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射频能量的感应加热技术与设计解决方案

电子设计 2019-03-15 08:09 次阅读

虽然当我们想到RF时,我们大多数人都想起了无线电,数据链和通信的图像,但是有一整套RF设计工程师的亚文化,他们的工作与通信无关。相反,这些工程师使用RF来加热,焊接和密封金属物体。我们可能熟悉的一个例子是感应炉顶,加热金属锅和平底锅,同时表面保持凉爽。

电磁感应使用由RF驱动的感应线圈,该感应线圈通过靠近RF场的金属中感应的涡流产生电阻加热效应。被称为感受器的金属吸收这种热量,并可将其热传导到更大的区域或体积(用于加热液体等应用),或者非常有效地熔化,熔化或焊接。没有爆炸性气体,烟雾或化学品,这使得该工艺成为工厂和自动化机械生产线的理想选择。

射频能量的感应加热技术与设计解决方案

图1:使用15千瓦的450千伏射频能量,可以使25毫米金属棒发热。

不仅仅是用于烹饪

几十年来,感应加热一直被用于用于密封和包装金属容器的工厂地板。早期的专利图显示了相对较少的组件如何实现有效的解决方案(图2)。相比较而言,最近才在中低成本的烹饪表面上提供用于烹饪的感应加热。但是,我们都使用过感应热封的产品。我们都熟悉食品罐,需要开瓶器来打破真空密封。如果仔细观察这些罐子的顶部,你会看到盖子被焊接到罐子上;专用机器使用由高功率RF驱动的专门设计的感应加热器,可快速,可靠,重复地将盖子熔接到罐头上。

射频能量的感应加热技术与设计解决方案

图2:这个早期的专利图显示了制造感应焊接和加热系统所需的部件相对较少。设计中最苛刻的部分是RF传输线圈的组成和尺寸。

人们甚至可以找到简单,免费和公共领域的DIY设计,供教育和爱好者使用。有文件记录的设计(图3,右)的简化示意图(图3,左)显示了一个相对安全的陶瓷保护的现场加热器,您可以构建 1 。

射频能量的感应加热技术与设计解决方案

图3:在线提供教育套件和原理图,可以帮助您开始使用自己的感应加热设计。有文件记录的设计(右)的简化示意图(左)显示了一个相对安全的陶瓷保护现场加热器,您可以构建。

感应加热不仅适用于金属焊接。它还可用于通过退火硬化或强化金属或将气体加热到等离子体中,用于高级化学反应和研究。在所有情况下,都需要高功率RF场,这些设计包括专用的分立元件和有源元件。即使连接器也必须仔细检查,以确保它们能够通过能量,而不是吸收能量。

设计用于感应加热的高功率射频

用于射频感应加热的基本有源和无源元件需要能够处理大量功率,并且必须进行散热以实现导热表面。也可能需要液体冷却,这意味着即使是部件的外壳和主体也可能需要高度导热。例如,即使通过0.01欧姆电阻,短暂的1000 A电流突发也需要在电流流动时消耗10,000 W的功率。

AVX,BournsTE Connectivity等几家合适的电阻器制造商提供相当好的高功率和良好散热的电阻器。这些通常用于机箱安装配置,以允许散热和传输。

例如,看看Bourns 50欧姆底盘安装CHF190104CBF500L 800 W电阻(图4)。五十欧姆是射频匹配和高效功率传输和使用的神奇甜蜜点,传输线和天线主要用于匹配高达50欧姆的阻抗。

射频能量的感应加热技术与设计解决方案

图4:用于800 W设计的50欧姆底盘安装电阻可实现RF传输线特性的最大功率传输。

作为供应商CHF射频功率系列的一部分,它具有0至1 GHz的工作特性,具有极低的(1.2)电压驻波比(VSWR),可最大限度地减少反射信号和不必要的加热。

其他值如12.5,25和100欧姆可供选择。请注意所选值如何串联和并联以在分配热量时创建更高的功率水平。也可提供1000 W版本的Bourns CHF190104KBF500L

高功率RF电容器不像电阻器,晶体管电感器那样常见,特别是在RF感应技术方面。在大多数情况下,可能需要专门为设计制作串联和并联阵列。

这里重要的是保持等效串联电阻和等效串联电感低。由于潜在的高电流,IIR加热是一个问题,甚至相当高温的陶瓷电容器也会迅速降级。

您不希望在这些应用中使用电解电容或钽电容。两种类型都不喜欢过度应力,并且在灾难性故障期间实际上可能会剧烈爆炸。即使电压不高,也最好使用高压版本的陶瓷电容器。通过感应负载,可以在紧密间隔的陶瓷电容器上产生非常高水平的尖峰和浪涌。较旧的高压聚酯薄膜电容器和聚苯乙烯可以提供良好的老化特性和严格的公差,并且可以帮助消除电弧放电,因为这些技术比表面贴装陶瓷更大。

