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盘点我国芯片产业细分领域龙头企业

芯资本 2018-12-03 15:44 次阅读

首先,我们来看看芯片的分类:

日常生活中,我们可以发现芯片的种类比如有通信芯片、人工智能芯片、LED芯片、电脑芯片等等。

芯片的产业链是这样的:

根据产业链划分,芯片从设计到出厂的核心环节主要包括 6 个部分:

(1)设计软件,芯片设计软件是芯片公司设计芯片结构的关键工具,目前芯片的结构设计主要依靠 EDA(电子设计自动化)软件来完成;

(2)指令集体系,从技术来看,CPU 只是高度集合了上百万个小开关,没有高效的指令集体系,芯片没法运行操作系统和软件;

(3)芯片设计,主要连接电子产品、服务的接口

(4)制造设备,即生产芯片的设备;

(5)圆晶代工,圆晶代工厂是芯片从图纸到产品的生产车间,它们决定了芯片采用的纳米工艺等性能指标;

(6)封装测试,是芯片进入销售前的最后一个环节,主要目的是保证产品的品质,对技术需求相对较低。

总体来看,在指令集、设计等产业环节中绝大多数技术壁垒比较高的环节,中国芯片产业地位非常薄弱,与欧美芯片产业企业存在较大差距,而在圆晶代工、封装测试等技术要求相对不高的环节,中国凭借其劳动力优势,则有望率先崛起,成为有希望赶超世界平均水平的领域。

国内芯片产业链及主要厂商梳理:

图片来自:西南证券研报

芯片的各个细分领域龙头有哪些呢?

国内存储芯片设计龙头是兆易创新;

国产GPU龙头是景嘉微;

扬杰科技是我国半导体分立器件龙头;

中芯国际是我国内地晶圆代工龙头;

三安光电是全球LED芯片龙头;

士兰微是国内IDM优质企业;

北方华创是国产半导体设备龙头;

至纯科技为A股唯一一家高纯工艺系统集成供应商;

晶瑞股份是国内微电子化学品领先企业;

中科曙光是国内高性能计算的龙头企业;

紫光国芯是紫光集团旗下半导体行业上市公司,是目前国内领先的集成电路芯片设计和系统集成解决方案供应商;

北京君正是嵌入式处理器芯片领先企业;

中颖电子是国内优质的IC设计公司;

汇顶科技是全球生物识别芯片领先企业;

长电科技是国产半导体封测龙头;

除了上面的细分领域龙头值得进一步研究之外,还可以关注国家集成电路产业基金(简称“大基金”)这几年的投资标的。

光大证券对“大基金”投资标的进行了汇总,截至2018年1月19日,大基金已成为50多家公司股东,涉及18家A股公司、3家港股公司,目前大基金持股市值超200亿元。

以下是梳理了一些比较好的A股芯片公司

兆易创新:国产存储龙头

作为国产存储龙头,兆易创新位列全球Nor flash市场前三位,且随着日美公司的退出,市场份额不断提高;存储价格不断高涨,公司的盈利能力亮眼。

公司打造IDM存储产业链。2017年10月,公司和合肥市产业投资控股(集团)有限公司签署了存储器研发相关合作协议,合作开展工艺制程19nm存储器的12英寸晶圆存储器(含DRAM 等)研发项目,即合肥长鑫,目前研发进展顺利。

江丰电子:国产靶材龙头

超高纯金属及溅射靶材是生产超大规模集成电路的关键材料之一,公司的超高纯金属溅射靶材产品已应用于世界著名半导体厂商的最先端制造工艺,在16 纳米技术节点实现批量供货,成功打破美、日跨国公司的垄断格局,同时还满足了国内厂商28 纳米技术节点的量产需求,填补了我国电子材料行业的空白。

公司与美国嘉柏合作CMP项目,并已于2017年11月获得第一张国产CMP研磨垫的订单。

北方华创:国产设备龙头

北方华创作为设备龙头,深度受益本轮晶圆厂扩建大潮,公司业务涵盖集成电路、LED、光伏等多个领域,多项设备进入14纳米制程。

公司产品线覆盖刻蚀机、PVD、CVD、氧化炉、清洗机、扩散炉、MFC等七大核心品类,下游客户以中芯国际、长江存储、华力微电子等国内一线晶圆厂为主。

紫光国芯:存储设计+ FPGA

公司是国内的存储芯片设计龙头,公司的布局包括收购山东华芯持有的西安华芯51%股权,合计持股增至76%,实现跻身国内存储器设计第一梯队的目标。目前,公司新开发的DDR4产品正在验证优化中。公司近期开始发力FPGA。

