器件的特点是可在-55°C至125°C的整个军用温度范围内工作。 LM239和LM239A器件的工作温度范围为-25°C至125°C。 LM339和LM339A器件的工作温度范围为0°C至70°C。 LM2901,LM2901AV和LM2901V器件的工作温度范围为-40°C至125°C。 特性 宽电源范围 单电源:2 V至36 V (非V测试为30 V)器件和 32 V用于V-Suffix器件) 双电源:±1 V至±18 V (非V器件测试至±15 V,±16)用于V-Suffix器件的V) 低电源电流漏极独立于电源电压:0.8 mA(典型值) 低输入偏置电流:25 nA(典型值) 低输入失调电流:3 nA(典型值)(LM139) 低输入失调电压:2 mV(典型值) 共模输入电压范围包括接地 差分输入电压范围等于最大额定电源电压:±36 V 低输出饱和电压 输出与TTL,MOS和CMOS兼容 在符合M...
发表于 11-02 18:05 110次 阅读
LM2901V 四路差动比较器,电压增强型

TLV7031 小尺寸纳瓦级功率低电压比较器

TLV7031和TLV7041是单通道,低电压,纳瓦级功耗的比较器。这些器件采用0.8mm×0.8mm的超小型无引线封装以及标准的5引脚SC70和SOT-23封装,因此适用于空间受限的设计,例如智能手机,智能仪表和其它便携式或电池供电类应用。 TLV7031和TLV7041提供出色的速度与功耗综合性能,其传播延迟为3μs,静态电源电流为335nA。得益于纳瓦级功耗下的快速响应优势,功耗敏感型系统能够监测故障状况并快速做出响应。比较器的工作电压范围为1.6V至6.5V,因此可与3V和5V系统兼容。 TLV7031和TLV7041还凭借过驱输入和内部磁滞来确保不会出现输出相位反转,因此工程师可以将此系列的比较器用于必须将慢速输入信号转换为纯净数字输出的严严,嘈杂环境中进行精密电压监测。 TLV7031具有推挽式输出级,能够灌/拉毫安级电流,同时可对LED进行控制或驱动容性负载.TLV7041具有可上拉到V CC 之上的漏极开路输出级,因此适用于电平转换器和双极至单端转换器。 特性 超小型X2SON封装(0.8mm×0.8mm×0.4mm) 微型5引脚SOT23和SC70封装 1.6V至6.5V的宽电源电压范围 335nA静态电源电流 3μs低传播延迟 轨道 5mV内部磁滞 推挽...
发表于 11-02 18:05 165次 阅读
TLV7031 小尺寸纳瓦级功率低电压比较器

TLV6703 具有集成基准源的 TLV6703 高电压比较器

TLV6703高压比较器工作在1.8 V至18 V范围内。 TLV6703具有高精度比较器,内部400 mV基准电压源和开漏输出,额定电压为18 V,可实现精密电压检测。可以使用外部电阻设置监控电压。 当SENSE引脚电压低于(V IT - )时,OUT引脚被驱动为低电平,并且变为高电平当电压返回到相应阈值以上时(V IT + )。 TLV6703中的比较器具有内置的迟滞滤波功能,可以抑制短暂的毛刺,从而确保稳定的输出操作,而不会发生错误触发。 TLV6703采用薄型SOT-23-6封装,并在结温范围内指定范围为-40°C至+ 125°C。 特性 宽电源电压范围:1.8 V至18 V 可调节阈值:低至400 mV < li>高阈值精度: 0.5%Max at 25°C 1.0%Max Over Temperature 低静态电流: 5.5μA(典型值) 漏极开路输出 内部迟滞:5.5 mV(典型值) 温度范围:-40°C至+ 125°C 包装:薄SOT-23-6 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 比较器   Number of Channels (#) Output Type Vs (Min) (V) Vs (Max) (V) Propagation Delay Time (uS) Vos (Offset Voltage @ 25C)...
发表于 11-02 18:04 105次 阅读
TLV6703 具有集成基准源的 TLV6703 高电压比较器