进行连接

在设计用于加热金属的高功率RF链路时,连接器至关重要。毕竟,连接器使用金属,给我们带来了一个难题:金属是一个很好的屏蔽,而BNC,F型,MCX,SMA等射频连接器使用金属外壳作为阻抗控制的一部分,具有屏蔽功能。

然而,这些相对小尺寸的连接器没有太多的整体表面积,散热也是一个问题。这意味着当需要高功率链路时,小型和低成本的连接器是不合适的。

进行工程设计后,您可以制作具有正确成分,形状和密度的固体,以实现有效耦合。对于中功率,前期放大阶段,较旧的和较大的RF连接器(例如较旧的UHF和N型)可能是最佳的。

Cinch 26-8011等底盘安装部件具有大量的热质量,可与坚固的底盘和/或散热器实现良好的热连接(图5)。它们的特点是50欧姆,并使用可靠的螺钉触点而不是摩擦相关的互。这可以使它们在存在振动和冲击时更安全。

射频能量的感应加热技术与设计解决方案

图5:具有大量热量的阻抗控制RF连接器可有效地将热量传递到机箱或散热器,对于中等功率非常有用水平。最终功率放大后,非常高功率的最终阶段可能需要定制解决方案。

例如,用于RG-8,213,58和59的配合电缆,也使用具有大量热质量的公插头。对于高达500 MHz的大多数应用,黄铜和镍涂层应该足够了。

功率晶体管

很少有管设计正在进行,并且随着高压大功率半导体技术的蓬勃发展,许多优秀的半导体器件已经准备好处理相当大量的RF功率。

虽然在大多数情况下频率不会那么高,但电流承载能力和电压可能会很高。在大多数情况下,FET技术是最好的,因为它可以携带非常低的RDS(on)规格,同时做好切换工作。必须注意保护FET免受过应力,因为栅极处的薄氧化层会破裂。

NXP BLF578,112这样的部件在这里是不错的选择(图6)。该LDMOS RF FET可在高达108 MHz的频率下处理高达88 A的电流,并可实现1,000 W的输出电平。请注意陶瓷包装具有大的热容量和散热器。另外还有BLF178P,112,双版本配置为半桥。

射频能量的感应加热技术与设计解决方案

图6:所有高功率组件可能都需要散热和散热,但要小心:如果外壳和散热支架没有电气隔离,它们可能有不同的电压并且不能安装到普通导体上。

评估您的需求

最终,您需要焊接或退火的材料类型将决定满足您需求的最佳频率选择(或频率组合)。更重要的是,您需要加热或焊接的体积和横截面积将决定您需要的功率水平。

除了烹饪和焊接外,该技术的使用要求也较低。例如,金属编织可以用在TFT显示器中,以允许精确和有效的加热控制,允许显示器在-50℃下操作。与往常一样,了解RF技术的功能以及您需要为这些应用程序和其他应用程序实现的部分是成功的一半。

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ADF7021 高性能窄带ISM收发器IC

ADRF6602 1,000 MHz至3,100 MHz接收混频器,集成小数N分频PLL和VCO

和特点 集成小数N分频PLL的接收混频器 RF输入频率范围:1000 MHz至3100 MHz 内部LO频率范围:1550 MHz至2150 MHz 输入P1dB:+12 dBm 输入IP3:+29 dBm 通过外部引脚优化IP3 SSB噪声系数:12 dB 电压转换增益:6 dB 200 Ω IF输出匹配阻抗 IF 3 dB带宽:500 MHz 可通过三线式SPI接口进行编程 40引脚6 mm × 6 mm LFCSP封装 产品详情 ADRF6602是一款高动态范围有源混频器,集成PLL和VCO。PLL/频率合成器利用小数N分频PLL产生FLO输入,供给混频器。基准输入可以进行分频或倍频,然后施加于PLL鉴相器。PLL支持12 MHz至160 MHz范围内的输入基准频率。鉴相器输出控制一个电荷泵,其输出在片外环路滤波器中进行积分。然后,环路滤波器输出施加于一个集成式VCO。VCO输出(2*FLO)再施加于一个LO分频器和一个可编程PLL分频器。可编程分频器由一个Σ-Δ调制器(SDM)进行控制。SDM的模数可以在2至2047范围内编程。有源混频器可将单端50 Ω RF输入转换为200 Ω差分IF输出。IF输出的工作频率最高可达500 MHz。ADRF6602采用先进的硅-锗BiCMOS工艺制造,提供40引脚、裸露...
发表于 02-22 12:17 14次 阅读
ADRF6602 1,000 MHz至3,100 MHz接收混频器,集成小数N分频PLL和VCO