高德红外:红外芯片龙头

作为国内唯一掌握二类超晶格焦平面探测器技术的厂商,高德红外已研制成功工程化产品,意味着在光电“反导”、“反卫”等空白领域实现新的突破。同时,大批量、低成本核心器件的民用领域推广、应用,也奠定了中国制造红外芯片在国内乃至国际上红外行业的竞争地位。

上证资讯了解到,2017年,公司军品订单受军改影响有部分延期,而最新的消息是延期订单将恢复,同时不影响2018年度新的采购计划。

华泰证券认为,垂直分工已成为半导体行业经营模式的发展方向。主要是以下三个部分:设计、制造、封测。收入分别约占产业链整体销售收入的27%、51%和22%。

芯片设计公司

中国前十强依次为华为海思、清华紫光展锐、中兴微电子、华大半导体、智芯微电子、汇顶科技、士兰微、大唐半导体、敦泰科技和中星微电子。

重要公司:

第一名:海思

各位用的华为手机里面就有大量的海思处理器和海思基带芯片,另外买的智能电视,安防系统也有海思的芯片,海思在长时间内将是中国最大的芯片设计公司,未来将随着华为集团的增长而上升。世界第一名高通,2016年营收154亿美元,是海思的3.5倍。

第二名:紫光展锐

展讯,锐迪科合并之后成立,目前是三星手机处理器和基带芯片除自家产品之外的最大供应商,你买的三星手机,主要是中低端系列,里面的芯片是紫光展锐的。

第三名:中兴微电子

主要是自家的通信设备用的部分芯片,手机芯片也还是外购。

第四名:华大半导体

是中国电子信息产业集团有限公司(CEC)整合旗下集成电路企业而组建的集团公司。在智能卡及安全芯片、智能卡应用、模拟电路、新型显示等领域占有较大的份额。目前华大半导体旗下已经有三个上市企业,包括A股上海贝岭和港股公司中电控股、晶门科技。

第五名:智芯微电子

是国网信息产业集团全资子公司,涉及芯片传感、通信控制、用电节能三大业务方向,致力于成为以智能芯片为核心的高端产品、技术、服务和整体解决方案提供商。

第六名:汇顶科技

是一家上市公司,该公司在指纹识别芯片领域已经做到了世界第二,在全球范围内仅次于给苹果提供指纹识别芯片的AuthenTec。

第七名:士兰微电子

LED照明驱动IC是其主要业务收入之一,还给家电企业提供变频电机控制芯片。

第八名:大唐半导体

以智能终端芯片、智能安全芯片、汽车电子芯片为核心的产业布局。

第九名:敦泰科技

于2005年在美国成立,致力于人机界面解决方案的研发,为移动电子设备提供最具竞争力的电容屏触控芯片、TFT LCD显示驱动芯片、触控显示整合单芯片(支持内嵌式面板的IDC)、指纹识别芯片及压力触控芯片等。

第十名:中星微电子

占领全球计算机图像输入芯片60%以上的市场份额。2005年,中星微电子在美国纳斯达克证券市场成功上市, 2016年初,中星微推出了全球首款集成了神经网络处理器(NPU)的SVAC视频编解码SoC,使得智能分析结果可以与视频数据同时编码,形成结构化的视频码流。该技术被广泛应用于视频监控摄像头,开启了安防监控智能化的新时代。

重点上市公司有:紫光国芯、兆易创新(存储器)、汇顶科技、士兰微(IDM)、大唐电信、全志科技、中颖电子(家电MCU、锂电等)、北京君正、艾派克、富瀚微等。

芯片制造领域

半导体产业制造与面板产业相似,属于资产和技术密集型产业,设备需求量大、技术含量高、附加值高。单厂投资在百亿量级,资料显示一条最先进12英寸晶圆生产线需投资约450亿元,台积电的3纳米工厂投资预计200亿美元。重点上市公司有:中芯国际、华虹半导体等。

存储芯片领域

目前国内三大存储器厂商正处于紧锣密鼓的施工阶段,预计2018上半年陆续进入设备安装阶段,新一轮的设备入厂调试安装大戏即将上演。

长江存储:2016年3月,总投资约1600亿元人民币的国家存储器基地在武汉启动。四个月后“长江存储”集团正式成立,紫光集团参与了长江存储的二期出资。据武汉新芯介绍,长江存储的注册资本分两期出资。一期由国家集成电路产业投资基金、湖北国芯产业投资基金和武汉新芯股东湖北省科技投资集团共同出资,在武汉新芯集成电路制造有限公司(即“武汉新芯”)的基础上建立长江存储。二期将由紫光集团和国家集成电路产业投资基金共同出资。长江存储将以芯片制造环节为突破口,集存储器产品设计、技术研发、晶圆生产与测试、销售于一体,预计到2020年形成月产能30万片的生产规模,到2030年建成每月100万片的产能。