TLV6710 基准电压为 400mV 的 TLV6710 微功耗 36V 窗口比较器

TLV6710是一款高电压窗口比较器,工作电压范围为1.8V至36V。该器件拥有两个内部基准电压为400mV的高精度比较器和两个额定电压为36V的开漏输出.TLV6710可以作为窗口比较器使用,也可以作为两个独立的比较器使用。可以使用外部电阻器设定监控电压。 当INA +上的电压下降至低于(V ITP - V HYS )时,OUTA被驱动至低电平,当电压返回到相应阈值(V ITP )之上时,OUTA变为高电平。当INB-上的电压上升至高于V ITP 时,OUTB被驱动至低电平,当电压下降至低于各自的阈值(V ITP - V HYS )时,OUTB变为高电平.TLV6710中的两个比较器都具有内置迟滞来抑制短时毛刺脉冲,确保稳定的输出运行,不会引起误触发。 TLV6710采用SOT-6封装,额定结温范围为-40°C至125°C。 特性 高电源电压范围:1.8V至36V 可调节阈值:低至400mV 高阈值精度: 0.75%(整个温度范围内) 低静态电流:7μA(典型值) 漏极开路输出 内部滞后:5.5mV(典型值) 温度范围:-40°C至125°C 封装: SOT-6 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 比较器   ...
发表于 11-02 18:04 55次 阅读
TLV6710 基准电压为 400mV 的 TLV6710 微功耗 36V 窗口比较器

TLV7081 纳瓦级功率微封装低电压比较器

TLV7081是一款单通道纳米功率比较器,工作电压低至1.7 V.该比较器采用超小型WCSP封装,电压为0.7毫米×0.7毫米,使TLV7081适用于智能手机和其他便携式电池供电应用等空间关键设计。 TLV7081具有宽输入电压范围,与电源电压无关。具有输入范围即使TLV7081未上电,TLV7081也可以直接连接到有效的电源。 TLV7081有一个开漏输出级,可以拉到V +以上,这样就可以了用于电平转换器和双极到单端转换器。 特性 宽电源电压范围:1.7 V至5.5 V 静态电源电流370 nA 低传播延迟4μs 漏极开路输出 内部迟滞:10 mV 温度范围:-40°C至+ 125°C < /li> 包装: 0.7 mm×0.7 mm WCSP(4) 所有商标均为他们各自的所有者。 参数 与其它产品相比 比较器   Number of Channels (#) Output Type Vs (Min) (V) Vs (Max) (V) Propagation Delay Time (uS) Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV) Iq per channel (Typ) (mA) Input Bias Current (+/-) (Max) (nA) Rail-to-Rail Rating Operating Temperature Range (C) Features VICR...
发表于 11-02 18:04 76次 阅读
TLV7081 纳瓦级功率微封装低电压比较器

LPV7215 微功耗、CMOS 输入、RRIO、1.8V、推挽输出比较器

LPV7215器件是一款超低功耗比较器,典型电源电流为580 nA。它具有TI's低功耗比较器中最佳的电源电流与传播延迟性能。传输延迟低至4.5μs,在1.8V电源下具有100mV过驱动。 设计用于在1.8V至5.5V的宽电源电压范围内工作,确保1.8的工作电压V,2.7 V和5 V,LPV7215非常适合用于各种电池供电的应用。采用轨到轨共模电压范围,LPV7215非常适合单电源供电。 LPV7215具有推挽输出级,可在运行时以最低功耗运行任何电容或电阻负载。 LPV7215提供多种节省空间的封装,是手持电子和移动电话应用的理想选择。 LPV7215采用TI先进的VIP50工艺制造。 特性 (对于V + = 1.8 V,典型值除非另有说明) Ultra-低功耗:580 nA 宽电源电压范围:1.8 V至5.5 V 传播延迟:4.5μs 推挽输出电流驱动5 V 19 mA 温度范围:-40°C至125°C 轨到轨输入 微型5引脚SOT-23和SC70包 参数 与其它产品相比 比较器   Number of Channels (#) Output Type Vs (Min) (V) Vs (Max) (V) Propagation Delay Time (uS) Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV) Iq per channel (Typ) (mA...
发表于 11-02 18:04 56次 阅读
LPV7215 微功耗、CMOS 输入、RRIO、1.8V、推挽输出比较器

LMV7231 具有 1.5% 精密和 400mV 参考的六路窗形比较器

LMV7231器件是1.5%精度的六角窗口比较器,可用于监控电源电压或任何其他模拟输出,如模拟温度传感器或电流检测放大器。该器件使用内部400 mV参考电压作为比较器跳变值。比较器设定点可通过外部电阻分压器设定。 LMV7231有6个输出(CO1至CO6),用于指示每个电源输入的欠压或过压事件。还提供输出(AO),以便在任何电源输入发生过压或欠压事件时发出信号。这种能够为各个电源输入发出欠压或过压事件的信号,以及在任何电源输入上发出此类事件信号的输出,增加了无与伦比的系统保护能力。 2.2- V至5.5V电源电压范围,低电源电流以及高于V +的输入或输出电压范围使LMV7231成为各种电源监控应用的理想选择。在-40°C至+ 125°C的温度范围内确保工作。该器件采用24引脚WQFN封装。 特性 (对于V S = 3.3 V±10%,典型情况除非另有说明) 欠压和过压检测 高精度电压基准:400 mV 阈值精度:±1.5%(最大值) 宽电源电压范围2.2 V至5.5 V 输入和输出电压范围高于V + 内部迟滞:6 mV 传播延迟:2.6μs至5.6μs < li>电源电流7.7μA/通道 24引脚WQFN封装 温度范围:40°C至+ 125°C 参数 与其它产品相比 比较...
发表于 11-02 18:04 90次 阅读
LMV7231 具有 1.5% 精密和 400mV 参考的六路窗形比较器