ADRF6603 1,100 MHz至3,200 MHz接收混频器,集成小数N分频PLL和VCO

和特点 集成小数N分频PLL的Rx混频器 RF输入频率范围:1100 MHz至3200 MHz 内部LO频率范围:2100 MHz至2600 MHz 输入P1dB:14.6 dBm 输入IP3:27 dBm 通过外部引脚优化输入IP3 SSB 噪声系数IP3SET引脚开路:14.2 dB IP3SET引脚3.3 V:15.2 dB 电压转换增益:6.9 dB 200 Ω IF输出匹配阻抗 IF 3 dB 带宽:500 MHz 可通过三线式SPI接口进行编程 40引脚、6 mm × 6 mm LFCSP封装产品详情 ADRF6603是一款高动态范围有源混频器,集成小数N分频锁相环(PLL)和压控振荡器(VCO),用于内部混频器LO的产生。ADRF6603与ADRF6602共同构成了一个集成PLL/混频器系列,涵盖2100 MHz至2600 MHz频率范围。PLL基准输入支持12 MHz至160 MHz范围内的输入频率。PFD输出控制一个电荷泵,其输出驱动一个片外环路滤波器。环路滤波器输出再施加于一个集成式VCO。VCO输出(2× fLO)施加于一个LO分频器和一个可编程PLL分频器。可编程PLL分频器由一个Σ-Δ调制器(SDM)进行控制。SDM的模数可以在1至2047范围内编程。有源混频器可将单端50 Ω RF输入转换为200 Ω差分...
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ADRF6603 1,100 MHz至3,200 MHz接收混频器,集成小数N分频PLL和VCO

HMC939ALP4E 1.0 dB LSB GaAs MMIC 5位数字衰减器,0.1 - 33 GHz

和特点 衰减范围:1 dB LSB步进至31 dB 插入损耗:典型值6 dB(33 GHz) 衰减精度:±0.5 dB(典型值) 输入线性度o0.1 dB压缩(P0.1dB):24 dBm(典型值)o三阶交调点(IP3):40 dBm(典型值) 功率处理:27 dBm 双电源供电:±5 V CMOS/TTL兼容并行控制 24引脚、4 mm × 4 mm LFCSP封装HMC939ATCPZ-EP支持防务和航空航天应用(AQEC标准) 下载HMC939ATCPZ-EP数据手册(pdf) 军用温度范围:-55°C至+125°C 受控制造基线 唯一封装/测试厂 唯一制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 产品详情 HMC939ALP4E是一款5位数字衰减器,以1 dB步长提供31 dB的衰减控制范围。HMC939ALP4E在100 MHz至33 GHz的指定频率范围内提供最佳的插入损耗、衰减精度和输入线性度。HMC939ALP4E需要VDD = +5 V和VSS = −5 V双电源电压供电,通过集成片内驱动器提供CMOS/TTL兼容并行控制接口。该器件采用符合RoHS标准的紧凑型4 mm × 4 mm LFCSP封装。有关HMC939ALP4E的裸片版本,请参见HMC939A-DIE。应用 测试仪器仪表 微波无线电和甚小孔径终端(VSAT) 军...
发表于 02-22 12:16 26次 阅读
HMC939ALP4E 1.0 dB LSB GaAs MMIC 5位数字衰减器,0.1 - 33 GHz

ADL5367 900 MHz 平衡混频器,内置高端本振(LO)缓冲器和RF巴伦

和特点 功率转换损耗:7.0 dB RF频率范围:500 MHz至1500 MHz IF频率范围:DC至450 MHz 10 dBm阻塞单边带噪声指数:17 dB 输入IP3:37 dBm 输入P1dB :25 dBm 本振驱动:0 dBm(典型值) 单端50Ω RF与本振输入端口 高隔离度单刀双掷(SPDT)本振输入开关 单电源电压:3.3至5 V 5 mm × 5 mm,20引脚裸露焊盘LFCSP封装 2000V HBM / 500V FICDM ESD性能产品详情 ADI参考设计:混合信号数字预失真(MSDPD)平台ADL5367利用一个高线性度双平衡无源混频器内核以及集成的RF与本振平衡电路来实现单端工作。ADL5367内置一个RF巴伦,能够利用高端本振注入,在700至1000 MHz的RF输入频率范围内实现最佳性能。(用于低端本振注入的引脚兼容器件也已供应。)平衡的无源混频器提供良好的本振至射频泄漏(典型值优于-20 dBm),以及出色的互调性能。在手机应用中,带内阻塞信号可能会导致动态性能下降,ADL5367的平衡混频器内核能够提供极高的输入线性度,非常适合于要求严苛的手机应用。对于低压应用,ADL5367能在低至3V的电压下工作,并大幅降低直流电流。两个数字逻辑输入使得用户能够控制一个内部电阻串数模...
发表于 02-22 12:16 30次 阅读
ADL5367 900 MHz 平衡混频器,内置高端本振(LO)缓冲器和RF巴伦