晋华存储器集成电路生产项目就坐落在泉州晋江的集成电路产业园,由福建省电子信息集团和泉州、晋江两级政府共同投建,总规划面积594亩,一期投资370亿元,建设内容包括晶圆制造、产业链配套等,预计2018年9月形成月产6万片12寸先进制程内存晶圆的生产规模。项目建成后将填补我国主流存储器领域空白。据悉,作为国家重点支持的DRAM存储器生产项目,晋华项目已纳入国家“十三五”集成电路重大生产力布局规划重大项目清单,并获得国家专项建设基金支持。

合肥长鑫:是由北京兆易创新(GigaDevice)与合肥市政府合作的存储器项目。投资72亿美元(约新台币2,166.46亿元),兴建12寸晶圆厂以发展DRAM产品,未来完成后,预计最大月产将高达12.5万片规模。

封测领域

重点上市公司有:长电科技(龙头)、华天科技(财务指标优秀)、通富微电、太极实业(DRAM封测、洁净室)、深科技等。

集成电路设备

中国仅有4家位列全球规模以上晶圆制造装备商,占比7%:根据Gartner发布的全球规模以上晶圆制造装备商的报告显示,其统计范围共有58家装备公司,中国仅占4席,分别是北方华创、中微半导体、盛美半导体和Mattson(2016年被亦庄国投收购),其他分别位于日本21家,欧盟13家,美国10家,韩国7家,以色列3家。

重点上市公司有:高端IC 工艺装备龙头北方华创、检测设备领先企业长川科技(覆盖制造和封装全领域)、高纯工艺龙头至纯科技(光刻、刻蚀等,这些环节都会用到化学品和特种气体,对纯度具有很高的要求。至纯科技就是控制气体的纯度的)和单晶设备龙头晶盛机电等。

半导体材料

中国半导体制造材料产业保持持续增长态势。2016年中国半导体材料企业销售收入256亿元。预计2018年之后中国将成为全球第三大市场。材料供应链的本土化不仅有利于制成成本的控制、服务的快速及时响应、技术的安全可控,所带来的产业协同效应好处更多。

重点上市公司有:随着试剂纯化和运输技术的不断突破,湿电子化学品在短期内放量比较确定,建议重点关注国内龙头晶瑞股份,江化微;靶材是目前国内半导体材料最先打入半导体核心产业链的子行业,建议重点关注国内靶材龙头江丰电子;大尺寸硅片也是未来方面比较确定的一个领域,建议关注已经处于试产认证阶段先锋公司的上海新阳。此外,在光刻胶领域的南大光电、CMP抛光垫领域的鼎龙股份等有望率先技术突破,早日实现进口替代。

原文标题:我国芯片产业各细分领域龙头名单!

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发表于 06-21 09:43 57次 阅读
请问是否有C的例程关于两者如何通信?

请问有单个二选一数据选择器的芯片吗?

请问有单个二选一数据选择器的芯片吗?我现在找到的都是四二选一的,用起来比较浪费...
发表于 06-20 23:20 28次 阅读
请问有单个二选一数据选择器的芯片吗?

BAS16XV2 开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。 引线表面处理:100%哑光锡(锡) 合格回流温度:260°C 极小型SOD-523封装 适用于汽车和其他应用的S前缀,需要独特的现场和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:14 2次 阅读
BAS16XV2 开关二极管

BAS16T 100 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。 可提供无铅封装* 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:14 2次 阅读
BAS16T 100 V开关二极管

BAS16W 100 V开关二极管

信息开关二极管设计用于超高速开关应用。该器件采用SC-70封装,专为低功耗表面贴装应用而设计。 可提供无铅封装 适用于汽车和其他应用的S前缀,需要独特的站点和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:14 26次 阅读
BAS16W 100 V开关二极管

BAS16SL 小信号二极管

信息小信号二极管 低正向压降 快速开关 非常小的薄型 最大剖面高度为0.43mm 尺寸为1.0 x 0.6mm
发表于 04-18 19:14 40次 阅读
BAS16SL 小信号二极管

BAS16P2 100 V开关二极管

信息 BAS16P2T5G开关二极管是我们广受欢迎的SOT-23三引线器件的衍生产品。它专为开关应用而设计,安装在SOD-923表面该封装非常适合低功率表面贴装应用,其中电路板空间非常宝贵。 极小的SOD-923封装
发表于 04-18 19:13 28次 阅读
BAS16P2 100 V开关二极管