TLV1702-Q1 汽车类双路、2.2V 至 36V、微功耗比较器

TLV1702-Q1器件可提供宽电源电压范围,轨道到轨输入,低静态电流和低传播延迟。凭借符合行业标准且在极小型封装内集成的上述特性,此类器件成为当前市场中的最佳通用比较器。 集电极开路输出具有能够输出拉至任意电压轨(最多可高出负电源36 V并且不受TLV1702-Q1电源电压影响的优势。 该器件是一款双通道微功耗比较器。低输入偏移电压,低输入偏置电流,低电源电流和集电极开路配置使TLV1702-Q1器件能够灵活处理从简单电压检测到驱动单个继电器的多数应用。 该器件在-40°C至+ 125°C的扩展级工业温度范围内额定运行。 特性 符合汽车应用要求 具有符合AEC-Q100的下列结果: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件人体模型(HBM)分类等级1C 器件充电器件模型(CDM)分类等级C6 电源电压范围:2.2V至36V或±1.1V至±18V 低静态电流:每个比较器55μA 输入共模范围包括两个电源轨 低传播延迟:560ns 低输入偏移电压:300μV 集电极开路输出: 最多可高出负电源电压36V且不受电源电压影响 工业温度范围:-40°C至+ 125°C < li>小型封装: 双列:超薄小外形尺寸(VSSOP)-8 应用范围 < ul>...
发表于 11-02 18:04 34次 阅读
TLV1702-Q1 汽车类双路、2.2V 至 36V、微功耗比较器

TLC3704-Q1 汽车类四通道微功耗 LinCMOS™ 电压比较器

TLC3704由四个独立的微功率电压比较器组成,设计采用单电源供电,兼容现代HCMOS逻辑系统。它们在功能上与LM339类似,但在相似的响应时间内使用1/20的功率。推挽式CMOS输出级直接驱动容性负载,无需耗电的上拉电阻,即可实现规定的响应时间。消除上拉电阻不仅可以降低功耗,还可以节省电路板空间和元件成本。输出级也完全兼容TTL要求。 德州仪器LinCMOS ??该工艺为标准CMOS工艺提供卓越的模拟性能。除了低功耗的标准CMOS优势,同时又不牺牲速度,高输入阻抗和低偏置电流,LinCMOS工艺提供极其稳定的输入失调电压和大差分输入电压。这种特性使得构建可靠的CMOS比较器成为可能。 TLC3704Q的工作温度范围为-40°C至125°C。 特性 符合汽车应用要求 ESD保护每MIL-STD-883超过2000 V,方法3015;使用机器型号超过50 V(C = 200 pF,R = 0) 推挽式CMOS输出驱动无上拉电阻的电容负载,I O =±8 mA 非常低的功率。 。 。 500 V典型值,5 V 快速响应时间。 。 。 t PLH =2.7μs(典型值为5 mV Overdrive) 单电源供电。 。 。 3 V至16 V 片上ESD保护 LinCMOS是德州仪器...
发表于 11-02 18:04 9次 阅读
TLC3704-Q1 汽车类四通道微功耗 LinCMOS™ 电压比较器

TLV7256 双路比较器

TLV7256是一款CMOS型通用双比较器,能够实现单电源供电,并且使用比传统双极比较器更低的电源电流。其推挽输出可以直接连接到本地IC,如TTL和CMOS电路。 特性 供电电流低。 。 .20μA型 单电源 轨到轨共模输入电压范围 推挽输出电路 低输入偏置电流 应用 用于感应电池电压的电池组 MP3播放器,数码相机,PMP 手机, PDA,笔记本电脑 测试设备 通用低压应用 < /small> 参数 与其它产品相比 比较器   Number of Channels (#) Output Type Vs (Min) (V) Vs (Max) (V) Propagation Delay Time (uS) Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV) Iq per channel (Typ) (mA) Input Bias Current (+/-) (Max) (nA) Rail-to-Rail Rating Operating Temperature Range (C) Features VICR (Max) (V) VICR (Min) (V) Package Group   var link = "zh_CN_folder_p_quick_link_description_features_parametrics"; com.TI.Product.handleQuickLinks('parametric','参数变化','#parametrics',link); TLV7256 ...
发表于 11-02 18:04 122次 阅读
TLV7256 双路比较器

