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半导体技术的前生今世以及未来展望

EDA365 2019-03-22 17:55 次阅读

半导体发展历史01

半导体是信息化的基础

上个世纪半导体大规模集成电路、半导体激光器、以及各种半导体器件的发明,对现代信息技术革命起了至关重要的作用,引发了一场新的全球性产业革命。

信息化是当今世界经济和社会发展的大趋势,信息化水平已成为衡量一个国家和地区现代化的重要标志。

进入21世纪,全世界都在加快信息化建设步伐。

源于信息技术革命的需要,半导体物理、材料、器件将有新的更快的发展。

集成电路的尺寸将越来越小,将出现新的量子效应器件;宽禁带半导体代表了一个新的方向,将在短波长激光器、白光发光管、高频大功率器件等方面有广阔的应用;纳米电子器件有可能作为下一代的半导体微电子和光电子器件;利用单电子、单光子和自旋器件作为量子调控,将在量子计算和量子通信的实用化中起关键作用。

02

晶体管的发明

1945年二次大战结束时,美国贝尔实验室总裁巴克莱为了适应该室从战时转向和平时期的工作需要,决定成立固体物理组,由肖克莱负责半导体物理小组,成员有巴丁、布拉顿、吉布尼、穆尔等人。

肖克莱和巴丁是理论物理学家,布拉顿是实验物理学家,吉布尼是物理化学家,穆尔是电路学家,这种专业人才的搭配对于半导体物理研究和晶体管的发明是个黄金搭配,精干而高效。他们根据各自在30年代中期以后的经验和后来的考虑,从刚开始成立时,就把重点放在半导体材料硅和锗的研究上。

第二次世界大战期间,英国用雷达侦察到了德国的轰炸机。雷达的核心就是真空电子管,它能够将微弱电流放大。肖克莱早在1939年就准备制作能够将电流放大的固体器件,以便取代真空电子管。1947年12月,巴丁和布拉顿制成了世界上第一个锗点接触型三极管,具有电流放大作用。

巴丁和布拉顿的结果在1948年6月发表。点接触晶体管的发明虽然揭开了晶体管大发展的序幕,但由于它的结构复杂,性能差,体积大和难以制造等缺点,没有得到工业界的推广和应用,在社会上引起的反响不够强烈。

1948年1月肖克莱在自己研究p-n结理论的基础上发明了另一种面结型晶体管,并于1948年6月取得了专利。面结型晶体管又称场效应晶体管,它是平面状的(见图3),可以通过一些平面工艺(如扩散、掩膜等)进行大规模生产。因此只有在面结型晶体管发明以后,晶体管的优越性才很好地被人认识,逐渐取代了真空电子管。 

由于巴丁、布拉顿和肖克莱在晶体管和结型晶体管发明上的贡献,在1956年获得了诺贝尔物理奖。作为半导体晶体管的第一个应用就是索尼公司的便携式收音机,风靡全球,赚了大钱。

03

集成电路的发明

晶体管收音机比电子管收音机小多了,可以随身携带。但它是由晶体管、电阻、电容、磁性天线焊在一块电路板上,相互之间由导线相连。体积还比较大,装配工艺复杂。

1958年美国政府设立了晶体管电路小型化基金,以便适应美国为赶超前苏联发射的第一颗人造卫星的需要。那时,德克萨斯公司的基尔比承担了这一任务,试图制造将晶体管、电阻器和电容器等包装在一起的小型化电路。

1958年9月基尔比制成了世界上第一个集成电路振荡器,这一切都记载在他当天的笔记中。基尔比发明的集成电路在1959年2月取得了专利权,名称为“小型化电子电路”。

与此同时,美国加州菲切尔德(仙童)半导体公司的诺伊斯提出了用铝连接晶体管的想法。在基尔比发明集成电路5个月以后,即1959年2月,他采用霍尔尼提出的平面晶体管方法,在整个硅片上生成SiO2掩膜,应用光刻技术按模板刻成窗口和引线通路,通过窗口扩散杂质,构成基极、发射极和集电极,将金或铝蒸发,因而制成集成电路。1959年7月诺伊斯的集成电路取得了专利权,名称为“半导体器件与引线结构”。从此集成电路走上了大规模发展的新时期。

04

太阳能电池的发明

为了人造卫星的需要,1954年皮尔森和富勒利用磷和硼的扩散技术制成了大面积的硅p-n结太阳能电池,光电转换效率达6%以上,超过了过去最好的太阳能转换效率的15倍。它的制作成本低廉,可以批量生产,因此很快得到了大规模的应用。

太阳能电池的工作原理是光生伏特效应。当光照射在半导体上时,在半导体中产生电子-空穴对。如果接通外电路,就会有电流通过,这就是光生伏特效应。

太阳能电池的商业应用开始于1958年,它被选用为美国第一个人造卫星Vanguard I的无线电发射机的电源。当前能源危机下,太阳能电池作为一种再生和无污染电源引起了人们极大的注意。

05

半导体激光器的发明

半导体发光管和激光器的工作原理和太阳能电池正好相反:太阳能电池是用光产生电,而发光管、激光器则用电产生光。用电流将电子和空穴分别引入半导体的导带和价带。电子和空穴复合,产生光子。

1962年美国霍尔用p-n同质结制成了第一个半导体激光器。产生激光必须满足3个条件:粒子数的反转分布、谐振腔和电流超过一定阈值。

1963年美国的克勒默和苏联的阿尔费罗夫各自独立地制成了异质结激光器,也就是在图8中,结区用一种禁带宽度小的材料,如GaAs;两边的p区和n区用另一种禁带宽度大的材料,如AlxGa1-xAs。这样,发光区域被限制在窄小结区中。

因此大大提高了发光效率,降低了激光器的阈值电流。1970年苏联的约飞研究所和美国的贝尔实验室分别制成了室温下连续工作的双异质结激光器,从而使半导体激光器在光通信中得到了广泛的应用。

由于克勒默和阿尔费罗夫在发展半导体激光器方面的重要贡献,他们在2000年和集成电路发明者基尔比一起获得了诺贝尔物理奖。硅大规模集成电路和半导体激光器的发明使得世界进入了一个以微电子和光电子技术为基础的信息时代,大大促进了社会和经济的发展。

06

分子束外延技术的发明

制造双异质结激光器的一个关键技术是分子束外延。1968年贝尔实验室的卓以和发现,在超高真空容器中通过精细控制束流的大小和时间,能够按照需要生长不同层数、不同种类的半导体材料,因而发明了分子束外延技术。分子束外延设备的示意图见图11。