AD8346 2.5 GHz 直接变频正交调制器

和特点 输出频率范围:800 MHz至2.5 GHz I/Q基带频率范围:DC至70 MHz 输出功率:–3 dBm P1 dB 本底噪声:–147 dBm/Hz 正交相位精度:1°(均方根值) 振幅平衡:0.2 dB 低功耗,具有省电功能 2.7 V至5.5 V单电源 与 AD8345 / AD8349引脚兼容 产品详情 AD8346是一款硅I/Q正交调制器,设计用于800 MHz至2.5 GHz频率范围。该器件针对低功耗应用进行了优化,对于给定的电源电流,仍能提供极低的本底噪声和高输出功率。AD8346只需要–10 dBm LO驱动电平,提供额定50 Ω缓冲输出。该器件可提供出色的振幅和相位平衡以及边带抑制特性,支持高阶/高容量QAM调制无线电。此外,AD8346已经过测试,用于直接上变频CDMA IS95调试器时,可提供–72dBc ACPR。AD8346采用16引脚超薄紧缩小型(TSSOP)封装,额定温度范围为–40°C至+85°C。供货提供样片和评估板,产品型号分别为AD8346ARU和AD8346-EVAL。其它调制器/解调器产品AD8345 - 250MHz - 1GHz RF / IF正交调制器AD8347 – 800MHz - 2.7 GHz RF / IF正交解调器AD8349 – 800MHz - 2.7 GHz直接上变频正交调制器 方框图...
发表于 02-22 12:15 0次 阅读
AD8346 2.5 GHz 直接变频正交调制器

HMC1040-DIE 20 GHz 至 44 GHz、GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器

和特点 低噪声指数:2 dB(典型值) 高增益:25.0 dB(典型值) P1dB 输出功率:13.5 dBm,24 GHz 至 40 GHz 高输出 IP3:25.5 dBm(典型值) 裸片尺寸:1.309 mm × 1.48 × 0.102 mm 产品详情 HMC1040CHIPS 是一款砷化镓 (GaAs)、赝晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT)、微波单片集成电路 (MMIC) 低噪声宽带放大器,工作范围为 20 GHz 至 44 GHz。HMC1040CHIPS 具有自偏置功能,并提供 25.0 dB 的典型增益、2 dB 的典型噪声指数和 25.5 dBm 的典型输出三阶交调点 (IP3),只需要 65 mA 电流,2.5 V 电源电压。15.5 dBm 的典型饱和输出功率 (PSAT) 可以使低噪声放大器 (LNA) 用作 Analog Devices, Inc. 众多平衡式同样正交 (I/Q) 或镜频抑制混频器的本地振荡器 (LO) 驱动器。HMC1040CHIPS 还具有可在内部匹配至 50 Ω 的输入和输出,使其适用于基于表面安装技术 (SMT) 的高容量微波无线电应用。应用 软件定义无线电 电子战 雷达应用 卫星通信 电子战 仪器仪表 电信 方框图...
发表于 02-22 12:14 0次 阅读
HMC1040-DIE 20 GHz 至 44 GHz、GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器

ADL5541 射频/中频( RF/IF)增益模块,工作频率50 MHz 至6 GHz ,增益15 dB

和特点 固定增益:15 dB 工作频率:6 GHz 内部匹配的50Ω输入/输出电阻 内置偏置控制电路 输出IP3 44 dBm @ 500 MHz 40 dBm @ 900 MHz 输出1 dB压缩点:19.7 dBm @900 MHz 噪声系数:3.5 dB @ 900 MHz 单电源供电:5V 8引脚LFCSP小尺寸封装 与20 dB增益的ADL5542 引脚兼容 1 kV静电放电(ESD)保护(Class 1C) 产品详情 ADL5541是一款15 dB宽带的线性放大器,工作频率高达6 GHz。该放大器可以用于各种有线电视、手机以及仪器设备。 ADL5541可以提供15 dB增益,在频率、温度与电源范围内稳定工作, 器件一致性好。该增益模块内部匹配输入电阻为50Ω,在6 GHz以内其输入回波损耗为10 dB以下。它工作时只要求输入/输出交流耦合电容器、电源去耦合电容器以及外部电感。 ADL5541采用InGaP HBT工艺制作,静电放电(ESD)保护额定值为1 kV (Class 1C)。它采用3 mm × 3 mm LFCSP封装,带裸露焊盘,具有出色的热阻性能。 ADL5541采用5 V单电源供电,功耗90 mA,工作温度范围:-40°C至+85°C。 现在可以供应完全符合RoHS标准的评估板。 ADL5542为系列产品,可提供增益20 dB,与ADL55...
发表于 02-22 12:14 12次 阅读
ADL5541 射频/中频( RF/IF)增益模块,工作频率50 MHz 至6 GHz ,增益15 dB