TLV3201-Q1 具有推挽输出的 40ns、微功耗、轨至轨输入、单通道比较器

TLV3201-Q1和TLV3202-Q1分别属于单通道和双通道比较器,它们实现了高速度(40ns)与低功耗(40μA)的完美组合,两者采用极小型封装,具有轨至轨输入,低偏移电压(1mV)和大输出驱动电流等特性。这些器件还很容易在响应时间至关重要的多种应用中实施。 TLV320x-Q1系列可提供单通道(TLV3201-Q1)和双通道(TLV3202-Q1)版本,这两个版本的器件都带有推挽输出.TLV3201-Q1采用5引脚SC70封装.TLV3202-Q1采用8引脚VSSOP封装。所有器件可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内运行。 特性 符合汽车应用标准 具有符合AEC Q100的下列结果: 器件温度等级1 :环境工作温度范围为-40°C至+ 125°C 器件HBM ESD分类等级2(TLV3201-Q1) 器件HBM ESD分类等级3A(TLV3202-Q1 ) 器件CDM ESD分类等级C5 低传播延迟:40ns 低静态电流:每通道40μA 输入共模扩展范围扩展到任一电源轨之上200mV 低输入偏移电压:1mV 推挽输出 电源范围:2.7V至5.5V 小型封装: 5引脚SC70和8引脚VSSOP 所有商标均为各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 比较器   Numb...
发表于 11-02 18:04 50次 阅读
TLV3201-Q1 具有推挽输出的 40ns、微功耗、轨至轨输入、单通道比较器

TLV6700 基准电压为 400mV 的 TLV6700 微功耗 18V 窗口比较器

TLV6700是一个工作电压范围为1.8V至18V的高电压窗口比较器。该器件拥有两个内部基准电压为400mV的高精度比较器和两个额定电压为18V的开漏输出.TLV6700可以作为窗口比较器使用,也可以作为两个独立的比较器使用。可以使用外部电阻器设定监控电压。 当INA +上的电压下降至低于(V ITP - V HYS )时,OUTA被驱动至低电平,当电压返回到相应阈值(V ITP )之上时,OUTA变为高电平。当INB-上的电压上升至高于V ITP 时,OUTB被驱动至低电平,当电压下降至低于相应阈值(V ITP - V HYS )时,OUTB变为高电平.TLV6700中的两个比较器都具有用于抑制短时毛刺脉冲的内置迟滞,从而确保稳定的输出运行,不会引起误触发。 TLV6700采用超薄SOT-23-6封装,额定结温范围为-40°C至125°C。 < br> 特性 宽电源电压范围:1.8V至18V 可调节阈值:低至400mV 高阈值精度: 最高0.5%(25°C) 在工作温度范围内最高1.0% 低静态电流:5.5μA(典型值) 漏极开路输出 内部滞后:5.5mV(典型值) 温度范围:-40°C至125°C 封装:超薄SOT-23-6 所有商标均为其各自所有者的财...
发表于 11-02 18:04 52次 阅读
TLV6700 基准电压为 400mV 的 TLV6700 微功耗 18V 窗口比较器

LMV7239-Q1 具有漏极开路/推挽式输出的 75 nsec、超低功耗、低压、轨到轨输入比较器

LMV7239-Q1是75ns超低功耗低压比较器。此器件可在2.7V至5.5V的完整电源电压范围内正常运行。器件可实现75ns的传播延迟,而在5V电压下仅消耗65μA的电源电流。 LMV7239-Q1具有更大的轨至轨共模电压范围。输入共模电压范围可基于地电压向下扩展200mV并基于电源电压向上扩展200mV,从而允许接地感应和电源感应。 LMV7239-Q1具有推挽式输出级。凭借此特性,器件无需外部上拉电阻器即可运行。 LMV7239-Q1采用5引脚SC70和5引脚SOT-23封装,因此非常适合需要小尺寸和低功耗特性的系统。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40°C至125°C的环境工作温度范围 器件人体模型(HBM)静电放电(ESD)分类等级1C 器件CDM ESD分类等级C5 (DBV封装) V S = 5V,T A = 25°C(典型值,除非另有说明) 传播延迟:75ns 低电源电流:65μA 轨至轨输入 开漏和推挽输出 非常适合2.7V和5V单电源应用 采用节省空间的封装: 5引脚SOT-23 5引脚SC70 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 比较器   Number of Channels (#) ...
发表于 11-02 18:03 29次 阅读
LMV7239-Q1 具有漏极开路/推挽式输出的 75 nsec、超低功耗、低压、轨到轨输入比较器