装置内部处于超高真空条件下(10-10torr),蒸发炉内装有原材料元素(如Ga、As、Al等)的源。前面是可以控制的挡板,打开挡板,将被蒸发的源原子直射至加热的衬底上进行外延生长。目前用这种技术已经能做到单原子层的生长。装置周围是一些检测仪器,用以监控生长过程。

半导体技术的应用01

大规模集成电路和计算机

大规模集成电路为计算机、网络的发展打下了基础。按照摩尔定律,集成电路的集成度以每18个月翻一番的速度发展,最近它的线度已达到几十纳米(毫米、微米、纳米),每一个芯片上包含了上百亿个元件。

计算机科学已经发展到很高水平,无论是计算机的硬件还是软件都已十分成熟,每秒万亿次甚至更高速度的计算机(天河:2000万亿次,世界第二)都已问世,这为各种高速运算、海量信息处理和转换提供了有力的工具。

自从1943年计算机诞生以来,由于集成电路的发明,计算机向着高运算速度、体积小型化方向飞速发展。目前世界主要发达国家和中国都已拥有百万亿次以上浮点运算的大型计算机。中国制造和拥有这种超级计算机的数量在世界上据第二位,仅次于美国。

这种超级计算机能用于分析蛋白质、开发新药等,在军事上可用于模拟核爆炸、解密码等。需要说明的是制造这种计算机所需的大规模集成电路中国还很落后,大部分还需进口。

02

光通信技术

以前长距离通信靠长途电话或电报。因为通话数目少,价钱很贵。1966年英国标准通信实验室的高锟(K. C. Kao)提出用无杂质高透明度的玻璃纤维传输激光信号。如果它的损耗能低到20分贝/公里,则就能实现长距离光通信。

1970年纽约康宁玻璃厂的毛瑞尔(R. D. Maurer)等用“淀积工艺”将四氯化硅蒸气经过火焰水解,制成密实的玻璃管,再加热后通过模子拉制成细的玻璃纤维。低损耗的玻璃纤维的诞生是光通信技术的里程碑进展。

1976年美国贝尔实验室在亚特兰大进行了第一次光通信实地实验,取得了很好的效果。光纤的平均功率损耗为6分贝/公里,无差错传输信息超过10.9公里,相当于通过光纤环路17周。1976年12月贝尔实验室宣布:光波通信通过了它的首次检验,光波通信的可能性已经得到证明。从此宣告了光通信时代的来临,并预示着微电子时代向光电子时代的序幕正式揭开了。

今天,电信网络、计算机网络和有线电视网络已经成为一个国家重要基础设施,所有政治、经济、军事、科技活动以至人们日常生活时刻都离不开这三网。我国现有电话用户8亿5千万,其中移动手机用户4亿8千万,是世界上最大的电信网络。计算机上网用户已达1.37亿,有线电视用户达1.3亿,占世界三分之一。

将来的趋势是三网合一。现在的手机上网已经很普遍了,这方面美国的苹果公司走在了前面。

光有不同的颜色和波长。不是所有颜色的光都能在光纤中传播。

光纤的损耗分别在1450-1550nm和1250-1350nm处具有最低值和次低值,因此是光纤通信的2个主要窗口。为了让一根光纤能传播尽量多的信息通道,采用了波分复用的光通信系统,就是把这2个波段划分成很窄的波长,每个波长形成一定的通信容量。将不同波长的信号通过一根光纤传至对方,再经过解复用,由光检测器恢复原来以不同波长传递的电信号。由于光信号在传递中会逐步衰减,为了达到长距离传输的目的,每隔一定距离需要通过掺铒光纤放大器将其信号放大。

03

无线通信技术(手机)

无线通信的基础是蜂窝式移动电话,它的早期制式是贝尔实验室在1978年推出的“先进移动电话服务”系统(AMPS)。该系统是将服务的区域分成许多小的六角形的地理区域(cell),就像蜂窝一样(见图19)。每个小区内有低功率的无线电话发射器、接收器和一个控制系统,形成一个基站。

各服务区的基站通过光纤连接到中央交换实体(移动电话局),该实体装有电子交换系统。基站网络追踪移动终端的位置,当移动终端到达另一小区时能自动与邻近的基站重建联系,以便继续通话。由于小区内的无线通话功率低,只影响限定的范围,因而与别的小区的通信信号不会产生干扰。

第一个AMPS系统在1979年7月在芝加哥试验成功。1992年4月,AT&T公司微电子集团宣布制成新一代数字蜂窝电话的集成电路芯片,使该公司成为移动通信数字信号处理元件的领先供应者。这种数字信号处理器构成DSP1600系列,它使手机的体积和功率大大减小,在市场上大受用户欢迎。

除了手机通信以外,还有其它的无线通信手段(见图20),包括:卫星传输高清晰度电视、卫星间通讯、多点视频通讯、无线局域网、交通工具之间的通讯、以及防撞雷达等。它们的工作频率在微波波段,从几个GHz到100GHz。

各种无线通信及其工作频率。波段从微米到毫米波段,频率为20-80 GHz。

无线通讯中最关键的器件是半导体高频振荡器件,目前有2种:高电子迁移率晶体管(HEMT)和异质结双极晶体管(HBT)。它们实际上就是典型的三极管,但由于利用分子束外延技术,n-p-n每一层都可以做得很薄,缩小了电子运动的路径,具有高的截止频率fT。目前这两种器件的截止频率都已达到了100GHz以上,满足了无线通信的需要。

npn型双极晶体管截面图

04

半导体太阳电池——太阳电池用硅材料

太阳电池用硅材料主要包括:直拉硅单晶、非晶硅、带状硅和薄膜多晶硅,这些材料在实验室和产业中制成的太阳电池的效率如图22。

目前铸造多晶硅占太阳能电池材料的47.54%,是最主要的太阳电池材料。到2004年,铸造多晶硅的市场份额已经超过53%。直拉单晶硅占35.17%,占据第二位,而非晶硅薄膜占8.3%,位于第三位,而化合物半导体CuInSe和CdTe仅占0.6%。

不同的半导体材料在实验室和产业中制成的太阳电池效率

05

半导体太阳电池——多晶硅太阳电池

直到上世纪90年代,太阳能光伏工业还是主要建立在硅单晶的基础上。虽然硅单晶电池的成本在不断下降,但是和常规电力相比还是缺乏竞争力,因此,不断降低成本是光伏界追求的目标。