AD8341 RF矢量调制器,1.5 GHz 至2.4 GHz

和特点 工作频率范围:1.5 GHz至2.4 GHz 幅度控制范围:30 dB 笛卡尔I/Q基带频率范围:DC至230 MHz 输出三阶交调截点:+17.5 dBm 相位控制范围:360° 输出1dB压缩点:+8.5 dBm 输出开关禁用功能 5V单电源 与AD8340引脚兼容 产品详情 单芯片RF振幅与移相器AD8341是一款高性能RF矢量调制器,输入频率范围为1.5 GHz至2.4 GHz,可连续、独立地调整振幅和相位。通过宽带笛卡尔I/Q接口,可实现完整的360°相位调整和30 dB以上的增益控制。I和Q接口提供230 MHz的全功率信号带宽,可通过单端或差分方式驱动,具有±500 mV满量程输入。AD8341采用24引脚LFCSP封装,额定温度范围为–40°C至+85°C。供货提供样片和评估板,产品型号分别为AD8341ACP和AD8341-EVAL。同类产品AD8302 - 低频至2.7 GHz RF/IF增益相位检波器AD8340 - RF矢量调制器,700 MHz至1000 MHz其它调制器/解调器产品AD8345 - 250 MHz至1000 MHz低噪声RF/IF调制器AD8346 - 800 MHz至2.5 GHz低功耗直接上变频调制器AD8347 - 800 MHz至2.7 GHz直接变频解调器AD8348 - 50 MHz至1000 MHz RF/IF正交解调器AD...
发表于 02-22 12:13 0次 阅读
AD8341 RF矢量调制器,1.5 GHz 至2.4 GHz

ADL6010 快速响应、45 dB 范围、 0.5 至 40 GHz 功率检波器

和特点 具有线性度的肖特基二极管检波器 宽带50 Ω输入阻抗 具有最小斜率变化的精确响应范围:0.5 GHz至43.5 GHz 输入范围:−30 dBm至+15 dBm,参考50 Ω 出色的温度稳定性 2.1 V/VPEAK(输出电压根据输入峰值电压)斜率(10 GHz) 快速包络带宽: 40 MHz 快速输出上升时间: 4 ns 低功耗: 1.6 mA (5.0 V) 2 mm x 2 mm、6引脚LFCSP封装 产品详情 ADL6010是一款多功能微波频谱宽带包络检波器, 以单个易于使用的6引脚封装提供一流的精度和极低的功耗(8 mW)。 该器件输出的基带电压与射频(RF)输入信号的瞬时幅度成正比。 它的RF输入具有非常小的斜率变化,以便包络从0.5 GHz到43.5 GHz的输出传递函数检波器单元使用专利的八肖特基二极管阵列,后接新颖的线性化电路,可创建相对于输入电压幅度,总比例因子(或传递增益)标称值为?2.2的线性电压表虽然ADL6010本质上并不是一款功率响应器件,但以这种方式指定输入依然是很方便的。 因此,相对于50 Ω源输入阻抗,允许的输入功率范围为−30 dBm至+15 dBm。 对应的输入电压幅度为11.2 mV至1.8 V,产生范围从25 mV左右到4 V以上共模(COMM)的准直流输出。平衡检波器拓扑...
发表于 02-22 12:12 24次 阅读
ADL6010 快速响应、45 dB 范围、 0.5 至 40 GHz 功率检波器

HMC253AQS24 GAAS MMIC SP8T非反射式开关,DC - 2.5 GHz

和特点 低插入损耗(2 GHz):1.1dB 单正电源:Vdd = +5V 集成式3:8 TTL解码器 24引脚QSOP封装 产品详情 HMC253AQS24和HMC253AQS24E均为低成本非反射SP8T开关,采用24引脚QSOP封装,宽带工作频率范围为DC至2.5 GHz。该开关提供单正偏置和真TTL/CMOS兼容性。该开关上集成了3:8解码器,仅需三个控制线和一个正偏置即可选择每个路径。HMC253AQS24和HMC253AQS24E SP8T将替代SP4T和SPDT MMIC开关的多种配置。应用 CATV/DBS CDMA 蜂窝/PCS 方框图...
发表于 02-22 12:10 26次 阅读
HMC253AQS24 GAAS MMIC SP8T非反射式开关,DC - 2.5 GHz