BAS16 (Legacy Fairchild)开关二极管,85 V 200 mA

信息 SOT-23封装中的开关二极管。 高 - 速度切换应用
发表于 04-18 19:13 33次 阅读
BAS16 (Legacy Fairchild)开关二极管,85 V 200 mA

BAS16DXV6 双开关二极管,100 V

信息采用SOT-563封装的双开关二极管。 引脚表面处理:100%无光泽锡(锡) 合格回流焊温度:260°C 超小型SOD-523封装 适用于汽车和其他应用的S前缀,需要独特的现场和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:13 34次 阅读
BAS16DXV6 双开关二极管,100 V

BAS116T 75 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。该器件采用SC-75表面贴装封装,非常适合自动插入。 低漏电流应用 中速开关时间 这些器件是无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准
发表于 04-18 19:13 38次 阅读
BAS116T 75 V开关二极管

BAS16H 100 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。 S汽车及其他应用的前缀,需要独特的现场和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:13 42次 阅读
BAS16H 100 V开关二极管

BAS116L 75 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。该器件采用SOT-23表面贴装封装,非常适合自动插入。 低漏电流应用 中速开关时间 8 mm卷带和卷盘 - 使用BAS116LT1订购7英寸/ 3,000单位卷轴 Pb - 免费套餐。 汽车和其他应用的S前缀,需要独特的站点和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:13 40次 阅读
BAS116L 75 V开关二极管

BAR43 肖特基二极管

信息 BAR43 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。
发表于 04-18 19:13 44次 阅读
BAR43 肖特基二极管

BAR43C 肖特基二极管

信息 BAR43C 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。
发表于 04-18 19:13 51次 阅读
BAR43C 肖特基二极管

BAR43S 肖特基二极管

信息 BAR43S 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。
发表于 04-18 19:13 52次 阅读
BAR43S 肖特基二极管

BAL99L 70 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。该器件采用SOT-23表面贴装封装,非常适合自动插入。 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:13 48次 阅读
BAL99L 70 V开关二极管

A5191HRT 工业HART协议调制解调器

信息 A5191HRT是一款单芯片CMOS调制解调器,适用于高速公路可寻址远程传感器(HART)现场仪表和主机。调制解调器和一些外部无源组件提供满足HART物理层要求所需的所有功能,包括调制,解调,接收滤波,载波检测和发送信号整形。 A5191HRT与SYM20C15引脚兼容。有关引脚与SYM20C15兼容性的详细信息,请参见引脚说明和功能描述部分。 A5191HRT使用每秒1200位的相位连续频移键控(FSK)。为了节省功率,接收电路在发送操作期间被禁用,反之亦然。这提供了HART通信中使用的半双工操作。 低功耗 Bell 202移位频率为1200 Hz和2200 Hz 单芯片,半 - 双工1200比特FSK调制解调器 发送信号波形整形 接收带通滤波器 满足HART物理层要求 CMOS兼容 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:13 40次 阅读
A5191HRT 工业HART协议调制解调器

CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25128是一个128 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式(0,0和1,1) 工业和扩展温度范围 自定时写周期 64字节页写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留< / li> 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 具有永久写保护的附加标识页...
发表于 04-18 19:13 40次 阅读
CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25256是一个256 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0)和(1,1) ) 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页(新产品) 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留 1,000,000编程/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护< / li> - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业和扩展温度范围 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘UDFN和TDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:13 38次 阅读
CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:13 44次 阅读
CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25160 16-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25080 / 25160是8-kb / 16-kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为1024x8 / 2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25080 / 25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 32字节页写缓冲区 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 符合RoHS标准的8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装...
发表于 04-18 19:13 48次 阅读
CAT25160 16-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

MC10EP32 3.3 V / 5.0 V ECL÷·2分频器

信息 MC10 / 100EP32是一个集成的2分频器,具有差分CLK输入。 V 引脚是内部产生的电源,仅适用于该器件。对于单端输入条件,未使用的差分输入连接到V 作为开关参考电压。 V 也可以重新连接AC耦合输入。使用时,通过0.01μF电容去耦V 和V ,并限制电流源或吸收至0.5mA。不使用时,V 应保持开路。复位引脚是异步的,并在上升沿置位。上电时,内部触发器将达到随机状态;复位允许在系统中同步多个EP32。 100系列包含温度补偿。 350ps典型传播延迟 最大频率> 4 GHz典型 PECL模式工作范围:V = 3.0 V至5.5 V V = 0 V NECL模式工作范围:V = 0 V ,其中V = -3.0 V至-5.5 V 打开输入默认状态< / li> 输入安全钳位 Q输出打开或V 无铅封装可用时默认为低电平 < / DIV>...
发表于 04-18 19:13 40次 阅读
MC10EP32 3.3 V / 5.0 V ECL÷·2分频器