自上世纪80年代铸造多晶硅 的发明和应用以来,增长迅速。它以相对低成本、高效率的优势不断挤占单晶硅的市场,成为最有竞争力的太阳电池材料,到本世纪初,已占到50%以上,已经成为最主要的太阳电池材料。

铸造多晶硅硅片的表面光学照片

到目前为止,铸造多晶硅的晶锭重量已经达到300 kg,太阳电池片的尺寸达到210×210 mm2。到本世纪初,多晶硅太阳电池的效率达到20.3%。在实际生产中,铸造多晶硅太阳电池的最高效率也达到17.7%左右,接近直拉硅单晶太阳电池的光电转换效率。

06

半导体太阳电池——非晶硅薄膜太阳电池

今日非晶硅薄膜太阳电池已发展成为实用廉价的太阳电池品种之一,具有相当的工业规模。世界上非晶硅太阳电池的总组件生产能力达到每年50MW以上,组件及相关产品的销售额在10亿美元以上。应用范围小到手表、计算器电源,大到10MW级的独立电站,对太阳能光伏的发展起了重要的推动作用。

和晶体硅相比,非晶硅薄膜具有制备工艺简单、成本低和可大面积连续生产的优点。在太阳电池领域,其优点具体表现为:

(1)材料和制造工艺成本低。这是因为非晶硅薄膜太阳电池是制备在廉价的衬底材料上,如玻璃、不锈钢、塑料等,其价格低廉;而且,非晶硅薄膜仅有数千埃厚度,不足晶体硅电池厚度的百分之一,这也大大降低了硅原材料的成本;进一步而言,非晶硅制备是在低温进行,其沉积温度为100℃~300℃,显然,规模生产的能耗小,可以大幅度降低成本;

(2)易于形成大规模生产能力;

(3)多品种和多用途;

(4)易实现柔性电池。非晶硅可以制备在柔性的衬底上,而且它的硅网结构力学性能特殊,因此,它可以制备成轻型、柔性太阳电池,易于和建筑集成,以及各种日常用品。

但是,和晶体硅相比,非晶硅太阳电池的效率相对较低,在实验室电池的稳定的最高转换效率只有16%左右;在实际生产线上,效率不超过10%;而且,非晶硅太阳电池的光电转化效率在太阳光的长期照射下有严重地衰减,到目前为止仍然没有根本解决。

另外,还有军事和卫星用的化合物太阳能叠层电池。

07

半导体白光照明

➤1)发展半导体白光照明意义

 氮化镓发光管(LED)是一种高效长寿命的固态照明光源。白炽灯、荧光灯是目前面广量大的传统白光照明光源。白炽灯是一种热光(色温2800K),含有大量的红外线,工作寿命短,发光效率低,而荧光灯则是一种冷光,高效率,但寿命短,有毒(含汞)。与传统的白炽灯和荧光灯相比,氮化镓发光管是一种具有体积小、重量轻、电压低、效率高、寿命长等特点的固态照明冷光源,因此是一种节能、绿色照明光源。

氮化镓LED目前已经用在许多场合:景观灯、交通灯、汽车尾灯、大屏幕显示灯。

能源是经济、社会可持续发展不可缺少的要素,节约能源、提高能效是可持续发展能源的重大战略。据统计,全世界“照明”耗能约占总电功率的20%。由于LED高效发光,LED白光照明可节省大量的发电煤和原油使用量,全球每年可减少25亿吨CO2排放量。

因此,氮化镓LED白光照明具有巨大的市场前景,将来成本和效率问题解决以后,可代替目前广泛使用的白炽灯和荧光灯,引发一次白光照明技术革命。国际上把半导体照明光源中期目标(5-10年内)定为>100 lm/W,2020年达到200 lm/W或300 lm/W,这样就可替代传统照明。

➤2)氮化镓LED白光照明的技术途径

众所周知,由红(Red)、绿(Green)、蓝(Blue)三基色可合成白光,如图24所示。该图为1931色度图,三角形中央虚线区为白光区。氮化镓LED一般只能发出一种颜色的光。白光照明也要通过RGB三基色的合成来实现。RGB三基色可以直接靠LED发射三基色光,也可用LED去激发荧光物质,通过二次光转换获得三基色光或准三基色光。

所以,实现氮化镓LED白光照明有两种技术途径:一种是利用氮化镓发光二极管(LED)去激发荧光物质转换成白光,可称作为“二次光转换白光技术”;另一种是利用LED直接发射白光,可称作为“直接发射白光技术”。

➤3)LED白光照明技术发展方向

(1)研究发展近紫外、深紫外LED器件,实现高显色指数的“固体白光荧光灯”。这种白光技术具有显色指数高(CRI>90)、转换效率高(外量子效率43%),色彩重现性高等特点,是一种较理想的白光源;

(2)研究发展III族氮化物LED直接发射白光技术;

(3)研究提高LED发光效率、光通量,发展功率型LED其器件。

传统白炽灯发光效率为16 lm/W,荧光灯发光效率为85 lm/W,因此,Ⅲ族氮化物LED白光照明光源要替代白炽灯和荧光灯,其发光效率至少要超过100 lm/W,同时要降低成本。

08

光盘存储和激光测距、激光打印、激光仪器

光盘存储和激光测距、激光打印、激光仪器等是半导体激光器的另一重大应用领域。CD盘(只读声盘)、DVD(数值可视盘)所用的激光器波长分别为780nm和670nm、650nm,由激光器将信息“写”入光盘或者从光盘上“读”出声音或光信号。激光器的波长越短,光盘存储密度就越高。

波长为410nm的InGaN激光器可以将光盘的存储量再提高一大步。波长为670-630nm的InGaAlP激光器已在许多场合取代了He-Ne激光器,在激光测距、激光打印、激光医疗仪器中得到了重要的应用。

09

半导体激光器的军事应用

波长为808nm的AlGaAs大功率激光器是大功率YAG(掺钇铝石榴石)固体激光器的泵浦光源,代替了原来的氙气激光器,取消了庞大的电源和冷却系统,使固体激光器变得高效率、小体积、高性能、长寿命、低成本,适合于军事应用,例如激光雷达和核爆炸模拟、核聚变研究。

水下光传播的窗口为590nm,蓝绿光激光器的诞生为水下通信开了绿灯。火箭、飞机飞行过程中掌握方向的光纤陀螺中最关键的器件是半导体超辐射发光二极管。

10

环境保护

大自然中,水汽、甲烷、氨气、二氧化碳、一氧化碳、盐酸、溴酸、硫化氢等气体的灵敏吸收峰在1.5-2.0mm范围。

InAsSb或GaInAsSb应变量子阱激光器的波长可达1.0-4.0mm范围,近年来出现的量子级联激光器的波长可达4.0-17mm。这些覆盖了红外-远红外范围的各类激光,构成了大气监控、监测的环保卫士。