HMC647A GaAs MMIC 6位数字移相器,2.5-3.1 GHz

和特点 低RMS相位误差: 1.5° 低插入损耗: 4 dB 高线性度: +50 dBm 正控制逻辑 360°覆盖,LSB = 5.625° 28引脚QFN无引脚SMT封装: 36mm2产品详情 HMC647ALP6E是一款6位数字移相器,额定频率范围为2.5至3.1 GHz,提供360度相位覆盖,LSB为5.625度。 HMC647ALP6E在所有相态具有1.5度的极低RMS相位误差及±0.4 dB的极低插入损耗变化。 此款高精度移相器通过0/+5V的正控制逻辑控制。HMC647ALP6E采用紧凑型6x6 mm塑料无引脚SMT封装,内部匹配50 Ohms,无需任何外部元件。 应用 EW接收器 气象和军用雷达 卫星通信 波束成形模块 相位抵消 方框图...
发表于 02-22 12:07 14次 阅读
HMC647A GaAs MMIC 6位数字移相器,2.5-3.1 GHz

ADMV1011 17 GHz至24 GHz、GaAs、MMIC、I/Q上变频器

和特点 RF输出频率范围:17 GHz至24 GHz IF输入频率范围:2 GHz至4 GHz LO输入频率范围:8GHz至12 GHz,集成2×乘法器 边带抑制:32 dB(下边带) P1dB:25 dBm 增益调节:30 dB 输出IP3:33 dBm 匹配50 Ω RF输出、LO输入和IF输入 32引脚、4.9 mm × 4.9 mm LCC封装 产品详情 ADMV1011是一款采用紧凑的砷化镓(GaAs)设计、单芯片微波集成电路(MMIC)、双边带(DSB)上变频器,采用符合RoHS标准的封装,针对工作频率范围为17 GHz至24 GHz的点对点微波无线电设计进行优化。ADMV1011提供21 dB的转换增益,具有针对下边带和上边带的32 dBc和23 dBc边带抑制性能。ADMV1011采用射频(RF)放大器,前接由驱动放大器驱动集成2×乘法器的本振(LO)的同相/正交(I/Q)双平衡混频器。还提供IF1和IF2混频器输入,需通过外部90°混合选择所需的边带。I/Q混频器拓扑结构则降低了干扰边带的滤波要求。ADMV1011为混合型DSB上变频器的小型替代器件,它无需线焊,可以使用表贴制造装配。ADMV1011上变频器采用紧凑的散热增强型、4.9 mm × 4.9 mm LCC封装。ADMV1011工作温度范围为−40°C至+85°...
发表于 02-22 12:06 20次 阅读
ADMV1011 17 GHz至24 GHz、GaAs、MMIC、I/Q上变频器

AD8343 DC至2.5 GHz 、高IP3有源混频器

和特点 高性能有源混频器 宽带操作,频率最高达2.5 GHz 转换增益:7 dB 输入IP3:16.5 dBm LO驱动:–10 dBm 噪声系数:14 dB 输入P1dB:2.8 dBm 差分LO、IF和RF端口 50 Ω LO输入阻抗 单电源供电:5 V(50 mA,典型值) 省电模式:20 µA(典型值)产品详情 AD8343是一款高性能、宽带有源混频器,具有极低交调失真,所有端口均具有宽带宽,非常适合要求严格的发射应用或接收通道应用。AD8343的典型变频增益为7 dB。集成的LO驱动器以低LO驱动电平,支持50 Ω差分输入阻抗,有助于将外部元件数降至最少。开发差分输入可以直接与差分滤波器接口,或通过平衡-不平衡变换器(变压器)驱动,由单端源提供平衡驱动。开集差分输出可以用来驱动差分中频信号接口,或通过匹配网络或变压器转换为单端信号。以VPOS电源电压为中心时,输出摆幅为±1 V。LO驱动器电路的典型功耗为15 mA。可利用两个外部电阻来设置混频器内核电流,以达到要求的性能,总电流为20 mA至60 mA。采用5 V单电源供电时,相应的功耗为100 mW至300 mW。AD8343采用ADI公司的高性能25 GHz硅双极性IC工艺制造,提供14引脚TSSOP封装,工作温度范围为−...
发表于 02-22 12:06 11次 阅读
AD8343 DC至2.5 GHz 、高IP3有源混频器

