0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

三星开始首批量产12GB移动DRAM 实现有史以来最大容量

jf_1689824270.4192 来源:电子发烧友网 作者:jf_1689824270.4192 2019-03-15 14:55 次阅读

3月14日消息,三星电子宣布将批量生产全球容量最大的12GB LPDDR4X(低功耗双倍数据速率4X)移动DRAM

产品主要针对高阶智能手机内存市场应用,包括Galaxy Fold。

LPDDR4X是适用于智能手机和平板电脑等移动设备的低功耗DRAM存储器。随着处理速度和容量的增长,移动DRAM有助于移动设备的应用处理器更快地运行和支持更多任务。MDDR和LPDDR2,LPDDR3,LPDDR4和LPDDR4X。数字越大,数据处理速度越快。

12GB LPDDR4X移动DRAM搭载六颗第二代10纳米(1y)16千兆位(Gb)芯片。与现有的8GB移动DRAM相比,它的容量增加了1.5倍,实现了有史以来的最大容量。它比典型超薄笔记本电脑上的8GB DRAM模块大。

12GB LPDDR4X移动DRAM有望进入下个月由三星电子发布的三星Galaxy Fold和Galaxy S10 5G的旗舰型号。

三星电子表示,即使是超高分辨率可折叠智能手机,12GB LPDDR4X移动DRAM可以更加顺畅地用于各种应用。

在移动通信领域,智能手机愈加趋向于多摄和多显示器,人工智能(AI)处理器及5G通信服务。这种高端的智能手机搭载高容量DRAM可以显着提高系统性能。

三星电子表示,它们可以将移动DRAM产品实现12GB的高容量封装,以提高功耗效率并增加电池安装面积。

12GB LPDDR4X移动d-RAM读写数率最高达到34.1G/s,嵌入在移动设备中产品封装厚度仅1.1mm。

“我们是第一家通过批量生产12GB移动DRAM来提供业界下一代旗舰智能手机所需的所有内存阵容。”三星电子内存事业部营销副总裁表示,将继续加强其在高端移动市场的地位。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 智能手机
    +关注

    关注

    66

    文章

    17962

    浏览量

    176825
  • DRAM
    +关注

    关注

    40

    文章

    2108

    浏览量

    181784
  • 三星电子
    +关注

    关注

    34

    文章

    15567

    浏览量

    180028
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    三星电子发布业界最大容量HBM

    三星电子近日宣布,公司成功研发并发布了其首款12层堆叠HBM3E DRAM,即HBM3E 12H,该产品在带宽和容量上均
    的头像 发表于 03-08 10:10 143次阅读

    三星发布首款12层堆叠HBM3E DRAM

    近日,三星电子宣布,已成功发布其首款12层堆叠的高带宽内存(HBM3E)产品——HBM3E 12H,再次巩固了其在半导体技术领域的领先地位。据了解,HBM3E 12H不仅是
    的头像 发表于 02-27 14:28 320次阅读

    三星电子成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAM—HBM3E 12H

    2024年2月27日 - 三星电子今日宣布,公司成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAM——HBM3E 12H,这是三星目前为止
    的头像 发表于 02-27 11:07 241次阅读

    英创汇智首批T-IBC量产件检测后批量下线

    2023年最后一天,英创汇智北京总部一层T-IBC产线正式启动,首批T-IBC量产件经过了产线严格的过程检测后批量下线,
    的头像 发表于 01-04 10:17 215次阅读

    三星将于明年量产LPDDR5T DRAM芯片

    三星将从明年开始批量生产LPDDR5T DRAM芯片。三星电子副总裁Ha-Ryong Yoon最近在投资者论坛上介绍了公司状况和今后计划等。
    的头像 发表于 12-01 09:45 317次阅读

    单芯片超过 100Gb三星表示将挑战业界最高密度 DRAM 芯片

    三星电子在此次会议上表示:“从2023年5月开始批量生产了12纳米级dram,目前正在开发的11纳米级d
    的头像 发表于 10-23 09:54 483次阅读

    #美国 #三星 美国彻底放弃卡脖子吗?美国同意三星电子向中国工厂提供设备!

    三星电子
    深圳市浮思特科技有限公司
    发布于 :2023年10月11日 13:47:16

    三星计划采用12纳米技术,提升内存模组容量

    日前有信息称,三星将采用 12纳米 (nm) 级工艺技术,生产ERP开发出其容量最大的32Gb DDR5
    的头像 发表于 09-04 10:53 468次阅读

    三星发布容量最大12纳米级32Gb DDR5 DRAM产品

    在相同封装尺寸下,容量是16Gb内存模组的两倍,功耗降低10%,且无需硅通孔(TSV)工艺即可生产128GB内存模组
    的头像 发表于 09-01 10:14 557次阅读

    安华高SAS 9300系列12Gb/s SAS HBA常见问题

    电子发烧友网站提供《安华高SAS 9300系列12Gb/s SAS HBA常见问题.pdf》资料免费下载
    发表于 08-14 11:38 0次下载
    安华高SAS 9300系列<b class='flag-5'>12Gb</b>/s SAS HBA常见问题

    12gb/s SAS:破除存储性能瓶颈

    电子发烧友网站提供《12gb/s SAS:破除存储性能瓶颈.pdf》资料免费下载
    发表于 08-14 10:01 0次下载
    <b class='flag-5'>12gb</b>/s SAS:破除存储性能瓶颈

    12gb/s MegaRAID SAS软件指南

    电子发烧友网站提供《12gb/s MegaRAID SAS软件指南.pdf》资料免费下载
    发表于 07-28 14:17 0次下载
    <b class='flag-5'>12gb</b>/s MegaRAID SAS软件指南

    12gb/s MegaRAID SAS软件用户指南

    电子发烧友网站提供《12gb/s MegaRAID SAS软件用户指南.pdf》资料免费下载
    发表于 07-27 15:56 0次下载
    <b class='flag-5'>12gb</b>/s MegaRAID SAS软件用户指南

    三星开始量产车载超低功耗UFS 3.1闪存:最大512GB

    三星电子计划从今年第四季度开始生产128gb和256gb产品,并生产512gb产品。256gb
    的头像 发表于 07-14 11:33 449次阅读

    借力意法FD-SOI 三星eMRAM进驻MCU早有计划

    迹可循。 在2002年开启MRAM研发工作后,三星在2005年又率先开始了STT-MRAM的研发,该技术后来被证明可以满足高性能计算领域对最后一级缓存的性能要求,被认为是MRAM突破利基市场的利器
    发表于 03-21 15:03