半导体技术的未来发展01

信息技术的革命

信息传输。信息量的爆炸式的增加,对信息通道的容量要求越来越大。在网上传递的不仅是文字、而且还有音乐、图像、电视信号等;不仅是有线,还需要无线;不仅是洲际、国际、城际,而且需要局域网。为此需要发展新的通信系统,如综合业务数字网络(ISDN)以及多媒体技术等。

信息处理,包括文本处理、知识处理、图像处理以及语言识别、图像识别、智能化处理等。

人工智能就是通过计算机实现了某些人的智能。例如:理解和发出语言、识别图像、作数学证明、下棋、音乐作曲、进行专业鉴定、医学诊断等。

计算机将把人们从一部分日常的脑力劳动中解放出来,并且通过应用“思维工具”把人们的智慧扩大到以前不可想象的程度。

02

更高的集成度

世界集成电路主流工艺将经过:2007年的65纳米(集成电路线宽)、2010年的45纳米、2013年的33纳米、以及2016年的22纳米工业化生产的4个发展阶段。

为此,就必须解决一系列的关键技术和专用设备,如:新型器件的研发(非传统CMOS器件、新型存储器、逻辑器件等),IC设计、封装、和测试技术,新型光刻机、刻蚀机等配套设备等。

半导体器件的尺寸不能无限制地减小,如果器件尺寸小到电子的德波罗依波长(10纳米),量子效应将会更加明显,这时需要设计建立在量子力学原理基础上的新型半导体器件。

03

半导体光电器件

半导体光电器件向更长和更短波长、更大功率、更高工作频率的方向发展

大功率激光器列阵分准连续(QCW)器件与连续(CW)器件,它们除了作固体激光器的泵浦源外,还可直接用作材料加工、医疗、仪器、敏感技术、印刷制版等,进入传统中由非半导体激光器主宰的市场,代替气体、固体激光器。

AlGaN/GaN异质结双极晶体管具有线性好、电流容量大、阈值电流均匀等优点,主要应用在线性度要求高、工作环境苛刻的大功率微波系统中,如军用雷达、通信等;还可应用于在苛刻环境下工作的智能机器人等系统中。

04

集成光学和集成光电子学

由集成在半导体薄膜上的激光器、调制器、波导、光栅、棱镜和其它无源光学元件构成的系统叫做集成光学系统。

集成光学系统用光互连代替电互连,在计算机和通信系统中具有通带宽、信息量大、损耗小、速度快、能并行处理、抗电磁干扰等优点。硅材料的成本低廉、工艺成熟,在微电子器件中得到广泛应用。但是由于它是间接带隙材料,不能作发光器件。

目前科学家们正在解决光源的问题,以便在硅材料上做到光电集成。

06

半导体超晶格和量子线、量子点器件

半导体超晶格、量子线、量子点是低维结构,它们具有一些特殊的物理性质,如量子限制效应和电子运动的二维或一维特性,可以制成一些性能优异的器件,如:激光器、高电子迁移率器件、光双稳器件、共振隧穿器件等。

当器件的尺寸、维度进一步减小,使得电子运动的平均自由程大于器件的尺寸时,电子在运动过程中将不受杂质、晶格振动等的散射,而作一种相干波运动。

利用这些特点预计可制造出超高速、超低电能的电子器件。例如量子点单电子晶体管将使动态随机存储器(DRAM)的功耗大大降低。

06

半导体量子信息器件

目前的工艺已经能在半导体量子点上产生和探测单个光子,使得半导体量子点成为实现量子信息处理(量子计算、量子通信)最有希望的固体器件。

量子信息科学技术的迅速发展,为精密测量、量子计算和保密通讯等领域都提供了全新的革命性的理论和实验方法。量子信息最关键的是利用光子的相干性。

光子作为量子理论中最基本的量子化实体,能够很容易地实现收集、传递、复制、存储和处理信息的全过程,具有作为量子通讯、量子计算载体的独特的先天优势。

因此基于光子过程的量子信息处理器件是各种量子信息工程的基础,它的基本原理研究和制备必将为计算科学和通讯能力带来飞越式的发展。

07

自旋电子器件

目前微电子器件是应用载流子电荷携带信息。

如果一种材料能同时利用载流子的电荷和自旋属性作为信息的载体,将可以制造出具有非挥发、低功耗、高速和高集成度的优点的器件,甚至有可能引起电子信息科学重大的变革。

掺磁性离子的稀磁半导体及自旋电子学(Spintronics)即应此要求而生。

实验发现,半导体中自旋相干时间已经达到ns量级,远远超过电荷的相干时间,预示着自旋电子学在未来量子计算和量子通信中的重要应用前景。

实现自旋为基的量子计算机的主要困难是精确控制和保持自旋相干,因此如何产生自旋相干电子态,以及减小自旋退相干有许多物理问题需要研究和解决。

原文标题:半导体的“前生今世”+“未来展望”

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台积电魏哲家表示 5纳米及更先进制程技术将带来令人赞叹的5G体验与变革性的AI应用

天府新区紫光芯城项目开工仪式在成都科学城产业功能区举行

据悉,该项目以“三院两云”进行战略布局,包含紫光集成电路产业园暨紫光集成电路产业研究院、紫光大数据研....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 04-24 15:13 378次 阅读
天府新区紫光芯城项目开工仪式在成都科学城产业功能区举行

浙江海宁泛半导体产业园五期项目顺利结顶 项目计划投资6亿

海宁日报报道,近日,历经7个多月打造的浙江海宁泛半导体产业园五期项目已顺利结顶。园区开发公司介绍,2....
的头像 半导体动态 发表于 04-24 15:10 230次 阅读
浙江海宁泛半导体产业园五期项目顺利结顶 项目计划投资6亿

中国大陆成为半导体设备主要投资地区之一 北方华创发展迅速

随着中国大陆半导体产业持续发展,2018年中国大陆半导体设备投资额已上升至全球第二,成为主要投资地区....
的头像 半导体动态 发表于 04-24 15:04 228次 阅读
中国大陆成为半导体设备主要投资地区之一 北方华创发展迅速

GlobalFoundries纽约 IBM厂4.3亿美元出售给安森美半导体

DeepTech 在昨日率先披露 GlobalFoundries 将出售位于纽约州东菲什基尔(Eas....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 04-24 11:42 497次 阅读
GlobalFoundries纽约 IBM厂4.3亿美元出售给安森美半导体

全球半导体业在连续高涨两年之后开始回调

多年来全球存储器业没有一家新进者,见到的是德国奇梦达倒闭,及日本尔必达被美光兼并,反映全球存储器业垄....
的头像 DIGITIMES 发表于 04-24 11:41 413次 阅读
全球半导体业在连续高涨两年之后开始回调

为夺回苹果订单,三星将收购三星电机PLP事业?

