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隔离式栅极驱动器的演变(IGBT/SiC/GaN)
报告内容包含:
效率和功率密度推动变革
基本的 MOSFET 栅极驱动器功能
驱动器演进以支持 IGBT(绝缘栅双极晶体管)
驱动器进化以支持 SiC(碳化硅)
发表于 12-18 09:39
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