ADF7023 高性能、低功耗ISM频段FSK/GFSK/OOK/MSK/GMSK收发器IC

和特点 超低功耗、高性能收发器 工作频段862 MHz至928 MHz431 MHz至464 MHz 支持的数据速率:1 kbps至300 kbps 电源电压范围:2.2 V至3.6 V 单端和差分PA 中频带宽可编程的低中频接收机:100 kHz、150 kHz、200 kHz、300 kHz 接收机灵敏度(BER)−116 dBm(1.0 kbps,2FSK、GFSK)−107.5 dBm(38.4 kbps,2FSK、GFSK)−102.5 dBm(150 kbps,GFSK、GMSK)−100 dBm(300 kbps,GFSK、GMS)−104 dBm(19.2 kbps,OOK) 极低功耗 RF输出功率范围:−20 dBm至+13.5 dBm(单端PA) 欲了解更多特性,请参考数据手册产品详情 ADF7023是一款工作在862 MHz至931 MHz和431 MHz至464 MHz频段的极低功耗、高集成度2FSK/GFSK/OOK/MSK/GMSK收发器,这些频段覆盖免许可的433MHz、868MHz和915MHz ISM频段。它适合欧洲ETSI EN300-220、北美FCC (Part 15)、中国短程无线监管标准或其它类似地区标准下的电路应用。支持1 kbps至300 kbps的数据速率。发射RF频率合成器包含一个VCO和一个输出通道频率分辨率为400 Hz的低噪声小数N分频锁相环(PLL)。VCO的工作频...
发表于 02-22 12:06 26次 阅读
ADF7023 高性能、低功耗ISM频段FSK/GFSK/OOK/MSK/GMSK收发器IC

HMC-C584 0.1 GHz至40 GHz、31 dB、5位数字衰减器

和特点 1.0 dB LSB步进至31 dB 每位单正控制线 误码率:±1.0 dB(典型值) 输入IP3: 43 dBm CMOS兼容控制 密封模块 可现场更换的K型连接器 工作温度: -55℃至+85℃ 产品详情 HMC-C584是一款0.1 GHz至40 GHz、5位、砷化镓(GaAs) IC数字衰减器,封装在微型密封模块中。 这款宽带衰减器具有7 dB的典型插入损耗和43 dBm的输入IP3,位值为1 dB (LSB)、2 dB、4 dB、8 dB和16 dB,总衰减范围为31 dB。 该器件的衰减精度很高,典型步长误差为±1.0 dB。 五个控制电压输入在0 V和5 V之间切换,用于选择每个衰减状态。 可移除的K型连接器可以拆卸,以便将模块的输入/输出引脚直接连接到微带或共面电路。应用 光纤和宽带电信 微波无线电和VSAT 军用无线电、雷达和电子对抗(ECM) 空间系统 测试仪器仪表 方框图...
发表于 02-22 12:06 24次 阅读
HMC-C584 0.1 GHz至40 GHz、31 dB、5位数字衰减器

ADRF6601 750 MHz至1160 MHz接收混频器,集成小数N分频PLL和VCO

和特点 集成小数N分频PLL的接收混频器 RF输入频率范围:300 MHz至2500 MHz 内部LO频率范围:750 MHz至1160 MHz 输入P1dB:14.5 dBm 输入IP3:31 dBm 通过外部引脚优化IIP3 SSB噪声系数IP3SET引脚断开:13.5 dBIP3SET引脚接3.3 V电压:14.6 dB 电压转换增益:6.7 dB 200 Ω IF输出匹配阻抗 IF 3 dB带宽:500 MHz 可通过三线式SPI接口进行编程 40引脚、6 mm × 6 mm LFCSP封装 产品详情 ADRF6601是一款高动态范围有源混频器,集成锁相环(PLL)和压控振荡器(VCO)。PLL/频率合成器利用小数N分频PLL产生fLO输入,供给混频器。基准输入可以进行分频或倍频,然后施加于PLL鉴频鉴相器(PFD)。PLL支持12 MHz至160 MHz范围内的输入基准频率。PFD输出控制一个电荷泵,其输出驱动一个片外环路滤波器。然后,环路滤波器输出施加于一个集成式VCO。VCO输出(2 × fLO)再施加于一个LO分频器和一个可编程PLL分频器。可编程PLL分频器由一个Σ-Δ调制器(SDM)进行控制。SDM的模数可以在1至2047范围内编程。有源混频器可将单端50 Ω RF输入转换为200 Ω差分IF输出。...
发表于 02-22 12:06 31次 阅读
ADRF6601 750 MHz至1160 MHz接收混频器,集成小数N分频PLL和VCO