部分IT业界人士预测,三星电子将收购子公司三星电机的半导体封装PLP事业。
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 04-24 09:39 409次 阅读
为夺回苹果订单,三星将收购三星电机PLP事业?

微控制器的定义以及微控制器在一个产品设计中的主要用途

数字信号处理器(或“DSP”)是一种微处理器,它针对要求苛刻的计算任务进行了优化,例如数字滤波,实时....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 04-23 16:57 279次 阅读
微控制器的定义以及微控制器在一个产品设计中的主要用途

同样是半导体领域,凭什么韩国可以活得精彩?

到了60年代,日本的小心思就起来了,既然大家都是挣钱,那为什么我不是最大的那一个。于是,那一年,日本....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 04-23 16:52 873次 阅读
同样是半导体领域,凭什么韩国可以活得精彩?

厦门美日丰创光罩项目今日开业 总投资达10.67亿元人民币

22日,福建省省委常委、厦门市委书记胡昌升,厦门市长庄稼汉会见了美国丰创股份有限公司首席执行官、厦门....
的头像 半导体动态 发表于 04-23 16:37 321次 阅读
厦门美日丰创光罩项目今日开业 总投资达10.67亿元人民币

半导体光刻胶:多家厂商实现国产替代

在国家政策与市场的双重驱动下,近年来,国内企业逐步向面板、半导体光刻胶发力……
的头像 半导体投资联盟 发表于 04-23 16:15 440次 阅读
半导体光刻胶:多家厂商实现国产替代

英特尔在Interconnect Day活动中,提供了其400G硅光子收发器的首个演示

现代数据中心由多层复杂网络组成,跨越多个足球场的长度,因此高带宽,低延迟和长距离是网络解决方案的关键....
的头像 信号完整性与电源完整性研究 发表于 04-23 11:21 185次 阅读
英特尔在Interconnect Day活动中,提供了其400G硅光子收发器的首个演示

KLA更大的篇幅给了汽车电子检测技术

半导体推动汽车革命,但也带来风险,从下图中可以看出,有大约47%的零公里故障来源自电子元件的缺陷(其....
的头像 TechSugar 发表于 04-22 17:32 3042次 阅读
KLA更大的篇幅给了汽车电子检测技术

神工半导体加入科创板 募资11.02亿元投建两大项目

4月19日,科创板受理企业名单再添一家半导体企业。国内半导体级单晶硅材料供应商锦州神工半导体股份有限....
的头像 半导体动态 发表于 04-22 17:22 760次 阅读
神工半导体加入科创板 募资11.02亿元投建两大项目

华芯通半导体4月30日关闭,外部or内部原因?

为什么这个项目会这么短命?
的头像 TechSugar 发表于 04-22 17:07 617次 阅读
华芯通半导体4月30日关闭,外部or内部原因?

成都天府新区紫光芯城项目正式开工 项目投资约500亿元预计2022年投入运营

中国日报网报道,4月21日,成都天府新区紫光芯城项目正式开工建设。
的头像 半导体动态 发表于 04-22 17:00 365次 阅读
成都天府新区紫光芯城项目正式开工 项目投资约500亿元预计2022年投入运营

五夷·芯视界半导体产业园项目开工 计划投资460亿元

怀化日报消息显示,4月21日五夷·芯视界半导体产业园项目在湖南怀化高新区举行开工奠基仪式,怀化市委副....
的头像 半导体动态 发表于 04-22 16:50 785次 阅读
五夷·芯视界半导体产业园项目开工 计划投资460亿元

Q1净收入3.55亿欧元!ASML公布最新财报

Q1净销售额为22亿欧元,净收入为3.55亿欧元,毛利率为41.6%ASML预计2019年第二季度净....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 04-22 16:24 454次 阅读
Q1净收入3.55亿欧元!ASML公布最新财报

2019年是中国半导体显示企业冲击产业链高端的关键一年

以业界目前火热的可折叠屏技术为例,TCL集团旗下华星光电展示了多款OLED柔性折叠屏技术与概念产品,....
的头像 扩展触控快讯 发表于 04-22 15:20 491次 阅读
2019年是中国半导体显示企业冲击产业链高端的关键一年

集成电路板制作流程

打印电路板。将绘制好的电路板用转印纸打印出来,注意滑的一面面向自己,一般打印两张电路板,即一张纸上打....
的头像 发烧友学院 发表于 04-22 15:04 145次 阅读
集成电路板制作流程

TCL集团已收到本次重大资产出售涉及的全部交易价款

据悉,在2018年12月8日TCL集团披露的重组方案中,TCL集团将其直接持有的TCL实业100.0....
的头像 扩展触控快讯 发表于 04-22 15:03 574次 阅读
TCL集团已收到本次重大资产出售涉及的全部交易价款

投资31亿美元,德州仪器将新建 12英寸模拟半导体晶圆制造厂

据当地新闻媒体报道,该项目将占地约870,000平方英尺,位于Custer Parkway和Alma....
的头像 芯论 发表于 04-22 13:38 385次 阅读
投资31亿美元,德州仪器将新建 12英寸模拟半导体晶圆制造厂

出口日韩美,东北半导体企业冲刺科创板!

据悉,该公司的保荐机构为国泰君安,公司预计市值不低于10亿元,采用第一套上市标准。
的头像 中国半导体论坛 发表于 04-22 11:24 389次 阅读
出口日韩美,东北半导体企业冲刺科创板!

中芯国际的平衡木能走好么?

中芯国际因股东诉求分歧而引发的内讧,被外界认为是典型的控制权之争。
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 04-22 09:22 742次 阅读
中芯国际的平衡木能走好么?

