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体内芯片代替员工卡,是便捷还是侵犯隐私?

电子发烧友网 2018-11-16 14:19 次阅读

1.体内芯片代替员工卡,是便捷还是侵犯隐私?

据消息,这个芯片的主要用于取代原本用于内部识别的员工卡,可以授予员工在公司的各项访问权以及用于支付,例如购买食物和使用打印机。同时还能限制员工对某些禁区的访问,防止机密外泄。员工可以自己决定是否植入芯片,如果选择植入芯片,这枚芯片将会被植入到员工的拇指或者食指中,整个植入过程只需要几秒钟就能完成。植入后,这种芯片的工作方式与非接触式支付系统类似,员工只需要将手伸向感测装置就能激活。

2.长江存储3D NAND好消息频传!32层年底投产、64层明年投产

据报道,近日,长江存储好消息频传,继32层3D NAND将于2018年底前投产,又有业内人士透露,Xtacking架构64层NAND已送样至合作伙伴进行测试。长江存储有望在2020年进入128层3D NAND并与国际大厂展开竞争。

3.联电:dram设计与美光完全不同 与晋华合作属商业交易

据报道,近日台湾联华电子在其公司网站上发布有关近期和美光及美国法律案件的后续声明,表示联华电子的DRam技术基础里的元件设计,是完全不同于美光公司的设计。对于和福建晋华的合作,联华电子表示,只是一个符合所有合理商业考量的单纯商业交易。

4.台积电10月份营收接近33亿美元 前10个月营收273亿美元

据报道,芯片代工商台积电公布的数据显示,其在10月份的营收接近33亿美元,今年前10个月的营收则是已经超过了270亿美元。台积电已经在官网公布了10月份的营收数据,也更新了今年的营收数据。从公布的数据来看,台积电在10月份的营收为1015.5亿新台币,折合约32.92亿美元。

5.紫光“双芯”齐发!首款“中国芯”U 盘落地商用

据消息,国内首颗搭载“中国存储芯”的产品正式落地商用,是新一代隐式指纹安全 U 盘,由紫光集团旗下三家企业:紫光存储、长江存储、紫光国微联手打造。紫光的新一代隐式指纹安全 U 盘,搭载着长江存储自制的 3D NAND 芯片,引发市场关注。长江存储投入 3D NAND 技术的开发费用高达 10 亿美元,由 1000 人研发团队合力打造,历时 2~3 年完成研发,目前正在武汉 12 吋晶圆厂进行生产。

6.再生晶圆需求大,rs technologies营收暴涨136.5%

据消息,全球再生晶圆大厂RS Technologies昨日发布前三季度(1-9月)财报,由于以再生晶圆为主的晶圆业务业绩强劲,加上北京子公司的生产晶圆制造生产情况良好,合并营收较去年同期飙增136.5%至186.23亿日元、合并营益暴增91.9%至39.72亿日元、合并纯益大增58.7%至23.83亿日元。

7.联合创始人称乔布斯会很满意现在的苹果

据消息,如果乔布斯在世,他会怎么看待现在的苹果了?该公司的联合创始人Steve Wozniak给出了答案,他认为乔布斯会很满意苹果公司的现状。

8.紫光展锐携手合作伙伴以多元化创新产品助力构建数字非洲

据悉,作为非洲地区最具影响力的通信技术专业展览会之一,南非国际通信技术展于11月13日至11月15日在开普敦举办。紫光展锐携手众多合作伙伴参与本次展会,并在现场展出多款移动通信与物联网解决方案, 其中搭载紫光展锐SC7731EF芯片平台,由紫光展锐携手中国移动、MTN、KAIOS合作发布的全球首款3G智能功能手机,在此次展会上首次亮相。

原文标题:【芯闻3分钟】体内芯片代替员工卡;紫光“双芯”齐发;长江存储频传好消息;再生晶圆需求大;联合创始人称乔布斯会很满意现在的苹果..

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BAR43C 肖特基二极管

信息 BAR43C 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。
发表于 04-18 19:13 33次 阅读
BAR43C 肖特基二极管

BAR43S 肖特基二极管

信息 BAR43S 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。
发表于 04-18 19:13 38次 阅读
BAR43S 肖特基二极管

BAL99L 70 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。该器件采用SOT-23表面贴装封装,非常适合自动插入。 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:13 40次 阅读
BAL99L 70 V开关二极管

A5191HRT 工业HART协议调制解调器

信息 A5191HRT是一款单芯片CMOS调制解调器,适用于高速公路可寻址远程传感器(HART)现场仪表和主机。调制解调器和一些外部无源组件提供满足HART物理层要求所需的所有功能,包括调制,解调,接收滤波,载波检测和发送信号整形。 A5191HRT与SYM20C15引脚兼容。有关引脚与SYM20C15兼容性的详细信息,请参见引脚说明和功能描述部分。 A5191HRT使用每秒1200位的相位连续频移键控(FSK)。为了节省功率,接收电路在发送操作期间被禁用,反之亦然。这提供了HART通信中使用的半双工操作。 低功耗 Bell 202移位频率为1200 Hz和2200 Hz 单芯片,半 - 双工1200比特FSK调制解调器 发送信号波形整形 接收带通滤波器 满足HART物理层要求 CMOS兼容 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:13 26次 阅读
A5191HRT 工业HART协议调制解调器

CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25128是一个128 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式(0,0和1,1) 工业和扩展温度范围 自定时写周期 64字节页写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留< / li> 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 具有永久写保护的附加标识页...
发表于 04-18 19:13 30次 阅读
CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25256是一个256 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0)和(1,1) ) 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页(新产品) 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留 1,000,000编程/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护< / li> - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业和扩展温度范围 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘UDFN和TDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:13 30次 阅读
CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:13 32次 阅读
CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25160 16-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25080 / 25160是8-kb / 16-kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为1024x8 / 2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25080 / 25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 32字节页写缓冲区 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 符合RoHS标准的8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装...
发表于 04-18 19:13 34次 阅读
CAT25160 16-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

MC10EP32 3.3 V / 5.0 V ECL÷·2分频器

信息 MC10 / 100EP32是一个集成的2分频器,具有差分CLK输入。 V 引脚是内部产生的电源,仅适用于该器件。对于单端输入条件,未使用的差分输入连接到V 作为开关参考电压。 V 也可以重新连接AC耦合输入。使用时,通过0.01μF电容去耦V 和V ,并限制电流源或吸收至0.5mA。不使用时,V 应保持开路。复位引脚是异步的,并在上升沿置位。上电时,内部触发器将达到随机状态;复位允许在系统中同步多个EP32。 100系列包含温度补偿。 350ps典型传播延迟 最大频率> 4 GHz典型 PECL模式工作范围:V = 3.0 V至5.5 V V = 0 V NECL模式工作范围:V = 0 V ,其中V = -3.0 V至-5.5 V 打开输入默认状态< / li> 输入安全钳位 Q输出打开或V 无铅封装可用时默认为低电平 < / DIV>...
发表于 04-18 19:13 26次 阅读
MC10EP32 3.3 V / 5.0 V ECL÷·2分频器