ADRF6720-27 宽带(400 MHz至3 GHz)正交调制器,集成PLL/VCO和2.68 V输入偏置

和特点 集成小数N分频PLL的I/Q调制器 RF输出频率范围: 400 MHz至3,000 MHz 内部LO频率范围: 356.25 MHz至2855 MHz 输出P1dB: 10.8 dBm (2140 MHz) 输出IP3: 31.1 dBm (2140 MHz) 载波馈通: −44.3 dBm (2140 MHz) 边带抑制: -40.8 dBc(2,140 MHz) 噪底: −159.5 dBm/Hz (2140 MHz) 基带1 dB调制带宽: >1000 MHz 基带输入偏置电平: 2.68 V 电源: 3.3 V /425 mA 集成式RF可调谐巴伦,允许单端RF输出 多核集成式VCO HD3/IP3优化 边带抑制和载波馈通优化 高端/低端LO注入 可通过三线式串行端口接口(SPI)进行编程 40引脚6 mm x 6 mm LFCSP封装 产品详情 ADRF6720-27是一款集成频率合成器的宽带正交调制器,非常适合用于3G和4G通信系统。 ADRF6720-27内置一个高线性度宽带调制器、一个集成式小数N分频锁相环(PLL),以及四个低相位噪声多核压控振荡器(VCO)。 ADRF6720-27本振(LO)信号可从内部通过片内整数N分频或小数N分频频率合成器产生,也可从外部通过高频、低相位噪声LO信号产生。 内部集成式频率合成器利用多核VCO,实现356.25 MHz到28...
发表于 02-22 12:06 22次 阅读
ADRF6720-27 宽带(400 MHz至3 GHz)正交调制器,集成PLL/VCO和2.68 V输入偏置

ADRF6658 集成IF放大器的宽带双通道RX混频器

和特点 宽带、双通道、有源下变频混频器 低失真、快速建立、IF DGA RF输入频率范围:690 MHz至3.8 GHz RF输入端的可编程巴伦 差分和单端LO输入模式 差分IF输出阻抗:100 Ω 可通过三线式串行端口接口(SPI)进行编程 对于RF=1950 MHz、IF=281 MHz、高线性度模式: 电压转换增益,包括IF滤波器损耗:−5至+26.5 dB (更多详细信息,请参见数据手册) 灵活的省电模式,针对低功耗操作 通道使能后的上电时间:100 ns,典型值 3.3 V单电源 高线性度模式:440 mA 低功耗模式:260 mA 产品详情 ADRF6658是一款高性能、低功耗、宽带、双通道无线电频率(RF)下变频器,集成中频(IF)数字控制放大器(DGA),适用于宽带、低失真基站无线电接收机。 双通道Rx混频器为双平衡吉尔伯特单元混频器,具有高线性度和出色的图像抑制能力。 两款混频器均可将50 Ω RF输入转换为开集宽带IF输出。 在混频器输入前,RF输入端的内部可调谐巴伦可抑制RF信号谐波并衰减带外信号,从而减少输入反射和带外干扰信号。 灵活的本振(LO)架构允许使用差分或单端LO信号。 双通道IF DGA基于ADL5201和ADL5202,固定差分输出...
发表于 02-22 12:05 21次 阅读
ADRF6658 集成IF放大器的宽带双通道RX混频器

HMC6300 60 GHz毫米波发射器,57 GHz - 64 GHz

和特点 频段:57 - 64 GHz RF信号带宽:最高达1.8 GHz 针对1 dB压缩的输出功率:15 dBm 增益:5 - 35 dB 数字和模拟RF和IF增益控制 集成频率合成器 集成镜像抑制滤波器 部分外置的环路滤波器 支持外部LO 片内温度传感器 支持256-QAM调制 集成MSK调制器 通用模拟I/Q基带接口 三线式串行数字接口 符合RoHS标准的65引脚晶圆级球栅阵列封装 产品详情 HMC6300BG46是一款完整的毫米波发射器集成电路,采用符合RoHS标准的6 mm x 4 mm晶圆级球栅阵列(WLBGA)封装,工作频率范围为57 GHz至64 GHz,调制带宽高达1.8 GHz。集成式频率合成器在250、500或540 MHz步长下进行调谐,具有出色的相位噪声,支持高达64-QAM的调制。或者,可以注入外部LO,它支持用户可选LO特性或相位相干发射和接收操作以及高达256-QAM的调制。通过通用模拟基带IQ接口提供对各种调制格式的支持。发射器芯片还支持专用FSK、MSK、OOK调制格式,从而实现更低成本和功耗的串行数据链路,而无需使用高速数据转换器。差分输出向100 Ω负载提供高达15 dBm的线性输出功率。同时支持单端操作,最高12 dBm。与HMC6301BG46一起,完整的60 G...
发表于 02-22 12:05 17次 阅读
HMC6300 60 GHz毫米波发射器,57 GHz - 64 GHz