AR0130CS CMOS数字图像传感器的数据手册免费下载

在半导体AR0130上,是一个1/3英寸的CMOS数字图像传感器,其有源像素阵列为1280H x 9....
发表于 04-22 08:00 32次 阅读
AR0130CS CMOS数字图像传感器的数据手册免费下载

射频信号检测求一种感应手机3G信号的方法

如题如题,我在网上找到一个集成电路ic叫JY8599,这个说可以感应手机3g信号。请问大家还用过IC或者有其他方法么? ...
发表于 04-22 02:58 14次 阅读
射频信号检测求一种感应手机3G信号的方法

江苏英锐半导体二期项目预计今年6月份试生产运营 项目总投资1.5亿美元

目前,盐城经开区正依托综合保税区功能政策优势,加快建设国际化的电子信息港,加快推动电子信息产业做大做....
的头像 半导体动态 发表于 04-21 11:36 601次 阅读
江苏英锐半导体二期项目预计今年6月份试生产运营 项目总投资1.5亿美元

国内最近的三条半导体新闻首条先进半导体封装测试示范产线启动

国内首条先进半导体封装测试示范产线启动 海宁日报消息显示,4月16日中科院半导体所海宁先进半导体与....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 04-20 09:58 605次 阅读
国内最近的三条半导体新闻首条先进半导体封装测试示范产线启动

最新发布的光电、传感器和分离式元件(O-S-D) 市场调查报告

与 2017 年相比,前 10 名中有三家排名变动,瑞士 ST 和中国豪威科技 (OmniVisio....
的头像 芯论 发表于 04-19 18:09 1189次 阅读
最新发布的光电、传感器和分离式元件(O-S-D) 市场调查报告

美国商务部公布了一批“危险名单”,多家半导体企业在列!

被列入名单后,意味美国供应商将无法通过例外许可,向有关公司或机构供货。路透社引述美国商务部负责出口管....
的头像 芯论 发表于 04-19 17:55 1114次 阅读
美国商务部公布了一批“危险名单”,多家半导体企业在列!

上交所披露了第五批科创板申报企业名单,两家半导体公司位列其中

根据赛迪顾问统计数据,2018年公司为全球排名第三的EEPROM产品供应商,占全球约8.17%市场份....
的头像 ssdfans 发表于 04-19 17:34 2411次 阅读
上交所披露了第五批科创板申报企业名单,两家半导体公司位列其中

属于 SiC器件的时代也许真的要到来了

开启电动车神奇盒子的钥匙——碳化硅(SiC)
的头像 宽禁带半导体技术创新联盟 发表于 04-19 16:18 632次 阅读
属于 SiC器件的时代也许真的要到来了

SiC助益电动汽车发展,英飞凌与意法半导体加速布局

来源:拓墣产业研究院电动汽车领域分为HEV(混合动力车)与新能源车(BEV、PHV、FCV)两大类,....
的头像 宽禁带半导体技术创新联盟 发表于 04-19 16:16 694次 阅读
SiC助益电动汽车发展,英飞凌与意法半导体加速布局

碳化硅市场前景光明,国际市场强手林立,国内玩家奋起直追

由于SiC具有高耐压、低损耗、高效率等特性,可以让功率器件突破硅的限制,带来更好的导电性和电力性能。
的头像 宽禁带半导体技术创新联盟 发表于 04-19 16:12 705次 阅读
碳化硅市场前景光明,国际市场强手林立,国内玩家奋起直追

中国雇员窃取 ASML公司机密,光刻巨头霸气回应

据报道,荷兰财经报纸Financieele Dagblad(FD)在周四的一篇报道中指出,中国雇员从....
的头像 芯论 发表于 04-19 16:01 528次 阅读
中国雇员窃取 ASML公司机密,光刻巨头霸气回应

中方高管窃取 ASML商业机密,造成巨额损失?中国外交部回应

今天,荷兰当地媒体报道,中国员工从荷兰半导体设备制造商ASML窃取了企业机密,造成数亿美元损失!
的头像 芯论 发表于 04-19 15:57 375次 阅读
中方高管窃取 ASML商业机密,造成巨额损失?中国外交部回应

与中国市场高度互补 以色列对华出口芯片暴增80%

以出口高端电子芯片闻名全球的以色列,在2018年对中国出口的芯片暴增
的头像 芯论 发表于 04-19 15:51 422次 阅读
与中国市场高度互补 以色列对华出口芯片暴增80%

华微电子:全额认配 大股东力挺8英寸线落地

从吉林市半导体厂一名车间主任,到国内功率半导体器件领域首家上市公司的董事长,夏增文40年的青春奉献给....
的头像 芯论 发表于 04-19 15:51 479次 阅读
华微电子:全额认配 大股东力挺8英寸线落地

传SK海力士有意并购MagnaChip,扩充8英寸晶圆产能

据报导,2019年初美格纳(MagnaChip Semiconductor)公开表示希望出售晶圆代工....
的头像 芯论 发表于 04-19 15:44 555次 阅读
传SK海力士有意并购MagnaChip,扩充8英寸晶圆产能

用于来电显示的HV833 1灯一般灯泡驱动器

HV833,1灯一般灯泡驱动器,用于来电显示。本应用笔记介绍了利用Supertex HV833集成电路的8个EL驱动电路。它们已针对...
发表于 04-18 09:32 421次 阅读
用于来电显示的HV833 1灯一般灯泡驱动器

半导体三极管是如何工作的

PNP型半导体三极管和NPN型半导体三极管的基本工作原理完全一样,下面以NPN型半导体三极管为例来说明其内部的电流传输过...
发表于 04-18 09:05 428次 阅读
半导体三极管是如何工作的

第三代半导体材料氮化镓/GaN 未来发展及技术应用

GaN将在高功率、高频率射频市场及5G 基站PA的有力候选技术。未来预估5-10年内GaN 新型材料将快速崛起并占有多半得半导体市...
发表于 04-13 22:28 298次 阅读
第三代半导体材料氮化镓/GaN 未来发展及技术应用

一文解读集成电路的组成及封装形式

一、什么是集成电路 集成电路,英文为IntegratedCircuit,缩写为IC;顾名思义,就是把一定数量的常用电子元件,如电阻、电容...
发表于 04-13 08:00 617次 阅读
一文解读集成电路的组成及封装形式

模拟集成电路与设计

何永年电子版,仿真很好
发表于 04-12 15:25 457次 阅读
模拟集成电路与设计

《模拟集成电路设计与仿真》何乐年pdf

本书以单级放大器、运算放大器以及数模转换器数为重点,介绍模拟集成电路的基本概念、工作 原理和分析方法,特别是全面系统地介...
发表于 04-12 14:34 458次 阅读
《模拟集成电路设计与仿真》何乐年pdf

