SK海力士的M16工厂将用上最先进的EUV光刻工艺

今年10月份SK Hynix才刚刚建成最新的M15晶圆厂，这是2015年全球最大的存储芯片工厂M14落成时SK Hynix宣布的46万亿韩元投资计划中的一部分，M15工厂位于韩国忠清南道的清州市，投资额高达15万亿韩元，主要生产3D NAND闪存，初期将生产现在的72层堆栈3D NAND，不过明年初就会转向96层堆栈的3D NAND闪存。

着NAND闪存及DRAM内存不断降价，2019年存储芯片市场将迎来一轮熊市。为了应对降价导致的损失，三星、SK Hynix及美光都计划削减资本支出，不过削减并不意味着他们不再建设芯片工厂了。

就在本周三，也就是12月19日，SK海力士位于无锡的M16工厂正式举行开工典礼，预计2020年正式建成，总投资额还没确定，不过也不会低于15万亿韩元，其中基础设施建设就要3.5万亿韩元，占地面积30英亩。这座工厂最终会生产DRAM内存还是NAND闪存都没确定，SK Hynix表示这要看落成时的市场需求以及工厂的技术水平来决定。

不过有一点可以肯定的，M16工厂将会用上最先进的EUV光刻工艺——存储芯片跟逻辑芯片不同，虽然对EUV光刻工艺的需求没那么高，不过三星、SK Hynix依然计划在未来使用EUV工艺生产存储芯片，而美光对EUV的态度就比较保守，未来两代的内存芯片依然不会用到EUV光刻工艺。

据ASML证实，此次入驻SK海力士无锡工厂确为NXT2000i，也即NXT2000。ASML解释道，i是immersion的意思。NXT2000都是immersion的机器。

今年8月份曾有消息表示，ASML已经开始出货新品Twinscan NXT2000i DUV（NXT2000i双工件台深紫外光刻机），可用于7nm和5nm节点。

NXT2000i将是NXE3400B EUV光刻机的有效补充，毕竟台积电/GF的第一代7nm都是基于DUV工艺。

同时，NXT2000i也成为了ASML旗下套刻精度（overlay）最高的产品，达到了和3400B一样的1.9nm（5nm要求至少2.4nm，7nm要求至少3.5nm）。

当时ASML只表示这款性能出众的光刻机将于本年度末正式量产，尚未确定光刻机的价格。根据媒体的估计，按照目前ASML的定位，这款光刻机的定价应该在几千万至上亿美元之间。ASML的3400B EUV光刻机的报价是1.2亿美元一台，而14nm节点的光刻机报价则在7200万美元。