现代集成电路芯片14nm节点FinFET制造工艺流程

发表于 04-04 13:30 296次 阅读
现代集成电路芯片14nm节点FinFET制造工艺流程

关于半导体切换开关的流程剖析

半导体切换开关-Semiconductor Toggle S
发表于 04-04 06:04 53次 阅读
关于半导体切换开关的流程剖析

声表面滤波器做的433发射器和集成电路做的发射器有什么区别

之前生产时用到的433M遥控器和接收板都是买的现成模块,现在准备自己做。卖芯片的公司是给的sot23-6封装的发射芯片,报价0.5元。...
发表于 04-02 21:37 318次 阅读
声表面滤波器做的433发射器和集成电路做的发射器有什么区别

LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

LM3xxLV系列包括单个LM321LV,双LM358LV和四个LM324LVoperational放大器或运算放大器。这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电压工作。 这些运算放大器是LM321,LM358和LM324的替代产品,适用于对成本敏感的低电压应用。一些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品。 LM3xxLV器件在低电压下提供比LM3xx器件更好的性能,并且功耗更低。运算放大器在单位增益下稳定,在过驱动条件下不会反相。 ESD设计为LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM规格。 LM3xxLV系列提供具有行业标准的封装。这些封装包括SOT-23,SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 用于成本敏感系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1 mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1 MHz 低宽带噪声:40 nV /√ Hz < li>低静态电流:90μA/Ch 单位增益稳定 工作电压为2.7 V至5.5 V 提供单,双和四通道变体 稳健的ESD规范:2 kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...
发表于 01-08 17:51 583次 阅读
LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分别是单,双和四运算放大器。这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化。输入和输出可以以非常高的压摆率从轨到轨工作。这些器件非常适用于需要低压工作,高压摆率和低静态电流的成本受限应用。这些应用包括大型电器和三相电机的控制。 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF,电阻性开环输出阻抗使容性稳定更高,容性更高。 TLV905x系列易于使用,因为器件是统一的 - 增益稳定,包括一个RFI和EMI滤波器,在过载条件下不会发生反相。 特性 高转换率:15 V /μs 低静态电流:330μA 轨道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压:±0.33 mV 单位增益带宽:5 MHz 低宽带噪声:15 nV /√ Hz 低输入偏置电流:2 pA Unity-Gain稳定 内部RFI和EMI滤波器 适用于低成本应用的可扩展CMOS运算放大器系列 工作电压低至1.8 V 由于电阻开环,电容负载更容易稳定输出阻抗 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...
发表于 01-08 17:51 54次 阅读
TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

TMP422是具有内置本地温度传感器的远程温度传感器监视器。远程温度传感器具有二极管连接的晶体管 - 通常是低成本,NPN-或者PNP - 类晶体管或者作为微控制器,微处理器,或者FPGA组成部分的二极管。 无需校准,对多生产商的远程精度是±1°C。这个2线串行接口接受SMBus写字节,读字节,发送字节和接收字节命令对此器件进行配置。 TMP422包括串联电阻抵消,可编程非理想性因子,大范围远程温度测量(高达150℃),和二极管错误检测。 TMP422采用SOT23-8封装。 特性 SOT23-8封装 ±1°C远程二极管传感器(最大值) ±2.5°C本地温度传感器(最大值) 串联电阻抵消 n-因子校正 两线/SMBus串口 多重接口地址 二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数 与其它产品相比 数字温度传感器   Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG)   TMP422-...
发表于 01-08 17:51 59次 阅读
TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

LP8733xx-Q1专为满足的电源管理要求而设计,这些处理器和平台用于汽车应用中的闭环性能。该器件具有两个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通用数字输出信号。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动PWM /PFM(AUTO模式)操作与自动相位增加/减少相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持远程电压检测(采用两相配置的差分),可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序(包括与使能信号同步的GPO信号)。在启动和电压变化期间,器件会对出转换率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压:2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器:输出电压:0.7V 至 3.36V最大输出电流 3A/相采用两相配置的自动相位增加/减少和强制多相操作采用两相配置的远...
发表于 01-08 17:51 64次 阅读
LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下工作,同时在整个V DD 上保持非常低的静态电流和温度范围。 TPS3840提供低功耗,高精度和低传播延迟的最佳组合(t p_HL =30μs典型值)。 当VDD上的电压低于负电压阈值(V IT - )或手动复位拉低逻辑(V MR _L )。当V DD 上升到V IT - 加滞后(V IT + )和手动复位( MR )时,复位信号被清除)浮动或高于V MR _H ,复位时间延迟(t D )到期。可以通过在CT引脚和地之间连接一个电容来编程复位延时。对于快速复位,CT引脚可以悬空。 附加功能:低上电复位电压(V POR ), MR 和VDD的内置线路抗扰度保护,内置迟滞,低开漏输出漏电流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的电压监测解决方案,适用于工业应用和电池供电/低功耗应用。 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 特性 宽工作电压:1.5 V至10 V 纳米电源电流:350 nA(典型值) 固定阈值电压(V IT - ) 阈值从1.6 V到4.9 V,步长为0.1 V 高精度:1%(典型值) 内置滞后(V IT + ) 1.6 V&lt; V IT - ≤3.1V= 100mV(典...
发表于 01-08 17:51 85次 阅读
TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

INA240-SEP器件是一款电压输出,电流检测放大器,具有增强的PWM反射功能,能够在宽共模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V,与电源电压无关。负共模电压允许器件在地下工作,适应典型电磁阀应用的反激时间。 EnhancedPWM抑制为使用脉冲宽度调制(PWM)信号的大型共模瞬变(ΔV/Δt)系统(如电机驱动和电磁阀控制系统)提供高水平的抑制。此功能可实现精确的电流测量,无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波。 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电,最大电源电流为2.4 mA 。固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流检测,分流器上的最大压降低至10 mV满量程。 特性 VID V62 /18615 抗辐射 单事件闩锁(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用晶圆批次可达30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空间增强塑料 受控基线 金线 NiPdAu LeadFinish < /li> 一个装配和测试现场 一个制造现场 可用于军用(-55°C至125°C)温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...
发表于 01-08 17:51 58次 阅读
INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线数字接口。使用8位ΣΔADC,LM96000测量: 两个远程二极管连接晶体管及其自身裸片的温度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V电源(内部定标电阻)。 为了设置风扇速度,LM96000有三个PWM输出,每个输出由三个温度区域之一控制。支持高和低PWM频率范围。 LM96000包括一个数字滤波器,可调用该滤波器以平滑温度读数,从而更好地控制风扇速度。 LM96000有四个转速计输入,用于测量风扇速度。包括所有测量值的限制和状态寄存器。 特性 符合SMBus 2.0标准的2线制串行数字接口 8位ΣΔADC 监控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主板/处理器电源 监控2个远程热二极管 基于温度读数的可编程自主风扇控制 风扇控制温度读数的噪声过滤 1.0°C数字温度传感器分辨率 3 PWM风扇速度控制输出 提供高低PWM频率范围 4风扇转速计输入 监控5条VID控制线 24针TSSOP封装 XOR-tree测试模式< /li> Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...
发表于 01-08 17:51 65次 阅读
LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

LM63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器。 LM63精确测量:(1)自身温度和(2)二极管连接的晶体管(如2N3904)或计算机处理器,图形处理器单元(GPU)和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度。 LM63远程温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整。 LM63有一个偏移寄存器,用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差。 LM63还具有集成的脉冲宽度调制(PWM)开漏风扇控制输出。风扇速度是远程温度读数,查找表和寄存器设置的组合。 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度传递函数,通常用于静音声学风扇噪声。 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管 准确感知其自身温度< /li> 针对英特尔奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输出或转速计输入,功能的多功能,用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入< /li> 用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对...
发表于 01-08 17:51 125次 阅读
LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器,能够在76至81 GHz频段内工作。该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造,可在极小的外形尺寸内实现前所未有的集成度。 AWR1843是汽车领域低功耗,自监控,超精确雷达系统的理想解决方案。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案,可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺,可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX,4RX系统的单片实现。它集成了DSP子系统,其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷达信号处理。该设备包括BIST处理器子系统,负责无线电配置,控制和校准。此外,该器件还包括一个用户可编程ARM R4F,用于汽车接口。硬件加速器模块(HWA)可以执行雷达处理,并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法。简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现(短,中,长),并且可以动态重新配置以实现多模传感器。此外,该设备作为完整的平台解决方案提供,包括参考硬件设计,软件驱动程序,示例配置,API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL,发送器,接收...
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AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声,快速稳定,零漂移,零交叉器件,可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能,不会降低线性度.OPA388(单通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388(双通道版本)提供VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14两种封装。上述所有版本在-40°C至+ 125°C扩展工业温度范围内额定运行。 特性 超低偏移电压:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR实际RRIO 低噪声:1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声:140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 快速稳定:2μs(1V至0.01%) 增益带宽:10MHz 单电源:2.5V至5.5V 双电源:±1.25V至±2.75V 真实轨到轨输入和输出 已滤除电磁干扰( EMI)/射频干扰(RFI)的输入 行业标...
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OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗,通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性,非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理想选择。 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性,支持轨到轨输入和输出(RRIO),容性负载高达300PF,集成RF和EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)保护(4kV人体模型(HBM))。 此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...
发表于 01-08 17:51 78次 阅读
TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器。该器件采用2.5V至5.5V电源工作,可检测磁通密度,并根据预定义的磁阈值提供数字输出。 该器件检测垂直于封装面的磁场。当施加的磁通密度超过磁操作点(B OP )阈值时,器件的漏极开路输出驱动低电压。当磁通密度降低到小于磁释放点(B RP )阈值时,输出变为高阻抗。由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大,可抵抗噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作。 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感应带宽 开漏输出能够达到20 mA 优化的低压架构 集成滞后以增强抗噪能力 工作温度范围:-40° C至+ 125°C 标准工业封装: 表面贴装SOT-23 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 霍尔效应锁存器和开关   Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...
发表于 01-08 17:51 94次 阅读
DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围,推挽输出,轨到轨输入,低静态电流,关断的独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用,如智能二极管控制器的反向电流保护,过流检测和过压保护电路,其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处,它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活,可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100标准,采用6引脚SOT-23封装,额定工作温度范围为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下结果: DeviceTemperature 1级:-40°C至+ 125°C环境温度工作温度 器件HBMESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4A 3.3 V至40 V电源范围 低静态电流:每个比较器150μA 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...
发表于 01-08 17:51 69次 阅读
TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管,或者基板热晶体管/二极管,这些器件都是微处理器,模数转换器(ADC),数模转换器(DAC),微控制器或现场可编程门阵列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度,分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议,以及多达9个不同的引脚可编程地址。 该器件将诸如串联电阻抵消,可编程非理想性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合,提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度,进而简化了航天器维护活动。该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V,额定工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准:5962-1721801VXC 热增强型HKU封装 经测试,在50rad /s的高剂量率(HDR)下,可抵抗高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试,在10mrad /s的低剂量率(LDR)下,可抵抗高达100krad(Si)的电离辐射...
发表于 01-08 17:51 96次 阅读
TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核,配置为4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM(自动模式)操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测,以补偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,开关时钟可以强制为PWM模式,也可以与外部时钟同步,以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量,无需增加外部电流检测电阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号,以控制外部稳压器,负载开关和处理器复位。在启动和电压变化期间,器件控制输出压摆率,以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...
发表于 01-08 17:51 111次 阅读
LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

TAS2562是一款数字输入D类音频放大器,经过优化,能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中。 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时监控。这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量,防止系统关闭。 I 2 S /TDM + I中最多可有四个器件共用一个公共总线 2 C接口。 TAS2562器件采用36球,0.4 mm间距CSP封装,尺寸紧凑。 高性能D类放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V时4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V时为8Ω) 15μVrmsA加权空闲信道噪声 112.5dB SNR为1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 纹波频率为20 - 20 kHz 83.5%效率为1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) &lt; 1μAHW关断VBAT电流 扬声器电压和电流检测 VBAT跟踪峰值电压限制器,具有欠压预防 8 kHz至192 kHz采样率 灵活的用户界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2 < /sup> C:4个可选择的地址 MCLK免费操作 低流行并点...
发表于 01-08 17:51 155次 阅读
TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

LM358B 双路运算放大器

LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值,具有低失调(300μV,典型值),共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性,3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最坚固,极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装,例如TSOT-8和WSON,以及行业标准封装,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号,最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的产品上,除非另有说明,否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上,生产加工不一定包括所有参数的测试。 所...
发表于 01-08 17:51 97次 阅读
LM358B 双路运算放大器

LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
发表于 01-08 17:51 95次 阅读
LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LM290xLV系列包括双路LM2904LV和四路LM2902LV运算放大器。这些器件由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性,并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV < LI>共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号< /li> 严格的ESD规格:2kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
发表于 01-08 17:51 82次 阅读
LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
发表于 01-08 17:51 64次 阅读
LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器